【課題】低ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）なレジストパターンを形成可能な感光性化合物、該感光性化合物を含む感光性組成物及びレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される構造単位。
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【課題】基板上の被処理膜に所定の微細なパターンを効率よく形成する。
【解決手段】ウェハＷ上に被処理膜Ｆ、反射防止膜Ｂ、レジスト膜Ｒを下から順に形成する（図５（ａ））。レジスト膜Ｒと反射防止膜ＢにパターンＲ１、Ｂ１をそれぞれ形成する（図５（ｂ））。パターンＲ１をマスクとして被処理膜Ｆをエッチングし、被処理膜ＦにパターンＦ１を形成する（図５（ｃ））。パターンＢ１の側壁部を溶解して、反射防止膜ＢにパターンＢ２を形成する（図５（ｄ））。パターンＢ２を覆うように犠牲膜Ｇを形成する（図５（ｅ））。パターンＲ１、Ｂ２をそれぞれ除去する（図５（ｆ））。犠牲膜ＧをマスクとしてパターンＦ１をエッチングし、被処理膜ＦにパターンＦ２を形成する（図５（ｇ））。犠牲膜Ｇを除去する（図５（ｈ））。 （もっと読む）

【課題】ブロック共重合体を利用した微細パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】相互隣接した第１領域の間に第２領域が限定されるように、複数の第１領域が存在する基板で複数の第１領域を処理して第１パターンを形成し、第１領域及び第２領域上に第１成分及び第２成分を含むブロック共重合体を、ブロック共重合体の第１成分が第１領域上にアラインされるように配列させ、ブロック共重合体の第１成分及び第２成分のうち一つの成分を選択的に除去して、第１領域とそれに隣接した第２領域とのピッチよりさらに小さいピッチを有する第２パターンを形成する微細パターンの形成方法である。 （もっと読む）

【課題】ホールパターンを高密度に形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工膜１上に複数の柱状の構造物を形成する工程と、複数の構造物に包囲された領域に窪み部が形成されるように、複数の構造物の側壁に側壁膜を形成する工程と、複数の構造物の上、及び窪み部の底部の側壁膜をエッチングして除去する工程と、側壁膜を残し、複数の構造物を選択的にエッチングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上することができる欠陥修正装置、及び欠陥修正方法、並びにそれを用いたパターン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様にかかる欠陥修正方法は、基板６上に設けられたパターンの欠陥にレーザ光を照射して、欠陥を修正する欠陥修正方法であって、パターンの欠陥を検出する工程と、欠陥よりも大きい開口部５ａを有するマスクフィルム５と基板６とを相対移動させる工程と、相対移動した後、開口部５ａが欠陥上に配置された状態で、マクスフィルム５の開口部５ａを基板６に対して密着させる工程と、開口部５ａを介して欠陥にレーザ光を照射して、欠陥を除去する工程と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】集積回路のような電子素子の製造に用いることのできる調節可能なレジストの光学特性を変化させる方法及びシステムに関する。
【解決手段】光計測を用いた測定の精度を改善する方法及びシステムを供する。さらに本発明は調節可能なレジスト層を用いる方法及びシステムを供する。その調節可能なレジスト層は、露光前に第１組の光学特性、及び露光後に第２組の光学特性を供する。 （もっと読む）

【課題】有機電子デバイスの有機パターン層を凸版印刷により高い位置精度で形成可能とする。
【解決手段】本発明の凸版１３は、有機電子デバイスが含む有機パターン層を凸版印刷によって形成するために使用する凸版であって、導電面を含んだ基材１３１と、前記導電面上に形成されると共に前記有機パターン層に対応した形状を有する金属パターン層１３２と、前記金属パターン層１３２の上面を被覆すると共に前記金属パターン層１３２と比較して前記有機パターン層の形成に使用するインキの付着性がより高い表面層１３３とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ限界以上のピッチを有する微細パターンを形成することができる方法を提供する。
【解決手段】被食刻層が形成された半導体基板上に第１ピッチを有する厚さｔ_１のハードマスクパターンを形成する段階と、結果物上に光透過性薄膜をコンフォーマルな形でｔ_２の厚さに形成する段階と、結果物上に光吸収性薄膜をプラナー形に形成する段階と、光が被食刻層の表面からＴの高さまで到達するよう調整しながら、結果物にブランク露光工程を行う段階（ｔ_２＜Ｔ≦ｔ_１＋ｔ_２）と、結果物に対して現像工程を行いハードマスクパターンの間に光透過性薄膜及び光吸収性薄膜が積層された有機マスクパターンを形成する段階と、ハードマスクパターン及び有機マスクパターンを食刻マスクに被食刻層を食刻し、第１ピッチより小さい第２ピッチを有する被食刻層パターンを形成する段階と、を含むことにより４０ｎｍ以下の微細パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ用コーティング組成物及び方法の提供
【解決手段】第一の態様においては、（ａ）基体上に硬化性組成物を適用する工程、（ｂ）硬化性組成物上にハードマスク組成物を適用する工程、（ｃ）ハードマスク組成物上にフォトレジスト組成物層を適用する工程を含む方法であって、アッシングを含まないプロセスにおいて一以上の組成物を除去する工程、を含む方法が提供される。第二の態様においては、（ａ）基体上に有機組成物を適用する工程、（ｂ）有機組成物上にフォトレジスト組成物層を適用する工程であって、その有機組成物が、熱処理および／または放射線処理の際にアルカリ溶解性基を生じさせる材料を含む工程を含む方法が提供される。関連する組成物も提供される。 （もっと読む）

カラーフィルタ素子のアレイを有する撮像装置を提供するための装置および方法であり、各カラーフィルタ素子は、スペーサーによって互いに分離されている。スペーサーはフィルタ素子を互いに光学的に分離することができる。
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【課題】残渣の発生を防止することが出来る導電膜パターニング方法を提供する。
【解決手段】基板Ｐ上にアルミニウムを含む導電材料によって導電膜Ｌを形成する導電膜形成工程と、この導電膜形成工程によって形成された導電膜Ｌ上に耐アルカリ性材料によってレジスト膜Ｒを積層して形成するレジスト膜形成工程と、このレジスト膜形成工程によって形成されたレジスト膜Ｒに対して露光マスクＭを介して露光を行う露光工程と、この露光工程の終了後に、キレート剤が添加されたアルカリ性の現像液によって、レジスト膜Ｒの現像を行うとともに導電膜Ｌのエッチングを行う現像およびエッチング工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】被エッチング層のパターンの線幅ばらつきを低減させるパターン形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に設けられたゲート電極膜１２上に、ラクトン基含有骨格を有する高分子材料を含むレジストパターン１５’を形成する第１工程と、レジストパターン１５’のガラス転移温度または軟化点が低下するように、水素含有ガスを用いたプラズマ処理を行う第２工程と、エッチングにより、プラズマ処理後のレジストパターン１５’をゲート電極膜１２に転写することで、ゲート電極を形成する第３工程とを有することを特徴とするパターン形成方法および半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】マイクロレンズアレイ、マイクロレンズ、及び表示装置の効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１、SiＯ_２層２、シリコン層３に設けられた穴は、切り込み７によって分離され、各穴には、比重と屈折率の異なる非導電性液体８と導電性液体９が封入されるようにする。パイレックス（登録商標）ガラス５には電極６が設けられ、パイレックス（登録商標）ガラス１０には電極１１が設けられている。電極１１は、各穴に共通であり、電極６は各穴毎に設けられている。これによりマイクロレンズアレイが形成される。電極１１と各電極６との間にかける電圧を個々に調整することにより、個々のマイクロレンズの焦点距離を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】オゾン水による基板上残留有機物の除去方法の改良。
【解決手段】受台に保持された基板３の、レジストＲが残留している面に対してオゾン水用ノズル１と、それと独立した過熱水蒸気用ノズル２ａ、２ｂとを、それぞれから供給されるオゾン水と過熱水蒸気とが、そのレジストＲの直上で混合されるような姿勢に配設し、かつ、基板３のレジストＲが存在する全領域にわたってその除去ができるよう、基板３の受台との間で相対移動可能とする。 （もっと読む）

【課題】 ウェハに転写される回路パターンの高いパターニング精度を実現しつつ、大幅なコストアップ無しに“迷光”の影響を抑えることが可能なフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】 透明基板２０１上に、位相シフト層２０２、遮光層２０３およびネガ型のレジスト層２０４を順次形成する工程と、次いで、前記ネガ型のレジスト層に対して第１の露光および現像を行い、前記転写パターンに応じたパターンを含む第１のレジストパターン２０４Ｐを形成する工程と、次いで、前記第１のレジストパターンをマスクとして前記遮光層をエッチングして遮光帯を含む遮光パターンを形成する工程と、次いで、前記第１のレジストパターンを除去した後、前記遮光帯の外側の光吸収パターンに応じたパターンを含むポジ型のレジストパターンを用いて、位相シフトパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜等由来のエッチング残渣、銅等の配線材料由来のエッチング残渣、およびレジスト由来のアッシング残渣からなる種々の残渣を十分に除去することができ、かつ半導体を形成する銅等の配線材料、絶縁膜、および低誘電層間絶縁膜を腐食させない基板洗浄液を提供する。
【解決手段】 フッ化物塩、下記一般式（Ｉ）で表されるチオール化合物および水を含有する基板洗浄液。
【化１】


（式中、Ｒ^１およびＲ^２は、水素原子、炭素数が１〜３のアルキル基、あるいはＣＯＯＲ^４（Ｒ^４は、水素原子または炭素数が１〜３のアルキル基である。）であり、Ｒ^３は、水素原子、ＮＨ_２、またはＮＨ（ＣＯ）Ｒ^５（Ｒ^５は、炭素数が１〜３のアルキル基である。）である。） （もっと読む）

【課題】 金属配線と無機材料層（ポリシリコン膜等）の両者を形成してなる基板上に設けたホトレジスト層の剥離性に優れるとともに、無機材料層（ポリシリコン膜等）の防食性に優れ、剥離液の変色がなく管理が容易で、基板への付着物を生じることがないホトリソグラフィ用洗浄液、およびこれを用いた基板の処理方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）フッ素基を含有するニトロ化合物（例えば、ｐ−フルオロニトロベンゼン等）、（ｂ）水溶性アルカリ化合物（例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド等）、（ｃ）水、および（ｄ）水溶性有機溶媒（例えばジメチルスルホキシド等）を含有してなるホトリソグラフィ用洗浄液、およびこれを用いた基板の処理方法。 （もっと読む）

【課題】 セーフライトなどの光源によるパターン形成材料の感度変化を良好に抑制し、保存安定性に優れ、配線パターン等の永久パターンを高精細に、かつ、効率よく形成可能なパターン形成方法の提供。
【解決手段】 支持体と、該支持体上に少なくとも３５０〜５００ｎｍに感光特性を示す感光層を有し、エネルギー感度が１〜２０ｍｊ／ｃｍ^２であるパターン形成材料を用い、３８０〜５００ｎｍの波長領域を有し、該波長領域での少なくとも一波長のエネルギー強度が１×１０^−２μＷ／ｃｍ^２／ｎｍ以下の光源下で、基材表面への感光層の積層工程と、該積層工程と露光前までの工程のうち少なくとも一工程を行うパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】寸法精度よく、かつ容易に基体表面にパターン形成することができるレジストパターン形成方法、エッチング方法、およびマスター情報担体の製造方法を提供する。
【解決手段】基体１の表面上に全面に第１レジスト膜２を形成する工程と、第１レジスト膜２の上に開口３ａを有する第２レジスト膜３を形成する工程と、開口３ａ内の第１レジスト膜２の表面にイオン注入法によりイオンを注入する工程と、イオン注入層５をマスクとして第１レジスト膜２をエッチングする工程とを備えたレジストパターンの形成方法。なお、このレジストパターン７を用いて基体１または基体１の上に予め形成した薄膜を精度よくエッチングすることができる。また、この方法を適用して、マスター情報担体を容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 パターン寸法精度に優れ、露光装置を長期使用可能なレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 レジストパターン形成方法は、以下の工程を含む。基板上にレジスト膜を形成する。基板の外縁部の所定領域のレジスト膜に後の現像工程で該レジスト膜を溶解するに足りる露光量で光を照射することにより、外縁部のレジスト膜に潜像を形成する。外縁部に光が照射されたレジスト膜を洗浄する。洗浄されたレジスト膜の所望の露光領域に、露光領域と露光装置の投影光学系の最も基板側の構成要素の基板側面との間に屈折率が空気よりも大きい液体が存在する状態で投影光学系を通じて所望のパターン光を照射する。レジスト膜の露光領域を現像する。 （もっと読む）