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Fターム[2H096GA04]の内容

感光性樹脂・フォトレジストの処理 (33,738) | 現像 (4,506) | 液体現像 (3,593) | 現像液 (3,329) | 有機溶剤系現像液 (300) | 溶剤の組合せ (27)

Fターム[2H096GA04]に分類される特許

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【課題】より感度が高いdeep−UVレジスト材料を用いることで、より生産性の高い、より微細なノズル構造を形成できるインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供すること。
【解決手段】(i)インク吐出圧力発生素子が形成された基体上に特定の高分子化合物を含有するレジスト材料を含む層を形成した後、該層をパターニングしてインク流路パターンを形成する工程と(ii)常温にて固体状のエポキシ樹脂を含む液体を流路パターン上に塗布してインク流路壁となる被覆樹脂層を形成する工程と(iii)インク吐出圧力発生素子上に位置する被覆樹脂層を除去してインク吐出口を形成する工程と(iv)流路パターンを除去する工程とを有しており、工程(ii)において、インク流路パターン上に形成される被覆樹脂層の屈折率とインク流路パターンの屈折率との差が0.03以下であるインクジェット記録ヘッドの製造方法。 (もっと読む)


【課題】自由度を損なうことなく高解像度を実現する微細構造の作製方法を提供すること。
【解決手段】まず、図1(b)のように、ネガ型レジスト102を基板101に塗布する。次に、図1(c)のように、ネガ型レジスト102に、電子ビーム(エネルギービームに対応)103を第1のパターンで照射する(第1の露光ステップ)。ついで、図1(d)のように、ネガ型レジスト102を現像して、ブロック状(第1の構造に対応)のレジスト102Aを形成する(第1の現像ステップ)。そして、図1(e)のように、ブロック状のレジスト102Aに、電子ビーム103を第1のパターンとは異なる第2のパターンで照射する(第2の露光ステップ)。最後に、図1(f)のように、ブロック状のレジスト102Aを現像して、3本の直交ナノワイヤ状(第2の構造に対応)のレジスト102Bを形成する(第2の現像ステップ)。 (もっと読む)


【課題】 基材との密着性に優れ、耐熱性、機械特性及び熱寸法安定性に優れ、かつ解像度、感度に優れたパターンが得られるレリーフパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】ベンズアゾール構造を有する2価の有機基を繰り返し単位として有する有機溶剤可溶性のポリイミド樹脂(a)と活性光線照射により酸を発生する化合物(b)とを含有するポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物を含有し、かつ所望のパターンでマスクされたフォトレジスト層に、活性光線を照射し、次いで該フォトレジスト層の露光部分を求核性アミン含有溶液で洗浄除去することを特徴とするレリーフパターンの形成方法。 (もっと読む)


【課題】加熱硬化後の残膜率に優れるネガ型感光性樹脂組成物の成分であるポリアミドイミド及びこれを用いたネガ型感光性樹脂組成物の提供。
【解決手段】下記化学式(1)で表される構造を有するポリアミドイミド。
【化1】
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【課題】半導体デバイス、多層配線基板などの電気・電子材料の製造用として有用な、特にLSIチップのバッファコート材料として好適な厚膜、低収縮、低応力に優れると同時に、下地金属配線との密着力の改善及び伸度の改善されたシロキサン構造を有する感光性樹脂組成物、及び該感光性樹脂を硬化して得られた膜を得ることを目的とする。
【解決手段】特定の有機シランを含む化合物を、ターシャリーブトキシチタンの存在下で40℃〜150℃以下の温度で0.1〜10時間重縮合して液体樹脂を得るステップを含むプロセスによって得られる感光性樹脂組成物及び該感光性樹脂を硬化して得られた膜。 (もっと読む)


【課題】 下層に密パターンを形成し、上層にパターンを形成するレジストパターンの形成方法において、ミキシングを抑制できるレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 次の(i)〜(ii)の工程;(i)基板上にポジ型レジスト組成物を用いて第1のレジスト層を形成し、選択的に露光して、該第1のレジスト層に密パターンの潜像部を形成する工程;(ii)該第1のレジスト層の上にネガ型レジスト組成物を用いて第2のレジスト層を形成し、選択的に露光した後、第1のレジスト層と第2のレジスト層を同時に現像して、前記密パターンの潜像部の一部を露出させる工程;を含むレジストパターンの形成方法であって、前記ネガ型レジスト組成物として、第1のレジスト層を溶解しない有機溶剤に溶解したネガ型レジスト組成物を用いることを特徴とするレジストパターンの形成方法。 (もっと読む)


2倍の周波数のリソグラフィ・パターニングを達成する方法が記載されている。第1周期(p1)を有する光学パターン(16)は、高い露光の区域(24)、低い露光の区域(26)及び中間の区域(22)を残すよう基板(20)上の従来の酸触媒型フォトレジスト(18)を露光させるために用いられる。処理は、高い露光の区域(24)を非常に極性のある状態すなわち親水性に、低い露光の区域(26)を非常に無極の状態すなわち疎水性に、及び中間の区域を中間の極性を有する状態にして進行する。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのような中間の極性の現像液が、中間の区域(22)だけを溶解するために用いられ、その光学期間(p1)の半分のピッチ(p2)を有するようにパターニングされたフォトレジストを残す。あるいは、光学期間(p1)の半分である同じピッチ(p2)を有する中間の区域(22)のみを残すようフォトレジストを無極及び極地の区域から取り除く。
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