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Fターム[2H147AB02]の内容

光集積回路 (45,729) | 光集積回路中の光学的機能 (4,741) | 光強度 (2,633) | 可変光減衰器、光変調器 (407)

Fターム[2H147AB02]に分類される特許

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P個の入力s(1≦s≦P、かつ、P≧1)とN個の出力k(1≦k≦N、かつ、N≧1)とを含む少なくとも1つの波長の光コードを生成して処理するのに適した光デバイスにおいて、時間間隔τを持つC個(C≧2)のチップから成るN個(N≧2)の位相および/または振幅の光コードを同時に生成して処理するのに適していることを特徴とし、入力sから出力kへの伝達関数Tsk(f)は、次式


を満足することを特徴とする。ただし、Fν(f)(ν=0,1,...,V−1)は、光フィルタの伝達関数、aν(ν=0,1,...,V−1)は、一定値、Ssk(Ssk∈Z)は、整数、N(k=1,2,...,N)は、一定値、V(1≦V≦logN)は、正の整数である。更に、特に光デバイスにより生成されるのに適し、光デバイスを含むネットワークおよび装置に適した一組の光コードが提供される。
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【課題】
【解決手段】 本発明はデバイス及びそれを作成する方法に関するものである。前記デバイスは光信号用の経路を支持するのに適した基板を含み、光信号を伝搬するのに適する前記基板上に分離経路が配置され、前記経路は入力及び出力光経路を含み、さらに前記入力及び出力経路に作動的に接触する反射面を含む。前記デバイスを作成する方法は、単一基板に2つの分離光経路(1つは入力経路であり、別のものは出力経路)を提供する工程と、前記経路に動作的に接触する反射面を提供する工程であって、入力光信号が前記光経路を通過し、前記反射面によって前記出力経路へ反射され、前記出力経路を通り抜け、それにより前記デバイスが同一若しくは同様の従来技術デバイスによって要求されるスペースの少なくとも1/5であるスペースで、約1.0dB若しくはそれ以下の損失のチタン拡散経路を持つニオブ酸リチウム基板上に作成することができる。 (もっと読む)


本発明は第1の基板の表面と第2の基板の表面とを近接または部分的に接触させる工程と、前記第1の基板の表面と前記第2の基板の表面との間に揮発性の液体を供する工程と、前記揮発性の液体を気化させ基板を貼り合わせる工程とからなることを特徴とする基板貼り合わせ方法に係るものである。 (もっと読む)


フォトニック相互接続システム(300)は、光信号を用いてデバイス間でデータを通信することにより、高いキャパシタンスの電気相互接続を避ける。そのシステムは、論理アドレスを周波数帯域にマッピングすることにより、超並列情報出力を与えることができ、結果として、選択された周波数帯域の変調により、論理アドレスに対応する特定の場所のための情報を符号化することができる。フォトニック相互接続システムのための波長特有の方向性結合器(600)、変調器(660)及び検出器(650)は、フォトニックバンドギャップ結晶内の欠陥において効率的に製作され得る。 (もっと読む)


第1の光導波路(24;52;80;94;120;140)と、第2の光導波路(26;42;54;82;96;122;142)とを含む可変光減衰器(VOA)デバイス(20;40;50;90)が述べられる。前述の第1及び第2の光導波路の少なくとも一方に対して制御可能な配向を有するマイクロ電気機械式システム(MEMS)ベースの部品のような可動反射素子(28;84;106;124;144)が与えられる。第1及び第2の導波路は、中空コア光導波路として形成される。
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本発明は、デバイス層の少なくとも一部に形成された第一光伝送媒体、デバイス層の少なくとも一部に形成された第二光伝送媒体、およびデバイス層の少なくとも一部に形成されたスロットを包含し、該スロットが少なくとも一つの湾曲した縁部を有し、該スロットが該第一および第二伝送媒体に隣接して配置される、導波管配置用の電気−光ギャップ−セルを提供する。
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SOI構造のサブミクロン表面層に生成することができ、あるいはSOI表面層とその上を覆っている多結晶シリコン層のサブミクロンの厚さの組合せの中に生成することができる一組のプレーナ型二次元光デバイスである。従来のマスキング/エッチング技法を使用して様々な受動デバイスおよび光デバイスをこのSOIプラットフォームの中に形成することができる。デバイスの様々な領域をドーピングして能動デバイス構造を形成することができる。また、多結晶シリコン層を個別にパターン化して、伝搬する光信号に実効モード・インデックス変化領域を提供することも可能である。

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