【課題】ネガ現像において得られる親水性有機化合物で形成されるレジストパターンに適用出来るだけでなく従来のポジ現像で得られる疎水性化合物からなるレジストパターンにも適用出来るレジスト下層膜を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、下記一般式（１）で示される有機ホウ素化合物及びその縮合物からなる群から選ばれる化合物（Ａ）一種以上と、下記一般式（２）で示されるケイ素化合物（Ｂ）一種以上とを含む混合物の縮合物及び／又は加水分解縮合物を含有するものであることを特徴とするケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物。
Ｒ^１_ｍ０Ｂ（ＯＨ）_ｍ１（ＯＲ）_{（３−ｍ０−ｍ１）} （１）
Ｒ^１０_ｍ１０Ｒ^１１_ｍ１１Ｒ^１２_ｍ１２Ｓｉ（ＯＲ^１３）_{（４−ｍ１０−ｍ１１−ｍ１２）} （２） （もっと読む）

【課題】回折格子を高精度に作製し、単一モード発振を安定して得ることが可能な量子カスケードレーザの製造方法を提供する。
【解決手段】量子カスケードレーザの製造方法は、可撓性を有する樹脂フィルムにマザースタンパを押しつけて、第１の溝パターンの凹凸が反転した第２の溝パターンＰ２を有する樹脂スタンパ２０１を作製する工程と、活性層が半導体基板上に形成されたウエハを作製する工程と、ウエハのうち活性層側の表面にレジスト膜３０４を形成する工程と、樹脂スタンパをレジスト膜３０４に空気圧により押しつけて、第２の溝パターンＰ２の凹凸が反転した第３の溝パターンＰ３をレジスト膜３０４に形成する工程と、レジスト膜３０４をマスクとしてウエハのエッチングを行い、ウエハの表面に回折格子を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物を効果的に剥離除去することができ、金属に対する防食性に優れ、さらには長時間の継続使用も可能なフォトリソグラフィ用剥離液、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトリソグラフィ用剥離液は、（Ａ）フッ化水素酸、（Ｂ）一般式（ｂ−１）で表される塩基性化合物、及び（Ｃ）水を含有する。式中、Ｒ^１ｂからＲ^５ｂは、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基等を示し、Ｒ^１ｂからＲ^５ｂの少なくとも１つは水素原子である。Ｒ^１ｂからＲ^４ｂのうちいずれか１つとＲ^５ｂとが相互に結合して環構造を形成してもよい。Ｙ^１ｂ及びＹ^２ｂは炭素数１〜３のアルキレン基を示し、ｎは０〜５の整数を示す。ｎが２以上のとき、複数のＲ^５ｂ同士及び複数のＹ^１ｂ同士は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^５ｂ同士が相互に結合して環構造を形成してもよい。
（もっと読む）

【課題】多層レジストプロセスにおいて、シリコン含有膜のフッ素系ガスエッチングに対する加工性と、酸素系ガスエッチングに対する耐性とを共に高め、微細なパターンを形成できるパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、（１）ポリシロキサン組成物を用い、被加工基板の上面側にシリコン含有膜を形成する工程、（２）上記シリコン含有膜上にレジストパターンを形成する工程、（３）上記レジストパターンをマスクとし、上記シリコン含有膜をドライエッチングしてシリコン含有パターンを形成する工程、並びに（４）上記シリコン含有パターンをマスクとし、上記被加工基板をドライエッチングして被加工基板にパターンを形成する工程を有し、上記ポリシロキサン組成物が、［Ａ］フッ素原子を含むポリシロキサン、及び［Ｂ］架橋促進剤を含有するパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】金属含有膜を用いる多層レジストプロセスにおいて、金属含有膜からの金属溶出を抑制することができるパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、（１）被加工基板の上側に金属含有膜を形成する工程、（２）上記金属含有膜上に保護膜を形成する工程、（３）レジスト組成物を用い、上記保護膜上にレジスト膜を形成する工程、（４）フォトマスクを介した露光光の照射により、上記レジスト膜を露光する工程、（５）上記露光されたレジスト膜の現像により、レジストパターンを形成する工程、及び（６）上記レジストパターンをマスクとしたエッチングにより、被加工基板にパターンを形成する工程を有するパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】黒欠陥の発生を抑制できる転写用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜は、ドライエッチングが可能な材料からなり、前記薄膜上にレジスト膜が形成されたマスクブランクを準備する準備工程と、前記レジスト膜に転写パターンを露光処理する露光工程と、前記露光処理されたレジスト膜に対し、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂよりも高く、ｐＨが８以上である現像液を用いて現像処理を行う現像工程と、前記現像処理されたマスクブランクに対し、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂ以下であり、ｐＨが８以上である第１のリンス液を用いて処理を行う第１リンス工程と、前記第１リンス工程後、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂ以下であり、ｐＨが６より大きく８未満である第２のリンス液を用いて処理を行う第２リンス工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、形成されるレジストパターンの耐パターン倒れ性やドライエッチング時におけるレジストパターンに対する高いエッチング選択性を維持しつつ、高い屈折率及び吸光係数を有するレジスト下層膜を形成可能なレジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法並びに重合体を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］電子求引性基が結合する芳香族構造を有する構造単位（Ｉ）と、ラクトン構造を有する構造単位、環状カーボネート構造を有する構造単位及び環状イミド構造を有する構造単位からなる群より選択される少なくとも１種の構造単位（ＩＩ）とを含む重合体を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。 （もっと読む）

【課題】ブロックポリマーを所望の位置に所望の配向でミクロ相分離させるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１の表面エネルギーを有しシリコン化合物を含む層の上に、第１の表面エネルギーとは異なる第２の表面エネルギーを有するパターンを形成する工程と、層および第２の表面エネルギーを有するパターンの上に、ブロックポリマーを形成する工程と、ブロックポリマーをミクロ相分離させて、配列した複数のポリマーを含むラメラ構造またはシリンダー構造のいずれかのパターンを形成する工程と、を含む。層上で、ラメラ構造は、層の層面に対して垂直に配向し、シリンダー構造は、層の層面の垂線に平行な軸を有するように配向する。第２の表面エネルギーは、ブロックポリマーを構成する複数のポリマーのそれぞれの表面エネルギーのうちの最大値以上、または、最小値以下である。 （もっと読む）

【課題】平坦化処理における着色パターンの表面荒れを抑制することができるカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】第１の着色層を第１の着色組成物により形成する工程、第１の着色層に複数の第１の貫通孔が形成されるようにドライエッチングによりパターニングする工程、第１の着色層上に第２の着色組成物による第２の着色層を積層する工程、第１の貫通孔とは別の複数の第２の貫通孔をドライエッチングによりパターニングして、複数の第１の着色画素を形成する工程、第１着色層上に、第３の着色組成物による第３の着色層を含む１層以上の着色層を積層する工程、及び第１の着色層上に積層された１層以上の着色層を第１の着色層が少なくとも露出するまで平坦化処理する工程を有するカラーフィルタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】溝深さが深いパターンを形成するためのフロン系ガスのドライエッチングに対して高い耐性をもつ熱反応型レジスト材料、それを用いた熱リソグラフィ用積層体及びそれらを用いたモールドの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の熱反応型レジスト材料は、フロン系ガスを用いたドライエッチングに用いる熱反応型レジスト材料であって、主要フッ化物の沸点が２００℃以上である元素を少なくとも１種類含んでおり、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｒｈ、Ｈｆ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｐｂ、及びＢｉからなる群から選ばれた元素の不完全酸化物を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レジスト形状の制限が無く、またステップカバレッジの悪い成膜方法を用いなくても良いリフトオフ工程が行えるようにする。
【解決手段】レジスト２の上に被パターニング膜３を成膜したのち、イオン照射によって被パターニング膜３のコーナ部を選択的にエッチングすることでレジスト２を露出させるようする。そして、レジスト２を除去することで、レジスト２の上の被パターニング膜３をリフトオフさせ、被パターニング膜３をパターニングする。このようにしてリフトオフ工程を行えば、レジスト２の側面において被パターニング膜３が厚く形成されていたとしても、イオン照射によってレジスト２を露出させることができる。このため、レジスト２の側面での被パターニング膜３の厚みの制限を受けないため、あえてステップカバレッジの悪い成膜方法を用いなくても良くなり、ステップカバレッジの良い成膜方法を選択することもできる。 （もっと読む）

【課題】ハンプのない半導体装置の製造方法と半導体装置とを提供する。
【解決手段】被加工膜２の上に下層レジスト膜となる感光性のポジ型のレジスト材料が塗布される。下層レジスト材料膜に周辺露光処理と現像処理とを施すことにより、外周領域に位置する下層レジスト材料膜の部分が除去される。中間層レジスト膜となる感光性のポジ型のレジスト材料を塗布し、周辺露光処理と現像処理とを施すことにより、外周領域に位置する中間層レジスト材料膜の部分が除去される。 （もっと読む）

【課題】実施形態によれば、リソグラフィの解像限界以下の微細なラインパターンを本数の選択自由度を高めて形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、複数のラインパターン２３ａを形成する工程と、それぞれのラインパターン２３ａの側壁に側壁膜２６ａを形成し、複数のラインパターン２３ａおよび複数の側壁膜２６ａを含むパターン列５０を形成する工程と、隣り合う側壁膜２６ａ間およびパターン列５０の端の側壁膜２６ａの横の領域６０に、スペーサ膜２７ａ、２７ｂを形成する工程と、領域６０に形成されたスペーサ膜２７ｂをラインアンドスペースパターンに加工するとともに、側壁膜２６ａを除去し、ラインパターン２３ａおよびスペーサ膜２７ａ、２７ｂ１、２７ｂ２を残す工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ラインエッジラフネスに優れた微細なパターンを簡便かつ高い量産性で製造できる微細パターン形成用の樹脂組成物と微細パターン形成方法の提供。
【解決手段】ポリシラザンまたはポリシルセスキオキサンとからなる群から選択されるケイ素含有ポリマーと、ポリスチレンなどのケイ素非含有有機ポリマーと、それらを溶解し得る溶媒とを含んでなる樹脂組成物。また、本発明により微細パターンの形成方法は、被加工膜上に、第一の凸パターンを形成させ、その凸パターンの凸部側壁に前記樹脂組成物から形成されたスペーサーを形成させて、そのスペーサー、またはスペーサーの周りに配置された樹脂層をマスクとして微細パターンを形成させるものである。 （もっと読む）

【課題】凹版印刷用のシリンダの表面に微細パターンを適切に形成できるとともに、このシリンダを用いてプリンタブルエレクトロニクスやナノインプリントで必要とする微細パターンを転写することが可能で生産性高く凹版印刷できる凹版印刷用シリンダの製造方法及び凹版印刷用シリンダを提供する。
【解決手段】凹版印刷用シリンダ１は、円柱状のシリンダ本体２と、シリンダ本体２の表面に貼り付けられた、表面に微細パターン５が形成されたシリコンシート３とを備える。シリンコンコート３の作製は、シリコンコート３の基材としてシリコンウエハ４を準備する工程と、シリコンウエハ４の表面に、リソグラフィによるパターニングと異方性ドライエッチングとによって微細パターン５を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】所望の形状のレジストパターンを高精度に形成することができるレジストパターンの形成方法、立体構造の製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】レジストパターンの形成方法は、支持部１０上に、多層レジスト２０を形成する工程と、多層レジスト２０に第１の波長の第１の光による露光を施す工程と、多層レジスト２０に第１の波長と異なる第２の波長の第２の光による露光を施す工程と、露光が施された多層レジスト２０に現像処理を施すことによって、レジストパターンを形成する工程とを有し、複数のレジスト層は、第１の光による露光によって第１の現像可溶領域２３が形成される第１のレジスト層２１と、第２の光による露光によって第２の現像可溶領域２４が形成される第２のレジスト層２２とを含み、レジストパターンを形成する工程は、多層レジスト２０から第１及び第２の現像可溶領域２１，２２を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】微細かつ均一なパターンの形成に好適なパターン形成方法およびパターン形成体を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によれば、レジストパターンが形成される領域は、ハードマスク層に形成した段差の領域よりも大きくし、ハードマスクの上段部は基板表面を覆うようにハードマスク層を残存させることと、下段部は基板表面の一部が露出するようにハードマスク層へ異方性エッチングを行うことで、基板に均一なパターンを形成することが出来る。 （もっと読む）

【課題】最小線幅が１００ｎｍ以下のレイアウトを含むレジストパターンの形成において、描画装置の切り替え作業に起因する描画パターンの設計からのずれを防止することを可能とする。
【解決手段】最小線幅が１００ｎｍ以下のレイアウトを含むレジストパターンの形成方法において、基板３上にレジスト膜２を形成し、可変成形電子線ＥＢによりレジスト膜２に描画パターンを描画した後、レジスト膜２のレジスト非溶解部の膜減り率が２０％以下となるように、レジスト膜２にパドル現像を実施する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法において、被加工材にパターンを形成するためのマスクの選択比を向上させ、プロセスコストの低減、歩留りの向上を可能とする。
【解決手段】被加工材上に所定パターンの有機膜を形成し、所定パターンの有機膜中に金属元素を導入し、金属元素が導入された所定パターンの有機膜を用いて、被加工材をエッチング処理する。 （もっと読む）