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Fターム[2H096HA11]の内容

感光性樹脂・フォトレジストの処理 (33,738) | 現像後の処理 (2,818) | エッチング (526)

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【課題】特別な工程を追加することなく、突起状欠陥のみでなく溝状欠陥の発生を防止することが可能なフォトレジストパターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】第1主面10と第2主面12とを有するとともに、第1主面10側に、第1平面16と、第2主面12との距離が第1平面16よりも大きな第2平面19と、第1および第2平面16,19の端部同士を接続する接続面18と、を有する構造20を備える基板14に、フォトレジストパターンを形成するにあたり、原フォトレジストパターン22を第1平面16上に接続面18と離間するように形成するリソグラフィー工程と、原フォトレジストパターン22を加熱して変形させることにより、第2平面19よりも低い位置で接続面18に接触する変形フォトレジストパターンを形成する熱フロー工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 レジストパターンをマスクにして形成されるパターンの形状不良を抑制すること。
【解決手段】 ポリシリコン膜10上にレジストパターン12を形成する工程と、前記レジストパターン12の表面に樹脂膜14が選択形成されたマスクパターン12,15を形成する工程と、前記マスクパターン12,15のスリミングを行う工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】 互いに対向する長辺および短辺のうち、その長辺の両端において規定される2つの断面角度が互いに異なる四角形状の断面形状を有するパターン膜を可能な限り高精度に形成することが可能なパターン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 開口102Kが設けられた基礎膜102を形成し、引き続き成膜方向に異方性を有する成膜手法(例えば傾斜スパッタリング法)を使用して斜め方向に成膜処理(成膜角度ω)を施すことにより、開口102K内にパターン形成領域105Pを画定する内壁105WR,105WLが互いに異なる角度(傾斜角度βR,βL)で傾斜するように被覆膜105を形成したのち、そのパターン形成領域105Pにパターン膜を形成する。2つの断面角度が互いに異なる四角形状の断面形状を有するようにパターン膜を形成する場合に、それらの2つの断面角度の設定精度が向上する。 (もっと読む)


【課題】微小な寸法を有する薄膜パターンをより高精度、かつ容易に形成することのできる薄膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】第1薄膜111Zの上にAl23からなる可溶層102Zを形成したのち下部レジスト層103Zと上部レジスト層104Zとを順次形成する。下部および上部レジスト層103Z,104Zを選択的に露光して2層レジストパターン105を形成し、これをマスクとしたドライエッチングにより第1薄膜111Zおよび可溶層102Zを選択的にエッチングする。これにより、端部111Tにおける第1薄膜パターン111の型くずれを抑制し、より正確にパターニングすることができる。さらに、所定の溶剤をそれぞれ用いて2層レジストパターン105と可溶層パターン102とを順次除去するようにしたので、第1薄膜パターン111の上面にバリが発生せず、円滑なリフトオフが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 エキシマレーザー光をも利用可能であり、保存安定性に優れ、レジストパターンの厚肉化量を温度、雰囲気等の条件変化や保存期間の長短にかかわらず均一かつ一定に、しかも精度よくコントロールすることができ、露光装置の光源における露光限界(解像限界)を超えて微細なレジスト抜けパターンを低コストで簡便に効率良く形成可能なレジストパターンの形成方法の提供。
【解決手段】 被加工面上にレジストパターンを形成後、該レジストパターン上にレジストパターン厚肉化材料を塗布することにより該レジストパターンを厚肉化して厚肉化レジストパターンを形成する工程と、該厚肉化レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面にパターニングを行う工程とを含み、前記レジストパターン厚肉化材料が、少なくとも樹脂を含んでなり、レジストパターンに塗布時乃至塗布後におけるpHが7超14以下である半導体装置の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】 可視光波長よりも短いオーダでの微細加工を低コストに実現することを可能とする技術を提供すること。
【解決手段】 被加工体(100)の上側に感光性膜を形成する感光性膜形成工程と、可視光波長よりも小さい波長の2本のレーザービーム(B1,B2)を交叉させて干渉光を発生させ、当該干渉光を照射することによって上記感光性膜を露光する露光工程と、露光後の上記感光性膜を現像して、上記干渉光のパターンに対応する形状を上記感光性膜に発現させる現像工程と、現像後の上記感光性膜をエッチングマスクとしてエッチングを行い、上記被加工体を加工するエッチング工程と、を含む、微細構造体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 パターニング時に露光光としてArF(フッ化アルゴン)エキシマレーザー光をも利用可能であり、レジストパターンの厚肉化量を温度、雰囲気等の条件が変化しても一定にコントロールすることができ、露光装置の光源における露光限界を超えて微細な配線パターン等を有する高性能な半導体装置の効率的な製法方法の提供。
【解決手段】 加工表面上にレジストパターンを形成後、該レジストパターンを真空でベークする真空ベーク処理を行った後、少なくとも樹脂を含有するレジストパターン厚肉化材料を前記レジストパターンの表面に塗布することにより該レジストパターンを厚肉化して厚肉化レジストパターンを形成する厚肉化レジストパターン形成工程と、該厚肉化レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工表面にパターニングを行うパターニング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。 (もっと読む)


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