【課題】高解像性で、且つ溶出が抑制されたのネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】基材成分、光塩基発生剤成分及び酸供給成分を含有するレジスト組成物を支持体上にスピンコート法により塗布してレジスト膜を形成する工程（１）、レジスト膜にプレベークを行わず、レジスト膜を露光する工程（２）、工程（２）の後にベークを行い、レジスト膜の露光部において、露光により光塩基発生剤成分から発生した塩基と、酸供給成分に由来する酸とを中和させ、レジスト膜の未露光部において、酸供給成分に由来する酸の作用により、基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）及びレジスト膜をアルカリ現像し、ネガ型レジストパターンを形成する工程（４）とを含み、工程（１）の塗布工程において、レジスト液を基板に供給後の回転時間が５０秒以上であることを特徴とするレジストパターン形成方法。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分と、酸供給成分と、を含有するレジスト組成物を、支持体上にスピンコート法により塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、
前記レジスト膜にプレベークを行わず、該レジスト膜を露光する工程（２）と、
前記工程（２）の後にベークを行い、前記レジスト膜の露光部において、前記露光により前記光塩基発生剤成分から発生した塩基と、前記酸供給成分に由来する酸とを中和させ、前記レジスト膜の未露光部において、前記酸供給成分に由来する酸の作用により、前記基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、
前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）と
を含むレジストパターン形成方法であって、
前記工程（１）の塗布工程において、レジスト液を基板に供給後の回転時間が５０秒以上であることを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項２】
前記工程（２）が、液浸媒体を介して露光する工程である、請求項１に記載のレジストパターン形成方法。
【請求項３】
前記レジスト組成物が、アミンを含有する請求項１又は２に記載のレジストパターン形成方法。

【図１】

【公開番号】特開２０１３−７３０６１（Ｐ２０１３−７３０６１Ａ）
【公開日】平成２５年４月２２日（２０１３．４．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２１２４９０（Ｐ２０１１−２１２４９０）
【出願日】平成２３年９月２８日（２０１１．９．２８）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】