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国際特許分類[G03F7/40]の内容

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【課題】微細なパターンを有し且つ優れた信頼性を有するソルダーレジストを表面に備えるプリント配線板を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】開口を有するソルダーレジストを表面に備えるプリント配線板の製造方法であって、ドライフィルムレジストして機能する第一の感光性樹脂組成物からなる第一の層を形成する工程、ソルダーレジストとして機能する第二の感光性樹脂組成物からなる第二の層を形成する工程とを備えるプリント配線板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、表示素子用硬化膜の一般的特性である放射線感度等を十分満足する表示素子用硬化膜を形成することができ、かつ表示素子用硬化膜形成の際の加熱工程において、人体に有害なベンゼン等のアウトガスの発生を低減することができるポジ型感放射線性組成物、このポジ型感放射線性組成物から形成された表示素子用硬化膜、この表示素子用硬化膜の形成方法及び表示素子を提供することを目的とする。
【解決手段】[A]シロキサンポリマー、及び[B]キノンジアジド化合物を含有するポジ型感放射線性組成物であって、[A]シロキサンポリマーが、下記式(1)で表される化合物及び下記式(2)で表される化合物を含む加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物であり、かつ[A]シロキサンポリマーにおける下記式(2)で表される化合物に由来する構造単位の含有率が、5モル%以上60モル%以下であることを特徴とするポジ型感放射線性組成物。

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【課題】印刷機上で現像が可能な印刷版の製造に適した重合性コーティング組成物の提供。
【解決手段】本発明のコーティング組成物は、(i)重合性化合物と、(ii)ポリエチレンオキシドセグメントを含むポリマーバインダーとを含み、このポリマーバインダーは、主鎖ポリマーおよびポリエチレンオキシド側鎖を含む少なくとも1つのグラフトコポリマーと、少なくとも1つのポリエチレンオキシドブロックおよび少なくとも1つの非ポリエチレンオキシドブロックを有するブロックコポリマーと、これらの組合せとからなる群から選択される。また本発明は、基体および重合性コーティング組成物を含む画像形成性要素も対象とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、アルカリ不溶性又は難溶性の高分子化合物及び熱架橋剤を含有する高感度、高解像度な厚膜用の化学増幅ポジ型レジスト材料に関する。
【解決手段】(A)ベース樹脂、(B)光酸発生剤、(C)熱架橋剤、(D)有機溶剤を含有し、(A)成分が100質量部、(B)成分が0.05〜20質量部、(C)成分が0.1〜50質量部、(D)成分が50〜5,000質量部からなり、(A)ベース樹脂が、重量平均分子量1,000〜500,000である高分子化合物を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。 (もっと読む)


【課題】微細なネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と光塩基発生剤成分とを含有するレジスト組成物を支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程(1)と、レジスト膜を露光する工程(2)と、工程(2)の後にベークを行い、露光部において露光により発生した塩基と予め供給された酸とを中和させ、未露光部において予め供給された酸の作用により基材成分の現像液に対する溶解性を増大させる工程(3)と、アルカリ現像しレジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程(4)と、レジストパターン上に被覆形成剤を塗布して被覆膜を形成する工程(5)と、熱処理を行い被覆膜を熱収縮させてパターン間の間隔を狭める工程(6)と、被覆膜を除去する工程(7)とを含む。 (もっと読む)


【課題】膜パターンの倒れを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、基板上に低ガラス転移温度材料膜と高ガラス転移温度材料膜との積層膜を形成する工程と、前記積層膜上に加熱下で上層膜を形成する工程と、前記上層膜をパターニングする工程と、前記上層膜をマスクとして前記積層膜をパターニングする工程と、前記上層膜をウェットエッチング処理により除去する工程と、を備えた。 (もっと読む)


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