説明

Fターム[2H096AA25]の内容

感光性樹脂・フォトレジストの処理 (33,738) | 目的、用途 (6,461) | 半導体素子、集積回路 (2,209)

Fターム[2H096AA25]に分類される特許

41 - 60 / 2,209


【課題】金属含有膜を用いる多層レジストプロセスにおいて、金属含有膜からの金属溶出を抑制することができるパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、(1)被加工基板の上側に金属含有膜を形成する工程、(2)上記金属含有膜上に保護膜を形成する工程、(3)レジスト組成物を用い、上記保護膜上にレジスト膜を形成する工程、(4)フォトマスクを介した露光光の照射により、上記レジスト膜を露光する工程、(5)上記露光されたレジスト膜の現像により、レジストパターンを形成する工程、及び(6)上記レジストパターンをマスクとしたエッチングにより、被加工基板にパターンを形成する工程を有するパターン形成方法である。 (もっと読む)


【解決手段】酸の作用により分解するアセタール保護基で保護されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、スルホン酸を発生するオニウム塩型光酸発生剤と、カルボン酸を発生するオニウム塩型光酸発生剤とを含有するレジスト組成物。
【効果】酸の作用により分解するアセタール保護基で保護されたヒドロキシ基をアセタール保護した繰り返し単位を含む高分子化合物と、高エネルギー線でスルホン酸を発生する化合物及びカルボン酸を発生する化合物を含むレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高い特徴と、ナノエッジラフネスを低減する特徴を有し、このことにより微細なホールパターンを寸法制御よくかつ高感度で形成することを可能とする。 (もっと読む)


【解決手段】酸不安定基で置換されたビニルアルコールと無水マレイン酸及び/又はマレイミドを繰り返し単位として有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】酸不安定基で置換されたビニルアルコールと無水マレイン酸及び/又はマレイミドを繰り返し単位として有する高分子化合物と酸発生剤を含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。このフォトレジスト膜を用いて露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よくかつ高感度で形成することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】高解像性で、且つ溶出が抑制されたのネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】基材成分、光塩基発生剤成分及び酸供給成分を含有するレジスト組成物を支持体上にスピンコート法により塗布してレジスト膜を形成する工程(1)、レジスト膜にプレベークを行わず、レジスト膜を露光する工程(2)、工程(2)の後にベークを行い、レジスト膜の露光部において、露光により光塩基発生剤成分から発生した塩基と、酸供給成分に由来する酸とを中和させ、レジスト膜の未露光部において、酸供給成分に由来する酸の作用により、基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程(3)及びレジスト膜をアルカリ現像し、ネガ型レジストパターンを形成する工程(4)とを含み、工程(1)の塗布工程において、レジスト液を基板に供給後の回転時間が50秒以上であることを特徴とするレジストパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】ブロックコポリマーのミクロ相分離を利用したパターン形成方法において、ブロックコポリマーの配向を容易に制御でき、より短時間で微細なパターンを形成できる方法を提供する。
【解決手段】実施形態のパターン形成方法は、基板11上に熱架橋性分子を塗布し熱架橋性分子層12を形成する工程と、前記熱架橋性分子層12上に感光性ポリマーを塗布して感光性ポリマー層17を形成する工程と、前記熱架橋性分子層12と前記感光性ポリマー層17とを加熱による架橋反応により接着する工程と、前記感光性ポリマー層17を選択的に露光することにより、露光部および未露光部の感光性ポリマーパターンを形成する工程と、前記感光性ポリマー層17上に、第1および第2のブロック鎖を含むブロックコポリマー層14を形成し、前記ブロックコポリマー層をミクロ相分離させ、前記ポリマー層13の表面エネルギーに基づいて前記第1および第2のブロック鎖のパターンを形成する工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、形成されるレジストパターンの耐パターン倒れ性やドライエッチング時におけるレジストパターンに対する高いエッチング選択性を維持しつつ、高い屈折率及び吸光係数を有するレジスト下層膜を形成可能なレジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法並びに重合体を提供することである。
【解決手段】本発明は、[A]電子求引性基が結合する芳香族構造を有する構造単位(I)と、ラクトン構造を有する構造単位、環状カーボネート構造を有する構造単位及び環状イミド構造を有する構造単位からなる群より選択される少なくとも1種の構造単位(II)とを含む重合体を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。 (もっと読む)


【解決手段】一般式(1)で表される繰り返し単位を含有し、重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物を含むレジスト保護膜材料。


(式中、R4〜R6はフッ素化1価炭化水素基を示す。)
【効果】本発明により、高撥水性かつ高滑水性の含フッ素環状アセタールを含む繰り返し単位を有するレジスト保護膜材料が提供される。 (もっと読む)


【課題】高解像力で、パターン倒れが抑制され、低ラインエッジラフネスの微細なパターンを形成可能なレリーフパターンの製造方法を提供する。
【解決手段】(i)フェノール性水酸基を1分子中に2個以上有し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に1個以上有する分子量400〜2500のフェノール性化合物(A)を、当該ネガ型レジスト組成物の全固形分中に70重量%以上含有するネガ型レジスト組成物を基板上に塗布した後、加熱処理し、露光前レジスト膜を形成する工程、(ii)前記露光前レジスト膜を電子線、イオンビーム、EUV、又はX線でパターン状に露光し、露光後レジスト膜を形成する工程、及び(iii)前記露光後レジスト膜を、有機溶剤を用いて現像する工程を含み、当該有機溶剤は、前記露光前レジスト膜の23℃の溶解速度が0.5nm/sec以上であって、水酸基以外にヘテロ原子を含まないアルコール溶剤である、レリーフパターンの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】孔径について現像時間依存性を低く抑えながら、真円性に優れる微細な孔径(例えば、60nm以下)のホールパターンを形成可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】(P)下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)を有する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物、及び、(C)窒素原子を有し、かつ活性光線又は放射線の照射により変化しない塩基性化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対する前記化合物(C)の含有量が1.0質量%以上であり、かつ前記化合物(C)の前記化合物(B)に対するモル比率[C]/[B]が0.40以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
(もっと読む)


【課題】孔径45nm以下のホールパターンなどの微細パターンの形成において、露光ラチチュード(EL)、局所的なパターン寸法の均一性、断面形状の矩形性及び真円性に優れるパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】(ア)下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)を有する樹脂(P)、活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物(B)、及び酸の作用により脱離する基を有する含窒素有機化合物(NA)を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、(イ)該膜を露光する工程、及び(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。
(もっと読む)


【課題】超微細の孔径(例えば、60nm以下)を有し、かつ、真円性に優れるホールパターンを、良好な現像時間依存性を以って形成可能な、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスの提供。
【解決手段】(P)下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)を有する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対する前記化合物(B)の含有量が8.0質量%以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。


上記一般式(I)中、Rは、水素原子又はメチル基を表す。 (もっと読む)


【課題】ブロックポリマーを所望の位置に所望の配向でミクロ相分離させるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第1の表面エネルギーを有しシリコン化合物を含む層の上に、第1の表面エネルギーとは異なる第2の表面エネルギーを有するパターンを形成する工程と、層および第2の表面エネルギーを有するパターンの上に、ブロックポリマーを形成する工程と、ブロックポリマーをミクロ相分離させて、配列した複数のポリマーを含むラメラ構造またはシリンダー構造のいずれかのパターンを形成する工程と、を含む。層上で、ラメラ構造は、層の層面に対して垂直に配向し、シリンダー構造は、層の層面の垂線に平行な軸を有するように配向する。第2の表面エネルギーは、ブロックポリマーを構成する複数のポリマーのそれぞれの表面エネルギーのうちの最大値以上、または、最小値以下である。 (もっと読む)


【課題】微細な孔径(例えば、60nm以下)を有し、かつ、断面形状の矩形性に優れるホールパターンを、局所的なパターン寸法の均一性に優れた状態で形成可能な、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)を有する樹脂(P)、及び
活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物(B)を含有し、かつ
フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有し、前記樹脂(P)とは異なる樹脂(C)を、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、1質量%以上含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。


上記一般式(I)中、Rは、水素原子又はメチル基を表す。
、R及びRは、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。 (もっと読む)


【課題】有機溶剤現像によるネガ型パターン形成において、現像後のパターン倒れ及びブリッジ欠陥の発生を抑え、残膜率も大きい感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)を有する樹脂(P)、
特定の一般式(B−1)〜(B−3)のいずれかで表される化合物(B)、及び溶剤
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。


上記一般式(I)中、Rは、水素原子又はメチル基を表す。
、R及びRは、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。 (もっと読む)


【課題】 超微細の孔径(例えば、60nm以下)を有し、かつ、断面形状に優れるホールパターンを、局所的なパターン寸法の均一性が優れた状態で形成可能な、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】 (P)下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)を、全繰り返し単位に対して30モル%以上含有する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、(G)フッ素原子及び珪素原子の少なくとも一方を有するとともに、塩基性を有する又は酸の作用により塩基性が増大する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化1】


上記一般式(I)中、Rは、水素原子又はメチル基を表す。
、R及びRは、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。 (もっと読む)


【課題】実施形態によれば、溶解生成物の凝集を抑制できる薬液処理方法及び薬液処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、薬液処理方法は、被処理膜が形成された基板上に薬液を供給する工程を備える。また、薬液処理方法は、薬液が供給された基板上に第1のリンス液を供給しつつ、基板上における薬液と第1のリンス液との混合液を吸引して、被処理膜が薬液に溶解して生じ混合液中に含まれるパーティクルのサイズ及び数を測定する工程を備える。また、薬液処理方法は、測定の結果に基づいたタイミングで、第1のリンス液の供給を停止して基板上に第2のリンス液を供給する工程を備える。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、感度を十分に満足し、かつEL、DOF、CDU及びMEEFに優れる感放射線性樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、有機溶媒が80質量%以上の現像液を用いるレジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物であって、上記感放射線性樹脂組成物が、[A]酸解離性基を有する重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有し、かつ上記有機溶媒で現像した場合のレジスト感度曲線から算出されるコントラスト値γが、5.0以上30.0以下であることを特徴とするレジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物である。上記有機溶媒は、炭素数3〜7のカルボン酸アルキルエステル及び炭素数3〜10のジアルキルケトンからなる群より選択される少なくとも1種の有機溶媒であることが好ましい。 (もっと読む)


【解決手段】ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得、その上に置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子及び/又は芳香族基を有する架橋剤を含む溶液を塗布、ベークによってネガパターン表面で架橋することにより、ネガパターンのスペース部分の寸法を縮小させるパターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 (もっと読む)


【解決手段】置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子を含むウレア結合、アミド結合、又はウレタン結合を有する化合物と、ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
【効果】本発明に係るレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 (もっと読む)


【課題】感度、ラフネス特性及び露光ラチチュードに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、(A)酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂と、(B)活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物であって、下記一般式(1−1)により表される化合物とを含有している。
【化1】
(もっと読む)


41 - 60 / 2,209