導電膜パターニング方法
【課題】残渣の発生を防止することが出来る導電膜パターニング方法を提供する。
【解決手段】基板Ｐ上にアルミニウムを含む導電材料によって導電膜Ｌを形成する導電膜形成工程と、この導電膜形成工程によって形成された導電膜Ｌ上に耐アルカリ性材料によってレジスト膜Ｒを積層して形成するレジスト膜形成工程と、このレジスト膜形成工程によって形成されたレジスト膜Ｒに対して露光マスクＭを介して露光を行う露光工程と、この露光工程の終了後に、キレート剤が添加されたアルカリ性の現像液によって、レジスト膜Ｒの現像を行うとともに導電膜Ｌのエッチングを行う現像およびエッチング工程とを有している。
【解決手段】基板Ｐ上にアルミニウムを含む導電材料によって導電膜Ｌを形成する導電膜形成工程と、この導電膜形成工程によって形成された導電膜Ｌ上に耐アルカリ性材料によってレジスト膜Ｒを積層して形成するレジスト膜形成工程と、このレジスト膜形成工程によって形成されたレジスト膜Ｒに対して露光マスクＭを介して露光を行う露光工程と、この露光工程の終了後に、キレート剤が添加されたアルカリ性の現像液によって、レジスト膜Ｒの現像を行うとともに導電膜Ｌのエッチングを行う現像およびエッチング工程とを有している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、導電膜のパターンニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、平面ディスプレイパネルの電極にはアルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金によって形成されるものがあり、例えば、反射型プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）においては、背面基板側に配置される電極をアルミニウムまたはアルミニウム合金によって形成することにより、蛍光体層からの発光を反射してパネル画面の高輝度化を図っているものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような電極等を形成する導電膜のパターニングは、一般にフォトリソ法と呼ばれるパターニング方法により、導電膜形成工程−レジスト膜形成工程−露光工程−レジスト膜の現像工程−導電膜のエッチング工程−レジスト膜の剥離工程を経ることによって行われる。
【０００４】
従来、このようなフォトリソ法によるアルミニウムまたはアルミニウム合金製導電膜のパターニング方法において、レジスト膜の現像液に強アルカリ性溶液である水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ：Ｎ（ＣＨ3）4ＯＨ）を用いて、レジスト膜の現像とアルミニウム製導電膜のエッチングを同時に行うことにより、工程数を減らすことが出来る方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
しかしながら、この従来の導電膜パターニング方法は、エッチングによってアルミニウム製導電膜が除去された部分の基板上に、エッチングによって溶解したアルミニウムと現像によって溶解されたレジストとが凝集して出来る残渣が発生してしまうという問題を有している。
【０００６】
この残渣は、レジストに含まれる感光剤のインデンカルボン酸アニオンとアルミニウム・イオンとが反応して出来る塩が沈殿したものと考えられる。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−２２７５６号公報
【特許文献２】特開平７−１３０７５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
この発明は、上記のような従来のアルミニウム製導電膜のパターニング方法における問題点を解決することをその技術的課題の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明（請求項１に記載の発明）による導電膜パターニング方法は、上記目的を達成するために、基板上にアルミニウムを含む導電材料によって導電膜を形成する導電膜形成工程と、この導電膜形成工程によって形成された導電膜上に耐アルカリ性材料によってレジスト膜を積層して形成するレジスト膜形成工程と、このレジスト膜形成工程によって形成されたレジスト膜に対して露光マスクを介して露光を行う露光工程と、この露光工程の終了後に、キレート剤が添加されたアルカリ性の現像液によって、レジスト膜の現像を行うとともに導電膜のエッチングを行う現像およびエッチング工程とを有していることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
この発明による導電膜パターニング方法は、導電膜形成工程において、アルミニウムを含む導電材料によって基板上に導電膜が形成され、次のレジスト膜形成工程において、耐アルカリ性材料によってレジスト膜が導電膜上に積層して形成され、次の露光工程において、レジスト膜に対して露光マスクを介して露光が行われ、この露光工程の終了後、現像およびエッチング工程において、キレート剤が添加されたアルカリ性の現像液によって、レジスト膜の現像と導電膜のエッチングが並行して行われる導電膜のパターニング方法を最良の実施形態としている。
【００１１】
この実施形態による導電膜パターニング方法によれば、レジスト膜の現像を行うアルカリ性の現像液によってレジスト膜の現像と並行して導電膜のエッチングが行われることによって導電膜のパターニングの工程数が少なくなり、そして、このレジスト膜の現像と導電膜のエッチングが並行して行われる際に、アルカリ性の現像液に添加されたキレート剤によって、エッチングによって溶解したアルミニウムのイオンが封じ込まれて水溶性を維持することにより、レジスト膜に含まれている感光剤やその変成物等とアルミニウム・イオンが凝集して塩等の残渣が生成されるのを防止することが出来る。
【００１２】
上記実施形態の導電膜パターニング方法において、導電膜が、アルミニウムの含有率が９０ｍｏｌパーセント以上のアルミニウム合金によって形成されるようにするのが好ましく、これによって、導電膜が、エッチング工程におけるアルカリ性の現像液に対する良好な溶解性を有することが出来るようになる。
【００１３】
さらに、上記実施形態の導電膜パターニング方法において、現像液に添加されるキレート剤がエチレンジアミン４酢酸４ナトリウムであることが好ましく、これによって、現像およびエッチング工程において残渣が発生するのをより有効に防止することが出来るとともに、導電膜のエッチング終了前にレジスト膜のパターン形成部分が溶解されてしまうのを防止することが出来るようになる。
【００１４】
さらに、上記実施形態の導電膜パターニング方法において、現像液に含まれるキレート剤の濃度を０．１ｗｔパーセント以上にするのが好ましく、これによって、残渣の発生と導電膜のエッチング終了前にレジスト膜のパターン形成部分が溶解されてしまうのをより防止することが出来るようになる。
【００１５】
さらに、上記実施形態の導電膜パターニング方法において、現像液がｐＨ１３〜１４のアルカリ溶液であることが好ましく、これによって、現像およびエッチング工程において、現像液によって導電膜のエッチング終了前にレジスト膜のパターン形成部分が溶解されてしまうのをより防止することが出来るようになる。
【００１６】
さらに、上記実施形態の導電膜パターニング方法において、レジスト膜を形成するレジスト材料にノボラック樹脂を含ませるようにするのが好ましく、これによって、導電膜のエッチングが完了するまでの間、レジスト膜のパターンを形成する未露光部分が溶解されずにマスク・パターンを保持することが出来るようになる。
【００１７】
さらに、上記実施形態の導電膜パターニング方法において、レジスト膜を形成するレジスト材料に含まれるノボラック樹脂の分子量が１５０００以上になるようにするのが好ましく、これによって、導電膜のエッチングが完了するまでの間、レジスト膜のパターンを形成する未露光部分が溶解されずにマスク・パターンをより完全に保持することが出来るようになる。
【００１８】
さらに、上記実施形態の導電膜パターニング方法において、導電膜のパターニングによって平面ディスプレイパネルの電極を形成するようにするのが好ましく、これによって、ＰＤＰやＬＣＤ等の平面ディスプレイの電極を良好な状態で形成することが出来るようになる。
【実施例】
【００１９】
以下、この発明による導電膜パターニング方法の実施形態における一実施例について、図面を参照しながら説明を行う。
【００２０】
図１は、この実施例における導電膜パターニング方法の各工程を順に示した工程説明図である。
【００２１】
この図１において、この実施例における導電膜パターニング方法は、先ず、導電膜形成工程（ａ）において、基板Ｐ上に、スパッタリング法や真空蒸着法等の薄膜形成技術により、アルミニウムまたはアルミニウム合金材料によって導電膜Ｌが形成される。
【００２２】
このとき、アルミニウム合金材料に含まれるアルミニウムの含有率は、後述する現像工程において使用されるアルカリ性現像液に対する溶解性を考慮して、９０ｍｏｌパーセント以上の値になるようにするのが好ましい。
【００２３】
このアルミニウム合金材料には、例えばＳｉ、Ｆｅ、Ｃｕ等の種々の添加金属を含有させることが出来る。
【００２４】
次に、レジスト膜形成工程（ｂ）において、耐アルカリ性を有しているが強アルカリ溶液によって現像が可能な液体レジストが、スピンコート法等によって導電膜Ｌ上にコーティングされることにより、ポジタイプのレジスト膜Ｒが導電膜Ｌ上に積層して形成される。
【００２５】
このレジスト膜Ｒを形成する液体レジストには、耐アルカリ性を有するために、分子量が１５０００以上のノボラック樹脂を含む高分子タイプの液体レジストを用いるのが好ましい。
【００２６】
なお、この実施例においては、ポジタイプの液体レジストが用いられている。
【００２７】
次に、露光工程（ｃ）において、導電膜Ｌ上に形成する所要のレジスト・パターンに対応した開口部Ｍａを有する露光マスクＭを介して、レジスト膜Ｒの露光が行われる。
【００２８】
この露光工程によって、露光マスクＭの開口部Ｍａに対向している部分のレジスト膜Ｒが軟化され、後述するように、レジスト膜Ｒの未露光部分によって、所要のレジスト・パターンが形成される。
【００２９】
次に、現像およびエッチング工程（ｄ）において、強アルカリ溶液からなる現像液によってレジスト膜Ｒの現像が行われ、さらに、この現像液によって、パターニングされてゆくレジスト膜Ｒを介して導電膜Ｌのエッチングが行われる。
【００３０】
すなわち、露光によってレジスト膜Ｒの軟化している部分が強アルカリ性の現像液によって除去されて、このレジスト膜Ｒのパターニングが行われ、同時に、現像によってレジスト膜Ｒの露光部分が除去されて開口された部分に対向する部分の導電膜Ｌに対して、現像液によりエッチングが行われる。
【００３１】
これによって、導電膜Ｌが、レジスト膜Ｒの現像と並行して、同じ現像液により、露光マスクＭの開口部Ｍａのパターンに対応してパターニングされる。
【００３２】
このように、レジスト膜Ｒの現像液によって導電膜Ｌのエッチングを同時に行うことが可能になったのは、導電膜Ｌに含有されるアルミニウムが、耐アルカリ性が低く強アルカリ溶液である現像液に溶解する性質を有していることによる。
【００３３】
この現像液は、キレート剤が、例えば０．１〜０．２ｗｔパーセントの濃度で含まれている。
【００３４】
このキレート剤によって、エッチングにより溶解したアルミニウムのイオンが封じ込まれて水溶性を維持することにより、レジスト膜Ｒに含まれている感光剤やその変成物等とアルミニウム・イオンとによる凝集体や塩等の残渣の生成が抑制される。
【００３５】
この現像液のペーハ（ｐＨ）は、１２≦ｐＨ≦１３に設定するのが好ましい。
すなわち、この現像液がｐＨ＜１２の場合には、導電膜Ｌのエッチング時間が長くなってリードタイムが長くなり、また、ｐＨ＞１３の場合には、レジスト膜Ｒの未露光部分まで溶解してレジスト膜Ｒに対して所要のパターニングを行うことが出来なくなるためである。
【００３６】
このように、現像液が１２≦ｐＨ≦１３に設定されることによって、レジスト膜Ｒの未露光部分の溶解が始まる前に導電膜Ｌのエッチング、すなわちパターニングを完了することが出来る。
【００３７】
導電膜Ｌのエッチングが完了した時点で、この現像およびエッチング工程は終了する。
【００３８】
この後、次の剥離工程（ｅ）において、有機溶剤からなる剥離液が、パターニング後のレジスト膜Ｒに浸漬されて、このレジスト膜Ｒが導電膜Ｌから剥離される。
【００３９】
以上のようにして、基板Ｐ上に、導電膜Ｌによって、露光マスクＭに設定された所要のパターンに対応するパターンの例えばアルミニウムまたはアルミニウム合金製電極が形成される。
【００４０】
次に、上記のパターニング方法によって形成される導電膜の検証実験の結果について、説明を行う。
【００４１】
図２には、従来のアルミニウム製導電膜のパターニング方法において生じていた残渣のメカニズムを検証するための実験において設定された各条件が示されている。
【００４２】
この図２において、検証実験（１）〜（３）に使用される試験片Ａは、ガラス基板上に、アルミニウム含有率が９８ｍｏｌパーセントのアルミニウム合金により、スパッタリング法によって厚さ６５０ｎｍの導電膜が形成され、さらに、この導電膜上に、レジスト材として粘度が１１ＣＰＳで分子量が約１２５００のノボラック樹脂を含む東京応化工業（株）製の製品名ＴＦＲ−Ｈがスピンコート法によってコーティングされることによって、レジスト膜が形成されており、それぞれ、露光マスクを介して露光が行われている。
【００４３】
検証実験（４）に使用される試験片Ｂは、アルミニウム製導電膜が形成されておらず、ガラス基板上に検証実験（１）〜（３）に使用される試験片Ａと同じ材料によって、レジスト膜が形成されている。
【００４４】
検証実験（１）〜（４）は、それぞれ試験片Ａ，Ｂを強アルカリ性現像液に浸すことによって、残渣が発生するか否かを確認することによって行われた。
【００４５】
すなわち、この検証実験（１）は、試験片Ａが濃度０．３ｗｔパーセントの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）に浸されることにより行われた。
【００４６】
検証実験（２）は、試験片Ａが濃度０．３ｗｔパーセントの水酸化カリウム（ＫＯＨ）に浸されることにより行われた。
【００４７】
検証実験（３）は、試験片Ａが濃度０．３ｗｔパーセントの水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ：Ｎ（ＣＨ3）4ＯＨ）に浸されることにより行われた。
【００４８】
検証実験（４）は、試験片Ｂが濃度０．３ｗｔパーセントの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）に浸されることにより行われた。
【００４９】
そして、各検証実験（１）〜（４）において、各試験片Ａ，Ｂが現像液に浸された後、純水によって１０秒間洗浄された。
【００５０】
この各検証実験の結果、図２に示されるように、検証実験（１）〜（３）については、何れも、試験片Ａの強アルカリ性現像液によってアルミニウム製導電膜が溶解した部分に黄色い残渣が目視によって確認されたが、検証実験（４）については、試験片Ｂに残渣は確認されなかった。
【００５１】
この各検証実験から、強アルカリ性現像液によって溶解された導電膜のアルミニウム成分が残渣の生成に影響を及ぼしていることが分かった。
【００５２】
次に、上記の検証実験（２）において、試験片Ａから析出された残渣に対して、ＦＴＩＲ法によって分析が行われ、カルボン酸アニオンと思われるピークが計測された。
【００５３】
この分析結果から、残渣は、アルミニウム・イオンとレジスト膜を形成するレジスト材に含まれる感光剤のインデンカルボン酸アニオンが反応して出来る塩の沈殿物であることが推測された。
【００５４】
図３は、現像液に添加されたキレート剤の効果についての検証実験の結果を示している。
【００５５】
この各検証実験（５）〜（１２）に使用された試験片Ｃは、ガラス基板上に、アルミニウム含有率が９８ｍｏｌパーセントのアルミニウム合金により、スパッタリング法によって厚さ６５０ｎｍの導電膜が形成され、さらに、この導電膜上に、レジスト材料として粘度が１１ＣＰＳで分子量が約１２５００のノボラック樹脂を含む東京応化工業（株）製の製品名ＴＦＲ−Ｈをスピンコート法（４００ｒｐｍ）によってコーティングすることによって、膜厚１．５μｍのレジスト膜が形成されていて、それぞれ露光マスクを介して露光が行われている。
【００５６】
検証実験（５）〜（１１）は、それぞれ、試験片Ｃが各種キレート剤を含む温度４５℃の強アルカリ性現像液に浸され、検証実験（１２）は、試験片Ｃがキレート剤を含まない温度４５℃の強アルカリ性現像液に浸されることによって行われた。
【００５７】
すなわち、検証実験（５）は、試験片Ｃが、キレート剤として濃度０．１ｗｔパーセントのエチレンジアミン４酢酸４ナトリウム（ＥＤＴＡ）を含む濃度０．３ｗｔパーセントの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）現像液に浸されることにより行われた。
【００５８】
検証実験（６）は、試験片Ｃが、濃度０．１４ｗｔパーセントのＥＤＴＡを含む濃度０．４１ｗｔパーセントのＮａＯＨ現像液に浸されることにより行われた。
【００５９】
検証実験（７）は、試験片Ｃが、濃度０．１７ｗｔパーセントのヒドロキシエチリデンジホスホン酸（ＨＥＤＰ）を含む濃度０．５ｗｔパーセントのＮａＯＨ現像液に浸されることにより行われた。
【００６０】
検証実験（８）は、試験片Ｃが、濃度０．１７ｗｔパーセントのクエン酸を含む濃度０．５ｗｔパーセントのＮａＯＨ現像液に浸されることにより行われた。
【００６１】
検証実験（９）は、試験片Ｃが、濃度０．１７ｗｔパーセントのリンゴ酸を含む濃度０．５１ｗｔパーセントのＮａＯＨ現像液に浸されることにより行われた。
【００６２】
検証実験（１０）は、試験片Ｃが、濃度０．０１ｗｔパーセントのグルコン酸ソーダを含む濃度０．３ｗｔパーセントのＮａＯＨ現像液に浸されることにより行われた。
【００６３】
検証実験（１１）は、試験片Ｃが、濃度０．１ｗｔパーセントのグルコン酸ソーダを含む濃度０．３ｗｔパーセントのＮａＯＨ現像液に浸されることにより行われた。
【００６４】
検証実験（１２）は、試験片Ｃが、キレート剤を含まない濃度０．３ｗｔパーセントのＮａＯＨ現像液に浸されることにより行われた。
【００６５】
そして、この各検証実験（５）〜（１２）において、強アルカリ性現像液に浸された後の試験片Ｃがそれぞれ純水によって１０秒間洗浄され、その後に、各試験片Ｃに対して、残渣が生成されているか否かの確認が行われた。
【００６６】
この各試験片Ｃに対する残渣の生成の有無の確認は、目視と波長４００〜４５０ｎｍの光の透過率の検出によって行われた。
【００６７】
すなわち、図３において、先ず目視によって残渣の生成が確認された試験片Ｃについては「有」と表示され、目視では残渣の生成が確認されなかったが、導電膜が溶解されて除去された部分におけるガラス基板の波長４００〜４５０ｎｍの光の透過率が８８パーセント未満である試験片Ｃについては「若干有」と表示され、目視によって確認されす波長４００〜４５０ｎｍの光の透過率も８８パーセント以上の試験片Ｃについては「無」と表示されている。
【００６８】
なお、このときの各試験片Ｃのガラス基板の透過率は、８８．７７パーセントであった。
【００６９】
上記検証実験の結果、残渣を残さなかった現像液に含まれていたキレート剤は、ＥＤＴＡとＨＥＤＰ，グルコン酸ソーダであり、その含有量はそれぞれ０．１ｗｔパーセント以上であることが分かった。
【００７０】
この図３には、さらに、各検証実験（５）〜（１２）において計測されたレジスト膜の現像および導電膜のエッチングの完了時間と、レジスト膜の未露光部分の溶解時間が記載され、さらに、各現像液ごとのレジスト膜の現像および導電膜のエッチングの完了時間とレジスト膜の未露光部分の溶解時間との比較によって、レジスト膜の未露光部分が溶解されるまでに、レジスト膜の現像および導電膜のエッチングの完了するか否かのコントラスト評価の結果が記載されている。
【００７１】
これは、現像液によってレジスト膜の未露光部分が溶解されてしまう前に導電膜のエッチングが完了しない場合には、レジスト膜が、その未露光部分の溶解によってレジスト・マスクとしての機能を果たすことが出来なくなり、これによって、残留させるべき導電膜のパターン形成部分が溶解されてしまう虞があるためである。
【００７２】
このコントラスト評価によって、キレート剤がＥＤＴＡである場合には、現像液によってレジスト膜の未露光部分が溶解されてしまう前に導電膜のエッチングが完了するが、キレート剤がグルコン酸ソーダである場合には、導電膜のエッチングが完了する前にレジスト膜の未露光部分が溶解されてしまう虞があることが分かる。
【００７３】
以上のことから、ＥＤＴＡが、残渣を発生させることがなく、さらに、レジスト膜の未露光部分が溶解されてしまう前に導電膜のエッチングが完了するため、アルカリ現像液に添加されるキレート剤として最適であることが分かった。
【００７４】
図４は、レジスト膜を形成する数種類のレジスト材について行われたコントラスト評価実験の結果を示したものである。
【００７５】
このコントラスト評価実験において使用された試験片Ｄ，Ｅ，Ｆは、何れも、ガラス基板上に厚さ６５０ｎｍの導電膜が、スパッタリング法によって、アルミニウム含有率９８ｍｏｌパーセントのアルミニウム合金により形成されている。
【００７６】
そして、試験片Ｄには、上記の導電膜上に、分子量６０００のノボラック樹脂を含有する東京応化工業（株）社製の製品名「ＴＦＲ６０００」がスピンコート法（４００ｒｐｍ）によってコーティングされることにより、厚さは１．５μｍのレジスト膜が形成されている。
【００７７】
試験片Ｅには、上記の導電膜上に、分子量１００００のノボラック樹脂を含有する東京応化工業（株）社製の製品名「ＴＦＲ１０７０Ｓ４」がスピンコート法（４００ｒｐｍ）によってコーティングされることにより、厚さは１．５μｍのレジスト膜が形成されている。
【００７８】
試験片Ｆには、上記の導電膜上に、分子量１５０００のノボラック樹脂を含有する東京応化工業（株）社製の製品名「ＯＦＰＲ８００」がスピンコート法（４００ｒｐｍ）によってコーティングされることにより、厚さは１．５μｍのレジスト膜が形成されている。
【００７９】
このコントラスト評価実験に使用された現像液は、キレート剤として濃度が１．０ｗｔパーセントのＥＤＴＡを含んだ濃度が０．８ｗｔパーセントの水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液である。
【００８０】
そして、このコントラスト評価実験は、この強アルカリ性現像液に各試験片Ｄ，Ｅ，Ｆを浸して、レジスト膜の現像および導電膜のエッチングの完了時間Ｔ１と、レジスト膜の未露光部分の溶解時間Ｔ２とを測定することにより行われた。
【００８１】
図４には、各試験片Ｄ，Ｅ，Ｆ毎に、レジスト膜の現像および導電膜のエッチングの完了時間Ｔ１に対するレジスト膜の未露光部分の溶解時間Ｔ２の比（コントラスト値）Ｔ２／Ｔ１が記載されていて、試験片Ｄのコントラスト評価値は１．３５であり、試験片Ｅのコントラスト評価値は２．１３であり、試験片Ｆのコントラスト値は７．６１になっている。
【００８２】
この図４において、レジスト膜を形成するレジスト材に含有されるノボラック樹脂の分子量の増加率に比べて、試験片Ｆのコントラスト値が飛躍的に大きくなっている。
【００８３】
現像液に添加されるキレート剤はアルカリビルダ（助剤）として作用するため、試験片ＤやＥのようにコントラスト値が２程度かそれ以下である場合は、レジスト膜や導電膜の形成条件のばらつきによって、レジスト膜の未露光部の溶解が進んで導電膜のパターン形成部分もエッチングされてしまう虞がある。
【００８４】
一方、試験片Ｆのようにコントラスト値が７以上である場合は、レジスト膜や導電膜の形成条件のばらつきを考慮した場合でも、導電膜のパターン部分がエッチングされる虞は無くなる。
【００８５】
従って、図４の結果から、キレート剤を含有するアルカリ現像液を用いてレジスト膜の現像と導電膜のエッチングを並行して行う場合には、レジスト膜を形成するレジスト材に含有されるノボラック樹脂の好適な分子量は、１５０００以上であることが分かった。
【００８６】
上記実施例における導電膜パターニング方法は、導電膜形成工程において、アルミニウムを含む導電材料によって基板上に導電膜が形成され、次のレジスト膜形成工程において、耐アルカリ性材料によってレジスト膜が導電膜上に積層して形成され、次の露光工程において、レジスト膜に対して露光マスクを介して露光が行われ、この露光工程の終了後、現像およびエッチング工程において、キレート剤が添加されたアルカリ性の現像液によって、レジスト膜の現像と導電膜のエッチングが並行して行われる実施形態の導電膜のパターニング方法を、その上位概念の導電膜のパターニング方法としている。
【００８７】
この上位概念の実施形態を構成する導電膜パターニング方法によれば、レジスト膜の現像を行うアルカリ性の現像液によってレジスト膜の現像と並行して導電膜のエッチングが行われることによって導電膜のパターニングの工程数が少なくなり、そして、このレジスト膜の現像と導電膜のエッチングを並行して行う際に、アルカリ性の現像液に添加されたキレート剤によって、エッチングによって溶解したアルミニウムのイオンが封じ込まれて水溶性を維持することにより、レジスト膜に含まれている感光剤やその変成物等とアルミニウム・イオンが凝集して塩等の残渣が生成されるのを防止することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】この発明の実施例における工程説明図であり、（ａ）は導電膜の形成工程，（ｂ）はレジスト膜の形成工程，（ｃ）は露光工程，（ｄ）は現像およびエッチング工程，（ｅ）は剥離工程をそれぞれ示している。
【図２】残渣メカニズム検証実験の結果を示す表図である。
【図３】コントラスト評価実験の結果を示す表図である。
【図４】キレート剤効果の検証実験の結果を示す表図である。
【符号の説明】
【００８９】
Ｐ …基板
Ｒ …レジスト膜
Ｌ …導電膜
Ｍ …露光マスク
【技術分野】
【０００１】
この発明は、導電膜のパターンニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、平面ディスプレイパネルの電極にはアルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金によって形成されるものがあり、例えば、反射型プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）においては、背面基板側に配置される電極をアルミニウムまたはアルミニウム合金によって形成することにより、蛍光体層からの発光を反射してパネル画面の高輝度化を図っているものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような電極等を形成する導電膜のパターニングは、一般にフォトリソ法と呼ばれるパターニング方法により、導電膜形成工程−レジスト膜形成工程−露光工程−レジスト膜の現像工程−導電膜のエッチング工程−レジスト膜の剥離工程を経ることによって行われる。
【０００４】
従来、このようなフォトリソ法によるアルミニウムまたはアルミニウム合金製導電膜のパターニング方法において、レジスト膜の現像液に強アルカリ性溶液である水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ：Ｎ（ＣＨ3）4ＯＨ）を用いて、レジスト膜の現像とアルミニウム製導電膜のエッチングを同時に行うことにより、工程数を減らすことが出来る方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
しかしながら、この従来の導電膜パターニング方法は、エッチングによってアルミニウム製導電膜が除去された部分の基板上に、エッチングによって溶解したアルミニウムと現像によって溶解されたレジストとが凝集して出来る残渣が発生してしまうという問題を有している。
【０００６】
この残渣は、レジストに含まれる感光剤のインデンカルボン酸アニオンとアルミニウム・イオンとが反応して出来る塩が沈殿したものと考えられる。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−２２７５６号公報
【特許文献２】特開平７−１３０７５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
この発明は、上記のような従来のアルミニウム製導電膜のパターニング方法における問題点を解決することをその技術的課題の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明（請求項１に記載の発明）による導電膜パターニング方法は、上記目的を達成するために、基板上にアルミニウムを含む導電材料によって導電膜を形成する導電膜形成工程と、この導電膜形成工程によって形成された導電膜上に耐アルカリ性材料によってレジスト膜を積層して形成するレジスト膜形成工程と、このレジスト膜形成工程によって形成されたレジスト膜に対して露光マスクを介して露光を行う露光工程と、この露光工程の終了後に、キレート剤が添加されたアルカリ性の現像液によって、レジスト膜の現像を行うとともに導電膜のエッチングを行う現像およびエッチング工程とを有していることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
この発明による導電膜パターニング方法は、導電膜形成工程において、アルミニウムを含む導電材料によって基板上に導電膜が形成され、次のレジスト膜形成工程において、耐アルカリ性材料によってレジスト膜が導電膜上に積層して形成され、次の露光工程において、レジスト膜に対して露光マスクを介して露光が行われ、この露光工程の終了後、現像およびエッチング工程において、キレート剤が添加されたアルカリ性の現像液によって、レジスト膜の現像と導電膜のエッチングが並行して行われる導電膜のパターニング方法を最良の実施形態としている。
【００１１】
この実施形態による導電膜パターニング方法によれば、レジスト膜の現像を行うアルカリ性の現像液によってレジスト膜の現像と並行して導電膜のエッチングが行われることによって導電膜のパターニングの工程数が少なくなり、そして、このレジスト膜の現像と導電膜のエッチングが並行して行われる際に、アルカリ性の現像液に添加されたキレート剤によって、エッチングによって溶解したアルミニウムのイオンが封じ込まれて水溶性を維持することにより、レジスト膜に含まれている感光剤やその変成物等とアルミニウム・イオンが凝集して塩等の残渣が生成されるのを防止することが出来る。
【００１２】
上記実施形態の導電膜パターニング方法において、導電膜が、アルミニウムの含有率が９０ｍｏｌパーセント以上のアルミニウム合金によって形成されるようにするのが好ましく、これによって、導電膜が、エッチング工程におけるアルカリ性の現像液に対する良好な溶解性を有することが出来るようになる。
【００１３】
さらに、上記実施形態の導電膜パターニング方法において、現像液に添加されるキレート剤がエチレンジアミン４酢酸４ナトリウムであることが好ましく、これによって、現像およびエッチング工程において残渣が発生するのをより有効に防止することが出来るとともに、導電膜のエッチング終了前にレジスト膜のパターン形成部分が溶解されてしまうのを防止することが出来るようになる。
【００１４】
さらに、上記実施形態の導電膜パターニング方法において、現像液に含まれるキレート剤の濃度を０．１ｗｔパーセント以上にするのが好ましく、これによって、残渣の発生と導電膜のエッチング終了前にレジスト膜のパターン形成部分が溶解されてしまうのをより防止することが出来るようになる。
【００１５】
さらに、上記実施形態の導電膜パターニング方法において、現像液がｐＨ１３〜１４のアルカリ溶液であることが好ましく、これによって、現像およびエッチング工程において、現像液によって導電膜のエッチング終了前にレジスト膜のパターン形成部分が溶解されてしまうのをより防止することが出来るようになる。
【００１６】
さらに、上記実施形態の導電膜パターニング方法において、レジスト膜を形成するレジスト材料にノボラック樹脂を含ませるようにするのが好ましく、これによって、導電膜のエッチングが完了するまでの間、レジスト膜のパターンを形成する未露光部分が溶解されずにマスク・パターンを保持することが出来るようになる。
【００１７】
さらに、上記実施形態の導電膜パターニング方法において、レジスト膜を形成するレジスト材料に含まれるノボラック樹脂の分子量が１５０００以上になるようにするのが好ましく、これによって、導電膜のエッチングが完了するまでの間、レジスト膜のパターンを形成する未露光部分が溶解されずにマスク・パターンをより完全に保持することが出来るようになる。
【００１８】
さらに、上記実施形態の導電膜パターニング方法において、導電膜のパターニングによって平面ディスプレイパネルの電極を形成するようにするのが好ましく、これによって、ＰＤＰやＬＣＤ等の平面ディスプレイの電極を良好な状態で形成することが出来るようになる。
【実施例】
【００１９】
以下、この発明による導電膜パターニング方法の実施形態における一実施例について、図面を参照しながら説明を行う。
【００２０】
図１は、この実施例における導電膜パターニング方法の各工程を順に示した工程説明図である。
【００２１】
この図１において、この実施例における導電膜パターニング方法は、先ず、導電膜形成工程（ａ）において、基板Ｐ上に、スパッタリング法や真空蒸着法等の薄膜形成技術により、アルミニウムまたはアルミニウム合金材料によって導電膜Ｌが形成される。
【００２２】
このとき、アルミニウム合金材料に含まれるアルミニウムの含有率は、後述する現像工程において使用されるアルカリ性現像液に対する溶解性を考慮して、９０ｍｏｌパーセント以上の値になるようにするのが好ましい。
【００２３】
このアルミニウム合金材料には、例えばＳｉ、Ｆｅ、Ｃｕ等の種々の添加金属を含有させることが出来る。
【００２４】
次に、レジスト膜形成工程（ｂ）において、耐アルカリ性を有しているが強アルカリ溶液によって現像が可能な液体レジストが、スピンコート法等によって導電膜Ｌ上にコーティングされることにより、ポジタイプのレジスト膜Ｒが導電膜Ｌ上に積層して形成される。
【００２５】
このレジスト膜Ｒを形成する液体レジストには、耐アルカリ性を有するために、分子量が１５０００以上のノボラック樹脂を含む高分子タイプの液体レジストを用いるのが好ましい。
【００２６】
なお、この実施例においては、ポジタイプの液体レジストが用いられている。
【００２７】
次に、露光工程（ｃ）において、導電膜Ｌ上に形成する所要のレジスト・パターンに対応した開口部Ｍａを有する露光マスクＭを介して、レジスト膜Ｒの露光が行われる。
【００２８】
この露光工程によって、露光マスクＭの開口部Ｍａに対向している部分のレジスト膜Ｒが軟化され、後述するように、レジスト膜Ｒの未露光部分によって、所要のレジスト・パターンが形成される。
【００２９】
次に、現像およびエッチング工程（ｄ）において、強アルカリ溶液からなる現像液によってレジスト膜Ｒの現像が行われ、さらに、この現像液によって、パターニングされてゆくレジスト膜Ｒを介して導電膜Ｌのエッチングが行われる。
【００３０】
すなわち、露光によってレジスト膜Ｒの軟化している部分が強アルカリ性の現像液によって除去されて、このレジスト膜Ｒのパターニングが行われ、同時に、現像によってレジスト膜Ｒの露光部分が除去されて開口された部分に対向する部分の導電膜Ｌに対して、現像液によりエッチングが行われる。
【００３１】
これによって、導電膜Ｌが、レジスト膜Ｒの現像と並行して、同じ現像液により、露光マスクＭの開口部Ｍａのパターンに対応してパターニングされる。
【００３２】
このように、レジスト膜Ｒの現像液によって導電膜Ｌのエッチングを同時に行うことが可能になったのは、導電膜Ｌに含有されるアルミニウムが、耐アルカリ性が低く強アルカリ溶液である現像液に溶解する性質を有していることによる。
【００３３】
この現像液は、キレート剤が、例えば０．１〜０．２ｗｔパーセントの濃度で含まれている。
【００３４】
このキレート剤によって、エッチングにより溶解したアルミニウムのイオンが封じ込まれて水溶性を維持することにより、レジスト膜Ｒに含まれている感光剤やその変成物等とアルミニウム・イオンとによる凝集体や塩等の残渣の生成が抑制される。
【００３５】
この現像液のペーハ（ｐＨ）は、１２≦ｐＨ≦１３に設定するのが好ましい。
すなわち、この現像液がｐＨ＜１２の場合には、導電膜Ｌのエッチング時間が長くなってリードタイムが長くなり、また、ｐＨ＞１３の場合には、レジスト膜Ｒの未露光部分まで溶解してレジスト膜Ｒに対して所要のパターニングを行うことが出来なくなるためである。
【００３６】
このように、現像液が１２≦ｐＨ≦１３に設定されることによって、レジスト膜Ｒの未露光部分の溶解が始まる前に導電膜Ｌのエッチング、すなわちパターニングを完了することが出来る。
【００３７】
導電膜Ｌのエッチングが完了した時点で、この現像およびエッチング工程は終了する。
【００３８】
この後、次の剥離工程（ｅ）において、有機溶剤からなる剥離液が、パターニング後のレジスト膜Ｒに浸漬されて、このレジスト膜Ｒが導電膜Ｌから剥離される。
【００３９】
以上のようにして、基板Ｐ上に、導電膜Ｌによって、露光マスクＭに設定された所要のパターンに対応するパターンの例えばアルミニウムまたはアルミニウム合金製電極が形成される。
【００４０】
次に、上記のパターニング方法によって形成される導電膜の検証実験の結果について、説明を行う。
【００４１】
図２には、従来のアルミニウム製導電膜のパターニング方法において生じていた残渣のメカニズムを検証するための実験において設定された各条件が示されている。
【００４２】
この図２において、検証実験（１）〜（３）に使用される試験片Ａは、ガラス基板上に、アルミニウム含有率が９８ｍｏｌパーセントのアルミニウム合金により、スパッタリング法によって厚さ６５０ｎｍの導電膜が形成され、さらに、この導電膜上に、レジスト材として粘度が１１ＣＰＳで分子量が約１２５００のノボラック樹脂を含む東京応化工業（株）製の製品名ＴＦＲ−Ｈがスピンコート法によってコーティングされることによって、レジスト膜が形成されており、それぞれ、露光マスクを介して露光が行われている。
【００４３】
検証実験（４）に使用される試験片Ｂは、アルミニウム製導電膜が形成されておらず、ガラス基板上に検証実験（１）〜（３）に使用される試験片Ａと同じ材料によって、レジスト膜が形成されている。
【００４４】
検証実験（１）〜（４）は、それぞれ試験片Ａ，Ｂを強アルカリ性現像液に浸すことによって、残渣が発生するか否かを確認することによって行われた。
【００４５】
すなわち、この検証実験（１）は、試験片Ａが濃度０．３ｗｔパーセントの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）に浸されることにより行われた。
【００４６】
検証実験（２）は、試験片Ａが濃度０．３ｗｔパーセントの水酸化カリウム（ＫＯＨ）に浸されることにより行われた。
【００４７】
検証実験（３）は、試験片Ａが濃度０．３ｗｔパーセントの水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ：Ｎ（ＣＨ3）4ＯＨ）に浸されることにより行われた。
【００４８】
検証実験（４）は、試験片Ｂが濃度０．３ｗｔパーセントの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）に浸されることにより行われた。
【００４９】
そして、各検証実験（１）〜（４）において、各試験片Ａ，Ｂが現像液に浸された後、純水によって１０秒間洗浄された。
【００５０】
この各検証実験の結果、図２に示されるように、検証実験（１）〜（３）については、何れも、試験片Ａの強アルカリ性現像液によってアルミニウム製導電膜が溶解した部分に黄色い残渣が目視によって確認されたが、検証実験（４）については、試験片Ｂに残渣は確認されなかった。
【００５１】
この各検証実験から、強アルカリ性現像液によって溶解された導電膜のアルミニウム成分が残渣の生成に影響を及ぼしていることが分かった。
【００５２】
次に、上記の検証実験（２）において、試験片Ａから析出された残渣に対して、ＦＴＩＲ法によって分析が行われ、カルボン酸アニオンと思われるピークが計測された。
【００５３】
この分析結果から、残渣は、アルミニウム・イオンとレジスト膜を形成するレジスト材に含まれる感光剤のインデンカルボン酸アニオンが反応して出来る塩の沈殿物であることが推測された。
【００５４】
図３は、現像液に添加されたキレート剤の効果についての検証実験の結果を示している。
【００５５】
この各検証実験（５）〜（１２）に使用された試験片Ｃは、ガラス基板上に、アルミニウム含有率が９８ｍｏｌパーセントのアルミニウム合金により、スパッタリング法によって厚さ６５０ｎｍの導電膜が形成され、さらに、この導電膜上に、レジスト材料として粘度が１１ＣＰＳで分子量が約１２５００のノボラック樹脂を含む東京応化工業（株）製の製品名ＴＦＲ−Ｈをスピンコート法（４００ｒｐｍ）によってコーティングすることによって、膜厚１．５μｍのレジスト膜が形成されていて、それぞれ露光マスクを介して露光が行われている。
【００５６】
検証実験（５）〜（１１）は、それぞれ、試験片Ｃが各種キレート剤を含む温度４５℃の強アルカリ性現像液に浸され、検証実験（１２）は、試験片Ｃがキレート剤を含まない温度４５℃の強アルカリ性現像液に浸されることによって行われた。
【００５７】
すなわち、検証実験（５）は、試験片Ｃが、キレート剤として濃度０．１ｗｔパーセントのエチレンジアミン４酢酸４ナトリウム（ＥＤＴＡ）を含む濃度０．３ｗｔパーセントの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）現像液に浸されることにより行われた。
【００５８】
検証実験（６）は、試験片Ｃが、濃度０．１４ｗｔパーセントのＥＤＴＡを含む濃度０．４１ｗｔパーセントのＮａＯＨ現像液に浸されることにより行われた。
【００５９】
検証実験（７）は、試験片Ｃが、濃度０．１７ｗｔパーセントのヒドロキシエチリデンジホスホン酸（ＨＥＤＰ）を含む濃度０．５ｗｔパーセントのＮａＯＨ現像液に浸されることにより行われた。
【００６０】
検証実験（８）は、試験片Ｃが、濃度０．１７ｗｔパーセントのクエン酸を含む濃度０．５ｗｔパーセントのＮａＯＨ現像液に浸されることにより行われた。
【００６１】
検証実験（９）は、試験片Ｃが、濃度０．１７ｗｔパーセントのリンゴ酸を含む濃度０．５１ｗｔパーセントのＮａＯＨ現像液に浸されることにより行われた。
【００６２】
検証実験（１０）は、試験片Ｃが、濃度０．０１ｗｔパーセントのグルコン酸ソーダを含む濃度０．３ｗｔパーセントのＮａＯＨ現像液に浸されることにより行われた。
【００６３】
検証実験（１１）は、試験片Ｃが、濃度０．１ｗｔパーセントのグルコン酸ソーダを含む濃度０．３ｗｔパーセントのＮａＯＨ現像液に浸されることにより行われた。
【００６４】
検証実験（１２）は、試験片Ｃが、キレート剤を含まない濃度０．３ｗｔパーセントのＮａＯＨ現像液に浸されることにより行われた。
【００６５】
そして、この各検証実験（５）〜（１２）において、強アルカリ性現像液に浸された後の試験片Ｃがそれぞれ純水によって１０秒間洗浄され、その後に、各試験片Ｃに対して、残渣が生成されているか否かの確認が行われた。
【００６６】
この各試験片Ｃに対する残渣の生成の有無の確認は、目視と波長４００〜４５０ｎｍの光の透過率の検出によって行われた。
【００６７】
すなわち、図３において、先ず目視によって残渣の生成が確認された試験片Ｃについては「有」と表示され、目視では残渣の生成が確認されなかったが、導電膜が溶解されて除去された部分におけるガラス基板の波長４００〜４５０ｎｍの光の透過率が８８パーセント未満である試験片Ｃについては「若干有」と表示され、目視によって確認されす波長４００〜４５０ｎｍの光の透過率も８８パーセント以上の試験片Ｃについては「無」と表示されている。
【００６８】
なお、このときの各試験片Ｃのガラス基板の透過率は、８８．７７パーセントであった。
【００６９】
上記検証実験の結果、残渣を残さなかった現像液に含まれていたキレート剤は、ＥＤＴＡとＨＥＤＰ，グルコン酸ソーダであり、その含有量はそれぞれ０．１ｗｔパーセント以上であることが分かった。
【００７０】
この図３には、さらに、各検証実験（５）〜（１２）において計測されたレジスト膜の現像および導電膜のエッチングの完了時間と、レジスト膜の未露光部分の溶解時間が記載され、さらに、各現像液ごとのレジスト膜の現像および導電膜のエッチングの完了時間とレジスト膜の未露光部分の溶解時間との比較によって、レジスト膜の未露光部分が溶解されるまでに、レジスト膜の現像および導電膜のエッチングの完了するか否かのコントラスト評価の結果が記載されている。
【００７１】
これは、現像液によってレジスト膜の未露光部分が溶解されてしまう前に導電膜のエッチングが完了しない場合には、レジスト膜が、その未露光部分の溶解によってレジスト・マスクとしての機能を果たすことが出来なくなり、これによって、残留させるべき導電膜のパターン形成部分が溶解されてしまう虞があるためである。
【００７２】
このコントラスト評価によって、キレート剤がＥＤＴＡである場合には、現像液によってレジスト膜の未露光部分が溶解されてしまう前に導電膜のエッチングが完了するが、キレート剤がグルコン酸ソーダである場合には、導電膜のエッチングが完了する前にレジスト膜の未露光部分が溶解されてしまう虞があることが分かる。
【００７３】
以上のことから、ＥＤＴＡが、残渣を発生させることがなく、さらに、レジスト膜の未露光部分が溶解されてしまう前に導電膜のエッチングが完了するため、アルカリ現像液に添加されるキレート剤として最適であることが分かった。
【００７４】
図４は、レジスト膜を形成する数種類のレジスト材について行われたコントラスト評価実験の結果を示したものである。
【００７５】
このコントラスト評価実験において使用された試験片Ｄ，Ｅ，Ｆは、何れも、ガラス基板上に厚さ６５０ｎｍの導電膜が、スパッタリング法によって、アルミニウム含有率９８ｍｏｌパーセントのアルミニウム合金により形成されている。
【００７６】
そして、試験片Ｄには、上記の導電膜上に、分子量６０００のノボラック樹脂を含有する東京応化工業（株）社製の製品名「ＴＦＲ６０００」がスピンコート法（４００ｒｐｍ）によってコーティングされることにより、厚さは１．５μｍのレジスト膜が形成されている。
【００７７】
試験片Ｅには、上記の導電膜上に、分子量１００００のノボラック樹脂を含有する東京応化工業（株）社製の製品名「ＴＦＲ１０７０Ｓ４」がスピンコート法（４００ｒｐｍ）によってコーティングされることにより、厚さは１．５μｍのレジスト膜が形成されている。
【００７８】
試験片Ｆには、上記の導電膜上に、分子量１５０００のノボラック樹脂を含有する東京応化工業（株）社製の製品名「ＯＦＰＲ８００」がスピンコート法（４００ｒｐｍ）によってコーティングされることにより、厚さは１．５μｍのレジスト膜が形成されている。
【００７９】
このコントラスト評価実験に使用された現像液は、キレート剤として濃度が１．０ｗｔパーセントのＥＤＴＡを含んだ濃度が０．８ｗｔパーセントの水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液である。
【００８０】
そして、このコントラスト評価実験は、この強アルカリ性現像液に各試験片Ｄ，Ｅ，Ｆを浸して、レジスト膜の現像および導電膜のエッチングの完了時間Ｔ１と、レジスト膜の未露光部分の溶解時間Ｔ２とを測定することにより行われた。
【００８１】
図４には、各試験片Ｄ，Ｅ，Ｆ毎に、レジスト膜の現像および導電膜のエッチングの完了時間Ｔ１に対するレジスト膜の未露光部分の溶解時間Ｔ２の比（コントラスト値）Ｔ２／Ｔ１が記載されていて、試験片Ｄのコントラスト評価値は１．３５であり、試験片Ｅのコントラスト評価値は２．１３であり、試験片Ｆのコントラスト値は７．６１になっている。
【００８２】
この図４において、レジスト膜を形成するレジスト材に含有されるノボラック樹脂の分子量の増加率に比べて、試験片Ｆのコントラスト値が飛躍的に大きくなっている。
【００８３】
現像液に添加されるキレート剤はアルカリビルダ（助剤）として作用するため、試験片ＤやＥのようにコントラスト値が２程度かそれ以下である場合は、レジスト膜や導電膜の形成条件のばらつきによって、レジスト膜の未露光部の溶解が進んで導電膜のパターン形成部分もエッチングされてしまう虞がある。
【００８４】
一方、試験片Ｆのようにコントラスト値が７以上である場合は、レジスト膜や導電膜の形成条件のばらつきを考慮した場合でも、導電膜のパターン部分がエッチングされる虞は無くなる。
【００８５】
従って、図４の結果から、キレート剤を含有するアルカリ現像液を用いてレジスト膜の現像と導電膜のエッチングを並行して行う場合には、レジスト膜を形成するレジスト材に含有されるノボラック樹脂の好適な分子量は、１５０００以上であることが分かった。
【００８６】
上記実施例における導電膜パターニング方法は、導電膜形成工程において、アルミニウムを含む導電材料によって基板上に導電膜が形成され、次のレジスト膜形成工程において、耐アルカリ性材料によってレジスト膜が導電膜上に積層して形成され、次の露光工程において、レジスト膜に対して露光マスクを介して露光が行われ、この露光工程の終了後、現像およびエッチング工程において、キレート剤が添加されたアルカリ性の現像液によって、レジスト膜の現像と導電膜のエッチングが並行して行われる実施形態の導電膜のパターニング方法を、その上位概念の導電膜のパターニング方法としている。
【００８７】
この上位概念の実施形態を構成する導電膜パターニング方法によれば、レジスト膜の現像を行うアルカリ性の現像液によってレジスト膜の現像と並行して導電膜のエッチングが行われることによって導電膜のパターニングの工程数が少なくなり、そして、このレジスト膜の現像と導電膜のエッチングを並行して行う際に、アルカリ性の現像液に添加されたキレート剤によって、エッチングによって溶解したアルミニウムのイオンが封じ込まれて水溶性を維持することにより、レジスト膜に含まれている感光剤やその変成物等とアルミニウム・イオンが凝集して塩等の残渣が生成されるのを防止することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】この発明の実施例における工程説明図であり、（ａ）は導電膜の形成工程，（ｂ）はレジスト膜の形成工程，（ｃ）は露光工程，（ｄ）は現像およびエッチング工程，（ｅ）は剥離工程をそれぞれ示している。
【図２】残渣メカニズム検証実験の結果を示す表図である。
【図３】コントラスト評価実験の結果を示す表図である。
【図４】キレート剤効果の検証実験の結果を示す表図である。
【符号の説明】
【００８９】
Ｐ …基板
Ｒ …レジスト膜
Ｌ …導電膜
Ｍ …露光マスク
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にアルミニウムを含む導電材料によって導電膜を形成する導電膜形成工程と、
この導電膜形成工程によって形成された導電膜上に耐アルカリ性材料によってレジスト膜を積層して形成するレジスト膜形成工程と、
このレジスト膜形成工程によって形成されたレジスト膜に対して露光マスクを介して露光を行う露光工程と、
この露光工程の終了後に、キレート剤が添加されたアルカリ性の現像液によって、レジスト膜の現像を行うとともに導電膜のエッチングを行う現像およびエッチング工程と、
を有していることを特徴とする導電膜パターニング方法。
【請求項２】
前記導電膜が、アルミニウムの含有率が９０ｍｏｌパーセント以上のアルミニウム合金によって形成されている請求項１に記載の導電膜パターニング方法。
【請求項３】
前記キレート剤が、エチレンジアミン４酢酸４ナトリウムである請求項１に記載の導電膜パターニング方法。
【請求項４】
前記現像液に含まれるキレート剤の濃度が、０．１ｗｔパーセント以上である請求項１に記載の導電膜パターニング方法。
【請求項５】
前記現像液が、ｐＨ１２〜１３のアルカリ溶液である請求項１に記載の導電膜パターニング方法。
【請求項６】
前記レジスト膜を形成するレジスト材料にノボラック樹脂が含まれている請求項１に記載の導電膜パターニング方法。
【請求項７】
前記ノボラック樹脂の分子量が１５０００以上である請求項１に記載の導電膜パターニング方法。
【請求項８】
前記導電膜のパターニングによって平面ディスプレイパネルの電極が形成される請求項１に記載の導電膜パターニング方法。
【請求項１】
基板上にアルミニウムを含む導電材料によって導電膜を形成する導電膜形成工程と、
この導電膜形成工程によって形成された導電膜上に耐アルカリ性材料によってレジスト膜を積層して形成するレジスト膜形成工程と、
このレジスト膜形成工程によって形成されたレジスト膜に対して露光マスクを介して露光を行う露光工程と、
この露光工程の終了後に、キレート剤が添加されたアルカリ性の現像液によって、レジスト膜の現像を行うとともに導電膜のエッチングを行う現像およびエッチング工程と、
を有していることを特徴とする導電膜パターニング方法。
【請求項２】
前記導電膜が、アルミニウムの含有率が９０ｍｏｌパーセント以上のアルミニウム合金によって形成されている請求項１に記載の導電膜パターニング方法。
【請求項３】
前記キレート剤が、エチレンジアミン４酢酸４ナトリウムである請求項１に記載の導電膜パターニング方法。
【請求項４】
前記現像液に含まれるキレート剤の濃度が、０．１ｗｔパーセント以上である請求項１に記載の導電膜パターニング方法。
【請求項５】
前記現像液が、ｐＨ１２〜１３のアルカリ溶液である請求項１に記載の導電膜パターニング方法。
【請求項６】
前記レジスト膜を形成するレジスト材料にノボラック樹脂が含まれている請求項１に記載の導電膜パターニング方法。
【請求項７】
前記ノボラック樹脂の分子量が１５０００以上である請求項１に記載の導電膜パターニング方法。
【請求項８】
前記導電膜のパターニングによって平面ディスプレイパネルの電極が形成される請求項１に記載の導電膜パターニング方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００７−２３３２３３（Ｐ２００７−２３３２３３Ａ）
【公開日】平成１９年９月１３日（２００７．９．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−５７５０３（Ｐ２００６−５７５０３）
【出願日】平成１８年３月３日（２００６．３．３）
【出願人】（０００００５０１６）パイオニア株式会社 (3,620)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年９月１３日（２００７．９．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年３月３日（２００６．３．３）
【出願人】（０００００５０１６）パイオニア株式会社 (3,620)
【Ｆターム（参考）】
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