感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
【課題】超微細の孔径（例えば、６０ｎｍ以下）を有し、かつ、真円性に優れるホールパターンを、良好な現像時間依存性を以って形成可能な、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスの提供。
【解決手段】（Ｐ）下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂、及び、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対する前記化合物（Ｂ）の含有量が８．０質量％以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。
上記一般式（Ｉ）中、Ｒ０は、水素原子又はメチル基を表す。
【解決手段】（Ｐ）下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂、及び、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対する前記化合物（Ｂ）の含有量が８．０質量％以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。
上記一般式（Ｉ）中、Ｒ０は、水素原子又はメチル基を表す。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ｐ）下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂、及び、
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対する前記化合物（Ｂ）の含有量が８．０質量％以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化１】
上記一般式（Ｉ）中、Ｒ０は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。
【請求項２】
前記繰り返し単位（ａ）の前記樹脂（Ｐ）の全繰り返し単位に対する含有量が、４０〜７０モル％である、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項３】
前記樹脂（Ｐ）の重量平均分子量が９０００以上である、請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項４】
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対する前記化合物（Ｂ）の含有量が９．０〜３０質量％である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項５】
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物（Ｃ）を更に含有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項６】
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂を更に含有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成されるレジスト膜。
【請求項８】
請求項７に記載のレジスト膜を露光する工程、及び
有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を含む、パターン形成方法。
【請求項９】
前記有機溶剤を含む現像液における有機溶剤の含有量が、前記現像液の全量に対して、９０質量％以上１００質量％以下である、請求項８に記載のパターン形成方法。
【請求項１０】
前記現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有する現像液である、請求項８又は９に記載のパターン形成方法。
【請求項１１】
更に、有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を含む、請求項８〜１０のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項１２】
請求項８〜１１のいずれか１項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。
【請求項１】
（Ｐ）下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂、及び、
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対する前記化合物（Ｂ）の含有量が８．０質量％以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化１】
上記一般式（Ｉ）中、Ｒ０は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。
【請求項２】
前記繰り返し単位（ａ）の前記樹脂（Ｐ）の全繰り返し単位に対する含有量が、４０〜７０モル％である、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項３】
前記樹脂（Ｐ）の重量平均分子量が９０００以上である、請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項４】
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対する前記化合物（Ｂ）の含有量が９．０〜３０質量％である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項５】
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物（Ｃ）を更に含有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項６】
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂を更に含有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成されるレジスト膜。
【請求項８】
請求項７に記載のレジスト膜を露光する工程、及び
有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を含む、パターン形成方法。
【請求項９】
前記有機溶剤を含む現像液における有機溶剤の含有量が、前記現像液の全量に対して、９０質量％以上１００質量％以下である、請求項８に記載のパターン形成方法。
【請求項１０】
前記現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有する現像液である、請求項８又は９に記載のパターン形成方法。
【請求項１１】
更に、有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を含む、請求項８〜１０のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項１２】
請求項８〜１１のいずれか１項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。
【公開番号】特開２０１３−６８７７５（Ｐ２０１３−６８７７５Ａ）
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２０７０１５（Ｐ２０１１−２０７０１５）
【出願日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
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