【課題】本発明は、レジスト膜のパターン形成工程における膜減りを抑制すると共に、得られるパターンのＬＷＲを低減でき、露光余裕度（ＥＬ）、焦点深度（ＤＯＦ）等を指標としたリソグラフィー特性に優れるレジストパターンを形成することができるパターン形成方法に用いられる現像液を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、レジストパターン形成方法に用いられ、有機溶媒含有量が８０質量％以上の現像液であって、含窒素化合物を含み、上記含窒素化合物の含有量が０．１質量％以上１０質量％以下であることを特徴とする現像液である。 （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、レジストパターンの面内均一性（ＣＤＵ）及び欠陥性能に優れ、また処理液の使用量を低減できるレジストパターンを形成し得る化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】界面活性剤と有機溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液、及びそれを用いたレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、レジストパターンの面内均一性（ＣＤＵ）及び欠陥性能に優れ、また処理液の使用量を低減できるレジストパターンを形成し得る化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】有機溶剤に可溶な樹脂と有機溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液、及びそれを用いたレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】アニオン再生剤を含有しないことによる、形成されたフォトレジストの物性低下防止。
【解決手段】カルボニル基（Ｃ＝Ｏ）を主鎖に有するポリマーに、ジアゾナフトキノン化合物などの光酸発生剤のみを混合して成膜し、紫外線を照射して現像すると、従来よりも低い露光量で、従来と同様のネガ型フォトレジストを形成することができる。即ち、本発明は、基板上に、ヘテロ原子に結合したカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）を主鎖に含む縮合型ポリマー及び光酸発生剤を含み、アニオン再生剤を含まないフォトレジスト層を設け、所望のパターンでマスクする段階、このパターン面に紫外線を照射する段階、及び該フォトレジスト層を現像液で処理する現像段階から成り、該現像液がテトラ置換アンモニウムヒドロキシド、低分子アルコール及び水を含む溶媒から成る反応現像画像形成法である。 （もっと読む）

【課題】架橋性官能基を有するポリアリーレン樹脂を含有する感光性組成物を使用したフォトリソグラフィ方法において、感度、解像度、パターン形状、残膜率などの現像性を向上させることができる現像液組成物を提供する。
【解決手段】架橋性官能基を有するポリアリーレン樹脂を含有する感光性組成物を使用したフォトリソグラフィ方法において、前記ポリアリーレン樹脂に対する良溶媒および貧溶媒を含有する現像液組成物を用いて現像を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路、プリント配線基板又は液晶パネルの製造に用いることのできるフォトレジスト技術に関し、従来の反応現像画像形成法により形成されるフォトレジストの耐熱性を向上させ、かつ適正な現像時間を確保する手段を提供する。
【解決手段】所望のパターンでマスクされたフォトレジスト層に紫外線を照射し、その後この層をアルカリを含む溶剤で洗浄することから成る現像画像形成法において、該フォトレジスト層が、アマダンタン骨格を有する耐熱性ポリカーボネート樹脂と光酸発生剤とから成り、該アルカリがアミンであることを特徴とする反応現像画像形成法。 （もっと読む）

【課題】人体への有害性が少なく、かつ、現像後のパターンエッジの残渣、クラックを低減し、高い解像度と残膜率を達成することができる感光性ポリイミド用現像液およびそれらを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（ａ）下記一般式（１）で表される化合物 ４０〜９０重量％、（ｂ）炭素数６以下の脂肪族アルコール ５〜５０重量％および（ｃ）水 ５〜２０重量％を含有することを特徴とする感光性ポリイミド用現像液。
【化１】


（一般式（１）中、Ｒ^１およびＲ^２はそれぞれ水素炭素数１〜１０の有機基を表す。ただし、少なくとも一方は炭素数１〜１０の有機基である。） （もっと読む）

ネガ型画像形成性要素を画像形成し、次いで、毒性および腐食性が低く、使用後により容易に廃棄できる低ｐＨ有機系炭素現像液を使用して現像することができる。当該現像液は１２未満のｐＨを有し、ａ）窒素含有複素環を含む両性界面活性剤、ｂ）２又は３個以上の窒素原子を有する両性界面活性剤、またはｃ）ａ）の両性界面活性剤およびｂ）の両性界面活性剤を含む。 （もっと読む）

基板にパターン化フィルムを調製する方法は、シリコーン組成物のフィルムを形成するために基板上にシリコーン組成物を適用することを含む。フィルムの一部は放射線に曝されて、曝露領域と非曝露領域を有する部分的に曝露されたフィルムが形成される。この部分的に曝露されたフィルムは、シロキサン成分を含む現像溶媒に対して曝露領域を実質的に不溶化するために十分な長さの時間および十分な温度で加熱される。部分的に曝露されたフィルムの非曝露領域が、現像溶媒によって除去されて、フィルムの無い領域が基板上に露出され、基板上に残る曝露領域を含むパターン化フィルムが形成される。現像溶媒中にシロキサン成分が存在するために、フィルムの無い領域には、残留シリコーンが実質的に存在しない。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された露光後のレジスト膜を現像処理するときに、パターン寸法の微細化に伴って起こるレジストパターン倒壊の発生を防止することができ、後工程に悪影響を及ぼす心配も無い方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面に形成された露光後のレジスト膜を現像処理する工程において、現像液供給ノズル２８から疎水化剤が混合された現像液を基板表面のレジスト膜上へ供給し、現像処理後にリンス処理しスピン乾燥する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、露光後加熱処理を施して製版処理する製版方法に用いられる平版印刷版材料であって、高い感度、耐刷力を維持しつつ、露光した後、加熱処理を行うまでの経時での網点再現性の変動が少ない平版印刷版材料およびそれを用いた製版方法を提供することにある。
【解決手段】支持体上に、（Ａ）重合可能な、エチレン性二重結合含有化合物、（Ｂ）光重合開始剤および（Ｃ）高分子結合材を含有する感光層を有する平版印刷版材料において、該感光層が、前記（Ａ）重合可能な、エチレン性二重結合含有化合物として、２５℃における粘度が７０００〜１０００００ｍＰａ・ｓである重合可能な、エチレン性二重結合含有化合物を含有することを特徴とする平版印刷版材料。 （もっと読む）

内層および外層並びに輻射線吸収化合物を含んで成るポジ型画像形成性要素。前記内層は第１高分子材料を含む。前記インク受容外層は、ポリマー主鎖と前記ポリマー主鎖に結合された−Ｘ−Ｃ(＝Ｔ)−ＮＲ−Ｓ(＝Ｏ)₂−部分（式中、−Ｘ−はオキシ又は−ＮＲ’−基であり、ＴはＯ又はＳであり、Ｒ及びＲ’は独立して、水素、ハロ、又は炭素原子数１〜６のアルキル基である）とを含む第２高分子バインダーを含む。熱画像形成後に、前記要素をアルカリ性現像剤を用いて現像することができる。特定の第２高分子バインダーにより、現像剤中でのスラッジ生成が低減される。現像剤中でのその溶解速度は、外層の非画像形成領域内の現像剤攻撃に抵抗するのに十分に遅いが、しかし、第２高分子バインダーが、画像形成された領域から素早く解放され、かなりの時間にわたって懸濁又は溶解された状態にしておかれるのに十分に速い。 （もっと読む）

【課題】 良好な厚膜レジストパターンを形成できるとともに、泡立ちが少ない現像液組
成物を提供する。
【解決手段】 支持体上に厚膜レジストパターンを形成するために用いられる現像液組成物であって、有機第四級アンモニウム塩基を主剤とし、ポリエチレンオキシド化合物、ポリプロピレンオキシド化合物およびエチレンオキシド・プロピレンオキシド付加物の中から選ばれる少なくとも１種の消泡剤とを含有することを特徴とする、厚膜レジスト用現像液組成物。 （もっと読む）

【課題】 側鎖にカルボニル基を有するポリマーを用い、これに紫外線を照射し、金属アルコキシドと極性溶媒から成る現像液を用いて１段階で現像してフォトレジストを形成する新規な「反応現像画像形成法」を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板上に側鎖にカルボニル基を有するポリマー及び光酸発生剤から成るフォトレジスト層を設け、所望のパターンでマスクする段階、このパターン面に紫外線を照射する段階、及び該フォトレジスト層を現像液で処理する現像段階から成り、該現像液が下式
ＭＯ−Ｒ−Ｘ
（式中、Ｍはアルカリ金属又はアルカリ土類金属、Ｒはアルキレン基、Ｘは１級アミノ基、２級アミノ基又は３級アミノ基を表す。）で表される金属アルコキシドと極性溶媒を含む反応現像画像形成法である。この反応現像画像形成法により形成されたフォトレジスト層を有する基板は、ミクロ電子工学及びオプトエレクトロニクス回路や部品に利用することができる。
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【課題】液浸露光プロセス、中でもリソグラフィー露光光がレジスト膜に到達する経路の少なくとも前記レジスト膜上に空気より屈折率が高くかつ前記レジスト膜よりも屈折率が低い所定厚さの液体を介在させた状態で露光することによってレジストパターンの解像度を向上させる液浸露光プロセスにおいて、液浸露光プロセスに用いて好適なレジスト保護膜形成用材料を除去するための保護膜除去用溶剤であって、フッ素系溶剤を含む液浸露光プロセス用レジスト保護膜除去用溶剤を用いることにより、液浸露光を用いた高解像性レジストパターンの形成を可能とする。
【解決手段】液浸露光プロセスに用いて好適なレジスト保護膜形成用材料を除去するための保護膜除去用溶剤であって、フッ素系溶剤を含む液浸露光プロセス用レジスト保護膜除去用溶剤を用いて前記保護膜を除去する。 （もっと読む）