【課題】有機反射防止膜の上に形成されたフォトレジストの現像処理において、フォトレジストと現像液との反応で生じる反応生成物を、短時間でレジストパターンを損傷することなく適切に除去する。
【解決手段】フォトレジストの現像処理は、現像液を用いた現像及び現像液の除去を行う第１工程と、第１工程後に、現像液を用いた現像及び現像液の除去を行う第２工程とを含み、第２の工程によって、上記レジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】液浸露光時に於ける液浸液に対する後退接触角の更なる改善及びウォーターマーク欠陥の低減が可能な液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂、及び、（Ｄ）下記一般式（Ｓ１）〜（Ｓ３）で表される群より選択される少なくとも１種の溶剤を全溶剤中３〜２０質量％含有する混合溶剤、を含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物。
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【解決手段】ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位含有高分子化合物及び酸発生剤又はヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位と露光により酸を発生する繰り返し単位含有高分子化合物と、パーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のスルホニウム塩又はヨードニウム塩と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】ヒドロキシ基の水素原子を酸不安定基で置換した繰り返し単位含有高分子化合物と酸発生剤とパーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のオニウム塩を含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【解決手段】側鎖末端にヘキサフルオロヒドロキシプロピルカルボニルオキシ基を有する（メタ）アクリレート単位を含有し、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物を含むレジスト保護膜材料。
【効果】上記レジスト保護膜材料は、高撥水性かつ高滑水性性能を有する。そのため水に対する良好なバリアー性能を有し、レジスト成分の水への溶出が抑えられる上、現像欠陥が少なく、現像後のレジストパターン形状が良好な液浸リソグラフィーを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】高解像性で、且つ溶出が抑制されたのネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】基材成分、光塩基発生剤成分及び酸供給成分を含有するレジスト組成物を支持体上にスピンコート法により塗布してレジスト膜を形成する工程（１）、レジスト膜にプレベークを行わず、レジスト膜を露光する工程（２）、工程（２）の後にベークを行い、レジスト膜の露光部において、露光により光塩基発生剤成分から発生した塩基と、酸供給成分に由来する酸とを中和させ、レジスト膜の未露光部において、酸供給成分に由来する酸の作用により、基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）及びレジスト膜をアルカリ現像し、ネガ型レジストパターンを形成する工程（４）とを含み、工程（１）の塗布工程において、レジスト液を基板に供給後の回転時間が５０秒以上であることを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、形成されるレジストパターンの耐パターン倒れ性やドライエッチング時におけるレジストパターンに対する高いエッチング選択性を維持しつつ、高い屈折率及び吸光係数を有するレジスト下層膜を形成可能なレジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法並びに重合体を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］電子求引性基が結合する芳香族構造を有する構造単位（Ｉ）と、ラクトン構造を有する構造単位、環状カーボネート構造を有する構造単位及び環状イミド構造を有する構造単位からなる群より選択される少なくとも１種の構造単位（ＩＩ）とを含む重合体を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で表される繰り返し単位を含有し、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物を含むレジスト保護膜材料。


（式中、Ｒ⁴〜Ｒ⁶はフッ素化１価炭化水素基を示す。）
【効果】本発明により、高撥水性かつ高滑水性の含フッ素環状アセタールを含む繰り返し単位を有するレジスト保護膜材料が提供される。 （もっと読む）

【課題】微細な孔径（例えば、６０ｎｍ以下）を有し、かつ、断面形状の矩形性に優れるホールパターンを、局所的なパターン寸法の均一性に優れた状態で形成可能な、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂（Ｐ）、及び
活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物（Ｂ）を含有し、かつ
フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有し、前記樹脂（Ｐ）とは異なる樹脂（Ｃ）を、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、１質量％以上含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。


上記一般式（Ｉ）中、Ｒ_０は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３は、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。 （もっと読む）

【課題】孔径について現像時間依存性を低く抑えながら、真円性に優れる微細な孔径（例えば、６０ｎｍ以下）のホールパターンを形成可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ｐ）下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物、及び、（Ｃ）窒素原子を有し、かつ活性光線又は放射線の照射により変化しない塩基性化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対する前記化合物（Ｃ）の含有量が１．０質量％以上であり、かつ前記化合物（Ｃ）の前記化合物（Ｂ）に対するモル比率［Ｃ］／［Ｂ］が０．４０以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【課題】感度、ラフネス特性及び露光ラチチュードに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物であって、下記一般式（１−１）により表される化合物とを含有している。
【化１】
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【課題】現像欠陥の発生を抑制できるパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】パターン形成方法は、基板１上にレジストパターンとなるレジスト膜２を形成する。レジスト膜２に第１の光６を照射してレジスト膜２に対してパターン露光を行う。前記レジストパターンを形成するために、前記パターン露光を行ったレジスト膜２に対して現像を行う。前記現像を行う時における欠陥の発生を抑制するために、前記パターン露光を行った後、かつ、前記現像を行う前に、前記パターン露光を行ったレジスト膜２に第２の光１０を照射してレジスト膜２の表面に対して改質処理を行う。 （もっと読む）

【課題】高い解像力、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ）、優れたパターン形状、及び、高感度を同時に満足したパターンを形成できるレジストパターン形成方法、レジストパターン、架橋性ネガ型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】基板上に、架橋反応によりネガ化するネガ型レジスト組成物を用いて膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び露光後にアルカリ現像液を用いて現像する工程をこの順番で有する、レジストパターンの形成方法において、前記ネガ型レジスト組成物が下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物を含有し、前記工程で形成された膜の膜厚が１５ｎｍ〜４０ｎｍであり、かつ、前記アルカリ現像液中のアルカリ成分の濃度が０．５質量％〜１．１質量％である、レジストパターン形成方法。
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【課題】高い解像力、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ）、優れたパターン形状、及び、高感度を同時に満足したパターンを形成できるレジストパターン形成方法、レジストパターン、ポジ型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】基板上に、ポジ型レジスト組成物を用いて膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び露光後にアルカリ現像液を用いて現像する工程をこの順番で有する、レジストパターンの形成方法において、前記ポジ型レジスト組成物が下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物を含有し、前記工程で形成された膜の膜厚が１５ｎｍ〜４０ｎｍであり、かつ、前記アルカリ現像液中のアルカリ成分の濃度が０．５質量％〜１．１質量％である、レジストパターン形成方法。


一般式（Ｉ）中、Ｙの少なくとも１つは、酸の作用により脱離する基を表す。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ用途のために、改良された（すなわち、低減された）ライン幅ラフネスを有するフォトレジストポリマーを提供する。
【解決手段】ポリマーは、酸脱保護性モノマー、塩基可溶性モノマー、ラクトン含有モノマーおよび光酸生成モノマーを含むモノマー；下記式の連鎖移動剤；並びに場合によって開始剤の重合生成物を含む：


式中、Ｚはｙ価のＣ_１−２０有機基であり、ｘは０または１であり、Ｒ^ｄは置換もしくは非置換のＣ_１−２０アルキル、Ｃ_３−２０シクロアルキル、Ｃ_６−２０アリール、またはＣ_７−２０アラルキルである。 （もっと読む）

【課題】パターン表面に残留または再付着する異物の除去、パターン倒れ防止、及び、パターンラフネスの改善をすることができるリソグラフィ用リンス液を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、一般式（ａ）：
Ｒｆ^ａ−Ｙ （ａ）
（式中、Ｒｆ^ａは、炭素原子−炭素原子間に酸素原子が挿入された、炭素数４〜５０の直鎖又は分岐の含フッ素アルキル基である。Ｙは、−ＣＯＯＭ、−ＳＯ_３Ｍ、−ＣＯＭ、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、又は、−Ｈであり、Ｍは、−Ｈ、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、ＮＨ_４又は１価のアルカリ金属である。）で表される化合物（Ａ）、並びに、水溶性有機溶媒及び水からなる群より選択される少なくとも１種の媒体（Ｂ）からなることを特徴とするリソグラフィ用リンス液である。 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び、露光ラチチュードに優れ、かつ現像により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制できるパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜の提供。
【解決手段】（ア）下記一般式（Ｉ）で表される酸によって分解しカルボキシル基を生じる繰り返し単位（ａ１）を有する樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。
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【課題】パターン倒れ、表面粗さ、および表面欠陥を改良することができる、リソグラフィー用リンス液とそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】少なくともスルホン酸と、アルキレンオキシ基を有する非イオン性界面活性剤と、水とを含むリソグラフィー用リンス液と、それを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤現像によるネガ型レジストパターンの形成方法として最適なパターン形成方法、及び該プロセスで使用されるケイ素含有膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（Ａ−１）、下記一般式（Ａ−２−１）、及び下記一般式（Ａ−２−２）で表される反応性化合物及び／又はこれらの加水分解物、縮合物、加水分解縮合物の各々からなる群から選ばれる各々の１種以上の化合物、からなる混合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、（Ｒ^２）_ｍ２（ＯＲ^３）_{（３−ｍ２）}Ｓｉ−Ｒ^１−Ｓｉ（Ｒ^４）_ｍ４（ＯＲ^５）_{（３−ｍ４）}（Ａ−１）Ｒ^１１_ｍ１１Ｒ^１２_ｍ１２Ｒ^１３_ｍ１３Ｓｉ（ＯＲ^１４）_{（４−ｍ１１−ｍ１２−ｍ１３）}（Ａ−２−１）Ｕ（ＯＲ^２１）_ｍ２１（ＯＲ^２２）_ｍ２２（Ｏ）_{ｍ２３／２}（Ａ−２−２）（Ｂ）有機溶剤を含む組成物によるケイ素含有膜上に、有機溶剤現像のフォトレジストでネガ型パターンを得る。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー用共重合体の、パターン形成における性能を、パターンを形成せずに評価する方法を提供する。
【解決手段】下記工程（１）〜（３）を含むリソグラフィー用共重合体の評価方法。
（１）リソグラフィー用共重合体と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含むリソグラフィー組成物を用いて、基材上に薄膜を形成する工程。
（２）前記薄膜を露光した後、現像する工程。
（３）現像後、現像処理した薄膜の表面状態を評価する工程。 （もっと読む）