レジスト剥離液の回収方法
【課題】レジスト剥離液成分含有水から効率よくレジスト剥離液を回収することができるレジスト剥離液の回収方法を提供する。
【解決手段】レジスト剥離液含有水からレジスト剥離液を回収する方法において、レジスト剥離液含有水を疎水性ゼオライトよりなる吸着材４と接触させて、レジスト剥離液及び一部の水分を該吸着材に吸着させ、次いで、該吸着材から一部の水を脱着（第１脱着塔１０における第１回脱着）させ、その後、該吸着材に対しレジスト剥離液の沸点よりも温度の高い過熱水蒸気を接触させて該吸着材から該レジスト剥離液を脱着（第２脱着塔２０における第２回脱着）させ、この第２回脱着の脱着液を蒸留して該レジスト剥離液を分取して回収することを特徴とするレジスト剥離液の回収方法。
【解決手段】レジスト剥離液含有水からレジスト剥離液を回収する方法において、レジスト剥離液含有水を疎水性ゼオライトよりなる吸着材４と接触させて、レジスト剥離液及び一部の水分を該吸着材に吸着させ、次いで、該吸着材から一部の水を脱着（第１脱着塔１０における第１回脱着）させ、その後、該吸着材に対しレジスト剥離液の沸点よりも温度の高い過熱水蒸気を接触させて該吸着材から該レジスト剥離液を脱着（第２脱着塔２０における第２回脱着）させ、この第２回脱着の脱着液を蒸留して該レジスト剥離液を分取して回収することを特徴とするレジスト剥離液の回収方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス、フラットパネルディスプレイ、プリント基板等の電子部品の製造工程で発生するレジスト剥離廃液を処理してレジスト剥離液を回収する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、フラットパネルディスプレイ、プリント基板等の電子部品の製造工程では、フォトリソグラフィー工程を行うことがある。このフォトリソグラフィー工程は、基板上にネガ型又はポジ型のフォトレジストの比較を形成する被膜形成工程、パターンマスクを通して光等を照射する照射工程、現像液を用いて不要のフォトレジストを溶解・現像してレジストパターンを形成する溶解・現像工程、エッチング等の処理を行うエッチング工程、基板上のレジスト膜をレジスト剥離液を用いて剥離する剥離工程、及び基板を洗浄水（リンス水）で洗浄する洗浄工程を含んでいる。この剥離工程で使用されるレジスト剥離液は一般に、グリコール系溶剤（ブチルジグリコール等）などの有機溶媒、アルカノールアミン、少量の水（例えば０．５重量％以下）などから構成されている。
【０００３】
剥離工程では、このレジスト剥離液が基板上に形成されたレジスト膜を溶解することにより、溶解レジストを含むレジスト剥離廃液が排出される。また、洗浄工程では、基板上に残留するレジスト剥離液を洗浄水でリンスすることにより、リンス廃水が排出される。
【０００４】
この剥離工程で排出されるレジスト剥離廃液を再生処理する方法としては、特許文献１（特開２００５−２１５６２７号公報）に開示された方法が知られている。この特許文献１では、レジスト剥離廃液を貯留槽から抜き出してナノフィルトレーション膜（ＮＦ膜）に通液し、溶解レジストを除去する。この溶解レジストが除去された透過液を、イオン交換樹脂と接触させて金属類及び／又はイオン性不純物を除去し、さらに水分除去剤（乾燥剤）及び／又は脱気膜と接触させて水分を除去することにより、レジスト剥離液を再生する。この再生されたレジスト剥離液は、レジスト剥離工程に再利用される。なお、ＮＦ膜を透過しなかった濃縮液は上記貯留槽に返送されて循環される。該貯留槽内のレジスト剥離廃液の性状が再生に適さなくなったときには、その一部又は全量を系外に排出すると共に、再生された透過液に対して新たなレジスト剥離液を補給する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２１５６２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１のレジスト剥離液の再生方法によると、レジスト剥離工程で排出された、水分量の少ないレジスト剥離廃液は再処理される。しかしながら、この特許文献１の方法は、洗浄工程で排出されたリンス水や、このリンス水とレジスト剥離工程で排出されたレジスト剥離廃液との混合液のような、水分を多量に含む廃水からのレジスト剥離液の再生には適さない。
【０００７】
すなわち、特許文献１では、水分を乾燥イオン交換樹脂又はゼオライト等の水分除去剤を用いるか、又は脱気膜により除去する。この乾燥イオン交換樹脂やゼオライト等は、水分を多く含むリンス水等を接触させると、水分除去剤が早期に水で飽和してしまうため、水分除去剤を頻繁に取り替える必要が生じて効率が極めて悪い。なお、ゼオライトや乾燥イオン交換樹脂はイオン交換能を有しているため、レジスト剥離液成分含有水中の成分が電荷を持っている場合には該成分が該ゼオライト等に吸着してしまい、これらゼオライトや乾燥イオン交換樹脂を再生することができない。
【０００８】
また、脱気膜を用いてリンス水等から水分を除去する場合、このリンス水中に多量に含まれる水分を水蒸気として脱気膜を透過させる必要があり、著しく非効率である。
【０００９】
本発明は、レジスト剥離液含有水から効率よくレジスト剥離液を回収することができるレジスト剥離液の回収方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明（請求項１）のレジスト剥離液の回収方法は、レジスト剥離液含有水からレジスト剥離液を回収する方法において、レジスト剥離液含有水を疎水性ゼオライトよりなる吸着材と接触させて、レジスト剥離液及び一部の水分を該吸着材に吸着させ、次いで、該吸着材から一部の水を脱着（第１回脱着）させ、その後、該吸着材に対しレジスト剥離液の沸点よりも温度の高い過熱水蒸気を接触させて該吸着材から該レジスト剥離液を脱着（第２回脱着）させ、この第２回脱着の脱着液を蒸留して該レジスト剥離液を分取して回収することを特徴とするものである。
【００１１】
請求項２のレジスト剥離液の回収方法は、請求項１において、前記第１回脱着を、水の沸点よりも高温度かつレジスト剥離液の沸点よりも低温度の過熱水蒸気を前記吸着材に接触させることにより行うことを特徴とするものである。
【００１２】
請求項３のレジスト剥離液の回収方法は、請求項１又は２において、前記第１脱着処理及び第２脱着処理を非酸化性雰囲気中で行うことを特徴とするものである。
【００１３】
請求項４のレジスト剥離液の回収方法は、請求項１ないし３のいずれか１項において、前記疎水性ゼオライトが粘土鉱物をバインダーとしたものであることを特徴とするものである。
【００１４】
請求項５のレジスト剥離液の回収方法は、請求項１ないし４のいずれか１項において、第２回脱着により、吸着材から飽和吸着量の８０〜９０％の量のレジスト剥離液を脱着させることを特徴とするものである。
【００１５】
請求項６のレジスト剥離液の回収方法は、請求項１ないし５のいずれか１項において、前記第１回脱着により、吸着した水の１０〜９０％を脱着させることを特徴とするものである。
【００１６】
請求項７のレジスト剥離液の回収方法は、請求項１ないし６のいずれか１項において、前記蒸留により、水分を２５〜３０ｗｔ％含むレジスト剥離液を回収することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のレジスト剥離液の回収方法では、レジスト剥離液含有水を吸着材と接触させてレジスト剥離液を吸着材に吸着させる。そして、この吸着材からまず一部の水を脱着（第１回脱着）させ、その後、レジスト剥離液を脱着（第２回脱着）させ、この第２回脱着液を蒸留し、レジスト剥離液を回収する。
【００１８】
このように、吸着材からまず一部の水を脱着させた後、レジスト剥離液を脱着（第２回脱着）させるので、第２回脱着液中のレジスト剥離液濃度が高い。このレジスト剥離液濃度の高い液を蒸留することにより、濃度が高いレジスト剥離液を回収することができる。
【００１９】
第１回脱着は、水の沸点よりも温度が高く、レジスト剥離液の沸点よりも温度が低い過熱水蒸気を吸着材と接触させることにより行うのが、簡便で好適である。つまり、ゼオライトに吸着している水分を飛ばすが、レジスト剥離液は脱着させない適切な温度の過熱水蒸気を吸着材と接触させる。この過熱水蒸気の温度は１２０〜２００℃程度であるのが好ましい。また、この場合、０．１ＭＰａ（ａｂｓ）以下の減圧雰囲気で脱着しても良い。
【００２０】
この吸着材としては、疎水性ゼオライトを用いる。
【００２１】
第２回脱着液の蒸留を、回収したレジスト剥離液の水分濃度が２５〜３０ｗｔ％となるように行うことにより、回収したレジスト剥離液が引火性を持たないものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施の形態に係るレジスト剥離液の再生装置を示す系統図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００２４】
本発明は、レジスト剥離液含有水を吸着材と接触させてレジスト剥離液を一部の水と共に吸着材に吸着させ、この吸着材から第１脱着処理、第２脱着処理及び蒸留処理によってレジスト剥離液を回収するものである。
【００２５】
このレジスト剥離液含有水としては、半導体デバイス、フラットパネルディスプレイ、プリント基板等の電子部品の製造におけるフォトリソグラフィー工程中の洗浄工程（リンス工程）で排出されるリンス水や、このリンス水と剥離工程で排出されるレジスト剥離廃液との混合廃液などが例示される。この剥離工程で使用されるレジスト剥離液としては、アルカノールアミンと有機溶媒を主成分とするものが例示される。アルカノールアミンの具体例としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、３−アミノ−１−プロパノール等を挙げることができる。有機溶媒は上記アルカノールアミンとは異なる有機溶媒であり、その具体例としては、ブチルグリコール等のグリコール系溶剤の他、ジメチルスルホキシド系原液、Ｎ−メチルピロリドン系原液、グリコールエーテル系原液などを挙げることができる。また、腐食防止剤、キレート剤、有機酸などの添加剤がレジスト剥離液に混合されていてもよい。このレジスト剥離液含有水中の水分濃度は、通常、６０〜０．０１重量％特に３０〜０．１重量％である。また、このレジスト剥離液含有水中のレジスト剥離液濃度は、通常、４０〜９９．９９重量％特に７０〜９９．９重量％であり、このレジスト剥離成分含有水中のアルカノールアミン濃度は、通常、５〜９０重量％特に１０〜７０重量％であり、このレジスト剥離液含有水中の有機溶媒濃度は、通常、１０〜９０重量％特に３０〜７０重量％である。
【００２６】
吸着材としては、疎水性ゼオライトを用いる。吸着材の形状としては特に限定はないが、被処理液との接触効率及び圧力損失を考慮して、円柱状又は球状に成形されたものが好適である。ゼオライトは、Ｓｉ／Ａｌ比が１００以上たとえば１００〜１００００程度のものが好ましい。
【００２７】
ゼオライト粒子としては、アルミナをバインダーとしたものよりも粘土鉱物をバインダーとしたものの方が好ましい。粘土鉱物としてはベントナイトなどが例示される。ゼオライト粒子中のバインダーの含有量は２５〜８０ｗｔ％程度が好ましい。
【００２８】
レジスト剥離液含有水と吸着材とを接触させるには、吸着材の充填塔に下向流にてレジスト剥離液含有水を通水し、上部から吸着材を補充しながら充填床下部から飽和吸着となった吸着材を引き抜くのが好ましい。
【００２９】
引き抜いた吸着材を第１脱着処理する場合、水の沸点よりも高温度の水蒸気を接触させるのが好ましいが、輻射等によって加温してもよい。
【００３０】
なお、第１脱着処理や後述の第２脱着処理に対し、レジスト剥離液成分が変質したり他の物質が混入しないように留意する必要がある。特に、レジスト剥離液以外の有機溶媒や無機成分（酸・アルカリ）といった成分が混入しないようにしておく。また、ゼオライトの特にＡｌ部分が有する触媒能により、酸素存在下では吸着成分の劣化が進みやすい。水分が過剰にゼオライトの周りにある状態では、空気中の酸素が水分に溶け込むためにその酸素由来で吸着成分が劣化する可能性がある。そのため、脱着処理に際しては空気や酸素が脱着塔などに入り込まないように留意するのが好ましい。
【００３１】
第１脱着処理では、吸着材に吸着した水分の１０ｗｔ％以上、例えば１０〜９０ｗｔ％程度を脱着させるのが好ましい。
【００３２】
第１脱着処理後の第２脱着処理においては、飽和吸着したレジスト剥離液をすべて（１００ｗｔ％）脱着させるのではなく、８０〜９０ｗｔ％程度脱着させることが好ましい。
【００３３】
吸着材に吸着したＢＤＧ（ブチルジグリコール）量が多いほど、供給する過熱水蒸気あたりのＢＤＧ脱着量は多くなる（これを脱着効率という）ため、吸着材に残存しているＢＤＧが約２０％以下になると脱着効率は著しく悪くなる。そのため、飽和吸着したＢＤＧ（ブチルジグリコール）成分などを１００％脱着させずに８０〜９０％ほど脱着した時点で第２脱着処理を終了することにより、次の吸着サイクルでの吸着量は低下するものの脱着効率を上げることができる。
【００３４】
第２脱着処理では、脱着塔内に、レジスト剥離液の沸点よりも高温の過熱水蒸気を導入することにより行う。
【００３５】
なお、ＢＤＧの沸点は２３０℃であるが、吸着エネルギーを十分に超えた状態での脱着が好ましく、３００〜４００℃程度の過熱水蒸気の供給を行うのが好ましい。
【００３６】
脱着後の吸着材は高温度になっているので、再利用するのに先立って、冷却操作を施すのが好ましい。冷却には段階的に蒸気を用いての冷却が好適であり、吸着材と熱交換した後の蒸気は脱着工程で使用してもよい。
【００３７】
吸着材から脱着させた第２回脱着液を蒸留塔に導入し、レジスト剥離液を水など低沸点成分を分離し、回収する。
【００３８】
蒸留塔で分離した水分は、不純物である低分子有機物と高分子有機物を含有している。低分子有機物のアルコール類（メタノール、エタノールなど）やアルデヒド類、カルボン酸の有機酸類は水分と共に蒸留塔塔頂から一部を引き抜いて、生物処理・触媒処理などの分解無害化処理を行った後、放流するのが好ましい。
【００３９】
なお、脱着処理時に、ゼオライト等の吸着材の触媒作用などによって重合して生じた高分子有機物については、レジスト剥離液中の成分よりも沸点が高いために、蒸留塔のボトムから引き抜いて産業廃棄物処理するのが好ましい。塔内で液が過度に濃縮されると、蒸留塔内で高分子有機物が固着する可能性があるため、塔内液の濃縮は高分子有機物が固着しない程度の水分含有量となるようにするのが好ましい。
【００４０】
レジスト剥離液は、蒸留塔の上下方向の途中から引き抜くのが好ましい。引き抜いたレジスト剥離液成分は、引火点を持たないように水分制御しておくのが好ましい。例えば、ＢＤＧならば水分２５〜３０％が好適であり、モノエタノールアミンの場合は水分３０％程度が好適である。
【００４１】
脱着時の過熱水蒸気の供給量は、少なければ少ないほど良い。
【００４２】
回収したレジスト剥離液は、実際に使用されるレジスト剥離液組成になるように濃度調整する必要がある。その際、バージンのレジスト剥離液を混合しても良く、回収品だけで調整してもかまわない。ただし、レジスト剥離液には有機溶媒１００％で構成されている場合と水分が混ざっている場合があるため、回収液が引火点を持たない濃度領域までしか濃縮していない場合は、再度濃縮の必要がある。その際はエバポレーターでも蒸留塔でも防爆設備内での濃縮が必要となる。
【００４３】
以下、図面を参照して本発明についてさらに詳細に説明する。図１は実施の形態に係るレジスト剥離液の回収方法を示すフロー図である。
【００４４】
原水が原水槽（図示略）から原水供給ライン１を介して吸着塔２に供給され、処理水抜出ライン３から抜き出される。
【００４５】
吸着塔２内の上部には、吸着材フィーダー５から吸着材４が連続的又は間欠的に供給され、吸着材４の充填床が形成されている。この充填床の下部から吸着材４が取り出され、移送手段６によって移送され、第１脱着塔１０の上部に供給され、吸着材４の充填床が形成される。なお、移送手段としては、吸着材の摩耗を防止するためにベルトコンベア等が好適であるが、これに限定されない。
【００４６】
この第１脱着塔１０には、蒸発缶１３からの水蒸気が過熱器１６によって過熱され、過熱水蒸気となってライン１７より塔底に供給される。この過熱水蒸気の温度は、水の沸点よりも高く、レジスト剥離液の沸点よりも低いものとなっている。このため、脱着塔１０内に導入された吸着材４から水が脱着（蒸発）し、第１脱着処理が行われる。水蒸気は、第１脱着塔１０の塔頂からライン１１を介して抜き出され、圧縮機１２を経て蒸発缶１３の熱交換管１３ａに流通され、凝縮水となって凝縮水槽１４に導入される。凝縮しなかった水蒸気は凝縮水槽１４から蒸発缶１３に送られ、蒸発缶１３内において発生した水蒸気と共に過熱器１６へ送られる。凝縮水槽１４内の凝縮水の一部は、ポンプ１５によって蒸発缶１３に送られ、残部はポンプ１８によって前記原水槽（図示略）に返送される。
【００４７】
第１脱着塔１０内の吸着材充填床の下部から、第１脱着処理された吸着材４が取り出され、コンベア等の適宜の移送手段１９によって移送され、第２脱着塔２０の上部に供給され、吸着材４の充填床が形成される。
【００４８】
第１脱着塔１０から第２脱着塔２０への吸着材４の移送は連続的又は間欠的に行われており、第２脱着塔２０内において第２脱着処理された吸着材４は、第２脱着塔２０の充填床の下部から連続的又は間欠的に取り出される。
【００４９】
この第２脱着塔２０には、蒸発缶３３からの水蒸気が過熱器３６によって過熱され、過熱水蒸気となってライン３７より下部に供給される。この過熱水蒸気の温度は、レジスト剥離液の沸点よりも高いものとなっている。このため、脱着塔２０内に導入された吸着材４からレジスト剥離液及び残余の水が脱着（蒸発）し、第２脱着処理が行われる。
【００５０】
第２脱着塔２０内における第２脱着処理により脱着した脱着ガス及び脱着液並びに水蒸気は、塔頂のライン３９を介して蒸留塔４０の棚段の下側に導入される。低沸点の水は、水蒸気となって蒸留塔４０の塔頂に到る。そして、蒸留塔４０の塔頂からの水蒸気は、ライン３１を介して抜き出され、圧縮機３２を経て蒸発缶３３の熱交換管３３ａに流通され、凝縮水となって凝縮水槽３４に導入される。凝縮しなかった水蒸気は凝縮水槽３４から蒸発缶３３に送られ、蒸発缶３３内において発生した水蒸気と共に過熱器３６へ送られる。凝縮水槽３４内の凝縮水の一部は、ポンプ３５によって蒸発缶３３に送られ、残部はポンプ３８によって蒸留塔４０の棚段の上側に還流される。
【００５１】
第２脱着塔２０から蒸留塔４０に導入された脱着液中の高沸点成分であるレジスト剥離液は、一部の水と共に塔下部に溜る。この塔下部にはリボイラ４６が往ライン４５及び復ライン４７を介して接続されている。
【００５２】
レジスト剥離液及び水、重質分を含む塔底液は回収液としてライン５０、弁５１を介して塔下部の取出ライン４１からポンプ４２、弁４３、冷却用熱交換器４４を介して回収液として取り出される。なお、この弁４３は、塔底液のレベルセンサ５２の検出液位が所定レベルとなるように開度制御される。また、前記リボイラ４６へのスチール供給弁４８は、温度センサ５２で検出される塔底液の温度が所定範囲となるように開度制御される。回収液は再度、精製のため分留をかけることを考慮して冷却しない場合もある。
【００５３】
この蒸留塔４０内における蒸留は、レジスト剥離液成分の種類に応じて、減圧下又は常圧下で実施される。この蒸留は、経済性の面からは常圧蒸留が好ましいが、レジスト剥離液成分が高沸点物質である場合には減圧蒸留の方が経済性及び蒸留効率の面から好ましい場合もある。
【００５４】
蒸留温度はレジスト剥離液成分の種類及び濃度に応じて調整する必要があるため一概には決められないが、１００〜２００℃特に１２０〜１５０℃が好ましい。
【００５５】
上記蒸留塔４０から抜き出される回収液（レジスト剥離液）中の水分濃度は３０重量％以下特に２５〜３０重量％であるのが好ましい。
【００５６】
上記蒸留工程によると、脱離工程で使用した過熱水蒸気の熱を蒸留操作に利用するため、過熱水蒸気の余剰の熱を蒸留操作で有効利用することができて経済的である。
【実施例】
【００５７】
以下、実施例及び比較例を用いて本発明をより詳細に説明する。なお、原水（レジスト剥離液成分含有水）として、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）製造工程から排出されたレジスト剥離液排水を用いた。この原水は、ＢＤＧ（ブチルジグリコール）が０．３重量％、ＭＥＡ（モノエタノールアミン）が０．０３重量％であり、残りはほぼ総て水分である。また、本実施例及び比較例において、ＢＤＧは液体クロマトグラフィーにより定量し、ＭＥＡは全窒素計により定量し、水分はカールフィッシャー水分計を用いて定量した。
【００５８】
[実施例１]
図１のレジスト剥離液の回収装置を用いて試験を行った。吸着塔２としては、直径２１ｍｍ、高さ５００ｍｍのＳＵＳ３１６製の円筒カラムを用い、この円筒カラム内に、φ１ｍｍ、長さ３ｍｍの円柱形ペレット状に成型した疎水性ゼオライト（東ソー社製ＺＳＭ−５。粘土鉱物をバインダーとしたもの。バインダー含有量５０ｗｔ％）８０ｇを充填した。
【００５９】
＜吸着工程＞
この吸着塔２に対して、原水をＳＶ０．５ｈ−１で下向流にて通水した。原水及び吸着塔２から流出した処理水について、上記ＢＤＧ、ＭＥＡ及び水分を定量し、これら原水と処理水の性状が同じになった時点（通水開始から４０時間を経過した時点）で、吸着材が飽和したと判断し、吸着材を少しずつ連続的に取り出し第１脱着塔１０に供給した。吸着材の取り出し速度は２ｇ／ｈｒとし、これと同量の吸着材を吸着塔２に供給した。
【００６０】
＜脱着＞
第１脱着塔１０は、内径２０ｍｍ、高さ７００ｍｍのＳＵＳ３１６製である。高さ５００ｍｍの吸着材充填床が第１脱着塔１０内に形成された後、１２０℃の過熱水蒸気を５ｇ／ｍｉｎで上向流にて供給し、第１脱着処理を行った。この第１脱着処理により、吸着した水分の７５ｗｔ％を脱着した。
【００６１】
第１脱着塔１０の下部から吸着材を上記取り出し速度と同速度で取り出し、第２脱着塔２０に供給した。第２脱着塔２０のカラムは第１脱着塔１０と同じであり、３８０℃の過熱水蒸気を１ｇ／ｍｉｎで下向流にて供給し、飽和吸着量の８５ｗｔ％のＢＤＧ及びＭＥＡを脱着した。
【００６２】
＜蒸留＞
塔底から流出する脱着液、脱着ガス及び水蒸気を蒸留塔４０に導入し、蒸留した。蒸留塔４０内は１４０℃に維持した。その後、ライン４１から回収された回収液（水分量３０ｗｔ％）の性状を定量した。その結果を表１に示す。
【００６３】
［実施例２、比較例１，２］
吸着材を次の通りとした他は実施例１と同様にして回収処理を行った。結果を表１に示す。バインダー含有量は実施例１と同一である。
【００６４】
実施例２：ＺＳＭ−５（東ソー社製。アルミナバインダー）
比較例１：モルデナイト（東ソー社製。粘土鉱物バインダー）
比較例２：モルデナイト（東ソー社製。アルミナバインダー）
【００６５】
［比較例３］
第１脱着処理を省略し、吸着塔２からの吸着材をそのまま第２脱着塔２０に導入したこと以外は実施例１と同様にして回収処理を行った。結果を表１に示す。
【００６６】
［比較例４］
第２脱着処理を空気中１０５℃にて行ったこと以外は実施例１と同様にして回収処理を行った。結果を表１に示す。
【００６７】
【表１】
【００６８】
上記実施例及び比較例から明らかな通り、本発明方法によりレジスト剥離液を効率よく回収することができる。また、吸着材としては粘土鉱物をバインダーとしたゼオライトが好適である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス、フラットパネルディスプレイ、プリント基板等の電子部品の製造工程で発生するレジスト剥離廃液を処理してレジスト剥離液を回収する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、フラットパネルディスプレイ、プリント基板等の電子部品の製造工程では、フォトリソグラフィー工程を行うことがある。このフォトリソグラフィー工程は、基板上にネガ型又はポジ型のフォトレジストの比較を形成する被膜形成工程、パターンマスクを通して光等を照射する照射工程、現像液を用いて不要のフォトレジストを溶解・現像してレジストパターンを形成する溶解・現像工程、エッチング等の処理を行うエッチング工程、基板上のレジスト膜をレジスト剥離液を用いて剥離する剥離工程、及び基板を洗浄水（リンス水）で洗浄する洗浄工程を含んでいる。この剥離工程で使用されるレジスト剥離液は一般に、グリコール系溶剤（ブチルジグリコール等）などの有機溶媒、アルカノールアミン、少量の水（例えば０．５重量％以下）などから構成されている。
【０００３】
剥離工程では、このレジスト剥離液が基板上に形成されたレジスト膜を溶解することにより、溶解レジストを含むレジスト剥離廃液が排出される。また、洗浄工程では、基板上に残留するレジスト剥離液を洗浄水でリンスすることにより、リンス廃水が排出される。
【０００４】
この剥離工程で排出されるレジスト剥離廃液を再生処理する方法としては、特許文献１（特開２００５−２１５６２７号公報）に開示された方法が知られている。この特許文献１では、レジスト剥離廃液を貯留槽から抜き出してナノフィルトレーション膜（ＮＦ膜）に通液し、溶解レジストを除去する。この溶解レジストが除去された透過液を、イオン交換樹脂と接触させて金属類及び／又はイオン性不純物を除去し、さらに水分除去剤（乾燥剤）及び／又は脱気膜と接触させて水分を除去することにより、レジスト剥離液を再生する。この再生されたレジスト剥離液は、レジスト剥離工程に再利用される。なお、ＮＦ膜を透過しなかった濃縮液は上記貯留槽に返送されて循環される。該貯留槽内のレジスト剥離廃液の性状が再生に適さなくなったときには、その一部又は全量を系外に排出すると共に、再生された透過液に対して新たなレジスト剥離液を補給する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２１５６２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１のレジスト剥離液の再生方法によると、レジスト剥離工程で排出された、水分量の少ないレジスト剥離廃液は再処理される。しかしながら、この特許文献１の方法は、洗浄工程で排出されたリンス水や、このリンス水とレジスト剥離工程で排出されたレジスト剥離廃液との混合液のような、水分を多量に含む廃水からのレジスト剥離液の再生には適さない。
【０００７】
すなわち、特許文献１では、水分を乾燥イオン交換樹脂又はゼオライト等の水分除去剤を用いるか、又は脱気膜により除去する。この乾燥イオン交換樹脂やゼオライト等は、水分を多く含むリンス水等を接触させると、水分除去剤が早期に水で飽和してしまうため、水分除去剤を頻繁に取り替える必要が生じて効率が極めて悪い。なお、ゼオライトや乾燥イオン交換樹脂はイオン交換能を有しているため、レジスト剥離液成分含有水中の成分が電荷を持っている場合には該成分が該ゼオライト等に吸着してしまい、これらゼオライトや乾燥イオン交換樹脂を再生することができない。
【０００８】
また、脱気膜を用いてリンス水等から水分を除去する場合、このリンス水中に多量に含まれる水分を水蒸気として脱気膜を透過させる必要があり、著しく非効率である。
【０００９】
本発明は、レジスト剥離液含有水から効率よくレジスト剥離液を回収することができるレジスト剥離液の回収方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明（請求項１）のレジスト剥離液の回収方法は、レジスト剥離液含有水からレジスト剥離液を回収する方法において、レジスト剥離液含有水を疎水性ゼオライトよりなる吸着材と接触させて、レジスト剥離液及び一部の水分を該吸着材に吸着させ、次いで、該吸着材から一部の水を脱着（第１回脱着）させ、その後、該吸着材に対しレジスト剥離液の沸点よりも温度の高い過熱水蒸気を接触させて該吸着材から該レジスト剥離液を脱着（第２回脱着）させ、この第２回脱着の脱着液を蒸留して該レジスト剥離液を分取して回収することを特徴とするものである。
【００１１】
請求項２のレジスト剥離液の回収方法は、請求項１において、前記第１回脱着を、水の沸点よりも高温度かつレジスト剥離液の沸点よりも低温度の過熱水蒸気を前記吸着材に接触させることにより行うことを特徴とするものである。
【００１２】
請求項３のレジスト剥離液の回収方法は、請求項１又は２において、前記第１脱着処理及び第２脱着処理を非酸化性雰囲気中で行うことを特徴とするものである。
【００１３】
請求項４のレジスト剥離液の回収方法は、請求項１ないし３のいずれか１項において、前記疎水性ゼオライトが粘土鉱物をバインダーとしたものであることを特徴とするものである。
【００１４】
請求項５のレジスト剥離液の回収方法は、請求項１ないし４のいずれか１項において、第２回脱着により、吸着材から飽和吸着量の８０〜９０％の量のレジスト剥離液を脱着させることを特徴とするものである。
【００１５】
請求項６のレジスト剥離液の回収方法は、請求項１ないし５のいずれか１項において、前記第１回脱着により、吸着した水の１０〜９０％を脱着させることを特徴とするものである。
【００１６】
請求項７のレジスト剥離液の回収方法は、請求項１ないし６のいずれか１項において、前記蒸留により、水分を２５〜３０ｗｔ％含むレジスト剥離液を回収することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のレジスト剥離液の回収方法では、レジスト剥離液含有水を吸着材と接触させてレジスト剥離液を吸着材に吸着させる。そして、この吸着材からまず一部の水を脱着（第１回脱着）させ、その後、レジスト剥離液を脱着（第２回脱着）させ、この第２回脱着液を蒸留し、レジスト剥離液を回収する。
【００１８】
このように、吸着材からまず一部の水を脱着させた後、レジスト剥離液を脱着（第２回脱着）させるので、第２回脱着液中のレジスト剥離液濃度が高い。このレジスト剥離液濃度の高い液を蒸留することにより、濃度が高いレジスト剥離液を回収することができる。
【００１９】
第１回脱着は、水の沸点よりも温度が高く、レジスト剥離液の沸点よりも温度が低い過熱水蒸気を吸着材と接触させることにより行うのが、簡便で好適である。つまり、ゼオライトに吸着している水分を飛ばすが、レジスト剥離液は脱着させない適切な温度の過熱水蒸気を吸着材と接触させる。この過熱水蒸気の温度は１２０〜２００℃程度であるのが好ましい。また、この場合、０．１ＭＰａ（ａｂｓ）以下の減圧雰囲気で脱着しても良い。
【００２０】
この吸着材としては、疎水性ゼオライトを用いる。
【００２１】
第２回脱着液の蒸留を、回収したレジスト剥離液の水分濃度が２５〜３０ｗｔ％となるように行うことにより、回収したレジスト剥離液が引火性を持たないものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施の形態に係るレジスト剥離液の再生装置を示す系統図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００２４】
本発明は、レジスト剥離液含有水を吸着材と接触させてレジスト剥離液を一部の水と共に吸着材に吸着させ、この吸着材から第１脱着処理、第２脱着処理及び蒸留処理によってレジスト剥離液を回収するものである。
【００２５】
このレジスト剥離液含有水としては、半導体デバイス、フラットパネルディスプレイ、プリント基板等の電子部品の製造におけるフォトリソグラフィー工程中の洗浄工程（リンス工程）で排出されるリンス水や、このリンス水と剥離工程で排出されるレジスト剥離廃液との混合廃液などが例示される。この剥離工程で使用されるレジスト剥離液としては、アルカノールアミンと有機溶媒を主成分とするものが例示される。アルカノールアミンの具体例としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、３−アミノ−１−プロパノール等を挙げることができる。有機溶媒は上記アルカノールアミンとは異なる有機溶媒であり、その具体例としては、ブチルグリコール等のグリコール系溶剤の他、ジメチルスルホキシド系原液、Ｎ−メチルピロリドン系原液、グリコールエーテル系原液などを挙げることができる。また、腐食防止剤、キレート剤、有機酸などの添加剤がレジスト剥離液に混合されていてもよい。このレジスト剥離液含有水中の水分濃度は、通常、６０〜０．０１重量％特に３０〜０．１重量％である。また、このレジスト剥離液含有水中のレジスト剥離液濃度は、通常、４０〜９９．９９重量％特に７０〜９９．９重量％であり、このレジスト剥離成分含有水中のアルカノールアミン濃度は、通常、５〜９０重量％特に１０〜７０重量％であり、このレジスト剥離液含有水中の有機溶媒濃度は、通常、１０〜９０重量％特に３０〜７０重量％である。
【００２６】
吸着材としては、疎水性ゼオライトを用いる。吸着材の形状としては特に限定はないが、被処理液との接触効率及び圧力損失を考慮して、円柱状又は球状に成形されたものが好適である。ゼオライトは、Ｓｉ／Ａｌ比が１００以上たとえば１００〜１００００程度のものが好ましい。
【００２７】
ゼオライト粒子としては、アルミナをバインダーとしたものよりも粘土鉱物をバインダーとしたものの方が好ましい。粘土鉱物としてはベントナイトなどが例示される。ゼオライト粒子中のバインダーの含有量は２５〜８０ｗｔ％程度が好ましい。
【００２８】
レジスト剥離液含有水と吸着材とを接触させるには、吸着材の充填塔に下向流にてレジスト剥離液含有水を通水し、上部から吸着材を補充しながら充填床下部から飽和吸着となった吸着材を引き抜くのが好ましい。
【００２９】
引き抜いた吸着材を第１脱着処理する場合、水の沸点よりも高温度の水蒸気を接触させるのが好ましいが、輻射等によって加温してもよい。
【００３０】
なお、第１脱着処理や後述の第２脱着処理に対し、レジスト剥離液成分が変質したり他の物質が混入しないように留意する必要がある。特に、レジスト剥離液以外の有機溶媒や無機成分（酸・アルカリ）といった成分が混入しないようにしておく。また、ゼオライトの特にＡｌ部分が有する触媒能により、酸素存在下では吸着成分の劣化が進みやすい。水分が過剰にゼオライトの周りにある状態では、空気中の酸素が水分に溶け込むためにその酸素由来で吸着成分が劣化する可能性がある。そのため、脱着処理に際しては空気や酸素が脱着塔などに入り込まないように留意するのが好ましい。
【００３１】
第１脱着処理では、吸着材に吸着した水分の１０ｗｔ％以上、例えば１０〜９０ｗｔ％程度を脱着させるのが好ましい。
【００３２】
第１脱着処理後の第２脱着処理においては、飽和吸着したレジスト剥離液をすべて（１００ｗｔ％）脱着させるのではなく、８０〜９０ｗｔ％程度脱着させることが好ましい。
【００３３】
吸着材に吸着したＢＤＧ（ブチルジグリコール）量が多いほど、供給する過熱水蒸気あたりのＢＤＧ脱着量は多くなる（これを脱着効率という）ため、吸着材に残存しているＢＤＧが約２０％以下になると脱着効率は著しく悪くなる。そのため、飽和吸着したＢＤＧ（ブチルジグリコール）成分などを１００％脱着させずに８０〜９０％ほど脱着した時点で第２脱着処理を終了することにより、次の吸着サイクルでの吸着量は低下するものの脱着効率を上げることができる。
【００３４】
第２脱着処理では、脱着塔内に、レジスト剥離液の沸点よりも高温の過熱水蒸気を導入することにより行う。
【００３５】
なお、ＢＤＧの沸点は２３０℃であるが、吸着エネルギーを十分に超えた状態での脱着が好ましく、３００〜４００℃程度の過熱水蒸気の供給を行うのが好ましい。
【００３６】
脱着後の吸着材は高温度になっているので、再利用するのに先立って、冷却操作を施すのが好ましい。冷却には段階的に蒸気を用いての冷却が好適であり、吸着材と熱交換した後の蒸気は脱着工程で使用してもよい。
【００３７】
吸着材から脱着させた第２回脱着液を蒸留塔に導入し、レジスト剥離液を水など低沸点成分を分離し、回収する。
【００３８】
蒸留塔で分離した水分は、不純物である低分子有機物と高分子有機物を含有している。低分子有機物のアルコール類（メタノール、エタノールなど）やアルデヒド類、カルボン酸の有機酸類は水分と共に蒸留塔塔頂から一部を引き抜いて、生物処理・触媒処理などの分解無害化処理を行った後、放流するのが好ましい。
【００３９】
なお、脱着処理時に、ゼオライト等の吸着材の触媒作用などによって重合して生じた高分子有機物については、レジスト剥離液中の成分よりも沸点が高いために、蒸留塔のボトムから引き抜いて産業廃棄物処理するのが好ましい。塔内で液が過度に濃縮されると、蒸留塔内で高分子有機物が固着する可能性があるため、塔内液の濃縮は高分子有機物が固着しない程度の水分含有量となるようにするのが好ましい。
【００４０】
レジスト剥離液は、蒸留塔の上下方向の途中から引き抜くのが好ましい。引き抜いたレジスト剥離液成分は、引火点を持たないように水分制御しておくのが好ましい。例えば、ＢＤＧならば水分２５〜３０％が好適であり、モノエタノールアミンの場合は水分３０％程度が好適である。
【００４１】
脱着時の過熱水蒸気の供給量は、少なければ少ないほど良い。
【００４２】
回収したレジスト剥離液は、実際に使用されるレジスト剥離液組成になるように濃度調整する必要がある。その際、バージンのレジスト剥離液を混合しても良く、回収品だけで調整してもかまわない。ただし、レジスト剥離液には有機溶媒１００％で構成されている場合と水分が混ざっている場合があるため、回収液が引火点を持たない濃度領域までしか濃縮していない場合は、再度濃縮の必要がある。その際はエバポレーターでも蒸留塔でも防爆設備内での濃縮が必要となる。
【００４３】
以下、図面を参照して本発明についてさらに詳細に説明する。図１は実施の形態に係るレジスト剥離液の回収方法を示すフロー図である。
【００４４】
原水が原水槽（図示略）から原水供給ライン１を介して吸着塔２に供給され、処理水抜出ライン３から抜き出される。
【００４５】
吸着塔２内の上部には、吸着材フィーダー５から吸着材４が連続的又は間欠的に供給され、吸着材４の充填床が形成されている。この充填床の下部から吸着材４が取り出され、移送手段６によって移送され、第１脱着塔１０の上部に供給され、吸着材４の充填床が形成される。なお、移送手段としては、吸着材の摩耗を防止するためにベルトコンベア等が好適であるが、これに限定されない。
【００４６】
この第１脱着塔１０には、蒸発缶１３からの水蒸気が過熱器１６によって過熱され、過熱水蒸気となってライン１７より塔底に供給される。この過熱水蒸気の温度は、水の沸点よりも高く、レジスト剥離液の沸点よりも低いものとなっている。このため、脱着塔１０内に導入された吸着材４から水が脱着（蒸発）し、第１脱着処理が行われる。水蒸気は、第１脱着塔１０の塔頂からライン１１を介して抜き出され、圧縮機１２を経て蒸発缶１３の熱交換管１３ａに流通され、凝縮水となって凝縮水槽１４に導入される。凝縮しなかった水蒸気は凝縮水槽１４から蒸発缶１３に送られ、蒸発缶１３内において発生した水蒸気と共に過熱器１６へ送られる。凝縮水槽１４内の凝縮水の一部は、ポンプ１５によって蒸発缶１３に送られ、残部はポンプ１８によって前記原水槽（図示略）に返送される。
【００４７】
第１脱着塔１０内の吸着材充填床の下部から、第１脱着処理された吸着材４が取り出され、コンベア等の適宜の移送手段１９によって移送され、第２脱着塔２０の上部に供給され、吸着材４の充填床が形成される。
【００４８】
第１脱着塔１０から第２脱着塔２０への吸着材４の移送は連続的又は間欠的に行われており、第２脱着塔２０内において第２脱着処理された吸着材４は、第２脱着塔２０の充填床の下部から連続的又は間欠的に取り出される。
【００４９】
この第２脱着塔２０には、蒸発缶３３からの水蒸気が過熱器３６によって過熱され、過熱水蒸気となってライン３７より下部に供給される。この過熱水蒸気の温度は、レジスト剥離液の沸点よりも高いものとなっている。このため、脱着塔２０内に導入された吸着材４からレジスト剥離液及び残余の水が脱着（蒸発）し、第２脱着処理が行われる。
【００５０】
第２脱着塔２０内における第２脱着処理により脱着した脱着ガス及び脱着液並びに水蒸気は、塔頂のライン３９を介して蒸留塔４０の棚段の下側に導入される。低沸点の水は、水蒸気となって蒸留塔４０の塔頂に到る。そして、蒸留塔４０の塔頂からの水蒸気は、ライン３１を介して抜き出され、圧縮機３２を経て蒸発缶３３の熱交換管３３ａに流通され、凝縮水となって凝縮水槽３４に導入される。凝縮しなかった水蒸気は凝縮水槽３４から蒸発缶３３に送られ、蒸発缶３３内において発生した水蒸気と共に過熱器３６へ送られる。凝縮水槽３４内の凝縮水の一部は、ポンプ３５によって蒸発缶３３に送られ、残部はポンプ３８によって蒸留塔４０の棚段の上側に還流される。
【００５１】
第２脱着塔２０から蒸留塔４０に導入された脱着液中の高沸点成分であるレジスト剥離液は、一部の水と共に塔下部に溜る。この塔下部にはリボイラ４６が往ライン４５及び復ライン４７を介して接続されている。
【００５２】
レジスト剥離液及び水、重質分を含む塔底液は回収液としてライン５０、弁５１を介して塔下部の取出ライン４１からポンプ４２、弁４３、冷却用熱交換器４４を介して回収液として取り出される。なお、この弁４３は、塔底液のレベルセンサ５２の検出液位が所定レベルとなるように開度制御される。また、前記リボイラ４６へのスチール供給弁４８は、温度センサ５２で検出される塔底液の温度が所定範囲となるように開度制御される。回収液は再度、精製のため分留をかけることを考慮して冷却しない場合もある。
【００５３】
この蒸留塔４０内における蒸留は、レジスト剥離液成分の種類に応じて、減圧下又は常圧下で実施される。この蒸留は、経済性の面からは常圧蒸留が好ましいが、レジスト剥離液成分が高沸点物質である場合には減圧蒸留の方が経済性及び蒸留効率の面から好ましい場合もある。
【００５４】
蒸留温度はレジスト剥離液成分の種類及び濃度に応じて調整する必要があるため一概には決められないが、１００〜２００℃特に１２０〜１５０℃が好ましい。
【００５５】
上記蒸留塔４０から抜き出される回収液（レジスト剥離液）中の水分濃度は３０重量％以下特に２５〜３０重量％であるのが好ましい。
【００５６】
上記蒸留工程によると、脱離工程で使用した過熱水蒸気の熱を蒸留操作に利用するため、過熱水蒸気の余剰の熱を蒸留操作で有効利用することができて経済的である。
【実施例】
【００５７】
以下、実施例及び比較例を用いて本発明をより詳細に説明する。なお、原水（レジスト剥離液成分含有水）として、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）製造工程から排出されたレジスト剥離液排水を用いた。この原水は、ＢＤＧ（ブチルジグリコール）が０．３重量％、ＭＥＡ（モノエタノールアミン）が０．０３重量％であり、残りはほぼ総て水分である。また、本実施例及び比較例において、ＢＤＧは液体クロマトグラフィーにより定量し、ＭＥＡは全窒素計により定量し、水分はカールフィッシャー水分計を用いて定量した。
【００５８】
[実施例１]
図１のレジスト剥離液の回収装置を用いて試験を行った。吸着塔２としては、直径２１ｍｍ、高さ５００ｍｍのＳＵＳ３１６製の円筒カラムを用い、この円筒カラム内に、φ１ｍｍ、長さ３ｍｍの円柱形ペレット状に成型した疎水性ゼオライト（東ソー社製ＺＳＭ−５。粘土鉱物をバインダーとしたもの。バインダー含有量５０ｗｔ％）８０ｇを充填した。
【００５９】
＜吸着工程＞
この吸着塔２に対して、原水をＳＶ０．５ｈ−１で下向流にて通水した。原水及び吸着塔２から流出した処理水について、上記ＢＤＧ、ＭＥＡ及び水分を定量し、これら原水と処理水の性状が同じになった時点（通水開始から４０時間を経過した時点）で、吸着材が飽和したと判断し、吸着材を少しずつ連続的に取り出し第１脱着塔１０に供給した。吸着材の取り出し速度は２ｇ／ｈｒとし、これと同量の吸着材を吸着塔２に供給した。
【００６０】
＜脱着＞
第１脱着塔１０は、内径２０ｍｍ、高さ７００ｍｍのＳＵＳ３１６製である。高さ５００ｍｍの吸着材充填床が第１脱着塔１０内に形成された後、１２０℃の過熱水蒸気を５ｇ／ｍｉｎで上向流にて供給し、第１脱着処理を行った。この第１脱着処理により、吸着した水分の７５ｗｔ％を脱着した。
【００６１】
第１脱着塔１０の下部から吸着材を上記取り出し速度と同速度で取り出し、第２脱着塔２０に供給した。第２脱着塔２０のカラムは第１脱着塔１０と同じであり、３８０℃の過熱水蒸気を１ｇ／ｍｉｎで下向流にて供給し、飽和吸着量の８５ｗｔ％のＢＤＧ及びＭＥＡを脱着した。
【００６２】
＜蒸留＞
塔底から流出する脱着液、脱着ガス及び水蒸気を蒸留塔４０に導入し、蒸留した。蒸留塔４０内は１４０℃に維持した。その後、ライン４１から回収された回収液（水分量３０ｗｔ％）の性状を定量した。その結果を表１に示す。
【００６３】
［実施例２、比較例１，２］
吸着材を次の通りとした他は実施例１と同様にして回収処理を行った。結果を表１に示す。バインダー含有量は実施例１と同一である。
【００６４】
実施例２：ＺＳＭ−５（東ソー社製。アルミナバインダー）
比較例１：モルデナイト（東ソー社製。粘土鉱物バインダー）
比較例２：モルデナイト（東ソー社製。アルミナバインダー）
【００６５】
［比較例３］
第１脱着処理を省略し、吸着塔２からの吸着材をそのまま第２脱着塔２０に導入したこと以外は実施例１と同様にして回収処理を行った。結果を表１に示す。
【００６６】
［比較例４］
第２脱着処理を空気中１０５℃にて行ったこと以外は実施例１と同様にして回収処理を行った。結果を表１に示す。
【００６７】
【表１】
【００６８】
上記実施例及び比較例から明らかな通り、本発明方法によりレジスト剥離液を効率よく回収することができる。また、吸着材としては粘土鉱物をバインダーとしたゼオライトが好適である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスト剥離液含有水からレジスト剥離液を回収する方法において、
レジスト剥離液含有水を疎水性ゼオライトよりなる吸着材と接触させて、レジスト剥離液及び一部の水分を該吸着材に吸着させ、
次いで、該吸着材から一部の水を脱着（第１回脱着）させ、
その後、該吸着材に対しレジスト剥離液の沸点よりも温度の高い過熱水蒸気を接触させて該吸着材から該レジスト剥離液を脱着（第２回脱着）させ、
この第２回脱着の脱着液を蒸留して該レジスト剥離液を分取して回収する
ことを特徴とするレジスト剥離液の回収方法。
【請求項２】
請求項１において、前記第１回脱着を、水の沸点よりも高温度かつレジスト剥離液の沸点よりも低温度の過熱水蒸気を前記吸着材に接触させることにより行うことを特徴とするレジスト剥離液の回収方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記第１脱着処理及び第２脱着処理を非酸化性雰囲気中で行うことを特徴とするレジスト剥離液の回収方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項において、前記疎水性ゼオライトが粘土鉱物をバインダーとしたものであることを特徴とするレジスト剥離液の回収方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項において、第２回脱着により、吸着材から飽和吸着量の８０〜９０％の量のレジスト剥離液を脱着させることを特徴とするレジスト剥離液の回収方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項において、前記第１回脱着により、吸着した水の１０〜９０％を脱着させることを特徴とするレジスト剥離液の回収方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項において、前記蒸留により、水分を２５〜３０ｗｔ％含むレジスト剥離液を回収することを特徴とするレジスト剥離液の回収方法。
【請求項１】
レジスト剥離液含有水からレジスト剥離液を回収する方法において、
レジスト剥離液含有水を疎水性ゼオライトよりなる吸着材と接触させて、レジスト剥離液及び一部の水分を該吸着材に吸着させ、
次いで、該吸着材から一部の水を脱着（第１回脱着）させ、
その後、該吸着材に対しレジスト剥離液の沸点よりも温度の高い過熱水蒸気を接触させて該吸着材から該レジスト剥離液を脱着（第２回脱着）させ、
この第２回脱着の脱着液を蒸留して該レジスト剥離液を分取して回収する
ことを特徴とするレジスト剥離液の回収方法。
【請求項２】
請求項１において、前記第１回脱着を、水の沸点よりも高温度かつレジスト剥離液の沸点よりも低温度の過熱水蒸気を前記吸着材に接触させることにより行うことを特徴とするレジスト剥離液の回収方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記第１脱着処理及び第２脱着処理を非酸化性雰囲気中で行うことを特徴とするレジスト剥離液の回収方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項において、前記疎水性ゼオライトが粘土鉱物をバインダーとしたものであることを特徴とするレジスト剥離液の回収方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項において、第２回脱着により、吸着材から飽和吸着量の８０〜９０％の量のレジスト剥離液を脱着させることを特徴とするレジスト剥離液の回収方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項において、前記第１回脱着により、吸着した水の１０〜９０％を脱着させることを特徴とするレジスト剥離液の回収方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項において、前記蒸留により、水分を２５〜３０ｗｔ％含むレジスト剥離液を回収することを特徴とするレジスト剥離液の回収方法。
【図１】
【公開番号】特開２０１２−２１２０２９（Ｐ２０１２−２１２０２９Ａ）
【公開日】平成２４年１１月１日（２０１２．１１．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−７７６８８（Ｐ２０１１−７７６８８）
【出願日】平成２３年３月３１日（２０１１．３．３１）
【出願人】（０００００１０６３）栗田工業株式会社 (1,536)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月１日（２０１２．１１．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月３１日（２０１１．３．３１）
【出願人】（０００００１０６３）栗田工業株式会社 (1,536)
【Ｆターム（参考）】
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