【課題】微細なネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と光塩基発生剤成分とを含有するレジスト組成物を支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、レジスト膜を露光する工程（２）と、工程（２）の後にベークを行い、露光部において露光により発生した塩基と予め供給された酸とを中和させ、未露光部において予め供給された酸の作用により基材成分の現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、アルカリ現像しレジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）と、レジストパターン上に被覆形成剤を塗布して被覆膜を形成する工程（５）と、熱処理を行い被覆膜を熱収縮させてパターン間の間隔を狭める工程（６）と、被覆膜を除去する工程（７）とを含む。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、
前記レジスト膜を露光する工程（２）と、
前記工程（２）の後にベークを行い、前記レジスト膜の露光部において、前記露光により前記光塩基発生剤成分から発生した塩基と、前記レジスト膜に予め供給された酸とを中和させ、前記レジスト膜の未露光部において、前記レジスト膜に予め供給された酸の作用により、前記基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、
前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）と、
前記レジストパターン上に被覆形成剤を塗布して被覆膜を形成する工程（５）と、
熱処理を行い、被覆膜を熱収縮させて前記レジストパターン間の間隔を狭める工程（６）と、
前記被覆膜を除去する工程（７）と、を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項２】
前記被覆形成剤が水溶性ポリマーを含有する請求項１に記載のレジストパターン形成方法。
【請求項３】
前記水溶性ポリマーがアルキレングリコール系重合体、セルロース系誘導体、ビニル系重合体、アクリル系重合体、尿素系重合体、エポキシ系重合体、メラミン系重合体、及びナイロン系重合体からなる群から選択される少なくとも１種を含む請求項２に記載のレジストパターン形成方法。
【請求項４】
前記被覆形成剤がさらに水溶性アミンを含む請求項１〜３のいずれか一項に記載のレジストパターン形成方法。
【請求項５】
前記レジスト組成物が、酸性化合物成分又は酸発生剤成分を含有する請求項１〜４のいずれか一項に記載のレジストパターン形成方法。

【図１】

【図２】

【公開番号】特開２０１３−１０５１４７（Ｐ２０１３−１０５１４７Ａ）
【公開日】平成２５年５月３０日（２０１３．５．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２５０７２５（Ｐ２０１１−２５０７２５）
【出願日】平成２３年１１月１６日（２０１１．１１．１６）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】