【課題】屈折率が異なる第１の平面光波回路と第２の平面光波回路とが、それぞれの平面光波回路に形成された複数の光導波路同士を光結合するように端面で突き合わせ接続された光部品において、使用環境の温度変化に対して安定な光部品を提供すること。
【解決手段】光部品５００は、第１の屈折率ｎ₁を有する第１の平面光波回路５０１と、第１の屈折率ｎ₁と異なる第２の屈折率ｎ₂を有する第２の平面光波回路５０２とが光軸方向に対して直角な端面で突き合わせ接続されている。第１及び第２の平面光波回路５０１、５０２には、それぞれ第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の光導波路が形成されている。第１の平面光波回路５０１の第ｉ（ｉは１以上ｎ以下の整数）の光導波路と第２の平面光波回路５０２の第ｉの光導波路の位置が接続界面において一致するように調心して接続する。この際、第１の平面光波回路５０１の第ｉの光導波路が界面の法線となす角度φ_iがスネルの法則を満足する範囲でｉ毎に異なるようにする。 （もっと読む）

【課題】伝送されている光信号波長、各光信号の光パワー、およびＯＳＮＲを精度良く測定することが可能な光パフォーマンスモニタを提供する。
【解決手段】導波路型分光器２と、導波路型分光器２から出射され第１レンズ３を透過した光をＸ偏光とＹ偏光に分離して第２レンズ７に出射する偏光分離素子６と、導波路型分光器２と偏光分離素子６との間に設けられ、その一方の複屈折軸方向の偏光成分とそれと直交する他方の偏光成分との位相差を調整することでＸ偏光とＹ偏光の光パワー比を調節する可変リターダ４と、第２レンズ７から出射されたＸ偏光とＹ偏光のどちらか一方の偏光のみを空間的に９０度回転させる１／２波長板８と、１／２波長板８からの一方の偏光と第２レンズ７からの他方の偏光とを第２レンズ７に反射する光位相変調器９と、第２レンズ７で集光された両偏光の干渉縞を検出する受光素子アレイ１０と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】
光導波路が集積された場合でも不要光を効率良く基板外又は光導波路全体の外側に導出することが可能な光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
基板１に光導波路２が、高屈折率物質を熱拡散することにより形成され、該光導波路は、信号光を伝播する主導波路２６と、該主導波路から不要光を除去する不要光用導波路（３４〜３６、６１〜６３）とから構成される光導波路素子において、該不要光用導波路は、該主導波路を伝播する高次モード光を、該不要光として、該主導波路から除去し、該基板外又は該光導波路全体の外側に導出するように配置されると共に、該不要光用導波路と該主導波路とが交差する交差部では、該不要光用導波路（３５〜３６、６２〜６３）は、該主導波路を挟んで分断されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一方の光回路要素から他方の光回路要素への位置合わせを容易にする。
【解決手段】第１主光導波路１８に設けられた第１光回路要素２０と、第１主光導波路の一端に接続され、第１主光導波路を伝搬する光を第１副光導波路２４及び第２副光導波路２６に等分配する第１光カプラ２２と、第１副光導波路及び第２副光導波路の間に設けられた第１戻し構造部とを含む第１サブ光回路１６、及び、第２主光導波路３２に設けられた第２光回路要素３４と、第２主光導波路の一端に接続され、第３副光導波路３８及び第４副光導波路４０を伝搬する光を合成して第２主光導波路に送る第２光カプラ３６と、第３副光導波路及び第４副光導波路の間に設けられた第２戻し構造部とを含む第２サブ光回路３０、を備え、第１戻し構造部及び第２戻し構造部が近接配置されて、光結合部Ｃとして機能する。 （もっと読む）

【課題】データ処理装置において、チップ間やボード間で送受信される高速光信号を伝送する際に、光インターコネクトモジュールおよび、それを用いてボード上にて光及び電気の信号処理を、低損失且つ高速に行う光電気ハイブリッド混載ボードを提供すること。
【解決手段】レーザ光源素子１０１から発光された後、変調器素子部１０２内を伝播し光路変換構造によって基板垂直方向に折り曲げられた光信号と、半導体基板外部から入射され、半導体同一基板上に設けられた受光素子部１０３との間でやりとりされる光信号が、それぞれ半導体基板１００内を介して、半導体基板外部との間で基板垂直方向に光学接続される構造の光インターコネクトモジュールとする。 （もっと読む）

【課題】時間軸上の隣り合うビットに対応する各光パルス間で偏波を直交させる光変調器を小型化する。
【解決手段】第１の導波路が出射端面に対して斜めに形成され、第２の導波路が第１の導波路と出射端面の双方に対して斜めに形成された光導波路素子と、第１，第２の導波路から出射された第１，第２変調光の光路を互いに平行にするレンズと、第１，第２変調光の少なくとも一方に位相遅延を付与する位相遅延素子と、第１，第２変調光の少なくとも一方の偏波を回転させて当該２つの変調光間で偏波を直交させる偏波回転部と、偏波が直交した第１，第２変調光を偏波合成する偏波合成素子と、を備え、位相遅延素子の光伝搬方向の厚さは、位相遅延素子による位相差と偏波合成素子による位相差とによって第１，第２変調光の各光パルスがビットインターリーブされる厚さに設定されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＺ型導波路の合波部から放出される主出力光とモニタ光（放射モード光）との光強度変化が相補的関係となるように設定することが可能な光導波路素子を提供する。
【解決手段】基板に少なくとも１つのマッハツェンダー型導波路が形成され、該マッハツェンダー型導波路の出射側の合波部２０には、２本の分岐導波路２２，２３が導入されると共に、出力主導波路２４と該出力主導波路を挟む２本の出力副導波路２５，２６とが導出されるように構成された光導波路素子において、該分岐導波路２２，２３はシングルモード導波路で構成され、該合波部２０の導波路はマルチモード導波路で構成され、該マルチモード導波路の幅Ｗ２は、該シングルモード導波路の幅Ｗ１，Ｗ３よりも広く、かつ、該シングルモード導波路の幅の２倍の幅よりも狭く構成されている。 （もっと読む）

【課題】複数の共振波長を有する光デバイスを提供する。
【解決手段】本明細書に開示する光デバイス１０は、光を伝搬するコア層１２を有し、コア層１２を伝搬する光を共振させる共振部１４と、コア層１２に沿って幅が変化しながら延びる共振波長変調層１６と、を備える。共振部１４は、コア層１２における長手方向の両側部に設けられた回折格子１３か、又は、コア層１２を伝搬する光と結合可能に配置された複数のリング型光導波路１７を有する。共振波長変調層１６は、コア層１２の光の伝搬方向における共振波長を変化させる。 （もっと読む）

【課題】
光ファイバの波長分散を補償可能であり、数１０Ｇｂｐｓを超える高速伝送にも適用可能な光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で構成される基板１と、該基板に形成された光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極３とを有する光変調器において、該光導波路から出射する出射光Ｌ２を光ファイバで導波し、該光ファイバの波長分散特性と逆の特性の波形歪を有するように、該光導波路に沿って該基板を所定のパターンで分極反転１０させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
光変調器の出力光とモニタ光との位相差が補償可能であり、かつ簡単な構成で小型化可能な構成を有する光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路（２１〜２４）を含む光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極と、該光導波路からの出射光を導波する光ファイバ４と、該基板の端部に該光ファイバと接続するための補強用キャピラリ３とを有する光変調器において、該マッハツェンダー型光導波路から放出される２つの放射光（Ｒ１，Ｒ２）を、１つの受光素子５に向けて反射する反射手段（３１，３２）を該補強用キャピラリに設け、該反射手段で反射された２つの放射光が互いに交差するように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
光変調器の出力光とモニタ光との位相差が補償可能であり、かつ簡単な構成で小型化可能な構成を有する光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路（２１〜２４）を含む光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極と、該光導波路からの出射光を導波する光ファイバ４ととを有する光変調器において、該マッハツェンダー型光導波路から放出される２つの放射光（Ｒ１，Ｒ２）を１つの受光素子５に向けて集光する集光手段（３１，３２）と、該受光素子５が受光する該２つの放射光の光量比を調整する光量比調整手段とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】モジュール全体を小型化するために最適化された、それぞれ複数の光導波路を有し、異なる熱膨張係数を有する導波路型光素子が突き合わせ接続された光部品において、温度変化による接続損失を抑制する。
【解決手段】ＰＬＣ等の第１の導波路型光素子４１０と、ＬＮ導波路等の第２の導波路型光素子４２０とが突き合わせ接続され、それぞれの導波路型光素子４１０，４２０とは異なる熱膨張係数を有する材料で形成されている。室温ではない基準温度において、より好ましくは、予め定めた温度範囲の中心温度付近において、第１の導波路型光素子４１０の複数の光導波路４１１、４１２と第２の導波路型光素子４２０の複数の光導波路４２１、４２２との調心を行い位置を一致させる。 （もっと読む）

【課題】高周波電気信号のクロストークを小さくした光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と、基板に形成された光を導波するためのマッハツェンダ光導波路を含んでなる光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光を変調する高周波電気信号を印加するための高周波電気信号用として複数の中心導体及び複数の接地導体からなる進行波電極を具備する光変調器において、複数の中心導体のうちの隣接する中心導体に挟まれた接地導体の高さが等価的に高くなるように、前記接地導体の上面に導体が立設されている。 （もっと読む）

【課題】 リブ型光導波路デバイス及びその製造方法に関し、光導波路における光閉じ込め効果を減少させることなく、単結晶コアの側面ラフネスを低減する。
【解決手段】 ＳｉＯ_２からなる下部クラッド層と、前記下部クラッド上に設けられたＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（但し、０≦ｘ≦０．３）からなる単結晶コアと、前記単結晶コアの側面に拡散防止膜を介して設けられた屈折率緩和層と、前記単結晶コアの上面と前記拡散防止膜及び屈折率緩和層の露出面を覆うＳｉＯ_２からなる下部クラッド層とを有する光導波路を備え、前記屈折率緩和層の屈折率を、前記単結晶コアの屈折率より小さく且つ前記上部クラッド層の屈折率より大きくする。 （もっと読む）

【課題】ＲＦ駆動電圧とともにＤＣバイアス電圧が小さい光変調器を提供する。
【解決手段】基板と、基板に形成された光導波路と、高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の中心電極及び接地電極を有する進行波電極と、バイアス電圧を印加するバイアス電極とを有し、光導波路には高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部とを具備し、高周波電気信号用相互作用部とＤＣバイアス用相互作用部の両方において光導波路に沿って基板の一部を掘り下げて形成された凹部によりリッジ部をなす光変調器において、高周波電気信号用相互作用部におけるリッジ部の高さとＤＣバイアス用相互作用部におけるリッジ部の高さとが異ならしめて形成され、ＤＣバイアス用相互作用部におけるリッジ部の高さが、高周波電気信号用相互作用部におけるリッジ部の高さよりも低く成る。 （もっと読む）

【課題】光の挿入損失について改善された光デバイスを提供する。
【解決手段】基板と、基板に形成された光を導波するための光導波路と、光導波路の両側に基板の一部が掘り下げられて形成された所定深さの凹部が形成されてリッジ部を成す光デバイスにおいて、凹部の所定深さが、当該凹部の端に向かって徐々に浅くなって形成され、光が当該凹部の端の方向に導波するにしたがって導波する光のスポットサイズが徐々に大きくなる。これにより、リッジ部と当該リッジ部と連続して形成されるプレーナ部との境界部における光の結合損失を低減する。 （もっと読む）

【課題】小型光変調器及びそれを含む光送信器を提供する。
【解決手段】光変調器は、変調されていない入力光信号を受信して、第１光信号と第２光信号とに分けて光導波路の第１及び第２経路にそれぞれ伝送する光入出力部と、第１及び第２経路のうち少なくとも１つに位置して、電気信号によって、第１経路に伝送される第１光信号及び第２経路に伝送される第２光信号のうち少なくとも１つの位相を変調して位相変調信号を出力する位相遷移器と、第１経路に伝送された信号及び第２経路に伝送された信号をそれぞれ同じ経路に反射させる反射型グレーティングカプラと、を含み、安定性の確保及び小型化が可能な効果がある。 （もっと読む）

【課題】出力信号光とモニタ光との位相関係のずれであるバイアスシフトを抑制させる。
【解決手段】電気光学効果を有する基板９１と、基板９１の表層部に形成され、入力光を変調する干渉型光変調器を構成する変調用光導波路７と、基板９１の表層部に形成され、変調用光導波路７の下流側箇所を分岐して接続される出力光導波路５および変調用光導波路７での光変調動作をモニタするための光を導波するモニタ用光導波路６′と、をそなえ、反射部における反射面１３の幅と、モニタ用光導波路６′による光伝搬方向についての切り出し幅とを実質的に同等とする。 （もっと読む）

【課題】 導波路型光保護素子及び導波路型光保護回路に関し、導波路自体の屈折率変化の光強度依存性を用いることなく、簡単且つ小型の構成で高感度な光保護機能を実現する。
【解決手段】 入力導波路と、相変化材料膜が積層された導波路と、出力導波路とを直列に接続し、前記相変化材料膜の一部が結晶相とし、残りをアモルファス相とする。 （もっと読む）

【課題】メサ部上の樹脂領域の開口が狭い場合であっても、ＡｕＺｎ膜を含む金属膜をメサ部上に容易に形成することが可能な半導体光変調素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】メサ部３２を保護膜２２によって覆う第１の絶縁膜形成工程と、メサ部３２を樹脂領域２０によって埋め込むとともに、メサ部３２上の該樹脂領域２０の部分に開口２０ｃを形成する工程と、開口２０ｃにおいて露出した保護膜２２、及び樹脂領域２０を保護膜２４によって覆う第２の絶縁膜形成工程と、メサ部３２上の保護膜２２，２４の部分に開口を形成する工程と、Ｔｉ膜を含む金属膜２６ａを、該Ｔｉ膜と保護膜２４とが互いに接触するように開口２０ｃ内を除く樹脂領域２０上に形成する工程と、Ａｕ膜を含む金属膜２６ｂを、該Ａｕ膜とメサ部３２とが互いに接触するようにメサ部３２上から金属膜２６ａ上に亘って形成する工程とを含む。 （もっと読む）