説明

感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法

【課題】感度、ラフネス特性及び露光ラチチュードに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、(A)酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂と、(B)活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物であって、下記一般式(1−1)により表される化合物とを含有している。
【化1】


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【特許請求の範囲】
【請求項1】
(A)酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂と、
(B)活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物であって、下記一般式(1−1)により表される化合物と
を含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化1】

式中、
Aは、硫黄原子又はヨウ素原子を表す。
は、m=2の場合には各々独立に、アルキル基、アルケニル基、環式脂肪族基、芳香族炭化水素基、又は複素環式炭化水素基を表す。m=2の場合、2つのRが互いに結合して、環を形成していてもよい。
Arは、n≧2の場合には各々独立に、芳香環基を表す。
Xは、o≧2及び/又はn≧2の場合には各々独立に、前記Arとの結合部が炭素原子である連結基を表す。
は、o≧2及び/又はn≧2の場合には各々独立に、窒素原子を含んだ塩基性部位を表す。
前記Aが硫黄原子である場合、nは、1〜3の整数であり、mは、m+n=3なる関係を満たす整数である。
前記Aがヨウ素原子である場合、nは、1又は2の整数であり、mは、m+n=2なる関係を満たす整数である。
oは、1〜10の整数を表す。
は、アニオンを表す。
【請求項2】
(C)活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物(前記一般式(1−1)により表される化合物を除く)を更に含有した請求項1に記載の組成物。
【請求項3】
前記Xの少なくとも1つは下記一般式(1−2)により表される請求項1又は2に記載の組成物。
【化2】

式中、
及びRは、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、環式脂肪族基、芳香族炭化水素基、又は複素環式炭化水素基を表す。RとRとは、互いに結合して、環を形成していてもよい。R及びRの少なくとも一方は、Eと互いに結合して、環を形成していてもよい。
Eは、連結基又は単結合を表す。
【請求項4】
前記Xの少なくとも1つは下記一般式(1−3)により表される請求項1又は2に記載の組成物。
【化3】

式中、
Jは、酸素原子、又は、硫黄原子を表す。
Eは、連結基又は単結合を表す。
【請求項5】
前記Eはアルキレン結合である請求項3又は4に記載の組成物。
【請求項6】
前記Eは、エステル結合及びエーテル結合からなる群より選択される少なくとも1つを含んでいる請求項3又は4に記載の組成物。
【請求項7】
前記Aは硫黄原子を表す請求項1乃至6の何れか1項に記載の組成物。
【請求項8】
前記Rは、各々独立に、芳香族炭化水素基を表す請求項1乃至7の何れか1項に記載の組成物。
【請求項9】
前記Yは有機酸アニオンを表す請求項1乃至8の何れか1項に記載の組成物。
【請求項10】
前記Yは、スルホン酸アニオン、イミド酸アニオン、又はメチド酸アニオンを表す請求項1乃至9の何れか1項に記載の組成物。
【請求項11】
請求項1乃至10の何れか1項に記載の組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜。
【請求項12】
請求項1乃至10の何れか1項に記載の組成物を用いて膜を形成することと、
前記膜を露光することと、
前記露光された膜を現像することと
を含んだパターン形成方法。
【請求項13】
前記露光は液浸液を介して行われる請求項12に記載の方法。
【請求項14】
請求項12又は13に記載のパターン形成方法を含む、半導体デバイスの製造方法。
【請求項15】
請求項14に記載の半導体デバイスの製造方法により製造された半導体デバイス。

【公開番号】特開2013−64970(P2013−64970A)
【公開日】平成25年4月11日(2013.4.11)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−281856(P2011−281856)
【出願日】平成23年12月22日(2011.12.22)
【出願人】(306037311)富士フイルム株式会社 (25,513)
【Fターム(参考)】