【課題】半導体光素子の消費電力または素子長を小さくする。
【解決手段】第１クラッド層４と、第２クラッド層６と、第１クラッド層４と第２クラッド層６に挟まれた光導波層８とを有し、光導波層８は、第１半導体層１０と、第１半導体層１０上に設けられ一方向に延在する第２半導体層１２とを有し、第１半導体層１０は、第２半導体層１２の片側に設けられたｎ型領域１４と、第２半導体層の反対側に設けられたｐ型領域１６と、ｎ型領域１４とｐ型領域１６の間に設けられたｉ型領域１８とを有し、第２半導体層１２は、第１半導体層１０より狭いバンドギャップを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板のＳｉ面とを接合させる構造において、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板とに剥がれが生じることを抑制すること。
【解決手段】本発明は、ＧａＡｓ基板３２の主面上に形成された光を発振する活性層３８を含む積層半導体層４６のうちの最表面の層である、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓからなるコンタクト層４４の表面に、ＩｎＡｓの複数の量子ドットからなる接合層２２を形成する工程と、コンタクト層４４の表面を、接合層２２を介して、基板１０に含まれるＳｉ薄膜層１６のＳｉ面に接合させる工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】サブバンド間遷移素子とシリコン細線によるハイブリット集積化において、シリコン細線との結合効率の向上、及び光路長増大による位相変調効果の増大を実現させ、光ゲートスイッチのＳＮ比改善と低エネルギー動作化等の高性能化を実現する。
【解決手段】ＩｎＧａＡｓやＡｌＡｓＳｂなどの量子井戸構造を形成可能な半導体材料を用い、その量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって引き起こされる位相変調効果を有するサブバンド間遷移導波路に、ＴＥ光信号に対する反射構造（Ｒ１）を設けてサブバンド間遷移スイッチ導波路１０を構成する。導波路端面（Ｐ１）から入力された信号光５は、導波路で位相変調効果を受け、光導波路に設けた反射構造（Ｒ１）にて反射され、再び、導波路内で位相変調効果を受けて、導波路端面（Ｐ１）から出力されるので、シリコン細線導波路との入出力端の同一化および光路長増大を実現できる。 （もっと読む）

【課題】集積化が容易な光分散補償器を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態による導波路型光分散補償器（１００）は、入力導波路（１０１ａ）と、入力導波路と接続された第１のスラブ導波路（１０２）と、第１のスラブ導波路と接続された第１のアレイ導波路（１０３）と、第１のアレイ導波路と接続された第２のスラブ導波路（１０４）と、第２のスラブ導波路と接続された第２のアレイ導波路（１０６）と、第２のアレイ導波路と接続された反射器（１０７）と、第１のスラブ導波路と接続された出力導波路（１０１ｂ）とを備える。また、第２のスラブ導波路（１０４）は、入力導波路から入射した光のスペクトル面（１０８）と反射器から反射した光のスペクトル面（１０８）が一致するように形成された空間位相変調器（１０５）を備える。光分散補償器は、入力導波路から入射した光の分散が補償された光が出力導波路から出射されるように構成される。 （もっと読む）

【課題】 大型化を抑制しつつ、分岐比の劣化を抑制することができる、光導波路、光変調器、および、光カプラを提供する。
【解決手段】 光導波路は、基板に形成され、曲がり導波路と、前記曲がり導波路に接続されて分岐する分岐部と、を備え、前記曲がり導波路の前記分岐部と反対側の始点から前記分岐部に至るまでの導波路において、前記曲がり導波路の始点の実効屈折率よりも低い実効屈折率を有する低屈折率部が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】モードフィールドが大きく異なる異種光導波路を接続する際に、従来のテーパ構造の光導波路と比べて効率的な光の接合を可能とする光導波路を提供することにある。
【解決手段】構造の異なる２つの導波路４１，４２が所定の長さＬ_taperを有する不連続テーパ構造接合部本体５０を介して接し、一方の導波路４１を導波する光の横方向の広がりが、他方の導波路４２を導波する光の横方向の広がりよりも広い光導波路において、不連続テーパ構造接合部本体５０の幅が前記一方の導波路４１と接する一方の端部５１から他方の導波路４２と接する他方の端部５２に向けて徐々に狭くなり、不連続テーパ構造接合部本体５０における一方の端部５１の幅Ｗ_taperを一方の導波路４１の幅Ｗ_ridgeよりも広くした。 （もっと読む）

【課題】有機導波路を作製する際に高温・高圧印加下で作製せざるを得ないプロセスの困難性と、配向緩和によるＥＯ効果消失の問題とを同時に解決すること。
【解決手段】電気光学効果を呈する有機材料が添加されたポリマーを硬化して構成される長尺状のコアと、前記コアの周囲に積層されたクラッドとを備えた有機導波路であって、前記有機導波路は、前記コアが硬化した後に当該コアの長手方向に延伸されていることを特徴とする有機導波路。好ましくは、前記ポリマーは、熱硬化特性またはＵＶ硬化特性を有する樹脂である。また、入力光を２つの分岐部分で分波し、一方の光波にのみ位相シフトを与え、位相シフトを与えない他方の光波と合波させ、入力光に変調が加わった出力光を得るマッハツェンダ変調器において、前記２つの分岐部分のうち、位相シフトを与えるコアとして上記有機導波路を使用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】埋め込み素子の導波路とハイメサリッジ素子の導波路がずれるのを防ぐ。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に半導体積層構造３０と半導体積層構造３２を横並びに形成する。半導体積層構造３０，３２上にｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６を形成する。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６をパターニングして、半導体積層構造３０上のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６を除去する。半導体積層構造３０をエッチングして導波路リッジ４０を形成し、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６及び半導体積層構造３２をエッチングしてハイメサリッジ４２を形成する。導波路リッジ４０の両サイドを埋め込み層４４，４６，４８で埋め込む。導波路リッジ４０及びその近傍の埋め込み層上にｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層５２を形成する。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６，５２をマスクとして埋め込み層をエッチングして埋め込み素子とハイメサリッジ素子とを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体光装置において温度が変化しても出力光の変動を抑制する。
【解決手段】半導体光装置１は、半導体光増幅器２と光波長選択素子３とを有し、光波長選択素子３は第１の光導波路２１と、第１の光導波路２１の結合導波路３２に光学的に結合されるリング共振器２２を有する。さらに、リング共振器２２と光学的に結合される結合導波路４１を含む第２の光導波路２３が設けられており、第２の光導波路２３には、波長選択反射鏡２４が形成されている。波長選択反射鏡２４は、垂直回折格子２５からなり、リング共振器２２で選択された共振モードのピークのうち、１つの共振モードのピークの波長を有する光を反射する。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＣに一体集積された光モジュールの受光面に入射するビーム位置を調整可能にするＰＬＣおよび当該ＰＬＣを用いた受光デバイスを提供する。
【解決手段】ＰＬＣは、光が入力される入力導波路３０４と、光を分岐する方向性結合器３０６と、分岐された光が透過する導波路アーム３０８，３１０と、導波路アームを透過した光を合波する方向性結合器および出力導波路３１２，３１４とを有し、導波路アームに紫外線を照射するか薄膜ヒータによる熱により出力端面から出力される光の位置を可変とした。 （もっと読む）

【課題】製造誤差が少なく、温度変化の影響を受けにくい狭帯域フィルタを提供する。
【解決手段】光を分岐、結合する第１の側と第２の側に各々２つの入出力ポートを有する第１のカプラ、第２のカプラ、第３のカプラを有し、第１のカプラの第２の側の一方の入出力ポートと第２のカプラの第１の側の一方の入出力ポートとは第１の導波路により接続され、第１のカプラの第２の側の他方の入出力ポートと第３のカプラの第１の側の一方の入出力ポートとは第２の導波路により接続され、第２のカプラの第２の側の２つの入出力ポートは第３の導波路により接続され、第３のカプラの第２の側の２つの入出力ポートは第４の導波路により接続されている。第３の導波路には所定の波長を１８０°シフトさせる共振器が近接して配置されており、第４の導波路には所定の波長を１８０°シフトさせる共振器が近接して配置されていない狭帯域反射フィルタにより解決する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上の導波路型光デバイスのコアに蓄積されるキャリア濃度を高くして、その変調効率を高くする。
【解決手段】絶縁性の第１のクラッド層４と、前記第１のクラッド層４の一面に設けられた半導体の光導波層６と、前記光導波層６を覆う絶縁性の第２のクラッド層８とを有し、前記光導波層６は、一方向に延在するコア１４と、前記コア１４の一方の側面に接し前記コア１４より薄い第１のスラブ部１８と、前記コア１４の他方の側面に接し前記コア１４より薄い第２のスラブ部２２とを有し、前記第１のスラブ部１８は、前記コア１４に沿うｎ型領域１６を有し、前記第２のスラブ部２２は、前記コア１４に沿うｐ型領域２０を有し、前記ｎ型領域１６と前記ｐ型領域２０の間の領域には、バンドギャップが前記ｎ型領域１６及び前記ｐ型領域２０より狭くなるように、ｎ型不純物及びｐ型不純物がドーピングされている。 （もっと読む）

【課題】容易かつ精度の高い微細加工が可能である光導波路素子の製造方法を提供する。
【解決手段】先端１２ｃを有するテーパ部１２を有するコア４を備えた光導波路素子を製造する方法であって、コア４の材料からなるコア層１４を形成するコア層形成工程と、コア層１４に接する補助層１８を形成する補助層形成工程と、コア層１４にテーパ部１２を形成しコア４を得るテーパ部形成工程とを含む。コア層形成工程は、テーパ部１２の先端１２ｃを含む第１側面領域１６ａを形成する工程である。補助層形成工程は、第１側面領域１６ａに接して、コア４とは異なる材料からなる補助層１８を形成する工程である。テーパ部形成工程は、コア層１４に対し、補助層１８と同時にエッチングを施すことによって、テーパ部１２の先端１２ｃを含む第２側面領域１２ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】光の伝播損失が少なく、バラツキの少ない導波路型共振器デバイスを提供する。
【解決手段】光入力端及び光出力端を有し、前記光入力端より入射した光を伝播させる光導波路と、前記光導波路に近接して配置された所定の周波数で共振する共振器と、を有し、前記光導波路及び前記共振器は、単結晶のシリコン層により形成されるものであって、前記共振器は前記シリコン層の一部によりコアが形成されるＰＩＮ接合構造を有し、前記共振器は、直線部分と角部分を有する略多角形状で形成されており、前記共振器は、前記角部分のいずれか１つにおいて前記光導波路と最も近接して配置されており、前記直線部分は、前記シリコン層における［１ ０ ０］方向、［０ １ ０］方向、［０ ０ １］方向、［１ １ ０］方向、［１ ０ １］方向、［０ １ １］方向のいずれかに沿って形成されていることを特徴とする導波路型共振器デバイスにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】コストの上昇や特性の低下を招くことなく、実装が容易な状態で、ＬＳＩのチップ間やチップ内の信号伝送を、光配線で行えるようにする。
【解決手段】素子形成領域１２２のシリコン上にエピタキシャル成長により形成した半導体層を光吸収層として備えて素子形成領域１２２に形成された光素子１２３と、光導波領域１２１に形成された溝部１０１ａと、溝部１０１ａに充填されて形成された下部クラッド層１０２と、下部クラッド層１０２の上に形成されて光素子１２３に光接続するコア１０３と、コア１０３の上に形成された上部クラッド層１０４と、コア１０３よりなる光導波路の光導波方向に垂直な方向の素子形成領域１２２の側部の基板１０１上に形成されて、光素子１２３に電極引き出し部１０５を介して接続する電極パッド部１０６とを備える。 （もっと読む）

【課題】低消費電力である可変光減衰器、ならびに温度に依存した波長シフトが生じないDPSK受信回路となる、位相制御回路およびこの位相制御回路を用いた光干渉回路を提供する。
【解決手段】基板上における、２つのモード変換器と、これらを連結する複数の光導波路とからなる位相制御回路であって、複数の光導波路の間または外側に、ある材料を充填した溝を、複数の光導波路の上方および、または複数の光導波路の間の上方に薄膜ヒータを有する。熱光学定数の絶対値が光導波路の熱光学定数の絶対値より大きい、溝に充填された材料および、または光導波路の周囲の材料を用いることにより、低消費電力である可変光減衰器を実現する位相制御回路を提供する。さらに、上記の位相制御回路および、同様の構造であるが、溝を有さない位相制御回路、ヒータを有さない位相制御回路を複数適宜組み合わせることにより、温度に依存した波長シフトが生じないDPSK受信回路や波長合分波フィルタなどの光干渉回路を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体ＭＺＭ位相光変調器においても、環境温度の変化に対して、同一変調電圧での駆動を可能とし、ペルチェ素子等を用いた温度調整機構を省略し、消費電力を低減することができる光送信機を提供する。
【解決手段】ｎｐｉｎ構造を有する変調領域を有する半導体ＭＺ変調器１と、前記半導体ＭＺ変調器１の温度を監視する温度センサ４３と、前記半導体ＭＺ変調器１の変調電極にバイアス電圧を印加するバイアス回路４１とを備え、前記バイアス回路４１は、前記温度センサ４３からの入力が変化すると、前記バイアス電圧を変化させて変調振幅電圧を一定として前記半導体ＭＺ変調器１を駆動する。 （もっと読む）

【課題】長波長用の可変光モジュールに用いることができる電気光学特性に優れた光学素子を提供する。
【解決手段】シリコンを含有する単結晶基板１１０と、単結晶基板１１０上にエピタキシャル成長により形成された第１の電極１３０と、第１の電極１３０上にエピタキシャル成長により形成された電気光学効果を有する電気光学膜１６０と、電気光学膜１６０上に形成された第２の電極１８０とを備え、第１及び第２の電極１３０及び１８０は、電気光学膜１６０の膜厚方向に電圧を印加するためのものであり、電気光学膜１６０は、単一配向を有しない結晶化膜である光学素子。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減できる光変調器を得る。
【解決手段】マッハツェンダ型光変調器３は、入力光の強度又は位相を変調させる。マッハツェンダ型光変調器３の出力に出力光導波路４が接続されている。マッハツェンダ型光変調器３から出力された変調光は出力光導波路４を伝播する。出力光導波路４に近接して受光部５，６が配置されている。受光部５，６は、出力光導波路４からの漏洩光を検知する。これらのマッハツェンダ型光変調器３、出力光導波路４、及び受光部５，６は、１つのｎ型ＩｎＰ基板１上にモノリシックに集積されている。 （もっと読む）

【課題】
特別な製造工程を用いることなく、光導波路自体に偏光子作用を安定的に付加することが可能な導波路型偏光子を提供すること。
【解決手段】
Ｚカット型のニオブ酸リチウム基板１と、該基板上にリッジ構造の光導波路が形成された導波路型偏光子において、該リッジ構造の幅は、該光導波路を伝播する光波の常光の光分布が変化するリッジ幅であり、かつ、該光波の異常光の光分布が変化しないリッジ幅であり、該リッジ構造の角度は９０°よりも小さく、該リッジ構造の側面に、膜厚が０≦ｎ・ｔ／λ≦０．３７４２の条件（ただし、ｎは屈折率，ｔは膜厚，λは光波の波長であり、膜厚、波長の単位はμｍである。）を満足する低屈折率膜３が形成され、該低屈折率膜の上に、膜厚が０．０８９≦ｎ・ｔ／λの条件を満足する高屈折率膜４が形成されて、異常光透過偏光子機能を有することを特徴とする。 （もっと読む）