【課題】マッハツェンダ部間のクロストークを抑制すること。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１０と、前記基板に設けられたメイン導波路１４と、前記基板に設けられ前記メイン導波路に結合された複数の第１導波路と、少なくとも前記第１導波路間と前記第１導波路上とに設けられ前記第１導波路内にＤＣ電界を発生させる第１ＤＣ電極２４と、を備える第１マッハツェンダ部５０と、前記第１導波路それぞれに対応し、前記基板に設けられ前記第１導波路のそれぞれに複数結合された第２導波路１６と、前記第２導波路内にＤＣ電界を発生させる第２ＤＣ電極２６と、を備える複数の第２マッハツェンダ部５２と、を具備し、前記複数の第２マッハツェンダ部のうち少なくとも１つは、前記第２ＤＣ電極が前記第２導波路間に設けられておらず少なくとも前記第２導波路上に設けられている光デバイス。 （もっと読む）

【課題】
モニタ光としてエバネセント波を利用する光導波路デバイス及びその製造方法において、汚染物質の除去が容易であり、あるいは、再汚染を抑制することが可能な光導波路デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
焦電性又は圧電性を有する材料で構成された基板１と、該基板の一部形成された光導波路２とを有する光導波路デバイスにおいて、該光導波路を跨ぐように配置される受光素子３と、該受光素子と該光導波路との距離を調整するために、該基板上に形成された台座４とを備え、該台座は、膜体で構成され、少なくとも該受光素子に面した表面材料が、光触媒物質、導電性物質又は半導体物質のいずれかで形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＮ導波路およびＰＬＣ導波路を有する光変調器において、熱応力による機械的信頼性の低下を抑制すること。
【解決手段】光変調器１００は、ＬＮ導波路１１１及びＰＬＣ導波路１１２で構成されたＰＬＣ−ＬＮチップ１１０と、ＰＬＣ−ＬＮチップ１１０を収納するパッケージ１４０と、パッケージ１４０のパイプ部１４０Ａを通るファイバ１３０と、ファイバ１３３０をＰＬＣ１１２に接続するファイバブロック１２０とを備える。ＬＮ導波路１１１がパッケージ１４０に固定されている。パイプ部１４０Ａ内にはフェルール１５０が挿入されており、その端面１５０Ａで、ファイバ１３０の一端が固定されている。ファイバ１３０の他端はファイバブロック１２０との接点で固定されている。この二点の間のファイバ１３０の長さΔＬ_max（以下「ファイバ自由長」と言う。）が式（２）の関係ΔＬ_max／Ｌ_fiber＜０．０１２５を満たす。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン光導波路の高い非線形を用いた超高速全光型信号処理デバイスを提供する。
【解決手段】入力ポート１に波長がλ１の信号光が入力され、入力ポート２に波長がλ２の制御光が入力される。上記入力信号光は、３ｄＢカプラ５によってマッハツェンダー干渉計の上部導波路と下部導波路に分配される。下部導波路に分配された入力信号光はそのまま伝搬するのに対し、上部導波路を伝搬する入力信号光は、上記制御光によって相互位相変調を受けながら伝搬する。これによって、上記信号光は、上記制御光の光パワーに依存した非線形位相シフトを受ける。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＣ導波路およびＬＮ導波路を備える光変調器において、ＬＮ導波路の高周波電気配線のためのＲＦコネクタをパッケージの自由な位置に配置可能とするとともに、高周波電気配線のクロストークを抑制すること。
【解決手段】光変調器１００は、ＰＬＣ−ＬＮ導波路１１０と、ＰＬＣ−ＬＮ導波路１１０を囲むパッケージ１２０と、パッケージ１２０に設けられた高周波（ＲＦ）コネクタ１２１と、ＲＦコネクタ１２１とＰＬＣ−ＬＮ導波路１１０を構成するＬＮ導波路１１１の高周波電極１１１Ａとの間の高周波電気配線１３０とを備える。光変調器１００では、高周波電気配線１３０としてフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）を用いる。ＦＰＣは、例えばポリイミドや液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の基板上に銅配線が形成されたものだが、これらの材料は比誘電率がセラミックよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスを用いてフォトニック結晶構造を有する各種光デバイスを容易に形成することができるフォトニック結晶半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ−ＩｎＰ基板１１上に下部ＤＢＲ層１、コア層２、上部ＤＢＲ層３、誘電体多層膜６が順次積層される。コア層２及び上部ＤＢＲ層３には膜厚方向に延びる複数の空孔９が形成され、これによりフォトニック結晶構造が実現される。このフォトニック結晶構造は、複数の空孔９に挟まれて空孔９が存在しない線欠陥部１０を有し、線欠陥部１０が光導波路として機能する。 （もっと読む）

【課題】 熱光学位相シフタ等の光素子の製造時に光素子自身や製造装置に悪影響を与えずに、高い歩留まりで光素子を製造できるエッチング終点検出パターンを提供する。
【解決手段】 基板４上に少なくとも光素子用膜（第１膜）と犠牲層５が積層形成されていて、基板４と前記光素子用膜の間にある犠牲層５を選択的にエッチングする際に使用されるエッチング終点検出パターンは、前記光素子用膜で形成され、それぞれが異なる幅を持つ細線パターン３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄを含む細線パターン部３と、細線パターン部３を基板４に接続して保持する保持パターン部２とを備える。犠牲層５のエッチングにより細線パターン３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄに生じる構造的・光学的変化を利用してそのエッチング量を判別する。 （もっと読む）

【課題】 小型で、正確にプッシュプル駆動し、低損失な半導体マッハツェンダ型光変調器を提供する。
【解決手段】
分波器１１ａと、合波器１１ｂと、半導体光導波路１３および１４と、信号電極１５と、正バイアス電極１７と、負バイアス電極１８とを有し、
分波器１１ａと合波器１１ｂとは、２本の半導体光導波路１３および１４により連結され、
信号電極１５は、２本の半導体光導波路１３および１４の上部に接続され、かつ、２本の半導体光導波路１３および１４の上部に共通の高周波信号を入力可能であり、
正バイアス電極１７は、半導体光導波路１３の下部に接続され、負バイアス電極１８は、他方の半導体光導波路１４の下部に接続されていることを特徴とする半導体マッハツェンダ型光変調器。 （もっと読む）

【課題】本発明は、回路による応力複屈折差を減少させ、オーバーエッチングで全ての干渉計を同時に偏波無依存化することを可能とする平面光波回路及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る平面光波回路は、複数の光導波路からなる少なくとも２つの干渉計と、前記干渉計のうち、最大の光導波路密度より小さい光導波路密度をもつ前記干渉計の前記光導波路の両側に配置されたダミーパターンと、を備える。干渉計Ａ１の光導波路密度は干渉計Ａ２の光導波路密度より大きい。このため、平面光波回路１０１は、干渉計Ａ１の光導波路１３の両側にダミーパターン１７を備える。 （もっと読む）

【課題】例えば作製プロセスなどにおいて位相シフタ領域の導波路の幅や角度などが所望の値からずれてしまった場合であっても、特性が劣化してしまうのを抑制し、大きな作製トレランスが得られるようにする。
【解決手段】光デバイス１を、光信号を分岐する第１カプラ２と、光信号を干渉させる第２カプラ３と、第１カプラ２と第２カプラ３とを接続する第１導波路４と、第１カプラ２と第２カプラ３とを接続する第２導波路５とを備え、第１導波路４が、端部よりも幅が狭い部分を有する第１位相シフタ領域６を備え、第２導波路５が、端部よりも幅が広い部分を有する第２位相シフタ領域７を備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】省サイズ化と低コスト化を実現できる多値光位相変調器を提供すること。
【解決手段】入力された光を分岐する光分岐器と、前記光分岐器に接続し、位相変調部を有する２つのアーム部を備え、前記分岐された光を強度変調して光信号として出力する２つ以上のマッハツェンダ型強度変調器と、前記各マッハツェンダ型強度変調器に接続し、該マッハツェンダ型強度変調器から出力した各光信号を合成して多値光信号として出力する光合成器と、前記光分岐器と、前記マッハツェンダ型強度変調器の少なくともいずれか１つの各位相変調部との間に設けられ、利得媒質を有し、該利得媒質の利得飽和特性を利用して、入力された光の強度を所定強度に調整して出力する少なくとも１つの光強度調整器と、を備える。 （もっと読む）

【課題】小型で低損失な光導波路を含むマッハツェンダ光導波路、および当該マッハツェンダ光導波路を具備し、光導波路に入射した光を高周波電気信号で変調して光信号パルスとして出射する光変調器を提供する。
【解決手段】基板上に、入力光導波路と、出力光導波路と、前記入力光導波路と前記出力光導波路とにそれぞれ接続され、前記入力光導波路からの光が入力される、または前記出力光導波路へ光を出力する分岐光導波路と、前記分岐光導波路に接続され、曲率半径を有して曲線上に形成されたアームと、前記アームに沿って前記基板の一部が掘り下げられた溝部とが形成されたリッジ型のマッハツェンダ光導波路であって、前記アームは、前記アームの根元部近傍において実質的に前記溝部が形成されておらず、当該実質的に溝部が形成されていない領域における前記アームの曲率半径が、前記溝部が形成されている領域における前記アームの曲率半径よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】導波路型デバイスにおいて余剰光パワーを適切に終端する方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施例によれば、導波路型デバイスは、導波路端部からの光を終端するために遮光材が充填された終端構造を備える。この終端構造は、クラッドおよびコアを除去することによって光導波路上に溝を形成し、その溝内を光の強度を減衰させる材料（遮光材）で満たすことで形成することができる。これにより、終端構造に入射する光が遮光材によって減衰され、クロストーク成分となって他の光デバイスに与える影響を抑制することができる。このような終端構造により、同一基板内に集積される光デバイス同士での影響だけではなく、その基板に直接接続される他の光デバイスなどに対する影響も抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を有する導波路構造において、簡易かつ精度よく、コア層と上部クラッド層におけるメサ中心のずれを小さくする。
【解決手段】下部クラッド層１０３とコア層１０２と上部クラッド層１０１とを積層し、上部クラッド層１０１上に、互いに並行に配置される第一及び第二のストライプ状マスク１０５ａ、１０５ｂと、第一のストライプ状マスク１０５ａと第二のストライプ状マスク１０５ｂとの間に配置される第三のストライプ状マスク１０６とからなる３本のストライプ状マスク１０７を形成し、第一、第二のストライプ状マスク１０５ａ、１０５ｂ及び第三のストライプ状マスク１０６をマスクとして第一メサを形成し、第一及び第二のストライプ状マスク１０５ａ、１０５ｂをそれぞれ除去し、第一及び第二のストライプ状マスク１０５ａ、１０５ｂを除去した後に、第三のストライプ状マスク１０６をマスクとして、第一メサの上部に位置し、第一メサよりも幅の狭い第二メサを形成する。 （もっと読む）

【課題】斜め光導波路を有する光導波路部にＡｌ及びＡｓを含む半導体層を含む素子部がバットジョイントされた光半導体集積素子を製造する場合の歩留まりを良くする。
【解決手段】半導体基板の上方に斜め光導波路５４を形成するための第１半導体積層構造を成長させる工程と、第１半導体積層構造上にバットジョイント成長用マスク１３を形成する工程と、マスク１３をエッチングマスクとして用いて第１半導体積層構造を除去する工程と、マスク１３を用いてＡｌ及びＡｓを含む第２半導体層を含む第２半導体積層構造をバットジョイント成長させる工程とを含む光半導体集積素子の製造方法において、マスク１３を、光伝播方向に対して平行な直線及び直交する直線のみによって規定される複数の矩形部分１３Ａ〜１３Ｇが斜め光導波路５４を形成する領域に沿って接合された平面形状を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】 光機能導波路に関し、高度な加工技術を要することなく、無害なニオブ酸リチウム基板を用いた光機能導波路を小型化且つ高機能化する。
【解決手段】 ニオブ酸リチウム基板と、前記ニオブ酸リチウム基板の表面上に前記ニオブ酸リチウム基板とは異なった材料で形成されたストライプ状の異種材料光導波路と、前記ニオブ酸リチウム基板の前記異種材料光導波路に対向する表面側に前記異種材料光導波路中を伝搬する光が漏れ出して形成された基板内光導波部分、或いは、前記異種材料光導波路に対向する表面側に形成したＴｉ若しくはプロトンを導入した基板内光導波路のいずれか一方と、前記異種材料光導波路と、前記基板内光導波部分或いは前記基板内光導波路のいずれか一方とに変調電圧を印加する第１の電極と第２の電極とで光機能導波路を構成する。 （もっと読む）

【課題】
信号光と放射光とを確実に分離することが可能な光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板上に形成された光導波路（２〜４）と、該光導波路を伝播する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、該光導波路は、複数の光導波路２を伝播する光波を合波するための合波部３と、該合波部から基板端部まで導出される出力用導波路４とを少なくとも有し、該合波部から放出される２つの放射光５はスラブ導波路又は三次元導波路により該基板端部１０まで導出され、該出力用導波路４は、該合波部から放出される放射光が該基板端部１０に至るまでの光路を横切り、該基板端部における前記２つの放射光の外側に該出力用導波路の端部が配置され、該出力用導波路と該放射光との交差角度の小さい方の角度が３度以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
ＤＱＰＳＫ変調などに用いられる複数のマッハ・ツェンダー型導波路を薄型の基板上に集積化した光導波路素子において、ｏｎ／ｏｆｆ消光比を改善した光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で形成された厚みが２０μｍ以下の薄板と、該薄板の表面又は裏面に形成された光導波路を有する光導波路素子において、該光導波路が複数のマッハツェンダー型導波路部を有すると共に、少なくとも２つ以上のマッハツェンダー型導波路部から出力される光波を合波する構成をし、該マッハツェンダー型導波路部（ＭＺＡ）内の合波部には、出力用導波路（ｃ１）と該出力用導波路を挟むように配置される２本の放射光用導波路（ｂ１，ｂ２）から構成される３分岐導波路が形成され、該３分岐導波路の該出力用導波路と該放射光用導波路との間には、高次モード光吸収領域（ｄ１，ｄ２）が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】戻り光が少なく、小型の光導波路デバイスを提供する。
【解決手段】第１の出力導波路が出力端面に対して斜めに形成され、第２の出力導波路が前記第１の出力導波路と前記出力端面の双方に対して斜めに形成された光導波路素子と、前記第１及び第２の出力導波路からそれぞれ出射された光を互いに平行な光にするレンズと、を備える。 （もっと読む）

【課題】小型化可能であって、変調効率を高めた光変調装置を得る。
【解決手段】基板上に間隔を隔てて形成された第１の光導波路及び第２の光導波路と、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路における屈折率を変化させるため、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路に沿って設けられた電極と、前記電極に接続されており、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路に電圧を印加するための電源と、を有し、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路のうち、どちらか一方または双方の光導波路は、波長λの光を反射する構造の回折格子領域と、０からλ／２の範囲で位相シフトさせる位相シフト領域により形成されていることを特徴とする光変調装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）