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Fターム[2H147AB02]の内容

光集積回路 (45,729) | 光集積回路中の光学的機能 (4,741) | 光強度 (2,633) | 可変光減衰器、光変調器 (407)

Fターム[2H147AB02]に分類される特許

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【課題】
DQPSK変調などに用いられる複数のマッハ・ツェンダー型導波路を薄型の基板上に集積化した光導波路素子において、on/off消光比を改善した光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で形成された厚みが20μm以下の薄板と、該薄板の表面又は裏面に形成された光導波路を有する光導波路素子において、該光導波路が複数のマッハツェンダー型導波路部を有すると共に、少なくとも2つ以上のマッハツェンダー型導波路部から出力される光波を合波する構成をし、該マッハツェンダー型導波路部(MZA)内の合波部には、出力用導波路(c1)と該出力用導波路を挟むように配置される2本の放射光用導波路(b1,b2)から構成される3分岐導波路が形成され、該3分岐導波路の該出力用導波路と該放射光用導波路との間には、高次モード光吸収領域(d1,d2)が形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】戻り光が少なく、小型の光導波路デバイスを提供する。
【解決手段】第1の出力導波路が出力端面に対して斜めに形成され、第2の出力導波路が前記第1の出力導波路と前記出力端面の双方に対して斜めに形成された光導波路素子と、前記第1及び第2の出力導波路からそれぞれ出射された光を互いに平行な光にするレンズと、を備える。 (もっと読む)


【課題】小型化可能であって、変調効率を高めた光変調装置を得る。
【解決手段】基板上に間隔を隔てて形成された第1の光導波路及び第2の光導波路と、前記第1の光導波路または前記第2の光導波路における屈折率を変化させるため、前記第1の光導波路または前記第2の光導波路に沿って設けられた電極と、前記電極に接続されており、前記第1の光導波路または前記第2の光導波路に電圧を印加するための電源と、を有し、前記第1の光導波路または前記第2の光導波路のうち、どちらか一方または双方の光導波路は、波長λの光を反射する構造の回折格子領域と、0からλ/2の範囲で位相シフトさせる位相シフト領域により形成されていることを特徴とする光変調装置により上記課題を解決する。 (もっと読む)


本発明は、コンパクト性が高く且つ光波及び電波の適合性に利するように改良された電気光学変調の素子、デバイス及びシステム、並びに製造方法に関する。本発明によれば、前記素子は、導波路(690)のアーキテクチャを備えており、そして、制御電気信号の進む経路の長さ(L609)に対して、光束の進む経路の長さ(L611)が、光束と電気信号との伝播速度(V609,V611)の差を低減又は補正するように決定された差を有するように、前記導波路を配置する。特に、変調領域は光束の経路を含み、前記光束は、これらの制御要素の少なくとも2つから出ている少なくとも2つの欠刻を連続的に通過し、そして、それ自体巻かれている。このようにして、前記光束経路は、例えば、この制御信号とこの光束との間の相互作用の第一領域(R1a)と第二領域(R2a)との間で、電気信号が進む長さより大きい長さを備えている。
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【課題】光回路にプリント配線板を精度良く、簡易に実装できる光回路アセンブリを提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態による光回路アセンブリは、導波路型光回路と、プリント配線板とから構成される。導波路型光回路は、平面基板上に形成された光導波路と、光導波路上に形成された抵抗発熱体と、抵抗発熱体と電気的に接続された電極とを有する。プリント配線板は、配線と、電極と、開口窓とを有する。導波路型光回路の電極とプリント配線板の電極とが電気的に接続されるようにプリント配線板の開口窓を設けることにより、光回路にプリント配線板を精度良く、簡易に実装することができるようになる。 (もっと読む)


【解決手段】 ウェハ貼り合わせ技術を用いる光変調器を提供する。ある実施形態に係る方法は、シリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウェハにエッチングを実施して、SOIウェハの第1の表面にシリコン導波路構造の第1の部分を形成する段階と、結晶質シリコン層を含む第2のウェハであって、結晶質シリコンの第1の表面を持つ第2のウェハを用意する段階とを備える。当該方法はさらに、ウェハ貼り合わせ技術を用いて、薄い酸化物を介して、第2のウェハの第1の表面を、SOIウェハの第1の表面に、貼り合わせる段階を備える。尚、シリコン導波路構造の第2の部分は、結晶質シリコン層にエッチングで形成される。 (もっと読む)


【課題】従来の導波路型可変光減衰器は可変光減衰器の光減衰量を増やしたときに、光減衰器の偏波依存性が大きいという解決すべき点を有していた。
【解決手段】基板上に形成された導波路で構成される導波路型可変光減衰器において、前記可変光減衰器が、入力導波路、第1の光カプラ、第2の光カプラ、前記第1と第2の光カプラを結ぶ2本のアーム導波路、および出力導波路から構成されており、前記第1と第2の光カプラは前記2本のアーム導波路が近接する領域を含み構成される方向性結合器であって、特に、前記アーム導波路の長さを、使用光波長を導波路複屈折で割って求められるビート長の整数倍に設計する。 (もっと読む)


【課題】近接場光の伝達効率の減少を可及的に防止することを可能にする。
【解決手段】金属と無機酸化物とが3次元的に共に連続的な構造の複合体からなる近接場光導波部4と、近接場光導波部の一端に近接場光を導入する近接場光励起部6と、近接場光導波部の他端から近接場光を出力する近接場光出力部8と、を備えている。近接場光導波部4は、金属/無機酸化物の複合体からなっており、良好な導波効率を得るためには、酸化物の割合a(vol%)、金属の割合をb(vol%)とした場合に、70≦a≦95,5≦b≦30の高密度な構造体であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】シリコン導波路に対する損傷が抑制された状態で、シリコン細線導波路とゲルマニウム受光器とをモノリシックに形成できるようにする。
【解決手段】シリコン層103上の一部にp型シリコン層132およびゲルマニウム層107を形成した後で、よく知られたリソグラフィ技術とエッチング技術を利用した従来と同様な作製方法を用いてシリコン層103をパターニングし、シリコンコア131を形成する。なお、p型シリコン層132は、このまま残るようにする。ここで、シリコンコア131は、一部がゲルマニウム層107の下のp型シリコン層132に接触するように形成する。 (もっと読む)


【課題】コアとなる電気光学材料に電荷が注入されるのを抑制し、電気光学素子の内部を伝搬する光ビームのビーム形状歪みを防止することが可能な電気光学素子を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学素子1は、電気光学材料からなる薄膜をコア層4としてコア層4の両側に誘電体材料からなるクラッド層を介して光導波路2が形成されかつコア層4はクラッド層を介して対向する一対の電極層7a、7bの間に配置され、一対の電極層7a、7bに電圧Vを印加することによりコア層4の屈折率が変化する。
クラッド層は第1クラッド層5a、5bと第2クラッド層6a、6bとからなる。第2クラッド層6a、6bの誘電率は第1クラッド層5a、5bの誘電率よりも大きく、かつ、第2クラッド層6a、6bの膜厚は第1クラッド層5a、5bの膜厚よりも厚い。 (もっと読む)


【課題】複数の光変調回路の各々から出力され出力ポートへの結合する光信号の強度比を精確に調整する手段を有する集積型光変調器をコンパクトに実現する。
【解決手段】光変調器は、入力ポートに入力された光信号を8分岐する光分岐回路(21−1〜7)と、光変調回路(24−1〜8)と、光信号を結合させ出力ポートに出力する光結合回路(26−1〜7)とを備え、光分岐回路と光変調回路との間または光変調回路と光結合回路との間に設けられ光変調回路から出力される光強度を調整するための、光の強度の減衰量を調整可能なMZI回路(30−1〜8)をさらに備える。 (もっと読む)


【課題】再成長が不要である分離溝を形成する光変調器において、分離溝部で損失の増大を抑制することができる光変調器を提供することにある。
【解決手段】導波路構造の活性領域16aに接続して形成され、キャリアバリア層14より上層にある層15の少なくとも一部の幅が、導波路内光伝搬方向にて徐々に狭くなる第1のテーパ部18と、第1のテーパ部に対向し、前記導波路構造の非活性領域に接続して形成され、キャリアバリア層14より上層にある層15の少なくとも一部の幅が、徐々に広くなる第2のテーパ部19とを具備する。 (もっと読む)


【課題】 導波路型光ゲートスイッチ及び多段導波路型光ゲートスイッチに関し、作製上の誤差の影響を受けない、超小型の導波路型光ゲートスイッチを実現する。
【解決手段】 光導波路の一部分の複素屈折率を変化させることによって光の透過量を変化させる導波路型光ゲートスイッチであって、光導波路は、光軸方向において互いに対向する一対のコア層と、一対のコア層の間に配置された相変化材料部と、一対のコア層及び相変化材料部を覆うクラッド層とを有するとともに、相変化材料部に、相変化材料部の相を変化させる相変化手段を設ける。 (もっと読む)


【課題】光変調部と光強度検出部とがモノリシックに集積されているシリコンからなるリブ型導波路構造の集積光デバイスにおいて、光強度の正確な測定ができるようにする。
【解決手段】光強度検出部106を囲うようにスラブ層102に形成された下部クラッド層に達する溝部107を備える。溝部107により、光強度検出部106が、他の領域より、電気的に分離された状態となる。また、溝部107により、モニター導波路のシリコンコア101aも分離されるが、この分離された間に、溝部107によるシリコンコア101aの2つの端部の各々に接続し、互いに離間するシリコンコア111aおよびシリコンコア111bを備える。また、シリコンコア111aおよびシリコンコア111bの間を中心として一部のシリコンコア111aおよび一部のシリコンコア111bを覆うスポットサイズ変換部コア113を備える。 (もっと読む)


【課題】メサ構造を埋め込む埋め込み部のメサ構造部からの剥離を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】メサ構造部21を備えた光半導体素子と、メサ構造部21を少なくとも側方から埋め込む埋め込み部22と、メサ構造部21に接続された電極23と、が設けられている。埋め込み部22には、メサ構造部21の側方に形成された第1の有機絶縁膜8と、第1の有機絶縁膜8よりもメサ構造部21から離間して形成された第2の有機絶縁膜11と、第1の有機絶縁膜8と第2の有機絶縁膜11との間に形成された無機絶縁膜10と、が設けられている。 (もっと読む)


【課題】スポットサイズを変換する光導波路を用い、より効率的に光結合ができるようにする。
【解決手段】この光導波路は、第2コア103を、スポットサイズ変換領域112の開始端(導波領域111の側)にかけて先細りに形成したところに特徴がある。このように、第2コア103が、スポットサイズ変換領域112の開始端にかけて先細りに形成されているので、導波領域111かとスポットサイズ変換領域112との界面で生じる、導波光の反射および損失をより小さくすることができるようになる。この結果、より効率的に光結合ができるようになる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、波長無依存化を実現する光90度ハイブリッド回路を提供する。
【解決手段】本発明に係る光90度ハイブリッド回路は、第1の光スプリッタと接続された第1のアーム導波路及び第2のアーム導波路と、第2の光スプリッタと接続された第3のアーム導波路及び第4のアーム導波路と、第1のアーム導波路と前記第3のアーム導波路とに接続された第1の光結合器と、第2のアーム導波路と前記第4のアーム導波路とに接続された第2の光結合器と、第1のアーム導波路及び第2のアーム導波路から伝送された光の位相差と、第3のアーム導波路及び第4のアーム導波路から伝送された光の位相差との和θの絶対値が、使用する波長帯域内のある波長λ=λCにおいて、mを整数として90+360m度となり、λ=λCにおけるdθ/dλの絶対値が最小となるように構成された位相シフト機構とを備える。 (もっと読む)


【課題】1×2の多段構成の光スプリッタ用光導波路の入出力間の距離を低減する。
【解決手段】合波分岐光導波路構造150は、一方の側S1に湾曲する第1の軸線LA1に沿って形成された合波側の第1のコア部A1と、一方の側S1に湾曲する第2の軸線LB1に沿って形成された分岐側の第2のコア部B1と、他方の側S2に湾曲する第3の軸線LC1に沿って形成された分岐側の第3のコア部C1とを有する。軸線LA1,LB1,LC1は、互いに平行なそれぞれの接線と接する接点PA1,PB1,PC1を有する。更に、接点PB1,PC1は、第1の軸線LA1の接点PA1における接線TA1と垂直に第1の接点PA1を通って延びる垂直線LP1から分岐側の領域内に位置する。第3の軸線LC1の接点PC1は、接線TA1に対して他方の側S2に位置している。 (もっと読む)


【課題】支持部材と基板との熱膨張差に起因した応力により生じる光導波路の動作点変動を抑制する。
【解決手段】導波部22の伸延方向D1に交差する交差方向D2において、支持部材13による応力の応力分布中心に近い方にある接地電極25の架橋部25c−inと、応力分布中心から遠い方にある接地電極25の架橋部25c−outとが、異なる形状で形成されている、光導波路デバイス10とする。接地電極25の構造を工夫することにより、支持部材13から基板11にかかる応力で生じる、複数の導波部22間の応力特性の相異を打ち消すような応力を、接地電極25から基板11へかける。 (もっと読む)


【課題】差動信号駆動ができる差動信号駆動用レーザアレイを実現する。
【解決手段】DFBレーザアレイ102は、複数のDFBレーザを備えており、DFBレーザアレイ102内において各レーザ間は電気的に分離されている。MMIカプラ103は、各レーザから出力された光出力を合波する。DFBレーザアレイ102とMMIカプラ103との間には、電気的絶縁部104が形成されている。このため、DFBレーザアレイ102の各レーザは、導波路部を介して電気的につながってしまうことが阻止され、各レーザが電気的に分離される。この結果、差動信号により各レーザを駆動することができる、差動信号駆動用DFBレーザアレイ101が実現できる。 (もっと読む)


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