【課題】デバイスの製造時における光導波路の放電破壊を回避すること。
【解決手段】パターン形成工程によって、折り返し部１２３ａを有する導波路パターン１２０ａと、折り返し部１２３ａの外周側に位置する導体パターン３１２と、折り返し部１２３ａと導体パターン３１２を接続するダミーパターン１３０ａと、を誘電体基板１１０上に形成する。つぎに、パターン形成工程によってパターン形成された誘電体基板１１０を熱拡散処理して導波路パターン１２０ａを光導波路にする。 （もっと読む）

【課題】機械的強度を落とさずにディップを抑制可能な構造をもった光変調素子を提案する。
【解決手段】本提案に係る光変調素子は、電気光学効果をもつ結晶基板１０と、結晶基板内に形成された光導波路２０と、結晶基板上に形成され、光導波路２０に対して電界を印加する電極３０と、電極３０が形成された結晶基板の表面１１及びこれに対向する裏面１２の両方から離隔した結晶基板内部における電極下領域に、光導波路２０を避けて埋設された低誘電率の埋設層５０と、を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】動作点（バイアス点）を所望の位置にすることができる光変調器を提供する。
【解決手段】光変調器１０Ａは、基板１１と、基板１１に形成された光導波路１２と、基板１１上に設置された変調電極１４とを有する。光変調器１０Ａでは、幅寸法Ｗが位相シフト光導波路１２ｂの残余の箇所のそれよりも大きい位相調節部１５が位相シフト光導波路１２ｂの一部に形成され、変調電極の印加電圧と光導波路を伝搬して出力光導波路から出射する出力光との関係を表す特性曲線上の動作点（バイアス点）が所望の位置になるように、位相調節部１５の延伸方向の長さ寸法Ｌが調節されている。 （もっと読む）

本発明の実施形態は光学的同報通信システム(100,140,160,180)を対象とする。システムのノードは、コア、キャッシュ、入力／出力装置、及びメモリの任意の組合せ、或いは任意の他の情報処理、送信または格納装置とすることができる。光学的同報通信システムは、光同報通信バス(142,162,182)を含む。同報通信バスと光学的に連絡するシステムの任意のノードは、同報通信バスと光学的に連絡する全ての他のノードに光信号で情報を同報通信することができる。 （もっと読む）

光信号２３５を経路指定するシステム１００は、導波路アレイ１０２、２０２及び導波路アレイ１０２、２０２を横切って置かれている円筒共振器１１５を備え、円筒共振器１１５は導波路アレイ１０２、２０２内の導波路のそれぞれとの独立に制御可能な接線インタフェースを有する。光信号４３０を導波路４１５、４２５間で選択的に経路指定する方法は、経路指定すべき光信号４３０を選ぶことと、光学信号４３０の所望の経路を決定することと、転送元導波路４１５から光信号４３０を引き出すように、円筒共振器３０１と転送元導波路４１５の間の第１の制御可能なインタフェースを同調させることと、転送先導波路４２５へ光信号を渡すように円筒共振器３０１と転送先導波路４２５の間の第２の独立に制御可能なインタフェースを同調させることとを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、各波長の光信号を合波するために、アレイ導波路回折格子型光合波回路を利用して短い調整時間で接続できる平面光波回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る平面光波回路は、導波路基板上に、少なくとも１本以上の入力用チャネル導波路、入力側スラブ導波路、所定の導波路長差を有する複数本のチャネル導波路からなるアレイ導波路、出力側スラブ導波路、及び少なくとも１本以上の出力用チャネル導波路が順次縦続接続されたアレイ導波路回折格子型光合波回路と、前記導波路基板の端面に少なくとも１以上の入出力端を有する接続用導波路と、出力端が前記接続用導波路の入出力端と前記導波路基板の同一端面に形成されている調芯用導波路と、を備え、前記調芯用導波路が前記入力側スラブ導波路の前記入力用チャネル導波路側又は前記出力側スラブ導波路の前記アレイ導波路側に光学的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導波路型デバイスにおいて余剰光パワーを適切に終端する方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施例によれば、導波路型デバイスは、導波路端部からの光を終端するために遮光材が充填された終端構造を備える。この終端構造は、クラッドおよびコアを除去することによって光導波路上に溝を形成し、その溝内を光の強度を減衰させる材料（遮光材）で満たすことで形成することができる。これにより、終端構造に入射する光が遮光材によって減衰され、クロストーク成分となって他の光デバイスに与える影響を抑制することができる。このような終端構造により、同一基板内に集積される光デバイス同士での影響だけではなく、その基板に直接接続される他の光デバイスなどに対する影響も抑制することができる。 （もっと読む）

２つの対向した側部を有するシリコンウェーハを、光導波路が含む。該シリコンウェーハが、ヘッド部分と第１の柄部分とを含むこととなるように、第１のノッチが、前記２つの対向した側部の各々の中に画定される。
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【課題】光導波路デバイスにおいて、複雑で精密な製造工程なしに信号光Poutと同相でモニタリングを行う構成を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の面内に形成された、入力用光導波路と出力用導波路を有する光導波路と、前記基板上に、前記光導波路に対応して形成されている電極と、前記出力用導波路上に該出力用導波路の光軸に対して法線が所定角度を持って形成された反射溝と、前記反射溝により反射される出力光をモニタするモニタ素子を有する。 （もっと読む）

【課題】温度変化にさらされた時に改善される性能を伴う集積光素子が開示される。
【解決手段】光素子または集積光素子またはＭＩＯＣは、上面、＋Ｚ面および−Ｚ面を有する。素子は、リチウム ニオブ酸縁等の高い電子−光係数を有する結晶から形成される。開示される光素子の部品を方向付ける目的で、＋Ｚ結晶軸が＋Ｚ面から外側に伸び、このＺ軸は、それを横断して熱電気効果が示される軸となる。上面はＺ軸と直交している。上面上の入力導波路は、入力ポートから光信号を受信し、この信号を導波路ネットワークを介して、導波路ネットワークを出力ポートに接続する出力導波路に通す。＋Ｚおよび−Ｚ面の一部は、伝導性被覆物で少なくとも部分的に被覆される。伝導パスが＋Ｚおよび−Ｚ面を結合して、光素子の温度変化と熱電気効果に起因して電荷差が＋Ｚおよび−Ｚ面間に展開するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】光変調素子において、光ファイバー伝搬光と光導波路の伝搬光との間のモードフィールドの不整合による光挿入損失を低減すると共に、素子に対して温度サイクルが加わった場合にも挿入損失の増大と消光比の悪化を防止することである。
【解決手段】光変調器２４は、支持基板５、電気光学材料からなる変調用基板１１、変調用基板の一方の主面３０側に設けられている光導波路１２、および基板１１の他方の主面３１を支持基板５に接着する接着層６を備えている。基板１１が、光導波路１２に対して電圧を印加し、伝搬光を変調する高周波相互作用部１１ｃ、光導波路に対して光を入射する入射部１１ａおよび光導波路からの光を出射する出射部１１ｂを備えている。変調用基板１１の主面３０側において相互作用部１１ｃが入射部１１ａおよび出射部１１ｂから凹んでおり、相互作用部１１ｃの厚さが入射部１１ａの厚さおよび出射部１１ｂの厚さよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】入力電気信号の位相調整回路等を省いた簡易な駆動系でプッシュプル動作を可能とする光変調装置及び光変調装置の制御方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１上に、入力光を分波した一方の光線を導波する第１の導波路１２２ａと、入力光を分波した他方の光線を導波する第１の導波路１２２ａと光路長が同一な第２の導波路１２２ｂと、第１の導波路１２２ａに少なくとも１つの第１の光位相変調器１２０ａと、第２の導波路１２２ｂに第１の導波路の第１の光位相変調器１２０ａと直交する結晶方位とした少なくとも１つの第２の光位相変調器１２０ｂとを備えた。 （もっと読む）

【課題】半絶縁性クラッド層を有する光変調器において、作製工程数を増やさない。
【解決手段】本発明の光変調器は、光を入射する入射端面５１１と、入射された光を伝搬するｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３と、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３に電界を印加する一対の電極と、印加された電界によって変調された光を出射する出射端面５１２と、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３の下面を覆うｎ−ＩｎＰバッファー層５０２と、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３上に設けられるｎ−ＩｎＰ層５０７と、を備える。ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３の上面とｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層５０３の側面とを覆うＳＩ−ＩｎＰ層５０６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】
３０μｍ以下の厚みを有する基板を用いた場合でも、光損失の増加や消光比の劣化を改善することが可能な光導波路素子を提供すること。さらには、光導波路素子全体をより小型化することが可能な光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で形成され、厚さが３０μｍ以下の基板１と、前記基板に形成された光導波路２１〜２８と、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極（信号電極３）とを有する光導波路素子において、該基板１は、対向する２つの端面（１０，１１）と２つの側面（１２，１３）を有し、該光導波路に該変調電極の電界が主として作用する光導波路の作用領域は、該側面（１２，１３）と略平行に配置され、該光導波路の入射側端部２１は、該側面１３に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの向上を図ることができる光集積回路モジュール、このモジュールに用いる光学ベンチ、及び光集積回路モジュールの作製方法を提供する。
【解決手段】光集積回路モジュール１は、ＬＤアレイ２が実装された光学ベンチとしてのＳＯＢ（シリコンオプチカルベンチ）３の端面４と、平面光波回路５が形成された光導波路素子としてのＰＬＣ６の端面７とを突き合わせて、ＬＤアレイ２の複数の半導体導波路８と平面光波回路５の複数の光導波路９を光学的に接続した光モジュールである。この光集積回路モジュール１では、ＳＯＢ３の端面４は、ダイサーで切削された表面粗さよりも小さい表面粗さに研磨された面になっている。つまり、ＳＯＢ３の端面４を研磨で仕上げることによって、端面４の位置精度を上げ、端面距離Ｚの誤差ΔＺを小さくしている。 （もっと読む）

【課題】偏波多重通信に適用可能な小型で高性能の光デバイスを提供する。
【解決手段】２つの変調器２０，３０及びＰＢＣ３を同一基板２に形成し、基板２の一端面２ａにλ／４板６及びミラー７を設ける。変調器２０で変調されて出力されたＴＭモード光は、ＰＢＣ３のポートＡ１に入力され、対角位置のポートＢ２に出力される。変調器３０で変調されて出力されたＴＭモード光は、ポートＡ１に対向するポートＢ１に入力され、対角位置のポートＡ２に出力された後、λ／４板６及びミラー７でＴＥモードに変換され、ポートＡ２に戻される。そのＴＥモード光は、対向位置のポートＢ２に出力される。これにより、ポートＢ２を経て端面２ｂ側からＴＭ・ＴＥモード光が出力される。 （もっと読む）

【課題】
電気光学効果を有する基板を薄板化した場合でも、光挿入損失を改善し、基板内の迷光増加を抑制可能な光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で構成され、厚さｔが１２μｍ以下の基板１と、該基板の表面から高屈折率材料を基板内にドープして形成される光導波路２とを有する光導波路素子において、該光導波路の入力側端部又は出力側端部のいずれかには、該光導波路の高さＨが基板面から１３００Å以上となる光閉じ込め制御部が形成されることを特徴とする。
好ましくは、該光閉じ込め制御部の長さは、該光導波路の端部から０．８ｍｍ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光導波路素子において、コンパクトな素子サイズで多チャンネル化を可能とし、低波長依存性や低偏光依存性を実現しながら、チャネル間アンバランスを抑制し、作製トレランスを大きくする。
【解決手段】光導波路素子であって、単一モードの一の第１導波路１と、複数の第２導波路２と、一端が第１導波路１に接続され、他端が第２導波路２に接続され、一端から他端へ向けて幅が広くなるテーパ状導波路３とを備え、テーパ状導波路３の一端の幅は、単一モード条件を満たすように設定されている。 （もっと読む）

【課題】他の光機能回路との集積が容易に可能で、損失の少ない光リミッタ回路及び光受信回路を提供すること。
【解決手段】導波路基板１０１上に下部クラッド層１０２、コア層１０３、上部クラッド層１０４を順に積層し、上部クラッド層１０４内に光非線形層１０５が埋設されている。尚、コア層１０３と光非線形層１０５は、コア層１０３から漏れた光がクラッド層の一部を透過して光非線形層１０５に結合可能な位置関係で配置されている。光非線形層１０５が上部クラッド層１０４に埋設されているが、光非線形層１０５は下部クラッド層１０３に埋設されていてもよい。下面と上面とを下部及び上部クラッド層１０２、１０４で挟まれているのみで、側面にはクラッド層がないが、コアの入出力面以外の側面全てがクラッドに覆われているような導波路でもよい。 （もっと読む）

【課題】光ファイバー伝搬光と光導波路の伝搬光との間のモードフィールドの不整合による光挿入損失を低減する。
【解決手段】光変調器４１は、光変調用部品４２および光ファイバー伝搬光の接続用部品４３Ａ、４３Ｂを備える。光変調用部品４２が、電気光学材料からなる変調用基板４４、変調用基板に設けられている変調用光導波路、変調用光導波路に対して電圧を印加し、伝搬光を変調する高周波相互作用部、第一の支持基板４、および変調用基板を第一の支持基板４に接着する第一の接着層３を備える。接続用部品４３Ａ、４３Ｂが、電気光学材料からなる基板４８、基板４８に形成されている接続用光導波路、第二の支持基板２、および基板４８を支持基板２に接着する第二の接着層１を備える。基板４４が基板４８に対して接着されている。支持基板４が支持基板２に対して接着されている。変調用光導波路が接続用光導波路と連続する。基板４４の厚さＰ１が基板４８の厚さＰ２よりも小さい。 （もっと読む）