【課題】
電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板を利用した場合でも、薄板の反りや割れを抑制し、製品の歩留まりを改善した光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板と、該薄板に形成された光導波路と、該光導波路内を伝搬する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、該薄板の該変調電極が形成されていない面が、接着層を介して、補強板に接着されており、該補強板の接着層側の表面には、該薄板の劈開面と交差する方向に溝が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マッハツェンダ干渉部を有する導波路型光素子をパッケージに収納した光変調器において、導波路型光素子の設計位置からの位置ずれを低減すること。
【解決手段】光変調器４００は、マッハツェンダ干渉部４４０を有する導波路型光素子４１０がパッケージ４２０に収納されており、マッハツェンダ干渉部４４０は、第１の方向性結合器４４５により分波を行い、第２の方向性結合器４４６により合波を行う。第１の方向性結合器４４５の一方のアームは第１の受光素子４５０Ａへの出射に使用されるモニタ用であり、同様に、第２の方向性結合器４４６の一方のアームは第２の受光素子４５０Ｂへの出射に使用されるモニタ用である。光変調器４００は、動作時には干渉光のモニタに使用する、予めパッケージ４２０に固定された第１及び第２の受光素子４５０Ａ、４５０Ｂを、導波路型素子４１０のパッケージ４２０への精確な搭載のために利用する。 （もっと読む）

【課題】光の吸収損や電気信号の導波損を低減し得る半導体光素子及びマッハツェンダー型光変調素子を提供する。
【解決手段】マッハツェンダー型光変調素子１Ａの位相制御部１０は、ｎ型下部クラッド層１３、コア層１４ａ及び１４ｂ、並びに上部クラッド層１５ａ及び１５ｂをそれぞれ含むメサ構造部１９ａ及び１９ｂを有する。メサ構造部１９ａの上部クラッド層１５ａは、コア層１４ａ上に配置された第一領域１５１ａと、第一領域１５１ａ上に並んで配置された第二領域１５２ａ及び第三領域１５３ａとを含む。メサ構造部１９ｂの上部クラッド層１５ｂは、コア層１４ｂ上に配置された第四領域１５１ｂと、第四領域１５１ｂ上に並んで配置された第五領域１５２ｂ及び第六領域１５３ｂとを含む。領域１５１ａ，１５２ａ，１５１ｂ，及び１５２ｂはｐ型半導体からなり、領域１５３ａ，１５３ｂはアンドープ半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光損失および駆動電圧を低減でき、かつ半導体レーザとの集積が容易な光変調器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の光変調器は、光を変調する変調領域と、該変調領域に隣接したパッシブ領域とを有し、該変調領域および該パッシブ領域には、半導体基板と、該半導体基板上のｎ型クラッド層と、該ｎ型クラッド層上のコア層と、該コア層上のｐ型クラッド層と、が形成され、該変調領域には、該ｐ型クラッド層と、該ｐ型クラッド層上のコンタクト層と、該コンタクト層上のＰ側電極と、が形成され、 該パッシブ領域において、該コア層と該ｐ型クラッド層との間にノンドープクラッド層が形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 素子特性の劣化を抑制可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】 マッハツェンダー型光変調素子１Ａは、光導波路１０，２０、入射側分波器３０及び出射側合波器４０を備える。光導波路１０、光導波路２０、入射側分波器３０及び出射側合波器４０の各々は、ｎ型半導体基板２上に順に積層された下部クラッド層、コア層、中間半導体層及び上部クラッド層を有する。光導波路１０の光導波領域１１，１３、光導波路２０の光導波領域２１，２３、入射側分波器３０及び出射側合波器４０の各上部クラッド層は、半絶縁半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】入射光を２つの偏波に分離して光回路に入射する光回路装置において、ＰＤＬ及び挿入損失を低減する。
【解決手段】光回路と、入射波から２つの偏波への分離、及び２つの偏波から出射波への合成を行う偏波分離合成器と、前記光回路及び前記偏波分離合成器の間を接続し、前記分離された２つの偏波が個々に入射される第１及び第２の光導波路と、
前記第１の光導波路に配置され、前記偏波分離合成器により分離された一方の偏波の偏波面を、前記分離されたもう一方の偏波の偏波面となるよう回転する偏波回転素子と、を平面基板上に集積したことを特徴とする光回路装置。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で信号光と同位相のモニタリングを行うことのできる光導波路デバイスおよび光導波路デバイス製造方法を得ること。
【解決手段】ＬＮチップ１１の出力側端面は、導波路１１ａにおける信号光の進行方向に対して傾斜した構成を有する。傾斜は、信号光の一部が上方向に反射するように形成する。加えて、出力側端面の上方に設けた補強部材３１＿２の上に受光素子４１を配置し、出力側端面で反射した信号光を受光する。かかる構造によって、受光素子４１が取り出すモニタ光と出力側端面から透過する信号光は同位相となり、モニタ光に基づいて制御を行うことでバイアスシフトの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＣとＥＯ材料基板上に形成された他の導波路型光素子とが付き合わせ接続されて構成された光素子チップをパッケージに収納する光変調器において、コンパクト化を図ること。
【解決手段】光変調器３００は、ＬＮ変調器３１０にＰＬＣ３２０が突き合わせ接続されたＰＬＣ−ＬＮ変調器３３０と、ＬＮ変調器３１０が固定された凸部３４０Ａを有するパッケージ３４０と、パッケージ３４０に固定されたレンズ３５０を介してＬＮ変調器３１０の入力ポート３１１と接続された入力ファイバ３６１と、ＰＬＣ３２０に接続されたファイバブロック３７０を介してＰＬＣ３２０の出力ポート３２１と接続された出力ファイバ３６２とを備える。ＬＮ変調器３１０には、レンズを介して入力ファイバ３６１と接続される入力ポート３１１と、入力された光信号を分岐する分岐回路３１２と、分岐された光信号を変調させる電圧を印加するための信号電極３１３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】レンズの焦点を任意の位置に調整可能な光学装置を提供する。
【解決手段】光学素子と、互いに非平行な２つの面を有し前記２つの面のうち一方の面で前記光学素子と接する透光性部材と、前記透光性部材の前記２つの面のうち他方の面と接し、前記透光性部材の前記２つの面を介して前記光学素子に光学的に結合されるレンズと、を備えた光学装置の製造方法であって、前記光学素子と前記透光性部材と前記レンズとを互いに接触させた状態で前記透光性部材を前記光学素子と前記レンズの両方に対して移動させることにより前記レンズと前記光学素子との距離を調整する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】小型で高性能な光変調器を提供する。
【解決手段】分極を反転しない領域と反転する領域を有する基板と、その側部に溝部が形成された第１及び第２の光導波路とを備えた光導波路を具備し、第１及び第２の光導波路を伝搬する光と、中心導体及び接地導体からなる進行波電極を伝搬する電気信号が相互作用する相互作用部が、互いに異なる方向に分極した第１及び第２の相互作用部を含み、中心導体は第１及び第２の相互作用部で第１もしくは第２の光導波路に対向し、第１及び第２の相互作用部で第１及び第２の光導波路を伝搬する光の位相を変調する光変調器であって、第１及び第２の相互作用部の間に光導波路シフト部を設け、第１及び第２の相互作用部にて、中心導体及び接地導体と、第１及び第２の光導波路の相対位置が入れ替わるようにし、相互作用部における中心導体は直線でなり、光導波路シフト部にて中心導体の下方以外に溝部が形成される。 （もっと読む）

【課題】導波路型光素子の一部がマウントの凸部に固定された光部品において、熱応力および機械的外力による光学特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】第２の導波路型光素子２０２には、互いに対向する第１及び第２の光素子支持台３０１、３０２がマウント２１０との間に間隙を設けて固定される。マウント２１０には、第１及び第２の押さえ支持台３１１、３１２が設けられ、これらも互いに対向している。第１及び第２の光素子支持台３０１、３０２の上に押さえ部材３１３が配置され、これは、第１及び第２の押さえ支持台３１１、３１２により、第１及び第２の光素子支持台３０１、３０２との間に間隙を設けて固定される。第２の導波路型光素子２０２並びに第１及び第２の光素子支持台３０１、３０２は、周囲の部材と固定されておらず、マウント２１０に平行な方向（図３の紙面に垂直な方向）に摺動可能である。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高品質なｎ−ｉ−ｎ構造の光変調器を提供すること。
【解決手段】光変調器３００は、サファイア基板３０１上に、低温成長ＧａＮバッファ層３０２、第１のｎ−ＧａＮ電極層３０３、第１のｉ−Ａｌ_xＧａ_1-xＮクラッド層３０４、ｉ−ＧａＮ光導波層３０５、第２のｉ−Ａｌ_x'Ｇａ_1-x'Ｎクラッド層３０６、ｉ−Ａｌ_x''Ｇａ_1-x''Ｎ電子ブロック層３０７、第２のｎ−ＧａＮ電極層３０８が順次積層されている。エッチングプロセスにより第１のｎ−ＧａＮ電極層３０３に至るまでエッチングを行い、ハイメサ導波路構造の光導波路３２０を作製している。光導波路３２０は、コア層である光導波層３０５を、屈折率の小さい第１のクラッド層３０４及び第２のクラッド層３０６で挟んで光閉じ込めを行うＡｌＧａＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＮ光導波路であり、当該光導波路に印加される電圧により光の位相変調が実現される。 （もっと読む）

【課題】ＭＺ型導波路の合波部における不要な高次モードの励起を抑制し、出力光の安定化を図ると共に、放射モード光を効率良く導出することが可能な光導波路素子を提供する。
【解決手段】基板にマッハツェンダー型導波路を形成した光導波路素子において、該マッハツェンダー型導波路の出射側の合波部１３に入力される２つの導波路１１，１２の傾きが０度であり、該合波部の合波後の導波路がマルチモード導波路であり、さらに、該合波部から出力される導波路が、出力主導波路１４とそれを挟む２本の出力副導波路１５，１６からなる３分岐導波路で構成される。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＣと他の導波路型光素子とが付き合わせ接続されて構成された光素子チップをパッケージに収納する光モジュールにおいて、熱応力による光学的・機械的信頼性の低下を抑制すること。
【解決手段】光モジュール３００は、ＧａＮ系光変調器３１１の両端に第１及び第２のＰＬＣ３１２、３１３が突き合わせ接続された光素子チップ３１０と、ＧａＮ系光変調器３１１が固定された凸部３２０Ａを有するパッケージ３２０とを備える。パッケージ３２０の材料を、熱膨張係数がＧａＮ系光変調器とＰＬＣの両方に合うように選択することが可能であり、そのような場合、ＧａＮ系光変調器３１１に加えて、第１及び第２のＰＬＣ３１２、３１３もパッケージ３２０の凸部３２０Ａに固定することができる。たとえば、パッケージ３２０の材料として、熱膨張係数が５．３×１０^-6／Ｋ程度のコバールを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ＭＺ光変調器を備えた光伝送装置であって、消光比が高く、かつ、チャープが少ない形で光を変調できる光伝送装置を提供する。
【解決手段】光伝送装置は、一方のアーム１１_１に、その光吸収係数が他の部分に比べて大きな、出力光の強度が最小となる電圧を各電極１５に印加した場合におけるアーム１１_１の伝搬損失とアーム１１_２の伝搬損失とが一致するように、その形状が定められた損失調整部１４が設けられている半導体ＭＺ光変調器１０と、半導体ＭＺ光変調器１０の各電極１５に、同時刻における時間変化率の正負が逆の，振幅が等しい変調電圧を印加する駆動回路１８とを、備える。 （もっと読む）

【課題】
モニタ光としてエバネセント波を利用する光導波路デバイス及びその製造方法において、製造工程を複雑化することなく、光導波路と受光素子との間隔を高精度に制御することが可能となる光導波路デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
光導波路２を形成した基板１と、該光導波路を跨ぐように配置される受光素子３とを有する光導波路デバイスにおいて、該基板上にスペーサ膜４が設けられ、該受光素子が該スペーサ膜に直接接合されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気通信システムなどで使用される光送信及び受信装置を提供する。
【解決手段】１つ又はそれよりも多くのレーザ４と、この１つ又はそれよりも多くのレーザ４の各々によって出力された放射線を強度変調する変調手段１０と、変調手段によって生成された変調放射線を例えば光ファイバ２２の中に出力するための出力手段とを含む送信装置２。装置は、使用時に１つ又はそれよりも多くのレーザ４から変調手段１０まで及び変調手段１０から出力手段まで放射線を案内する基板に形成された中空コア光導波路２０を含む。また、基板に形成された少なくとも１つの中空コア光導波路により、放射線が１つ又はそれよりも多くの光ファイバから１つ又はそれよりも多くの検出器まで案内されることを特徴とする受信器。組合せ受信器／送信器装置も示される。 （もっと読む）

【課題】小型で低損失な光導波路を含むリッジ光導波路を提供する。
【解決手段】基板上に形成された光導波路にして、前記光導波路の少なくとも一部に所定の曲率半径で変形した曲がり部を有し、前記曲がり部の両側に前記基板の一部が掘り下げられて形成された所定深さの溝部を有するリッジ光導波路であって、前記曲がり部の曲率の外側の一部には、前記溝部が形成され、前記曲がり部の曲率の外側において前記溝部が実質的に形成されている領域と前記溝部が実質的に形成されていない領域とを成しており、前記曲がり部の曲率の外側において前記溝部が実質的に形成されていない領域における前記曲がり部の曲率半径が、前記曲がり部の曲率の外側において前記溝部が形成されている領域における前記曲がり部の曲率半径よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 主信号が通る光導波路とオフ光導波路との結合効率低下を抑制しつつ、オフ光導波路の製造ばらつきが抑制されたマッハツェンダ型光変調器を提供する。
【解決手段】 マッハツェンダ型光変調器は、電気光学効果を有する基板を備え、基板は、入力導波路部と、入力導波路部から分岐して接続される２つの中間導波路部と、２つの中間導波路部が結合して接続される出力導波路部と、出力導波路部の少なくともいずれかの脇に出力導波路部と離間して設けられ、２つの中間導波路部が結合する結合部から放出されるオフ光をガイドする副光導波路部と、を備え、副光導波路部は、開始点において出力導波路部よりも広い幅を有する。 （もっと読む）

【課題】光導波路共振器又は共振器回路を製造する過程で、光導波路共振器又は共振器回路の共振特性を予測することを目的とする。
【解決手段】本願発明の光導波路共振器又は共振器回路の製造方法では、半導体で構成される光導波路共振器に前記半導体のバンドギャップに相当する波長よりも短い波長の光を照射し、前記光導波路共振器から発生するフォトルミネセンス光のスペクトラムから、前記半導体のバンドギャップに相当する波長以上の波長域での前記光導波路共振器の共振特性を予測する。 （もっと読む）