【課題】シリコンコアより構成されたキャリア注入型の可変光減衰器における偏波依存損失が低減できるようにする。
【解決手段】シリコンより構成されたコア１０１よりなる光導波路と、印加される電流に対応してコア１０１にキャリアを注入するキャリア注入部１１０とを備える。加えて、コア１０１よりなる光導波路は、ＴＭ偏光に対して求められる光導波路の実効屈折率の虚部の値と、ＴＥ偏光に対して求められる光導波路の実効屈折率の虚部の値との差が、所望の値以下となる状態に形成されている。 （もっと読む）

【課題】光変調部と光強度検出部とがモノリシックに集積されているシリコンからなるリブ型導波路構造の集積光デバイスにおいて、光強度の正確な測定ができるようにする。
【解決手段】リブ型導波路を構成しているシリコンコア１０１の一部において、シリコンコア１０１を挟むようにスラブ層１０２に形成されたｐ型半導体領域１０３およびｎ型半導体領域１０４を備える光変調部１０５を備える。また、シリコンコア１０１よりなるリブ型導波路の途中には、導波路型の光分岐部１０９が接続され、光強度検出部１０６が接続されているモニター導波路に、一部の光を分岐する。加えて、光強度検出部１０６を囲うようにスラブ層１０２に形成された下部クラッド層に達する溝部１０７を備える。 （もっと読む）

【課題】リブ型シリコン細線導波路を利用した可変光減衰器において、無駄な電力を必要とせずに低消費電力で高速動作ができるようにする。
【解決手段】電極１４１および電極１５１に挟まれた領域のコア１０３の上面に、この領域のコア１０３を酸化することで形成した酸化シリコン層１０７を備える。例えば、よく知られた熱酸化法、もしくはプラズマ酸化法により、酸化シリコン層１０７が形成できる。酸化シリコン層１０７は、層厚５ｎｍ程度であればよい。酸化シリコン層１０７を備えることで、電圧印加において、不要な電流の流れが防止でき、低消費電力化を図ることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】光導波路と電極が形成された光導波路素子の製造工程において、電極の屈折率を簡便且つ正確に測定する。
【解決手段】電気光学効果を有するウエハ１に、複数の光導波路１０１と、光導波路１０１に沿ってホット電極及びアース電極が配置されてなる、該電極間に電気信号を進行させて該光導波路を伝搬する光を制御するための進行波型制御電極と、ホット電極と同一断面形状及び同一延伸方向を有し、長さがそれぞれ異なる少なくとも２つの検査用電極２０１，２０２と、を形成する。 （もっと読む）

【課題】それぞれの位相変調領域が電気的に分離され、かつ高い光透過率を有する半導体マッハツェンダー光変調器及びその製造方法並びに半導体光集積素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１１上にコア層１３と上部クラッド層１５とが積層されている。その上には、光導波路１ａ及び１ｂ、ＭＭＩ分波器２ａ、ＭＭＩ合波器２ｂを備える。光導波路１ａ及び１ｂには位相変調領域が設けられている。ＭＭＩ分波器２ａから出射された光は、光導波路１ａ及び１ｂで位相変調され、ＭＭＩ合波器２ｂへ出射する。また、光導波路１ａ及び１ｂの両側にコア層１３を貫通して形成された２本のトレンチ５に挟まれたメサ部１９が形成されている。なお、光導波路１ａ及び１ｂは、位相変調領域とＭＭＩ分波器２ａ及び位相変調領域とＭＭＩ合波器２ｂとの間で長さＬｇａｐの分離溝Ｇａｐで分離されている。 （もっと読む）

【課題】加熱素子または冷却素子とコアとの間の熱伝導を効率させつつ、光吸収や光損失を抑制する。
【解決手段】熱光学効果によって光導波路を伝搬する光の位相を変化させる光回路素子であって、クラッド１１ａと、クラッド１１ａによって覆われたコア１１ｂとからなる光位相シフト導波路１１と、ヒーター１２と、クラッド１１ａ内に埋設され、ヒーター１２とコア１１ｂとを熱的に接続する伝熱部材としてのカーボンナノチューブ１３とを有する。 （もっと読む）

【課題】カップリング損失および伝達損失が、従来の光デバイスと比較して低い光デバイスの提供。
【解決手段】残余の部分よりも高い屈折率ｎ２を有する光回路が形成されたパッシブコア層と、光回路の少なくとも一部を覆うと共に、電気光学的効果を示し、且つ、光回路の屈折率ｎ２よりも高い屈折率ｎ１を有するアクティブコア層と、パッシブコア層がその上に形成されているとともに、光回路の屈折率ｎ２よりも低い屈折率ｎ３を有する下部クラッド層と、アクティブコア層およびパッシブコア層を覆うとともに、アクティブコア層の屈折率ｎ１よりも低い屈折率ｎ５を有する上部クラッド層と、下部クラッド層の下に形成された下部電極と、上部クラッド層の上に形成された上部電極と、を備え、アクティブコア層の入口部と出口部とは夫々テーパ状とされている光デバイス。 （もっと読む）

【課題】それぞれの位相変調領域が電気的に分離され、かつ高い光透過率を有する半導体マッハツェンダー光変調器及びその製造方法並びに半導体光集積素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１１上にコア層１３と上部クラッド層１５とが積層されている。その上には、光導波路１ａ及び１ｂ、ＭＭＩ分波器２ａ、ＭＭＩ合波器２ｂを備える。光導波路１ａ及び１ｂには、位相変調領域が設けられている。ＭＭＩ分波器２ａから出射された光は、光導波路１ａ及び１ｂで位相変調され、ＭＭＩ合波器２ｂへ出射する。なお、光導波路１ａ及び１ｂは、位相変調領域とＭＭＩ分波器２ａ及び位相変調領域とＭＭＩ合波器２ｂとの間で、長さＬｇａｐの分離溝Ｇａｐで分離され、分離溝Ｇａｐに向かって連続的に幅が細くなる。 （もっと読む）

【課題】２値の電気信号で光変調手段を駆動し、光変調手段の出力光信号のベクトル加算により多値の光信号を生成する光変調器において、ベクトル合成に伴う原理過剰損失を低減して光損失を小さくすること。
【解決手段】２並列のQPSK変調器を入力側及び出力側の非対称カプラで接続している。入力側非対称カプラは２本の出力ポートを備え、メイン入力ポートから光を順方向入力するとアーム１及び２に光強度分岐比2:1で分岐する。出力側非対称カプラは２本の入力ポートを備え、メイン出力ポートから光を逆方向入力するとアーム１及び２に光強度分岐比2:1（67%:33%）で分岐する。各アームを経由し出力側非対称カプラにおいてベクトル加算される各QPSK変調器の出力光信号の位相差θを０とする。本構成により、各QPSK変調器からの出力QPSK信号を電場振幅比2:1で合波し、ベクトル加算により16QAM信号を生成することができる。 （もっと読む）

【課題】 接合強度が強い３次元フォトニック結晶を少ない工程で製造する。
【解決手段】 周期構造を持つ層を積層することにより３次元フォトニック結晶を製造する方法であって、１以上の前記周期構造を持つ層を備える第１の構造体と第２の構造体をそれぞれ形成する構造体形成工程と、第１の構造体と第２の構造体を接合する接合工程とを含む。第１の構造体の第１の接合層と第２の構造体の第２の接合層は３次元フォトニック結晶の１つの層を分割したときの一方の層と他方の層とする。 （もっと読む）

【課題】小型化と省電力化を同時に実現する。
【解決手段】基板１と、光導波路２及び光変調のために電圧を印加する中心電極４及び接地電極５ａ，５ｂとを備え、光導波路２が、入力光導波路２ａと、分岐光導波路２ｂと、相互作用光導波路２ｃ₁ ，２ｃ₂ と、合波光導波路２ｄと、合波点２ｇと、出力光導波路２ｅとからなり、位相変調された光が合波された高次モード光が出力光導波路２ｅをほとんど伝搬せずに合波点２ｇから放射光６ａ，６ｂとして放射される光変調器１００と、キャピラリ１４と、放射光６ａ，６ｂを受光するフォトディテクタ９と、光変調器１００、キャピラリ１４及びフォトディテクタ９を収容する筐体１２とを備える光変調器モジュール１０１において、筐体１２はその内壁面１３が放射光６ａ，６ｂを反射するように形成され、フォトディテクタ９を内壁面１３で反射した放射光６ａ，６ｂを受光する位置に配置した。 （もっと読む）

【課題】誘電体基板の同一端面内に複数の光入出力部を有する光素子に、複数の光ファイバを接合する場合であっても、各光入出力部に繋がる複数の光導波路の長さを等しくし、変調特性などの光導波路毎の光路差に起因する光学特性の劣化を抑制することが可能な、光素子と光ファイバとの接合構造を提供する。
【解決手段】誘電体基板１に形成された光導波路２１を有する光素子と、該光導波路と光学的に結合すると共に、該誘電体基板の端面に接合される光ファイバ４との接合構造において、該光導波路は該端面内に複数の光入出力部を有し、該光ファイバは、各光入出力部に対応する複数の光ファイバであり、該光ファイバが接合される誘電体基板の該端面は、各光入出力部を有する光導波路の光軸方向に垂直であり、かつ、該誘電体基板の厚み方向に傾斜している傾斜面（傾斜角θ）となっている。 （もっと読む）

【課題】ＭＺ型導波路のＹ合波部におけるモード不整合光の発生やモード不整合光の放射モード光や出力光への混入を抑制すると共に、放射モード光と出力光を効率良く分離抽出することが可能な光変調器を提供する。
【解決手段】誘電体基板の表面にマッハツェンダー型導波路を形成した光変調器において、該マッハツェンダー型導波路の出射側のＹ合波部の合波後の導波路がマルチモード導波路２であり、該マルチモード導波路２をシングルモード導波路となる出力主導波路３に変更する箇所に高次モード用導波路である出力副導波路４を接続し、該マルチモード導波路２は、長さが１５０μｍ以上である。 （もっと読む）

集積光素子用の狭小表面波形格子、およびその製造方法である。実施例は、上部に構成が形成される導波管の幅よりも狭い幅を有する格子を含む。本発明のある実施例では、マスク化フォトリソグラフィ法を用いて、所望の格子強度を有する狭小格子が形成される。ある実施例では、レーザの光キャビティは、導波管の幅よりも狭い幅を有する反射器格子を有するように構成される。別の実施例では、集積光通信システムは、1または2以上の狭小表面波形格子を含む。
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【課題】光変調部において厚さ１０μｍ以下の薄板を採用して速度整合を図った光変調器において、光変調器と外側の光ファイバとの間の結合損失および光変調器内部での結合損失を抑制することである。
【解決手段】光変調器１０Ａは、支持基板１、電気光学材料からなる変調用基板３、この変調用基板３の一方の主面側３ａに設けられている光導波路４、変調用基板３の他方の主面３ｂ側に設けられており、光導波路を伝搬する光を変調するための電圧を印加する電極、および変調用基板３の一方の主面３ａを支持基板１へと接着する接着層２を備える。変調用基板３が、少なくとも光導波路４を伝搬する光の変調を行うための厚さ１０μｍ以下の変調部７と、変調部７よりも厚い光ファイバ結合部６とを備える。 （もっと読む）

犠牲光学試験構造は、未劈開の光チップ（１０）の光学機能を試験するように、未劈開の光チップ（１０）のウェーハ（１００）上に構築される。チップ（１０）がウェーハ（１００）から劈開されると、前記犠牲光学構造が無効化され、劈開された光チップ（１０）をその所望の最終機能に併せて用いることができる。前記試験構造は、劈開された光チップ（１０）上に残っていてもよいし、廃棄してもよい。 （もっと読む）

【課題】作製歩留まりが高く、良好な特性を有する光集積回路を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に、幅方向における第１の比屈折率差と第１のコア幅とを有する第１の光導波路素子と、幅方向における第２の比屈折率差と第２のコア幅とを有する第２の光導波路素子が形成されており、前記第１の光導波路素子と前記第２の光導波路素子とが光学的に結合する接合部分を少なくとも１箇所以上有する光集積回路において、前記第２の比屈折率差は前記第１の比屈折率差よりも大きく、前記接合部分において第２のコア幅は前記第１のコア幅よりも広い。 （もっと読む）

【課題】 埋込導波路とハイメサ導波路との接続箇所にテーパ構造を導入する場合、テーパ構造の形成時に、既に形成されている導波路に対して高い位置合わせ精度が要求される。
【解決手段】 基板の上に凸状の第１の光導波路が形成されている。同じ基板の上に、凸状の第２の光導波路が形成されている。第１の光導波路と第２の光導波路とを光学的に結合させる凸状の多モード干渉導波路が、同じ基板上に形成されている。少なくとも第１の光導波路の両側に埋込部材が配置されている。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＣを用いた光制御システムにおいて、ＴＯ位相シフタの電力効率を向上させる。
【解決手段】光モジュールは、平面光導波回路と、その平面光導波回路を所定位置において加熱する熱光学位相シフタと、平面光導波回路を通過した光信号の光出力を検出する光検出器と、その光検出器が検出した光出力が設定値に近づくように熱光学位相シフタをパルス幅変調制御する制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】高歩留まりな波長可変レーザ、変調器集積波長可変レーザを提供する。
【解決手段】本発明による波長可変レーザは、平面光導波路によって光カプラが形成された基板と、基板上に取り付けられ光カプラにそれぞれ光信号を供給する複数のＤＦＢレーザ素子を有するＤＦＢアレイ部と、基板上に取り付けられ、光カプラが出力する光信号を増幅するＳＯＡ素子を有するＳＯＡ部とを備える。ＤＦＢアレイ部とＳＯＡ部とは同一の積層構造を有するチップ内に形成されている。 （もっと読む）