【課題】分極反転領域を有する光デバイスにおいて、分極反転領域の特性に起因する性能劣化の発生を有効に防止した光デバイスを提供する。
【解決手段】マッハツェンダ型光変調器の光導波路（Ａ）、（Ｂ）は、通常、分極非反転領域である−Ｚ面に形成される。しかし、信号電極１１と接地電極１０を２つの導波路に非対称に設けると、出力光にチャープを生じ、好ましくないので、これらの電極を２つの導波路に対称に設ける。ここで、光変調が有効にかけられるためには、光導波路の存在する基板の一部を分極反転する必要がある。分極反転により、光導波路は、＋Ｚ面に形成されることになる。しかし、＋Ｚ面には、分極反転領域の自発分極の不安定性から、電荷が蓄積され、光変調器の性能に悪影響を与えるので、分極反転領域の表面に導電性のアモルファス層を形成する。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能であるとともに、光の挿入損失について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】光導波路と、高周波電気信号を印加するための進行波電極と、光にバイアス電圧を印加するためのバイアス電極と、進行波電極に高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とを具備し、高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部の両方にリッジ部を具備する光変調器において、バイアス用相互作用部に形成されたリッジ部の頂面における相互作用光導波路の端から当該頂面の端までの距離が、高周波電気信号用相互作用部に形成されたリッジ部の頂面における相互作用光導波路の端から当該頂面の端までの距離よりも大きく形成され、バイアス用相互作用部における光の伝搬損失を低減する。 （もっと読む）

【課題】ＶＣＳＥＬ等の発光素子の個数が少なくても大きな伝送容量を確保することができるとともに、装置の小型化が容易な光インターコネクション用光送信器を提供する。
【解決手段】光送信器は、波長多重連続光が入力される光導波路１１７と、光導波路１１７の長さ方向に沿って配置され、外部から供給される電気信号に応じて光導波路１１７を通る光に対し、入力ポートからスルーポートへの透過率を変化させて変調を行う複数の変調器１２１と、複数の変調器１２１により変調された光を出力する光信号出力部１１３とを有する。複数の変調器１２１は、変調可能な光の波長がそれぞれ異なる。 （もっと読む）

【課題】熱干渉を抑制した小型な多連熱光学位相シフタおよびそれを用いた光干渉回路を提供すること。
【解決手段】２つの方向性結合器１０２ａ、１０２ｂとそれらを連結するアーム導波路１０３からなるマッハツェンダ干渉計と、二重コア、アーム導波路１０３上に設置された薄膜ヒータ１１１、およびそのヒータ１１１に電力を供給する配線１１２とからなる位相シフタと、アーム導波路１０３の両側に形成された断熱溝１２１とから構成されている。二重コアとその上方の薄膜ヒータ１１１は、アーム導波路１０３で（図１の紙面の縦方向に）整列しておらず、アーム導波路１０３の長手方向に対して垂直方向に平行移動した位置にそれぞれが重なることがないように、ずらして配置したことを特徴としている。隣接する二重コアおよび薄膜ヒータ１１１をずらず量としては、薄膜ヒータ１１１の長さ以上にずらずことが重要である。 （もっと読む）

【課題】光信号を適切に遮断する。
【解決手段】光送信器は、入力された光を変調することで光信号を出力し、且つ印加されるバイアス電圧に依存して光吸収の程度が変化する光吸収特性であって、第１の特性領域及び第１の特性領域よりも光吸収の程度が大きくなる第２の特性領域を含む光吸収特性を有するマッハツェンダ型光変調器と、マッハツェンダ型光変調器からの光信号の出力を所望量以下に遮断する場合に、第２の特性領域に対応する遮断バイアス電圧をマッハツェンダ型光変調器に形成された２つの干渉用光導波路の夫々に備えられた電極に印加することにより、発生する電界を前記干渉用光導波路に与える印加部とを備える。 （もっと読む）

【課題】小型で低光損失な光導波路の折り返し回路を提供し、素子の小型化・低損失化を実現すると共に、機械的信頼性を高めた光変調器を提供する。
【解決手段】ニオブ酸リチウム材料からなるＬＮ変調器と、ガラス材料からなり、前記ＬＮ変調器への光信号の入出力のために前記ＬＮ変調器と突き合わせ接続された第１及び第２のＰＬＣとを含む光変調器であって、前記第１のＰＬＣの光導波回路は、一方の端面にファイバブロックを介して接続された少なくとも２本のファイバと、他方の端面に突き合わせ接続された前記ＬＮ変調器の光導波路とを接続し、前記第２のＰＬＣの光導波回路は、一方の端面に突き合わせ接続された前記ＬＮ変調器の光導波路どうしを接続する折り返し光導波路であり、該折り返し光導波路は、前記第２のＰＬＣ上に実装された半導体光導波回路に形成されている。 （もっと読む）

【課題】実装が従来よりも容易な偏波インターリーブ型変調器を提供すること。
【解決手段】偏波インターリーブ型変調器３００は、光入力用ポート３１１、第１の光出力用ポート３１２及び第２の光出力用ポート３１３を有する１入力２出力の光部品３１０と、第１の光出力用ポート３１２に接続された、光学的な遅延を与える遅延部３２０と、遅延部３２０及び第２の光出力用ポート３１３に接続された偏波ビームコンバイナ３３０とを備える。第２の光出力用ポート３１３と偏波ビームコンバイナ３３０との間の接続は、９０度捻りの偏波保持光ファイバ３４０により行われ、第２の光出力用ポート３１３から出力される光信号の偏波変換がなされる。光部品３１０は筺体内に構成要素が収容されているが、遅延部３２０が光部品３１０の筐体の外部に配置される外付け構成であるため、実装が従来よりも容易になっている。 （もっと読む）

【課題】任意の偏波方向の光入力信号に対するサンプリングを可能とするとともに、光ファイバや光導波路素子との結合効率が良好な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、下部クラッド層、活性層１３、および、上部クラッド層が順次積層された導波路構造を備え、該導波路構造は、ハイメサ導波路構造Ｉと、光入射端面１０ａおよび光出射端面１０ｂのうちの少なくとも一方の端面とハイメサ導波路構造Ｉとの間に形成され、ハイメサ導波路構造Ｉと光の導波方向に連続する埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bと、を含み、埋込み導波路構造ＩＩ_a、ＩＩ_bは、活性層１３の光の導波方向に直交する幅が、前記少なくとも一方の端面に向かって狭くなる幅減少領域を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
薄板化した主基板を伝播する信号光の光学的な特性劣化を抑制し、製品の光学特性を向上させることが可能な光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する厚さが３０μｍ以下の基板に光導波路が形成された光導波路基板と、該光導波路基板が補強基板と接着剤層を介して接合されている光導波路素子において、該光導波路基板の該補強基板側の面上であって、該光導波路が形成された部分にバッファ層が形成され、
該バッファ層を覆うように該光導波路基板の該補強基板側に、光吸収膜が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】強誘電体結晶により構成される強誘電体基板に周期分極反転構造が形成される光学デバイスに関し、その強誘電体結晶の薄膜化および周期分極反転構造の高精度化を可能とする。
【解決手段】単分極化された強誘電体結晶により構成された強誘電体基板１１の一方主面Ｓ1Aと、強誘電体基板１１よりも厚い支持基板１４の一方主面Ｓ1Bとの間に接合部１３を介在させて強誘電体基板１１を支持基板１４で支持しながら一体化しているので、上記した平面研磨処理により強誘電体基板１１、つまり強誘電体結晶を薄膜化することができ、その結果、周期分極反転構造を薄くすることができる。そして、こうして薄膜化された強誘電体基板１１に対し、上記したように電圧印加法により分極反転部を形成する。 （もっと読む）

【課題】
駆動電圧のより一層の低減が可能な光導波路素子を提供すること。また、駆動電圧の低減により、光導波路素子の小型化や利用する駆動装置の低コスト化を図ること。
【解決手段】
厚みが１０μｍ以下の電気光学効果を有する薄板１と、該薄板に少なくとも一つのリッジ型光導波路が形成された光導波路素子において、該薄板の該リッジ型光導波路が形成された面の反対面上であって、該リッジ型光導波路の下部に該当する部分に、該薄板より屈折率の高い高屈折率膜１０を配置し、該高屈折率膜の幅が、該リッジ型光導波路の幅と同じか、又は当該幅より狭く構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
光導波路が集積された場合でも不要光を効率良く基板外又は光導波路全体の外側に導出することが可能な光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
基板１に光導波路２が形成され、該光導波路は、信号光を伝播する主導波路（２１〜２３）と、該主導波路から不要光を除去する不要光用導波路（３１〜３３）とから構成される光導波路素子において、該不要光用導波路と該主導波路とが交差する交差部では、該不要光用導波路（３２，３３）は、該主導波路を挟んで分断されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
光導波路素子の状態だけでなく、光導波路素子を製造するプロセスにおいても、補強基板による焦電効果で光導波路素子が損傷することを抑制し、光導波路素子の電気的な特性劣化を抑え、さらに、生産に係る歩留まりを改善することを可能とする光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する厚さが３０μｍ以下の基板に光導波路が形成された光導波路基板と、該光導波路基板が電気光学効果を有する補強基板と接着剤層を介して接合されている光導波路素子において、該補強基板の該接着剤層側の面には、半導体層が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導電膜が形成された基板に光硬化型接着剤を用いて受光素子を固定することが可能な光導波路素子および光導波路素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光導波路素子１は、電気光学効果を有する基板１０と、基板１０の表面に形成された光導波路１０１〜１０４と、基板１０の表面に形成され光導波路１０１〜１０４を伝搬する光波を制御する電極１０５〜１０７と、光硬化型接着剤により基板１０に固定され光導波路１０１〜１０４を伝搬する光波の一部をモニタする受光素子２０と、基板１０の光導波路１０１〜１０４が形成された面の対向面および他の面に形成された導電膜１１０，１２０と、を備え、前記対向面の一部に導電膜１２０を形成しない導電膜非形成部１３０を設け、前記対向面の側から基板１０を介して前記光硬化型接着剤に光を照射可能とした。 （もっと読む）

【課題】ＬＮ変調器を備える光変調器において、ＤＣドリフトを低減すること。
【解決手段】光変調器６００は、ＬＮ変調器６０１の両端に第１及び第２のＰＬＣ６０２、６０３が突き合わせ接続（バットジョイント）されたＰＬＣ−ＬＮ変調器である。第１のＰＬＣ６０２の入力ポートには、第１のファイバブロック６０４を介して、光信号入力側光ファイバ６０５が接続され、第２のＰＬＣ６０３の出力ポートには、第２のファイバブロック６０６を介して、光信号出力側光ファイバ６０７が接続されている。本実施形態に係る光変調器６００は、ＬＮ変調器６０１のＤＣドリフトを低減するために、第２のＰＬＣ６０３に、ＭＺＩの上アーム又は下アームの位相を非可逆的にトリミングする位相トリミング部６１０を有する。ＬＮ変調器単体ではなく、ＰＬＣ−ＬＮ変調器においては、ＰＬＣ部分の位相調整機能を活用することにより、ＤＣドリフトを低減可能である。 （もっと読む）

【課題】光電子装置を提供する。
【解決手段】光電子装置は、半導体基板内に形成されたｐドーピング領域とｎドーピング領域と、ｐドーピング領域とｎドーピング領域との間に形成された光導波路コア領域と、光導波路コア領域とｐドーピング領域との間に形成され、それぞれが第１距離だけ離隔して形成され、光導波路コア領域の厚さと同じ厚さを有する複数の第１スラブと、光導波路コア領域とｎドーピング領域との間に形成され、それぞれが第２距離だけ離隔して形成され、光導波路コア領域の厚さと同じ厚さを有する複数の第２スラブと、を含む。 （もっと読む）

【課題】リッジ部の両側に突起や段差部のあるタイプの光導波路デバイスにおいて、光のモードサイズの増大による伝搬効率の低下を防止し、かつ、リッジ部のエッジの欠けによる伝搬損失の増加も抑制することによって、伝搬損失を良好とする。
【解決手段】光導波路デバイス１２は、厚さ４μｍ以上、７μｍ以下の強誘電体層３、支持基板１、強誘電体層の底面と支持基板１とを接着する接着層２を備える。強誘電体層３が、チャンネル型光導波路が設けられたリッジ部５、第一の突起１０Ａ、第二の突起１０Ｂを備える。外側溝２１が内側溝２０よりも深い。リッジ部５の幅Ｗ１が６．６μｍ以上、８．５μｍ以下、第一の突起１０Ａの外側エッジ１０ａと第二の突起１０Ｂの外側エッジ１０ａとの間隔Ｗ２が８．６μｍ以上、２０μｍ以下、内側溝２０の深さＤ１が２．０μｍ以上、２．９μｍ以下であり、外側溝２１の深さＤ２が２．５μｍ以上、３．５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 リッジ型光導波路を有する光導波路基板において、三次元光導波路を入射光が伝搬する際の損失を低減できるような構造を提供することである。
【解決手段】 光導波路基板１３は、強誘電性材料からなる強誘電体層３の表面に形成されているリッジ部１５と、このリッジ部１５の両側にそれぞれ設けられており、リッジ部よりも低い段差部２５Ａ、２５Ｂとを備える。各段差部の外側にそれぞれ溝１６が形成されており、リッジ部１５に三次元光導波路が設けられている （もっと読む）

【課題】石英系光導波路素子とシリコン光導波路素子とをモノリシック集積し、これらの素子を低損失で接続する。
【解決手段】光導波路デバイスは、石英系光導波路１０３によって構成される光機能素子と、シリコン細線光導波路１０２によって構成される光機能素子と、石英系光導波路１０３によって構成される光機能素子とシリコン細線光導波路１０２によって構成される光機能素子を接続するスポットサイズ変換器１０１とを備える。石英系光導波路１０３によって構成される光機能素子とシリコン細線光導波路１０２によって構成される光機能素子とスポットサイズ変換器１０１とは、同一の基板上にモノリシック集積され、石英系光導波路１０３のコアとシリコン細線光導波路１０２の第１のオーバークラッドとは、基板上の同一層の膜からなる。 （もっと読む）

【課題】ＰＤＬが低減された導波路型光回路を提供すること。
【解決手段】導波路コア同士が近接して配置されて構成された光分岐結合器である光カプラと、前記光カプラの前記導波路コアの両側に沿って形成され、該導波路コアの光学主軸が傾くのを抑制するダミーパターンと、を備える。好ましくは、前記ダミーパターンの長さは、前記光カプラの結合に寄与する結合部の長さと同等、或いはそれ以上である。好ましくは、前記ダミーパターンと前記光カプラの導波路コアとの間隔は、前記光カプラの前記導波路コア間のギャップサイズと同じ大きさか、或いはそれ以上である。 （もっと読む）