Fターム[2H147AB02]の内容
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Fターム[2H147AB02]に分類される特許
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光変調器
【課題】
電気光学効果を有し、厚みが10μm以下の薄板を利用した場合でも、薄板の反りや割れを抑制し、製品の歩留まりを改善した光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有し、厚みが10μm以下の薄板と、該薄板に形成された光導波路と、該光導波路内を伝搬する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、該薄板の該変調電極が形成されていない面が、接着層を介して、補強板に接着されており、該補強板の接着層側の表面には、該薄板の劈開面と交差する方向に溝が形成されていることを特徴とする。
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光変調器
【課題】マッハツェンダ干渉部を有する導波路型光素子をパッケージに収納した光変調器において、導波路型光素子の設計位置からの位置ずれを低減すること。
【解決手段】光変調器400は、マッハツェンダ干渉部440を有する導波路型光素子410がパッケージ420に収納されており、マッハツェンダ干渉部440は、第1の方向性結合器445により分波を行い、第2の方向性結合器446により合波を行う。第1の方向性結合器445の一方のアームは第1の受光素子450Aへの出射に使用されるモニタ用であり、同様に、第2の方向性結合器446の一方のアームは第2の受光素子450Bへの出射に使用されるモニタ用である。光変調器400は、動作時には干渉光のモニタに使用する、予めパッケージ420に固定された第1及び第2の受光素子450A、450Bを、導波路型素子410のパッケージ420への精確な搭載のために利用する。
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半導体光素子及びマッハツェンダー型光変調素子
【課題】光の吸収損や電気信号の導波損を低減し得る半導体光素子及びマッハツェンダー型光変調素子を提供する。
【解決手段】マッハツェンダー型光変調素子1Aの位相制御部10は、n型下部クラッド層13、コア層14a及び14b、並びに上部クラッド層15a及び15bをそれぞれ含むメサ構造部19a及び19bを有する。メサ構造部19aの上部クラッド層15aは、コア層14a上に配置された第一領域151aと、第一領域151a上に並んで配置された第二領域152a及び第三領域153aとを含む。メサ構造部19bの上部クラッド層15bは、コア層14b上に配置された第四領域151bと、第四領域151b上に並んで配置された第五領域152b及び第六領域153bとを含む。領域151a,152a,151b,及び152bはp型半導体からなり、領域153a,153bはアンドープ半導体からなる。
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光変調器とその製造方法
【課題】本発明は、光損失および駆動電圧を低減でき、かつ半導体レーザとの集積が容易な光変調器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の光変調器は、光を変調する変調領域と、該変調領域に隣接したパッシブ領域とを有し、該変調領域および該パッシブ領域には、半導体基板と、該半導体基板上のn型クラッド層と、該n型クラッド層上のコア層と、該コア層上のp型クラッド層と、が形成され、該変調領域には、該p型クラッド層と、該p型クラッド層上のコンタクト層と、該コンタクト層上のP側電極と、が形成され、 該パッシブ領域において、該コア層と該p型クラッド層との間にノンドープクラッド層が形成されたことを特徴とする。
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半導体光素子
【課題】 素子特性の劣化を抑制可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】 マッハツェンダー型光変調素子1Aは、光導波路10,20、入射側分波器30及び出射側合波器40を備える。光導波路10、光導波路20、入射側分波器30及び出射側合波器40の各々は、n型半導体基板2上に順に積層された下部クラッド層、コア層、中間半導体層及び上部クラッド層を有する。光導波路10の光導波領域11,13、光導波路20の光導波領域21,23、入射側分波器30及び出射側合波器40の各上部クラッド層は、半絶縁半導体からなる。
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光回路装置
【課題】入射光を2つの偏波に分離して光回路に入射する光回路装置において、PDL及び挿入損失を低減する。
【解決手段】光回路と、入射波から2つの偏波への分離、及び2つの偏波から出射波への合成を行う偏波分離合成器と、前記光回路及び前記偏波分離合成器の間を接続し、前記分離された2つの偏波が個々に入射される第1及び第2の光導波路と、
前記第1の光導波路に配置され、前記偏波分離合成器により分離された一方の偏波の偏波面を、前記分離されたもう一方の偏波の偏波面となるよう回転する偏波回転素子と、を平面基板上に集積したことを特徴とする光回路装置。
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光導波路デバイスおよび光導波路デバイス製造方法
【課題】簡易な構成で信号光と同位相のモニタリングを行うことのできる光導波路デバイスおよび光導波路デバイス製造方法を得ること。
【解決手段】LNチップ11の出力側端面は、導波路11aにおける信号光の進行方向に対して傾斜した構成を有する。傾斜は、信号光の一部が上方向に反射するように形成する。加えて、出力側端面の上方に設けた補強部材31_2の上に受光素子41を配置し、出力側端面で反射した信号光を受光する。かかる構造によって、受光素子41が取り出すモニタ光と出力側端面から透過する信号光は同位相となり、モニタ光に基づいて制御を行うことでバイアスシフトの発生を抑制することができる。
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光変調器
【課題】PLCとEO材料基板上に形成された他の導波路型光素子とが付き合わせ接続されて構成された光素子チップをパッケージに収納する光変調器において、コンパクト化を図ること。
【解決手段】光変調器300は、LN変調器310にPLC320が突き合わせ接続されたPLC−LN変調器330と、LN変調器310が固定された凸部340Aを有するパッケージ340と、パッケージ340に固定されたレンズ350を介してLN変調器310の入力ポート311と接続された入力ファイバ361と、PLC320に接続されたファイバブロック370を介してPLC320の出力ポート321と接続された出力ファイバ362とを備える。LN変調器310には、レンズを介して入力ファイバ361と接続される入力ポート311と、入力された光信号を分岐する分岐回路312と、分岐された光信号を変調させる電圧を印加するための信号電極313が形成されている。
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光学装置の製造方法及び光学装置
【課題】レンズの焦点を任意の位置に調整可能な光学装置を提供する。
【解決手段】光学素子と、互いに非平行な2つの面を有し前記2つの面のうち一方の面で前記光学素子と接する透光性部材と、前記透光性部材の前記2つの面のうち他方の面と接し、前記透光性部材の前記2つの面を介して前記光学素子に光学的に結合されるレンズと、を備えた光学装置の製造方法であって、前記光学素子と前記透光性部材と前記レンズとを互いに接触させた状態で前記透光性部材を前記光学素子と前記レンズの両方に対して移動させることにより前記レンズと前記光学素子との距離を調整する工程を含む。
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光変調器
【課題】小型で高性能な光変調器を提供する。
【解決手段】分極を反転しない領域と反転する領域を有する基板と、その側部に溝部が形成された第1及び第2の光導波路とを備えた光導波路を具備し、第1及び第2の光導波路を伝搬する光と、中心導体及び接地導体からなる進行波電極を伝搬する電気信号が相互作用する相互作用部が、互いに異なる方向に分極した第1及び第2の相互作用部を含み、中心導体は第1及び第2の相互作用部で第1もしくは第2の光導波路に対向し、第1及び第2の相互作用部で第1及び第2の光導波路を伝搬する光の位相を変調する光変調器であって、第1及び第2の相互作用部の間に光導波路シフト部を設け、第1及び第2の相互作用部にて、中心導体及び接地導体と、第1及び第2の光導波路の相対位置が入れ替わるようにし、相互作用部における中心導体は直線でなり、光導波路シフト部にて中心導体の下方以外に溝部が形成される。
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光部品
【課題】導波路型光素子の一部がマウントの凸部に固定された光部品において、熱応力および機械的外力による光学特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】第2の導波路型光素子202には、互いに対向する第1及び第2の光素子支持台301、302がマウント210との間に間隙を設けて固定される。マウント210には、第1及び第2の押さえ支持台311、312が設けられ、これらも互いに対向している。第1及び第2の光素子支持台301、302の上に押さえ部材313が配置され、これは、第1及び第2の押さえ支持台311、312により、第1及び第2の光素子支持台301、302との間に間隙を設けて固定される。第2の導波路型光素子202並びに第1及び第2の光素子支持台301、302は、周囲の部材と固定されておらず、マウント210に平行な方向(図3の紙面に垂直な方向)に摺動可能である。
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光変調器
【課題】従来よりも高品質なn−i−n構造の光変調器を提供すること。
【解決手段】光変調器300は、サファイア基板301上に、低温成長GaNバッファ層302、第1のn−GaN電極層303、第1のi−AlxGa1-xNクラッド層304、i−GaN光導波層305、第2のi−Alx'Ga1-x'Nクラッド層306、i−Alx''Ga1-x''N電子ブロック層307、第2のn−GaN電極層308が順次積層されている。エッチングプロセスにより第1のn−GaN電極層303に至るまでエッチングを行い、ハイメサ導波路構造の光導波路320を作製している。光導波路320は、コア層である光導波層305を、屈折率の小さい第1のクラッド層304及び第2のクラッド層306で挟んで光閉じ込めを行うAlGaN/GaN/AlGaN光導波路であり、当該光導波路に印加される電圧により光の位相変調が実現される。
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光導波路素子
【課題】MZ型導波路の合波部における不要な高次モードの励起を抑制し、出力光の安定化を図ると共に、放射モード光を効率良く導出することが可能な光導波路素子を提供する。
【解決手段】基板にマッハツェンダー型導波路を形成した光導波路素子において、該マッハツェンダー型導波路の出射側の合波部13に入力される2つの導波路11,12の傾きが0度であり、該合波部の合波後の導波路がマルチモード導波路であり、さらに、該合波部から出力される導波路が、出力主導波路14とそれを挟む2本の出力副導波路15,16からなる3分岐導波路で構成される。
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光部品
【課題】PLCと他の導波路型光素子とが付き合わせ接続されて構成された光素子チップをパッケージに収納する光モジュールにおいて、熱応力による光学的・機械的信頼性の低下を抑制すること。
【解決手段】光モジュール300は、GaN系光変調器311の両端に第1及び第2のPLC312、313が突き合わせ接続された光素子チップ310と、GaN系光変調器311が固定された凸部320Aを有するパッケージ320とを備える。パッケージ320の材料を、熱膨張係数がGaN系光変調器とPLCの両方に合うように選択することが可能であり、そのような場合、GaN系光変調器311に加えて、第1及び第2のPLC312、313もパッケージ320の凸部320Aに固定することができる。たとえば、パッケージ320の材料として、熱膨張係数が5.3×10-6/K程度のコバールを用いることができる。
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半導体マッハツェンダ型光変調器、光伝送装置、半導体マッハツェンダ型光変調器の製造方法及び半導体マッハツェンダ型光変調器の駆動方法
【課題】半導体MZ光変調器を備えた光伝送装置であって、消光比が高く、かつ、チャープが少ない形で光を変調できる光伝送装置を提供する。
【解決手段】光伝送装置は、一方のアーム111に、その光吸収係数が他の部分に比べて大きな、出力光の強度が最小となる電圧を各電極15に印加した場合におけるアーム111の伝搬損失とアーム112の伝搬損失とが一致するように、その形状が定められた損失調整部14が設けられている半導体MZ光変調器10と、半導体MZ光変調器10の各電極15に、同時刻における時間変化率の正負が逆の,振幅が等しい変調電圧を印加する駆動回路18とを、備える。
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光導波路デバイス及びその製造方法
【課題】
モニタ光としてエバネセント波を利用する光導波路デバイス及びその製造方法において、製造工程を複雑化することなく、光導波路と受光素子との間隔を高精度に制御することが可能となる光導波路デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
光導波路2を形成した基板1と、該光導波路を跨ぐように配置される受光素子3とを有する光導波路デバイスにおいて、該基板上にスペーサ膜4が設けられ、該受光素子が該スペーサ膜に直接接合されていることを特徴とする。
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中空導波路を組み込むモノリシック光送信及び受信装置
【課題】電気通信システムなどで使用される光送信及び受信装置を提供する。
【解決手段】1つ又はそれよりも多くのレーザ4と、この1つ又はそれよりも多くのレーザ4の各々によって出力された放射線を強度変調する変調手段10と、変調手段によって生成された変調放射線を例えば光ファイバ22の中に出力するための出力手段とを含む送信装置2。装置は、使用時に1つ又はそれよりも多くのレーザ4から変調手段10まで及び変調手段10から出力手段まで放射線を案内する基板に形成された中空コア光導波路20を含む。また、基板に形成された少なくとも1つの中空コア光導波路により、放射線が1つ又はそれよりも多くの光ファイバから1つ又はそれよりも多くの検出器まで案内されることを特徴とする受信器。組合せ受信器/送信器装置も示される。
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リッジ光導波路とそれを用いた光変調器
【課題】小型で低損失な光導波路を含むリッジ光導波路を提供する。
【解決手段】基板上に形成された光導波路にして、前記光導波路の少なくとも一部に所定の曲率半径で変形した曲がり部を有し、前記曲がり部の両側に前記基板の一部が掘り下げられて形成された所定深さの溝部を有するリッジ光導波路であって、前記曲がり部の曲率の外側の一部には、前記溝部が形成され、前記曲がり部の曲率の外側において前記溝部が実質的に形成されている領域と前記溝部が実質的に形成されていない領域とを成しており、前記曲がり部の曲率の外側において前記溝部が実質的に形成されていない領域における前記曲がり部の曲率半径が、前記曲がり部の曲率の外側において前記溝部が形成されている領域における前記曲がり部の曲率半径よりも大きい。
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マッハツェンダ型光変調器
【課題】 主信号が通る光導波路とオフ光導波路との結合効率低下を抑制しつつ、オフ光導波路の製造ばらつきが抑制されたマッハツェンダ型光変調器を提供する。
【解決手段】 マッハツェンダ型光変調器は、電気光学効果を有する基板を備え、基板は、入力導波路部と、入力導波路部から分岐して接続される2つの中間導波路部と、2つの中間導波路部が結合して接続される出力導波路部と、出力導波路部の少なくともいずれかの脇に出力導波路部と離間して設けられ、2つの中間導波路部が結合する結合部から放出されるオフ光をガイドする副光導波路部と、を備え、副光導波路部は、開始点において出力導波路部よりも広い幅を有する。
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光導波路共振器の製造方法及び共振器回路の製造方法
【課題】光導波路共振器又は共振器回路を製造する過程で、光導波路共振器又は共振器回路の共振特性を予測することを目的とする。
【解決手段】本願発明の光導波路共振器又は共振器回路の製造方法では、半導体で構成される光導波路共振器に前記半導体のバンドギャップに相当する波長よりも短い波長の光を照射し、前記光導波路共振器から発生するフォトルミネセンス光のスペクトラムから、前記半導体のバンドギャップに相当する波長以上の波長域での前記光導波路共振器の共振特性を予測する。
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