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国際特許分類[G03F7/42]の内容

国際特許分類[G03F7/42]に分類される特許

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【課題】微細なパターンを有し且つ優れた信頼性を有するソルダーレジストを表面に備えるプリント配線板を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】開口を有するソルダーレジストを表面に備えるプリント配線板の製造方法であって、ドライフィルムレジストして機能する第一の感光性樹脂組成物からなる第一の層を形成する工程、ソルダーレジストとして機能する第二の感光性樹脂組成物からなる第二の層を形成する工程とを備えるプリント配線板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】銅配線に対する腐食性が低いこととともに、酸化銅系の化合物残渣やシリコン酸化物系の化合物残渣に対する除去能力が優れた、銅配線工程で使用されるフォトレジスト又はフォトレジスト残渣除去組成物を提供する。
【解決手段】リン酸、リン酸塩、硫酸及び硫酸塩からなる群から選択される少なくとも1種と、クエン酸、リンゴ酸、乳酸、コハク酸、マロン酸及び酢酸からなる群から選択される少なくとも1種と、組成物全量に対して0.01〜2重量%のフッ化水素酸及び/又はフッ化アンモニウム等のフッ化水素酸塩と水とを含有するレジスト残渣除去組成物。 (もっと読む)


【課題】フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物を効果的に剥離除去することができ、金属に対する防食性に優れ、さらには長時間の継続使用も可能なフォトリソグラフィ用剥離液、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトリソグラフィ用剥離液は、(A)フッ化水素酸、(B)一般式(b−1)で表される塩基性化合物、及び(C)水を含有する。式中、R1bからR5bは、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基等を示し、R1bからR5bの少なくとも1つは水素原子である。R1bからR4bのうちいずれか1つとR5bとが相互に結合して環構造を形成してもよい。Y1b及びY2bは炭素数1〜3のアルキレン基を示し、nは0〜5の整数を示す。nが2以上のとき、複数のR5b同士及び複数のY1b同士は互いに同一であっても異なっていてもよく、R5b同士が相互に結合して環構造を形成してもよい。
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【課題】基板からフォトレジスト及びエッチング残渣を選択的に除去できる組成物であって、上記組成物に対して同様に露出している可能性のある金属に破壊的化学作用を及ぼさない組成物を提供することを課題とする、また、極微量の酸化シリコンを呈し、一般的に絶縁体に対するエッチング速度の低い組成物を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、フォトレジスト及びエッチング残渣を除去するのに適切な組成物であって、a)少なくとも約50重量%の、テトラフルフリルアルコール、ジアセトンアルコール、1,4−シクロヘキサンジメタノール及びアルキレングリコールエーテルからなる群より選択される溶媒;b)約0.005〜約0.8重量%のフッ素ソース;c)上限約49.9重量%の水;及び、d)上限約20重量%の腐食抑制剤を含むことを特徴とする組成物を含む。また、本発明は、基板からフォトレジスト及び/又はエッチング残渣を除去する方法であって、上記の組成物と基板を接触させることを含むことを特徴とする方法にも関する。 (もっと読む)


【課題】薬液処理後の雰囲気の置換効率を向上させることができる液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による液処理装置10は、基板Wを水平に保持する基板保持部21と、基板保持部21に保持された基板Wを上方から覆い、基板保持部21に保持された基板を覆う処理空間30を形成する天板32と、を備えている。処理空間30においては、薬液ノズル82aにより、基板保持部21に保持された基板Wに対して薬液が供給され、置換ノズル82cにより、処理空間30の雰囲気を置換するための置換ガスが処理空間30に供給されるようになっている。また、置換ノズル82cは、処理空間30内に進出した進出位置と処理空間30から外方に退避した退避位置との間で水平方向に移動する置換ノズル支持アーム82rによって支持されると共に、置換ガスを上方に吐出するように構成されている。 (もっと読む)


【課題】エッチング耐性が高く、かつ、解像性及び剥離性に優れた感光性樹脂組成物を用いたガラス加工方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るガラス加工方法は、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂を含有する感光性樹脂組成物の塗布膜をガラス基板上に形成する塗布膜形成工程と、前記塗布膜を選択的に露光する露光工程と、露光後の前記塗布膜を現像して樹脂パターンを形成する現像工程と、前記樹脂パターンをマスクとして前記ガラス基板をエッチングするエッチング工程と、前記樹脂パターンを剥離する剥離工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】 優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅を腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】 モルホリン・ギ酸塩を含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路及び/又は液晶のための半導体デバイス上に回路を作製し、及び/又は電極を形成するために有用な、金属及び合金エッチレート(特に銅エッチレート及びTiWエッチレート)の低下したレジスト剥離剤及び、その使用方法の提供。
【解決手段】銅塩を添加するか、又は銅塩無しで、及び銅塩の可溶性を改善するためのアミンを添加するか、又はアミン無しで、低い濃度のレゾルシノール又はレゾルシノール誘導体を含有し、更に、これらの方法によって製造された集積回路デバイス及び電気的相互接続構造。 (もっと読む)


【課題】 優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅を腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】 モノメチルアミン・ギ酸塩を含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。 (もっと読む)


【課題】エッチング耐性を維持しつつ、アルカリ液を用いて容易に除去可能なレジスト下層膜を形成できるパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、(1)アルカリ開裂性官能基を有する化合物を含有するレジスト下層膜形成用組成物を用い、被加工基板上にレジスト下層膜を形成する工程、(2)上記レジスト下層膜上にレジストパターンを形成する工程、(3)上記レジストパターンをマスクとした上記レジスト下層膜及び上記被加工基板のドライエッチングにより上記被加工基板にパターンを形成する工程、並びに(4)アルカリ液により上記レジスト下層膜を除去する工程を有するパターン形成方法である。 (もっと読む)


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