感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
【課題】有機溶剤現像によるネガ型パターン形成において、現像後のパターン倒れ及びブリッジ欠陥の発生を抑え、残膜率も大きい感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂（Ｐ）、
特定の一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）のいずれかで表される化合物（Ｂ）、及び溶剤
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
上記一般式（Ｉ）中、Ｒ０は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂（Ｐ）、
特定の一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）のいずれかで表される化合物（Ｂ）、及び溶剤
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
上記一般式（Ｉ）中、Ｒ０は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂（Ｐ）、
下記一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）のいずれかで表される化合物（Ｂ）、及び溶剤
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化１】
上記一般式（Ｉ）中、Ｒ０は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。
【化２】
上記一般式（Ｂ−１）中、
Ａ＋はスルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンを表す。
Ｒｂ１は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。
ｎは１〜４の整数を表す。
Ｘｂ１は単結合、エーテル結合、エステル結合（−ＯＣＯ−若しくは−ＣＯＯ−）又はスルホン酸エステル結合（−ＯＳＯ２−若しくは−ＳＯ３−）を表す。
Ｒｂ２は炭素数６以上の置換基を表す。
【化３】
上記一般式（Ｂ−２）中、
Ａ＋はスルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンを表す。
Ｑｂ１はラクトン構造を有する基、スルトン構造を有する基又は環状カーボネート構造を有する基を表す。
【化４】
上記一般式（Ｂ−３）中、
Ａ＋はスルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンを表す。
Ｌｂ２は炭素数１〜６のアルキレン基を表す。
Ｘｂ２はエーテル結合又はエステル結合（−ＯＣＯ−若しくは−ＣＯＯ−）を表す。
Ｑｂ２は脂環基又は芳香環を含有する基を表す。
【請求項２】
前記樹脂（Ｐ）が、樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して前記繰り返し単位（ａ）を４５モル％以上含有する樹脂である、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項３】
前記樹脂（Ｐ）の重量平均分子量が１００００以上である、請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項４】
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物（Ｃ）を更に含有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項５】
前記一般式（Ｉ）におけるＲ１、Ｒ２及びＲ３についての直鎖状又は分岐状のアルキル基が炭素数１〜４のアルキル基である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項６】
前記樹脂（Ｐ）が、脂環炭化水素構造を有する樹脂である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項７】
フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂を更に含有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成されるレジスト膜。
【請求項９】
（ア）請求項１〜７のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を含む、パターン形成方法。
【請求項１０】
前記現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有する現像液である、請求項９に記載のパターン形成方法。
【請求項１１】
更に、（エ）有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を含む、請求項９又は１０に記載のパターン形成方法。
【請求項１２】
請求項９〜１１のいずれか１項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂（Ｐ）、
下記一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）のいずれかで表される化合物（Ｂ）、及び溶剤
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化１】
上記一般式（Ｉ）中、Ｒ０は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。
【化２】
上記一般式（Ｂ−１）中、
Ａ＋はスルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンを表す。
Ｒｂ１は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。
ｎは１〜４の整数を表す。
Ｘｂ１は単結合、エーテル結合、エステル結合（−ＯＣＯ−若しくは−ＣＯＯ−）又はスルホン酸エステル結合（−ＯＳＯ２−若しくは−ＳＯ３−）を表す。
Ｒｂ２は炭素数６以上の置換基を表す。
【化３】
上記一般式（Ｂ−２）中、
Ａ＋はスルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンを表す。
Ｑｂ１はラクトン構造を有する基、スルトン構造を有する基又は環状カーボネート構造を有する基を表す。
【化４】
上記一般式（Ｂ−３）中、
Ａ＋はスルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンを表す。
Ｌｂ２は炭素数１〜６のアルキレン基を表す。
Ｘｂ２はエーテル結合又はエステル結合（−ＯＣＯ−若しくは−ＣＯＯ−）を表す。
Ｑｂ２は脂環基又は芳香環を含有する基を表す。
【請求項２】
前記樹脂（Ｐ）が、樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して前記繰り返し単位（ａ）を４５モル％以上含有する樹脂である、請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項３】
前記樹脂（Ｐ）の重量平均分子量が１００００以上である、請求項１又は２に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項４】
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物（Ｃ）を更に含有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項５】
前記一般式（Ｉ）におけるＲ１、Ｒ２及びＲ３についての直鎖状又は分岐状のアルキル基が炭素数１〜４のアルキル基である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項６】
前記樹脂（Ｐ）が、脂環炭化水素構造を有する樹脂である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項７】
フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂を更に含有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成されるレジスト膜。
【請求項９】
（ア）請求項１〜７のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を含む、パターン形成方法。
【請求項１０】
前記現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有する現像液である、請求項９に記載のパターン形成方法。
【請求項１１】
更に、（エ）有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を含む、請求項９又は１０に記載のパターン形成方法。
【請求項１２】
請求項９〜１１のいずれか１項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。
【公開番号】特開２０１３−６８７７８（Ｐ２０１３−６８７７８Ａ）
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２０７０１８（Ｐ２０１１−２０７０１８）
【出願日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
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