【課題】複数のマッハツェンダ変調器を備える光デバイスのサイズを小さくする。
【解決手段】基板１の表面領域に、複数のマッハツェンダ変調器Ａ、Ｂ、および入力分岐導波路２が形成されている。入力分岐導波路２は、入力光を分岐して複数のマッハツェンダ変調器Ａ、Ｂに導く。各マッハツェンダ変調器は、それぞれ、入力分岐導波路２に結合する分岐部１１、２１、分岐部１１、２１に結合する平行導波路１２（１２ａ、１２ｂ）、２２（２２ａ、２２ｂ）、平行導波路１２、２２に結合する合波部１３、平行導波路１２ａ、２２ｂに信号を与える信号電極１４、２４を備える。各マッハツェンダ変調器の分岐部１１、２１の向きが互いに異なっている。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な光変調器を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるマッハツェンダ型の光変調器は、アーム導波路が形成された電気光学材料の第１の基板と、アーム導波路に結合したＹ分岐部およびＹ合波部の少なくとも一方が形成された第２の基板とを備える。第１の基板は、アーム導波路上に形成された変調用の第１の電極を備え、第２の基板は、第１の電極に結合する第２の電極を備える。第１および第２の電極は、誘電体の接着剤で接合される。このように、電極間を誘電体の接着剤で接合することにより、ＤＣブロック用のキャパシタンスを形成することができる。また、この接着剤は、電極間の接合のみならず、基板間の接合にも使用することができる。 （もっと読む）

【課題】
透過率を高速に変更可能な光フィルタを実現する。
【解決手段】
光導波路（１８）は、サブバンド間遷移によりＴＭ波を吸収しＴＥ波に相互位相変調を起こす量子井戸サブバンド間遷移光導波路構造からなる。光導波路（１８）の入射側と出射側に反射膜（２０，２２）を設け、ファブリペロー共振器を構成する。偏光合波器（２４）は、ＴＥ波の信号光（２８）とＴＭ波の制御光（３０）を合波し、合波光を反射手段（２０）を介して光導波路（１８）に入射する。出射側の偏光ビームスプリッタ（２６）は、光導波路（１８）の出射光から、信号光（３２）と制御光（３４）を分離する。 （もっと読む）

【課題】パッシブコア層をエッチングすることなく光回路を形成できる導波路素子の製造方法の提供。
【解決手段】下部クラッド層を形成する工程と、前記下部クラッド層の表面に電気光学的効果を示すアクティブコア層を形成する工程と、前記アクティブコア層の表面にアクティブコア層の屈折率よりも小さく、下部クラッド層の屈折率よりも大きな屈折率を有する保護層を形成する工程と、前記保護層の表面に、パッシブコア層を形成する工程と、パッシブコア層を所定のパターンで露光して光回路を形成する工程と、前記光回路が形成されたパッシブコア層の表面に上部クラッド層を形成する工程と、上部クラッド層の表面に上部電極を形成する工程と、上部電極形成後に分極配向処理を行う工程と、を有する導波路素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高精度の微細加工をしなくても容易に作製することが可能な半導体光集積素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体光集積素子は、半導体基板上に下部クラッド層３、下部コア層４、中間クラッド層５、上部コア層６、及び上部クラッド層７がこの順に積層されており、第一領域、第二領域、及び第三領域に亘って、下部クラッド層３、下部コア層４、中間クラッド層５、上部コア層６、及び上部クラッド層７がそれぞれ形成されており、第一領域及び第三領域における中間クラッド層５の厚みＤ１が、第二領域における中間クラッド層５の厚みＤ２と異なることを特徴とする。 （もっと読む）

マッハツェンダー干渉計（ＭＺＩ）５００は、調整可能ＭＭＩカプラ５０４を備える調整可能マルチモード干渉（ＭＭＩ）カプラを組み込んでいる。調整可能ＭＭＩカプラ５０４は、調整可能ＭＭＩ領域５１６の面上の調整電極５２４、調整可能ＭＭＩ領域内に配置された電気的絶縁領域を有する。ＭＭＩ領域５１６は、光検出器部による光電流の検出に応じて調整することができる。このような調整課のＭＺＩは、光スプリッタの分割比を可能にする点で、特に有用である。分割比とスプリッタは、特定の効率的な態様で制御される。 （もっと読む）

【課題】導波路型光干渉回路において、複数のアーム導波路の一部の導波路の温度を変化させた時に、他のアーム導波路の温度変化を抑制して、所望の干渉特性を得るための温度制御を容易にする。
【解決手段】入力光を分岐する光スプリッタ３と、光スプリッタ３に接続され、第１の分岐出力光が伝播する第１のアーム導波路５と、光スプリッタ３に接続され、第２の分岐出力光が伝播する第２のアーム導波路４と、第１のアーム導波路５を伝播する第１の分岐出力光と、第２のアーム導波路４を伝播する第２の分岐出力光とを合成し干渉させる光結合手段１０と、光結合手段１０に接続され、干渉出力光が伝播する出力導波路６、７と、第１のアーム５導波路の上に装荷されたヒータと、ヒータの位置を中心として、第２のアーム導波路４の位置に対して熱的に対称な位置に配置された温度計９と、温度計９の温度を一定に保つための温度制御機構と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高い耐熱性、実用レベルの低伝送損失（＠８５０ｎｍ）を有し、さらに光導波路形成性に優れたドライフィルムおよびこれを用いた光導波路を提供すること。
【解決手段】
（Ａ）分子中に３個以上のシアネート基を有するシアネートエステル樹脂、（Ｂ）分子中に２個のシアネート基を有するシアネートエステル化合物、（Ｃ）金属アレーン錯体からなるカチオン系光重合開始剤を含有する組成物からなることを特徴とする光導波路形成用ドライフィルム、およびそれを用いてなる光導波路である。 （もっと読む）

【課題】小型で、かつ高位相で高速な変調度を持つ光変調器に接続される接続路と、そのような光変調器および接続路で構成された光通信システムと、それらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の接続路３０は、光変調器の外部に設けられた光導波路と光変調器を接続し、接続路３０の内部には、第１導電型を呈するようにドープ処理された半導体層８の少なくとも一部と、第２導電型を呈するようにドープ処理された半導体層９の少なくとも一部とが誘電体層１１を挟んで重なり合って設けられている。また、第１導電型の半導体層８と、第２導電型の半導体層９と、誘電体層１１とが、光変調器から光導波路に向かってテーパー形状または逆テーパー形状を有するように幅および／または高さが変化している。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を低減させ省電力化を図る。
【解決手段】電気光学結晶からなる基板２と、基板２の第１表面又は基板内に設けられた光導波路３と、基板内部に設けられた金属からなる基板内電極７と、をそなえる。 （もっと読む）

【課題】電極の配線によるクロストークの影響を低減することができるマッハツェンダ型光変調器を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるマッハツェンダ型の光変調器は、アーム導波路が形成された強誘電体の基板と、アーム導波路に結合したＹ分岐部およびＹ合波部の少なくとも一方が形成された常誘電体の基板とを備える。強誘電体の基板は、アーム導波路上に形成された変調用の電極を備え、常誘電体の基板は、電極の配線を備える。常誘電体の基板は、強誘電体の基板に比べて電気光学効果による影響が小さいので、電極の配線が常誘電体の基板の導波路と交差しても、クロストークの影響が小さい。また、電極の配線を常誘電体の基板に配置すれば、配線が導波路と交差しても影響が小さいので、配線の等長化のための設計がし易くなる。 （もっと読む）

【課題】外部共振器型レーザのモードホップノイズを小さくして、精密な温度制御を必要としない、低価格且つ低ノイズの光送信装置を提供すること。
【解決手段】光増幅ユニットと、回折格子が設けられた第２のコア層を含み、前記光増幅ユニットに光学的に結合した光導波路を備えた光導波路ユニットとを有するレーザ光生成装置と、前記光増幅ユニットに電気信号を印加して、前記電流を前記半導体層に注入する電気信号源を具備し、前記レーザ光生成装置は、前記電気信号に従って、前記光反射面と前記回折格子が形成する光共振器の複数の共振器モードでレーザ発振する第１の状態と、前記第１の状態より発光強度が小さい第２の状態の間を往復して光信号を発生し、更に、前記共振器モードの間隔に相当する周波数が、前記電気信号のビットレートに対応する周波数より高いこと。 （もっと読む）

【課題】偏波モード結合を低減して偏波モード結合起因のＰＤＬを低減した導波路型光回路を提供する。
【解決手段】導波路型光回路１０は方向性結合器１１を備える。近接して対向する導波路コア１１ａ，１１ｂの両側にダミーパターン２１を形成し、非ギャップ部（２つの導波路コアに挟まれていない領域）にダミーパターンと導波路コアに挟まれた構造を設けている。非ギャップ部のガラス微粒子密度を導波路コア間（ギャップ部）のガラス微粒子密度に近づけることができるため、上部クラッド形成過程においてガラス微粒子密度の差によって生じる導波路コアをギャップ内側へ倒そうとする応力の発生を抑制できる。その応力により導波路コア１１ａ，１１ｂの光学主軸が傾き方向性結合器１１において偏波同士で結合が起きる偏波モード結合を抑制でき、偏波モード結合起因のＰＤＬを低減できる。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を低減すること。
【解決手段】一端が支持側部２に支持される片持ち梁５と、片持ち梁５の内部に形成される光導波路１５と、片持ち梁５に接合されるヒータ６とを備えている。ヒータ６は、電流が印加されることにより熱膨張する。片持ち梁５は、ヒータ６が熱膨張することにより、片持ち梁５の他端に対向するように配置される対向側光学装置３と光導波路１５との間を伝わる光の量が変更するように、変形する。このような光機能集積デバイスは、静電気力により光導波路を変形する他の光機能集積デバイスに比較して、対向側光学装置３と光導波路１５との間を伝わる光の量が変更するときに必要な駆動電圧を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 大型化を抑制しかつ接続損失を抑制しつつ曲がり導波路と別の導波路とを交差させることができる光デバイスおよび光送信器を提供する。
【解決手段】 光デバイスは、基板（３０）と、基板に形成され曲がり部を有する第１光導波路（１０）と、第１光導波路の曲がり部と交差する第２光導波路（２０）と、を備え、基板において、第１光導波路の曲がり部の外側に溝（４０）が形成されている。光送信器は、光デバイスと、入力光を強度変調して変調された第１変調光および第２変調信号を第１光導波路および第２光導波路にそれぞれ入力する強度変調部（２１０）と、第１光導波路を経由した第１変調光を第１データ信号で変調する第１変調部（２２０）と、第２光導波路を経由した第２変調光を第２データ信号で変調する第２変調部（２３０）と、第１変調部および第２変調部で変調された各変調信号光を偏波多重する偏波多重部（２４０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】従来技術による同期ＡＷＧにおいて透過帯域幅を拡大しようとすると、透過中心光周波数付近で損失が増大することは避けられなかった。透過帯域の平坦性を確保したままで拡大できる帯域幅には制限があり、透過率特性の０．５ｄＢ帯域幅は、光周波数チャネル間隔の４５％程度が限界であった。上述の帯域幅の制限は、信号光がより多くの地点を通過するような複雑で大規模な通信システムには適用できないという課題があった。
【解決手段】本発明の光波長合分波回路は、同期ＡＷＧであって、一方のスラブ導波路側に接続された干渉回路内に設置された光減衰器を備える。この光減衰器の透過率は光周波数によって変化し、同期ＡＷＧの透過中心光周波数付近で極小値をとる。透過中心光周波数からある程度離れた光周波数では、透過率が比較的大きくなるように動作する。光減衰器にける透過率の変化周期は、同期ＡＷＧの光周波数チャネル間隔と同一か、または半分とするのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】交差部における光損失や光搬送波の混信を抑制し、高品質の光通信が可能な交差導波路、および光損失を抑制し、高品質の光通信が可能な光導波路を提供すること。
【解決手段】交差導波路１０は、第１のコア部１４１と、第１のコア部１４１を覆う側面クラッド部１５とを備える第１の光導波路１と、第２のコア部１４２と、第２のコア部１４２を覆う側面クラッド部１５とを備える第２の光導波路２とを有し、各コア部１４１、１４２同士が交わるように第１の光導波路１と第２の光導波路２とが交差してなる導波路であって、導波路の交差部１４３よりも第１の光導波路１の入射側部分において、第１のコア部１４１の幅が、第１の光導波路１中の光の伝搬方向に進むにつれて徐々に拡大するように、第１のコア部１４１と側面クラッド部１５との境界面と第２のコア部１４２と側面クラッド部１５との境界面との交差部近傍がテーパー状になっている。 （もっと読む）

【課題】曲げ導波路における高次モードの励振そのものを防止できるようにする。
【解決手段】光半導体装置を、第１の幅を有する第１光導波路１と、第１光導波路１に接続され、曲げ部２Ａを有すると共に第１の幅よりも狭い第２の幅を有する第２光導波路２と、第２光導波路２に接続され、第２の幅よりも広い第３の幅を有する第３光導波路３とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】光集積デバイスにおける光半導体素子と光導波路との間の光結合効率を高めることができ、温度特性の向上をはかる。
【解決手段】基板上に光半導体素子と光導波路を集積化した光集積デバイスであって、基板１１上の一部に設けられた下部クラッド層１２と、基板１１上に設けられ、光出射端面又は光入射端面を下部クラッド層１２の一端面に対向させて配置された光半導体素子１５と、下部クラッド層１２上に設けられ、先端部分が下部クラッド層１２の一端部に向けてテーパー状に絞られた光導波路１３と、光半導体素子１５の光出射端面又は光入射端面と光導波路１３の先端部分とを結ぶ線に沿って、下部クラッド層１２上及び光導波路１３の先端部分上に設けられた、下部クラッド層１２よりも屈折率の大きな上部クラッド層１４とを備えた。 （もっと読む）

【課題】表面プラズモンポラリトンベースデバイスと誘電体ベースデバイスとの高度混合集積を実現し、多種類の制御可能な光電気集積デバイスを実現すること。
【解決手段】本発明は、誘電体基板層と、前記誘電体基板層上に位置する誘電体導波路層と、前記誘電体導波路層上に位置する結合整合層と、前記結合整合層上に形成された、ショートレンジ表面プラズモンポラリトンを伝導するためのショートレンジ表面プラズモン導波路部とを含むことを特徴とする、ショートレンジ表面プラズモンポラリトンと一般誘電体導波路との混合結合構造である。また、本発明は、下から上に向けて、それぞれ、誘電体基板層と、誘電体導波路層と、結合整合層と、ロングレンジ表面プラズモン導波路部とを含むことを特徴とする、ロングレンジ表面プラズモンポラリトンと誘電体導波路との結合構造である。 （もっと読む）