ＭＥＭＳ装置（８００）は、基板（８０２）と、基板（８０２）上の作動電極（８０４）と、作動電極（８０４）上の反射層（８１０）と、作動電極（８０４）と反射層（８１０）との間の支持層（８０８）とを含む。反射層（８１０）は、その反射層（８１０）を貫通する少なくとも一つの開口（８１４）を含む。支持層（８０８）は、作動電極（８０４）と少なくとも一つの開口（８１４）との間に凹部（８１２）を含む。制御信号を装置（８００）に印加する際に、反射層（８１０）の少なくとも第一の部分（８１６）は凹部（８１２）内に移動するように構成されていて、反射層（８１０）の少なくとも第二の部分（８１８）は静止したままであるように構成されている。ＭＥＭＳ装置（８００）の反射性は、第一の部分（８１６）から反射される光と第二の部分（８１８）から反射される光との間の位相差を変更することによって、支配的に変調される。
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【課題】非接触マイクロミラーデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】マイクロミラーデバイスであって、該マイクロミラーデバイスは、基板によって支持されたヒンジと、該ヒンジに対して傾斜可能なミラープレートとを備え、該ヒンジは、１ミクロンより長い長さと、８００ナノメートル未満の厚さと、１０００ナノメートル未満の幅とを含み、該ミラープレートが、無傾斜位置から離れるように傾斜するときには、該ミラープレートに弾性復元力を生成するように該ヒンジが構成されている、マイクロミラーデバイス。 （もっと読む）

【課題】電磁気マイクロアクチュエータを提供する。
【解決手段】基板１１０の一面に回動自在に形成されたステージ１２０と、ステージ１２０の回転軸方向にステージ１２０の両側に連結された一対のトーションバネ１３２と、トーションバネ１３２を支持してステージ１２０を取り囲む固定フレーム１５０と、ステージ１２０の上面に所定深さで巻き回された駆動コイル１３０と、駆動コイル１３０形成部分から離隔した形成されたミラー部１４０と、駆動コイル１３０から離隔し、駆動コイル１３０を挟んで対向する位置に形成された一対の永久磁石１６０と、を備えることを特徴とする電磁気マイクロアクチュエータ。 （もっと読む）

【課題】非金属の変形自在の干渉型変調素子を製造する。
【解決手段】各変形自在素子は変形機構と光学的部分を有し、それぞれ制御された変形特性と制御された変調特性とを独立して素子に与える。変形自在の変調素子は非金属である。素子は、最終の共振器寸法と関係がある層厚を有している犠牲層と犠牲層をそれら間にてサンドウィッチする２つの層を形成し、化学薬品（例えば、水）を使い又はプラズマに基づいた処理を行い犠牲層を除去することによって形成される。各変調素子は引張応力下で保持される変形自在部分を有し、制御回路は変形された部分の変形を制御する。 （もっと読む）

光変調器装置は、第1の電気導管、第1の導管から電気的に絶縁された第2の電気導管、第1の表示素子、および第2の表示素子を備える。第1の表示素子は、第1の導管と第2の導管との間の電圧差の大きさが第1の動作電圧よりも大きいときには動作状態にあり、この電圧差の大きさが第1の解放電圧よりも小さいときには解放状態にある。第2の表示素子は、この電圧差の大きさが第2の動作電圧よりも大きいときには動作状態にあり、この電圧差の大きさが第2の解放電圧よりも小さいときには解放状態にある。各動作電圧が実質上等しく、各解放電圧が異なるか、または各動作電圧が異なり、各解放電圧が実質上等しいかのいずれかである。
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イメージセンサ及びイメージセンサを形成する方法。イメージセンサは基板表面にピクセルセル（１００）のアレイを含む。それぞれのピクセルセルは光変換デバイス（１２）を有する。光子結晶構造を含む、少なくとも一つのマイクロ電子機械的システム（ＭＥＭＳ）構成要素（３３０）が、少なくとも一つのピクセルセル上に提供される。ＭＥＭＳに基づいた光子結晶構成要素（３３０）は支持構造（７）によって支持され、電圧の印加時において、電磁気的な波長が光変換デバイスに到達するのを選択的に許容するよう、構成される。このように、本発明に係るＭＥＭＳに基づいた光子結晶構成要素は、例えば色フィルタアレイのような従来のフィルタを代替するか、或いはその補完となりうる。 （もっと読む）