【課題】防食剤として尿素を使用せず、しかも２０℃程度の常温で確実に防食性能を発揮できる剥離剤組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】ピロガロールを必須成分とする防食剤と、アルカノールアミンを含有し、ｐＨを８〜１０に調整する剥離剤組成物の構成とすることにより、アルカノールアミンが剥離機能を発揮して、レジスト膜やエッチング残渣が除去され、またｐＨ値が８〜１０にあれば、ピロガロールが水分の溶存酸素を強力に除去することができ、露出する銅膜などの金属表面に溶存酸素が反応するのを未然に防いで、防食機能を発揮する剥離剤組成物が得られる。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜としての機能を有するとともに、パターン転写性能及びエッチング耐性に優れ、微細化したパターンの転写時においてもパターンが曲がらないレジスト下層膜形成方法及びそれに用いるレジスト下層膜用組成物並びにパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】本レジスト下層膜形成方法は、レジスト下層膜用組成物（例えば、フェノール性水酸基を有する化合物、溶剤及び促進剤を含有する組成物等）を被加工基板に塗布する塗布工程と、得られた塗膜を、酸素濃度が１容量％以上、且つ温度が３００℃以上の酸化性雰囲気下において成膜させる成膜工程と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド樹脂及びポリベンゾオキサゾール樹脂の代替材料となり得るフェノール樹脂を含有する感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いた硬化レリーフパターンの製造方法、該硬化レリーフパターンを有してなる半導体装置、及び新規のフェノール樹脂を提供する。
【解決手段】半導体素子の表面保護膜又は層間絶縁膜を形成するための感光性樹脂組成物であって、フェノール性水酸基数が異なる２種類以上のフェノール化合物を含む重合成分の重合反応生成物であるフェノール樹脂（Ａ）：１００質量部；及び光酸発生剤（Ｂ）：０．１〜５０質量部；を含有する、感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基が酸不安定基により保護された部分構造を有する繰り返し単位を含有するベース樹脂と光酸発生剤と架橋剤と有機溶剤を共に含み、架橋剤がオキシラン環又はオキセタン環から選ばれる官能基を分子内に２つ以上有する化合物であるレジスト組成物を基板上に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させることを特徴とするネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト組成物は、有機溶剤現像において解像性が高く、露光、加熱処理により酸不安定基が脱保護した状態においても高い耐ドライエッチング性を示す特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性を維持しつつ、アルカリ液を用いて容易に除去可能なレジスト下層膜を形成できるパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、（１）アルカリ開裂性官能基を有する化合物を含有するレジスト下層膜形成用組成物を用い、被加工基板上にレジスト下層膜を形成する工程、（２）上記レジスト下層膜上にレジストパターンを形成する工程、（３）上記レジストパターンをマスクとした上記レジスト下層膜及び上記被加工基板のドライエッチングにより上記被加工基板にパターンを形成する工程、並びに（４）アルカリ液により上記レジスト下層膜を除去する工程を有するパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】ラインエッジラフネスに優れた微細なパターンを簡便かつ高い量産性で製造できる微細パターン形成用の樹脂組成物と微細パターン形成方法の提供。
【解決手段】ポリシラザンまたはポリシルセスキオキサンとからなる群から選択されるケイ素含有ポリマーと、ポリスチレンなどのケイ素非含有有機ポリマーと、それらを溶解し得る溶媒とを含んでなる樹脂組成物。また、本発明により微細パターンの形成方法は、被加工膜上に、第一の凸パターンを形成させ、その凸パターンの凸部側壁に前記樹脂組成物から形成されたスペーサーを形成させて、そのスペーサー、またはスペーサーの周りに配置された樹脂層をマスクとして微細パターンを形成させるものである。 （もっと読む）

【課題】エッチングを行わずに残膜除去処理を行うことが可能なパターン転写方法を提供する。
【解決手段】実施形態のパターン転写方法では、被加工基板上に光反応性樹脂を形成する。さらに、前記方法では、凹凸パターンを有する透明基板と、前記凹凸パターンの表面の一部に形成された遮光膜と、を備えるモールドを前記光反応性樹脂に押印する。さらに、前記方法では、前記モールドが前記光反応性樹脂に押印された状態で、前記モールドを介して前記光反応性樹脂に光を照射する。さらに、前記方法では、前記光反応性樹脂に光を照射した後に、前記モールドが前記光反応性樹脂に押印された状態で、前記光反応性樹脂を加熱する。さらに、前記方法では、前記光反応性樹脂の加熱後に、前記モールドを前記光反応性樹脂から離型する。さらに、前記方法では、前記モールドの離型後に、前記光反応性樹脂を洗浄液で洗浄する。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板上のＣｕ膜若しくはＣｕ合金膜をウェットエッチングすることによって配線等とする際に、Ｃｕ膜用のエッチャントに曝され、変質し剥離しにくくなったフォトレジストをＣｕ膜にダメージを与えないように剥離し、なおかつ、Ｃｕ膜の上に堆積させる層との間の接着力を低下させないフォトレジストの剥離液を提供する。
【解決手段】三級アルカノールアミンが１〜９質量％、極性溶媒を１０〜７０質量％、水を１０〜４０質量％、レジスト成分が３０００ｐｐｍ以下からなるフォトレジスト剥離液は、多少の銅の腐食はあるものの、Ｃｕ膜上に堆積させる層との接着性もよく、実用としては、問題がなかった。 （もっと読む）

【課題】精密な現像処理を基板面内の各ショットに対して個別に行う。
【解決手段】現像処理装置は、ウェハＷを保持する基板保持部と、現像液を吐出する現像液吐出口が設けられ且つウェハの直径より短い複数の供給ノズル９０を、ウェハＷの一端側からウェハＷの他端側に向けてウェハの直径以上の長さにわたって隙間なく並べて形成された集合ノズルと、集合ノズルの長さ方向と直交する方向に、各供給ノズル９０を個別に水平移動させるシャフト８４を有している。供給ノズル９０がシャフトを移動する速度は、変速可能である。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤現像を用いて形成されるネガ型レジストパターンの形成方法として最適なパターン形成方法の提供。
【解決手段】少なくとも、ケイ素含有膜形成用組成物を用いて被加工体上にケイ素含有膜を形成する工程(Ｂ)と、該ケイ素含有膜上に化学増幅型レジスト組成物を用いてフォトレジスト膜を形成する工程(Ｃ)と、加熱処理後に高エネルギー線で前記フォトレジスト膜を露光する工程(Ｄ)と、有機溶剤の現像液を用いて前記フォトレジスト膜の未露光部を溶解させることによりネガ型のパターンを得る工程(Ｆ)を含むパターン形成方法において、前記ケイ素含有膜形成用組成物として、前記フォトレジスト膜が露光された時に、該露光部に対応する前記ケイ素含有膜の露光後の純水に対する接触角が３５度以上７０度未満となるものを用いる。 （もっと読む）

【課題】ポリカーボネート樹脂及び光酸発生剤を用いて成膜（フォトレジスト層）し、所望のパターンでマスクされたフォトレジスト層に紫外線を照射し、その後現像液として有機溶媒を含まない水溶液を用いて現像することにより、十分なフォトレジストを得ることのできる反応現像画像形成法を提供する。
【解決手段】所望のパターンでマスクされたフォトレジスト層に紫外線を照射し、その後この層をＭＯＨ（式中、Ｍはアルカリ金属を表す。）で表される無機アルカリ等を含む水溶液で洗浄することから成る現像画像形成法において、該フォトレジスト層がポリカーボネート樹脂及びキノンジアジド構造を有する有機基と水酸基の両方を有する化合物（光酸発生剤）とから成ることを特徴とする反応現像画像形成法。 （もっと読む）

【解決手段】ベース樹脂として、特定の開環メタセシス重合体水素添加物［Ａ］と、特定の（メタ）アクリル酸エステル樹脂［Ｂ］とを含有するレジスト組成物を基板上に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させることを特徴とするネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト組成物は、有機溶剤現像における溶解コントラストが高く、また、露光、加熱処理により酸不安定基が脱保護した状態においても高い耐ドライエッチング性を示す。このレジスト組成物を用いて有機溶剤現像によるネガ型パターン形成を行うことにより、微細トレンチパターンやホールパターンのマスク寸法忠実性や露光ショット内寸法均一性を向上させると共に、高い耐ドライエッチング性を発揮することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】めっき後に細線乃至小ドットの金属パターンを高解像度で形成できる金属パターン材料及び金属パターン材料の製造方法の提供。
【解決手段】特定のめっき形成用光感応材料を６μｍ未満のピッチで露光する際に、６μｍピッチ露光時の最適パワーに対し、１００％未満であり、かつ〔（ピッチ（μｍ）×７５／６＋２５）−３０〕〜〔（ピッチ（μｍ）×７５／６＋２５）＋１５〕％のレーザーパワーで露光する露光工程と、露光後のめっき形成用光感応材料を現像液で現像する現像工程と、現像後のパターンが形成されためっき形成用光感応材料を、めっき浴比が１０未満でめっきを行うめっき工程とを含む金属パターン材料の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】Ｔ−ゲート構造物の改良された形成法の提供。
【解決手段】ａ）基板を提供する工程、ｂ）基板上に平坦化層を配置する工程、ｃ）ＵＶ感受性第一フォトレジストの層を配置する工程、ｄ）マスクを通してＵＶ放射線に露光し、現像することによって、第一フォトレジストをパターン化して、Ｔ−ゲートの底部用の第一開口を規定する工程、ｅ）パターンを平坦化層に転写する工程、ｆ）このパターンをＵＶ放射線に対して非感受性にする工程、ｇ）ＵＶ感受性第二フォトレジストの層を配置する工程、ｈ）第二フォトレジストをマスクを通してＵＶ放射線に露光し、現像することによって、第二フォトレジストをパターン化して、第一開口の上のＴ−ゲートのキャップ用の第二開口を規定する工程、ｉ）第一開口および第二開口内に導電性材料を堆積してＴ−ゲートを形成する工程、を含む方法。 （もっと読む）

【課題】高感度で低温硬化が可能でかつ、十分な耐熱性をもち、強靭な膜質を持つ材料を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸でアルカリ可溶性が増大する化合物、（Ｂ）活性光線および／または放射線照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）架橋剤を含み、前記（Ｃ）架橋剤が下記式（Ｉ）で表され、数平均分子量が６００〜２０００である、化学増幅型ポジ感光性組成物。式（Ｉ）


（式（Ｉ）中、Ａは、−Ｏ−および２価の有機基から構成され、かつ、少なくとも、下記式（Ｉ−２）で表される部分構造を含む。）式（Ｉ−２）


（Ｘは２価の有機基を示す。） （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基によりカルボキシル基が保護された部分構造を有する繰り返し単位とラクトン構造を有する繰り返し単位とから構成される開環メタセシス重合体水素添加物をベース樹脂として含有するレジスト組成物を基板上に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤含有現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の開環メタセシス重合体水素添加物を含むレジスト組成物は、有機溶剤現像における溶解コントラストが高く、露光、加熱処理により酸不安定基が脱保護した状態においても高い耐ドライエッチング性を示す。このレジスト組成物を用いて有機溶剤現像によるネガ型パターン形成を行うことで、微細トレンチパターンやホールパターンの解像性能を向上させると共に、高い耐ドライエッチング性を発揮することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、電子線レジスト組成物の高精度な感度管理をするための感度検査方法を用いた、高精度に管理されたレジスト組成物の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 レジスト組成物用材料と溶剤からなるレジスト組成物原体を調製し、該レジスト組成物原体を一部採取し、該採取したレジスト組成物原体を用いて試験用基板上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜にパターン照射を含むパターン形成処理を行ってレジストパターンを形成し、形成された該レジストパターンのサイズと前記パターン照射時の照射エネルギー量に基づいて前記レジスト組成物原体の感度を検定した後、該感度検定結果を基に前記レジスト組成物原体に加える追加材料の量を調整して前記レジスト組成物原体の感度調整を行う化学増幅型レジスト組成物の製造方法において、前記パターン照射を電子線ビーム照射により行うことを特徴とする化学増幅型レジスト組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセスにおいて、中間層膜のシリコン（Ｓｉ）の含有率を高くした場合でも、上層のレジストパターンを形成した後の現像欠陥が発生せず、従って、歩留まりを向上できるようにする。
【解決手段】下層膜２の上にシリコンを含有する中間層膜３、４及び上層レジスト膜５を形成する。続いて、露光された上層レジスト膜５を現像して、上層レジスト膜から上層レジストパターン５ａを形成する。上層レジストパターンをマスクとして、中間層膜３、４をエッチングすることにより、中間層膜から中間層パターン３ａ、４ａを形成する。中間層パターンをマスクとして下層膜２をエッチングし、下層膜からエッチングパターン２ａを形成する。中間層膜３、４は、第１のシリコン含有率を有する下層中間層膜３と、該下層中間層膜の上に形成され、第１のシリコン含有率よりも低い第２のシリコン含有率を有する上層中間層膜４を含む。 （もっと読む）

【課題】優れたラインウィドゥスラフネス（ＬＷＲ）を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物用の樹脂の製造方法を提供する。
【解決手段】以下の工程（１）〜工程（４）を含むレジスト組成物用低分散樹脂の製造方法。工程（１）：高分散樹脂と第１のケトン溶剤とを混合して、高分散樹脂及び第１のケトン溶剤からなる溶液を得る工程、工程（２）：工程（１）で得られた溶液と脂肪族エーテル溶剤とを混合後、不溶分を除去して濃縮して濃縮物を得る工程、工程（３）：工程（２）で得られた濃縮物を第２のケトン溶剤に溶解させる工程、工程（４）：工程（３）で得られた溶液と脂肪族炭化水素溶剤とを混合後、高分散樹脂よりも分散度が小さい低分散樹脂からなる不溶分を得る工程 （もっと読む）

【課題】無機膜上に形成するレジストパターンの形成性及びエッチング選択比に優れ、レジスト膜を薄膜化する場合においても忠実なパターン転写が可能な多層レジストプロセス用無機膜形成組成物、並びにパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、［Ａ］加水分解性基を有する金属錯体（Ｉ）、加水分解性基を有する金属錯体（Ｉ）の加水分解物及び加水分解性基を有する金属錯体（Ｉ）の加水分解縮合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物、並びに［Ｂ］有機溶媒を含有する多層レジストプロセス用無機膜形成組成物であって、［Ａ］化合物が、第３族元素、第４族元素及び第５族元素からなる群より選択される少なくとも１種の金属元素を含有し、かつこの金属元素の含有割合が、［Ａ］化合物に含まれる金属元素及び半金属元素の合計量に対し５０モル％以上であることを特徴とする多層レジストプロセス用無機膜形成組成物である。 （もっと読む）