光導波路素子の製造方法
【課題】容易かつ精度の高い微細加工が可能である光導波路素子の製造方法を提供する。
【解決手段】先端12cを有するテーパ部12を有するコア4を備えた光導波路素子を製造する方法であって、コア4の材料からなるコア層14を形成するコア層形成工程と、コア層14に接する補助層18を形成する補助層形成工程と、コア層14にテーパ部12を形成しコア4を得るテーパ部形成工程とを含む。コア層形成工程は、テーパ部12の先端12cを含む第1側面領域16aを形成する工程である。補助層形成工程は、第1側面領域16aに接して、コア4とは異なる材料からなる補助層18を形成する工程である。テーパ部形成工程は、コア層14に対し、補助層18と同時にエッチングを施すことによって、テーパ部12の先端12cを含む第2側面領域12bを形成する。
【解決手段】先端12cを有するテーパ部12を有するコア4を備えた光導波路素子を製造する方法であって、コア4の材料からなるコア層14を形成するコア層形成工程と、コア層14に接する補助層18を形成する補助層形成工程と、コア層14にテーパ部12を形成しコア4を得るテーパ部形成工程とを含む。コア層形成工程は、テーパ部12の先端12cを含む第1側面領域16aを形成する工程である。補助層形成工程は、第1側面領域16aに接して、コア4とは異なる材料からなる補助層18を形成する工程である。テーパ部形成工程は、コア層14に対し、補助層18と同時にエッチングを施すことによって、テーパ部12の先端12cを含む第2側面領域12bを形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体をコアとして用いた光導波路を有する光導波路素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
光通信で伝送される情報量は増加の一途をたどっている。これに対しては、(I)信号の伝送速度を増す、(II)波長多重通信のチャンネル数を増す、といった対策が進められているが、これに伴い、光部品の数が増すとともに伝送経路も複雑になるため、光通信設備の大型化、複雑化、高額化という問題が生じる。
光通信設備が使用される通信キャリア局舎やデータセンター等では、コンピュータやルータ等の情報機器を動作させる電力に加え、機器の発熱により冷却設備にも無視できない電力が必要となる。このため、近年の環境問題への対応の必要から、消費電力削減が大きな課題となっている。
こうした課題に対して、シリコン(Si)などの屈折率の高い材料を用いた光導波路素子の使用が検討されている。
媒質中の光の波長はその媒質の屈折率に反比例するため、屈折率が高い材料を使用すると、光導波路のコア幅などの寸法を小さくできる。また、高屈折率材料(シリコン等)に対し屈折率が大きく異なるシリカ等をクラッドとすることで、閉じ込めが強い光導波路が得られ、曲げ半径を小さくすることができ、光導波路素子の小型化が可能となる。
さらに、シリコン等を用いた光導波路素子では、従来のCPU、メモリ等の半導体デバイス製造で使用する半導体プロセスで使用する半導体プロセスに関する技術・装置と共通の要素が多く、低コスト化を図ることができる。また、従来の半導体デバイスとの同一基板上での集積も可能である。
このように、シリコン等を用いた小型かつ低価格の光導波路素子の実現により、情報通信機器で使用している電気処理の一部を光で置き換えることにより、システム全体の消費電力を削減できる可能性が議論されている。
光導波路素子に対し光を入出力および伝送するには、一般的に光ファイバが用いられる。しかし、光ファイバの一般的なモードフィールド径は約9μmであるのに対し、シリコン等の高屈折率材料を用いた導波路においては、シングルモード条件を満たすコア径は1μm以下であり大きく異なる。このため、シリコン等を用いた導波路と光ファイバとの直接接続を行うと、大きな損失が生じてしまうことがある。
両者の低損失の接続を実現するため、特許文献1には、テーパ形状の導波路構造を有するスポットサイズコンバータが提案されている。
特許文献1に記載の技術では、コア導波路の幅が素子先端方向に向かって狭くなっている構造が採用されている。素子先端の導波路の幅は60nmとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2004−184986号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
光導波路素子に用いるテーパ形状を有するスポットサイズコンバータでは、一般にそのテーパ構造の先端の幅は狭い方が結合効率を向上させることができるため好ましいが、微細な加工を要する光導波路素子の製造は容易ではない。
微細加工が可能な製造方法としては、電気集積回路基板などの製造に用いられる光学露光法があるが、この方法では、レジストパターンを作製するにあたって、光の回折を原因として微細なパターン形成が難しくなることがある。
また、仮に正確なレジストパターンの作製が可能であったとしても、光部品の製造においてはコアやクラッド等の構造物の形成に深さ方向の加工が必要となるため、精度の高い加工を実現するためのエッチングの条件設定等は容易ではなかった。
さらに、エッチングにより形成した構造物は、微細構造のため強度が低く、その後の工程において外力を受けて変形するおそれがあった。
また、前記電気集積回路用の製造装置では径が大きいウェハーが用いられることが多いのに対し、光部品の製造においては旧世代の小径のウェハーが用いられることが多いため、光部品の製造に前記製造装置を利用するのは難しい場合がある。
また、特許文献1に記載の技術では加工法として電子ビーム直接描画方式が採用されている。この方法は微細な導波路の加工は可能であるが、量産性に優れるものではない。
【0005】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、容易かつ精度の高い微細加工が可能である光導波路素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記の課題を解決するため、本発明の光導波路素子の製造方法は、先端に向けて徐々に幅が狭くなるテーパ部を有するコアを備えた光導波路素子を製造する方法であって、前記コアの材料からなるコア層を形成するコア層形成工程と、前記コア層に接する補助層を形成する補助層形成工程と、前記コア層に前記テーパ部を形成し前記コアを得るテーパ部形成工程とを含み、前記コア層形成工程は、前記テーパ部の一方の側面のうち少なくとも前記先端を含む第1側面領域を形成する工程であり、前記補助層形成工程は、前記第1側面領域のうち少なくとも前記先端を含む領域に接して、前記コアとは異なる材料からなる補助層を形成する工程であり、前記テーパ部形成工程は、前記コア層に対し、前記補助層と同時にエッチングを施すことによって、前記テーパ部の他方の側面のうち少なくとも前記先端を含む第2側面領域を形成する工程である光導波路素子の製造方法である。
本発明の光導波路素子の製造方法は、前記テーパ部形成工程におけるエッチングに際し、前記コア層に第2側面領域を形成すると同時に、前記補助層に、前記第2側面領域と面一な側面を形成するができる。
本発明の光導波路素子の製造方法は、前記テーパ部形成工程の後に、上部クラッド形成工程を有し、前記上部クラッド形成工程は、前記補助層と同じ材料からなる上部クラッドを、少なくとも前記コアの先端を覆うように形成する工程である。
本発明の光導波路素子の製造方法は、前記コア層形成工程において、前記コア層と同じ材料からなる同一基板上の他の構造を、前記コア層と同時に形成することができる。
前記テーパ部形成工程においては、前記テーパ部の他方の側面形成と同時に、前記コア層と同じ材料からなる他の構造を所定の形状とすることができる。
本発明の光導波路素子の製造方法は、前記コア層形成工程において、前記第1側面領域を、光の導波方向に対し傾斜して形成し、前記テーパ部形成工程において、前記第2側面領域を、前記第1側面領域に対して、前記光の導波方向に沿い前記基板に垂直な面について鏡映対称となるよう傾斜して形成することができる。
【発明の効果】
【0007】
本発明の光導波路素子の製造方法は、互いに接するコア層と補助層に対し同時にエッチングを施すことによって、テーパ部の他方の側面のうち少なくとも先端を含む第2側面領域を形成するため、テーパ部の先端は、補助層に接した状態で形成される。
このため、テーパ部の先端形状に沿う微細な形状のレジスト形成が不要であり、露光工程において光の回折に起因する制限を受けない。
また、微細形状のレジストによる先端のみをむき出しにして形成するエッチングがないため、先端部分の鈍化(丸まり)が起こりにくく、エッチングの条件設定は比較的容易である。
さらに、テーパ部の先端が補助層に接した状態で形成されるため、その後の工程における外力による変形が起こりにくい。
従って、より幅が狭い先端を精度よく形成することができ、テーパ部の先端部分における損失を低減できる。また、電子ビームによる直接描画法に限らず、マスクを用いた光学露光法による製造が可能なため、量産に適する。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】第1実施形態の光導波路素子の説明図である。
【図2】図1のA1−A1断面図である。
【図3】図2のA2−A2断面図である。
【図4】第1実施形態の光導波路素子の製造方法を示す工程図であり、光導波路素子のXZ平面における断面図である。
【図5】第1実施形態の光導波路素子の製造方法を示す工程図であり、光導波路素子の平面図である。
【図6】シミュレーションに用いた光導波路素子の断面構造を示す図である。
【図7】コア幅と接続損失との関係についてのシミュレーション結果を示すグラフである。
【図8】補助クラッド先端位置と接続損失との関係についてのシミュレーション結果を示すグラフである。
【図9】コア先端位置と接続損失との関係についてのシミュレーション結果を示すグラフである。
【図10】シミュレーションに用いた光導波路素子の平面構造を示す図である。
【図11】第2実施形態の光導波路素子の断面図である。
【図12】図11のA1−A1断面図である。
【図13】第2実施形態の光導波路素子の断面図である。
【図14】テーパ部の先端形状の例を示す模式図である。
【図15】テーパ部の中間部分を示す写真である。
【図16】テーパ部の先端部分を示す写真である。
【図17】テーパ部形成工程の例を説明する説明図である。
【図18】テーパ部形成工程の例を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
なお、以下の図面においては、XYZ直交座標系を設定し、XYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する場合がある。この場合においては、光の導波方向をY方向、該導波方向と直交する光導波路の幅方向をX方向、X方向及びY方向と直交する高さ方向をZ方向と称する。
光導波路は基板上に形成されるため、X方向とY方向は基板と平行な方向であり、Z方向は基板と垂直な方向である。
なお、以下の実施形態では、コアがY方向に延在する直線光導波路を例示するが、コアが湾曲した曲がり光導波路であっても良い。
【0010】
[第1の実施の形態]
図1は、本発明の第1実施形態にかかる光導波路素子10の説明図である。図2は、光導波路素子10のXZ平面における図1および図3のA1−A1断面図である。図3は、図2のA2−A2断面図である。なお、先端方向とは図3における左方であり、以下、この方向を前方といい、その反対方向(図3における右方)を後方ということがある。
図1および図2に示すように、光導波路素子10は、基板1上に光導波路2が形成された光導波路素子であり、先端位置において他の光ファイバ等と接続できる。
本実施形態では、SOI基板を加工して光導波路素子10を作製することを想定する。
【0011】
基板1は、例えばシリコン(Si)からなる。
光導波路2は、基板1上に形成された下部クラッド3と、下部クラッド3上に形成されたコア4(第1のコア)と、下部クラッド3上においてコア4の少なくとも一方の側面に形成された補助クラッド5、5と、これらの上に形成された上部クラッド6と、上部クラッド6の外面を覆って形成された外部クラッド7とを有する。
【0012】
下部クラッド3は、コア4よりも屈折率が低い材料からなり、例えばSiO2等を使用することができる。
下部クラッド3は、コア4からの漏光が生じないように十分に厚く形成する必要がある。下部クラッド3の厚みは2〜3μm、またはそれ以上であることが好ましい。本実施形態では、SOI基板の有するSiO2層をそのまま利用できる。
【0013】
コア4は、光が導波するものであって、下部クラッド3、上部クラッド6および補助クラッド5よりも高い屈折率を有する材料、例えばシリコン(Si)を使用できる。
コア4は断面矩形とすることができる。なお、コア4の形状は特に限定されず、矩形以外の形状、例えば中央部の厚みの厚い部分と、その両側の厚みの薄い部分とを有するリブ型形状であってもよい。
【0014】
本実施形態では、SOI基板の最上層であるシリコン(Si)層をエッチング等により加工することでコア4を形成することができる。
具体例としては、下部クラッド3、上部クラッド6および補助クラッド5がSiO2からなる場合において、シリコンからなり、幅および高さが約300nmであるコア4を挙げることができる。
【0015】
図1および図3に示すように、コア4は、光の導波方向(Y方向)に延在する一定幅のコア基部11と、コア基部11の先端からさらに先端12cに向けて徐々に幅が狭くなるテーパ部12とを有する。
テーパ部12の一方および他方の側面12a、12bは、光導波路2の先端方向(Y方向)に対し互いにほぼ同じ角度で傾斜していてよい。
テーパ部12の先端12cの幅方向(X方向)位置は、コア4の幅方向のほぼ中央であることが望ましい。
テーパ部12の一方および他方の側面12a、12bは、光の導波方向(Y方向)に沿い基板1に垂直な面について鏡映対称となるよう傾斜して形成するのが好ましい。
なお、先端12cは、本実施形態においては、先鋭な鋭角形状(図14(a)参照)であるが、これに限らず、微小な一定幅の先端面12dを有してもよい(図14(b)参照)。
【0016】
テーパ部12においては、先端方向に向けて光の閉じ込めが徐々に弱くなり、モードフィールドが周囲の領域に広がっていく。
テーパ部12は、先端方向に向かってスポットサイズを漸次拡大するスポットサイズ変換部として機能するため、光導波路素子10はスポットサイズ変換素子として使用することができる。
テーパ部12の長さ(Y方向の長さ)を十分に長くすることで、低損失にモードフィールドを広げることが可能である。
また、先端12cを十分に小さくする(例えば図14(b)において先端面12dの幅を狭くする)ことによって、先端12cにおける光の散乱を低減することができる。
このため、コア4とクラッド3、6、7を有する光導波路と、その先端側の光導波路(上部クラッド6がコアとして機能し、外部クラッド7がクラッドとして機能する光導波路)とを低損失に接続することができる。
さらに、上部クラッド6および外部クラッド7を、接続を想定する外部の光ファイバに合わせて適切に設計することで、外部の光ファイバとの間で低損失に光の伝搬を行うことができるため、光導波路素子10は、前記コア4を有する光導波路を光ファイバへ接続するためのスポットサイズコンバータとして機能する。
本実施形態では、基板1およびクラッド3、6、7は、テーパ部12の先端12cよりもさらに前方に延在している。
【0017】
補助クラッド5は、コア4の一方または両方の側面に形成されている。図示例の補助クラッド5はコア4の両方の側面に形成されているが、コア4の側面の一方のみに形成されていてもよい。
本実施形態では、コア4の両側に形成された補助クラッド5のうち、コア4の一方の側面4aに形成された補助クラッド5Aは、コア基部11の一方の側面11aおよびテーパ部12の一方の側面12aの全面を覆い、テーパ部12の先端12cよりさらに先端方向に延出して形成されている。
補助クラッド5は、断面矩形とすることができる。なお、補助クラッド5の形状は特に限定されず、矩形以外の形状であってもよい。
【0018】
補助クラッド5の構成材料は、コア4よりも屈折率が低い材料が好ましく、例えばSiO2等を使用することができる。
補助クラッド5は、酸窒化シリコン(SiOxNy)あるいは窒化シリコン(SixNy)などを適用することも可能であり、例えば、酸窒化シリコン(SiOxNy)では、組成比x:yを制御することで、製造段階において屈折率を制御することが可能である。具体的には、屈折率が1.5に調整された酸窒化シリコンや、屈折率が2.0に調整された窒化シリコン等が使用できる。
【0019】
補助クラッド5は、上部クラッド6と屈折率が同じ材料で構成するのが好ましい。
補助クラッド5が、上部クラッド6と屈折率が同じ材料からなる場合には、補助クラッド5Aのうち、テーパ部12の先端12cより先端側に延出した部分8(延出部分8という)については、仮にこの延出部分8がない場合でもその部分は上部クラッド6に覆われるため、その形状に特に制限はない。すなわち、コア4に接していない部分の補助クラッド5Aについては制限がない。
例えば、延出部分8をできるだけ広く確保することによって、補助クラッド5と上部クラッド6との界面をコア4から離れた位置に形成し、この界面の影響を抑えるという考え方をとることもできるし、逆に、コア4に接していない部分をできるだけ小さくすることもできる。
【0020】
補助クラッド5は、上部クラッド6の材料より高屈折率の材料または低屈折率の材料で構成することもできる。
補助クラッド5が上部クラッド6の材料より高屈折率の材料からなる場合には、コア4から補助クラッド5に伝搬した光を上部クラッド6に低損失で伝搬させるため延出部分8の先端5aの幅を極力小さくするのが好ましい。
補助クラッド5が上部クラッド6の材料より低屈折率の材料からなる場合も、先端5aにおいて、断面構造の急激な変化により生じる散乱による損失を避けるため、先端5aの幅を極力小さくするのが好ましい。
【0021】
図示例では、延出部分8の内面は、テーパ部12の他方の側面12bと面一に形成された傾斜面8a(形成面)となっている。
他方の側面12bと傾斜面8aとが面一であると、これらの側面12bおよび傾斜面8aの形成精度を高めるのが容易になるため好ましい。
補助クラッド5Aの先端5aは、基板1およびクラッド3、6、7の先端に比べ後方に位置する。
【0022】
コア4の他方の側面4bに形成された補助クラッド5Bは、コア基部11の他方の側面11bの全面を覆うように形成されている。補助クラッド5Bの先端5bは、側面11bの先端に達している。
補助クラッド5Bの外面5cには、テーパ部12の他方の側面12bと面一に形成された傾斜面5dが形成されている。
【0023】
図1および図2に示すように、上部クラッド6は、コア4よりも低い屈折率を有する材料からなり、例えばSiO2等を使用することができる。
上部クラッド6は、コア4および補助クラッド5を覆って形成される。上部クラッド6は、少なくともコア4の先端12cを覆うように形成される。
上部クラッド6は、補助クラッド5より先端側においては、光が導波する第2のコアとして機能させることができる。この場合には下部クラッド3および外部クラッド7は第2のコアを囲むクラッドとして機能するため、上部クラッド6は、下部クラッド3および外部クラッド7よりも屈折率の高い材料からなることが好ましい。
【0024】
外部クラッド7は、上部クラッド6よりも低い屈折率を有する材料、例えばSiO2等からなることが好ましい。なお、空気層(屈折率:1)を外部クラッド7として機能させることもできる。
【0025】
クラッド3、6、7は、酸窒化シリコン(SiOxNy)あるいは窒化シリコン(SixNy)などを適用することも可能であり、例えば、SiOxNyでは、組成比x:yを調整することで、製造段階において屈折率を制御することが可能である。具体的には、屈折率が1.5に調整された酸窒化シリコンや、屈折率が2.0に調整された窒化シリコン等が使用できる。
【0026】
補助クラッド5が上部クラッド6と屈折率が同じ材料で構成される場合には、光は主にコア4を導波する。
補助クラッド5が上部クラッド6より屈折率が高い材料で構成される場合には、テーパ部12においてその幅が狭くなるにつれ、導波光のモードフィールドは、補助クラッド5に位置する割合が大きくなる。
補助クラッド5が上部クラッド6より屈折率が低い材料で構成される場合には、テーパ部12においてその幅が狭くなるにつれ、導波光のモードフィールドは、上部クラッド6に位置する割合が大きくなる。
【0027】
上記構造の光導波路素子10では、コア4が先端方向に徐々に幅が狭くなるテーパ部12を有するので、コア4先端における損失を低減できる。
なお、補助クラッド5および上部クラッド6の外面の形状は特に限定されず、平面でも曲面でもよい。また、上部クラッド6に対するコア4および補助クラッド5の位置についても図示例に限定されない。
【0028】
[光導波路素子の製造方法]
次に、光導波路素子10を製造する場合を例として、図4および図5を参照しつつ、本発明の光導波路素子の製造方法の第1実施形態について説明する。
下部クラッド3の上に、コア4となる材料からなるコア層13が全面に形成された基板1を用意する。以下、コア層13を全面コア層13という。
以下の説明では、Si基板1上にSiO2からなる下部クラッド3が形成され、その上にSiからなる全面コア層13が形成されたSOI基板を使用する場合を例とするが、これに限らず、GaAsやInPなどの他の半導体材料やガラス材料からなる基板を使用することもできる。
【0029】
(工程1:コア層形成工程)
図4(a)、(b)および図5(a)、(b)に示すように、フォトリソグラフィーおよびエッチングにより全面コア層13の不要部分を除去してコア層14を形成する。不要部分が除去された領域をコア層除去領域という。
図5(b)のコア層14は、光の導波方向(Y方向)に延在する一定幅のコア基部15と、コア基部15の先端から先端側に延出する延出部分16とを有する。
延出部分16の一方の側面16a(第1側面領域)は、テーパ部12の一方の側面12aとなる部分であり、先端方向に向けて、延出部分16の幅が狭くなる方向に傾斜している。一方の側面16aは、光の導波方向(Y方向)に対し傾斜して形成されている。
一方の側面16a(第1側面領域)は、テーパ部12の一方の側面12aのうち少なくとも先端12cを含む領域である。すなわち、側面12a全体を含む領域であってもよいし、側面12aのうち先端12cを含む一部領域であってもよい。
【0030】
コア層14を形成する方法は、例えば以下のとおりである。
まず、全面コア層13上に、塗布などにより未露光のフォトレジスト層を形成する(フォトレジスト層形成工程)。
次いで、所定の形状のフォトマスクを用い、紫外線などを照射し、所定領域のフォトレジスト層を露光する(露光工程)。露光は、例えばステッパー露光装置を用いて行なうことができる。
次いで、フォトレジスト層を現像する現像工程を経て、現像工程により得られたフォトレジストパターンを用いて全面コア層13をエッチングする(第1エッチング工程)。
図4(b)および図5(b)に示すように、このエッチング工程によって、コア層14を形成する。
【0031】
第1エッチング工程は、図4(a)および図5(a)に示すように、全面コア層13を、いったん光導波方向(Y方向)の全長にわたる一定幅で断面矩形の構造体17とするエッチングを行った後、次いで先端部分を前記形状とするエッチングを行う2段階工程であってもよい。
次いで、残留したフォトレジストを除去する工程を行なう。
なお、第1エッチング工程は、コア層14の少なくとも延出部分16の一方の側面16aに、補助クラッド5を形成するための領域を確保することができればよい。
【0032】
本発明では、1枚の基板1上に、光導波路素子10だけでなく、例えばコア層14と同じ材料をコアに使用した他の光導波路素子としての変調器や分散補償器など、別機能を持つ光導波路素子を同時に形成することもできる。
この場合には、前記他の光導波路素子のコアとなる全面コア層(図示略)(他の構造)を、光導波路素子10の全面コア層13と同時に形成することができる。
【0033】
(工程2:補助層形成工程)
図4(b)および図5(b)に示すように、コア層形成工程における前記コア層除去領域に、補助クラッド5の材料からなる補助層18を形成する。補助層18は、CVD装置等を用いて形成することができる。補助層18はコア4とは異なる材料からなる。
補助層18は、延出部分16の一方の側面16a(第1側面領域)のうち、少なくとも先端12cを含む領域に接するように形成する。
【0034】
コア層14上に形成された補助層18は、化学機械研磨(CMP)やエッチング等により除去することができる。
コア層14上の補助層18の除去は不可欠ではないが、コア層14の厚みが適当な範囲を越える場合には、CMPやエッチング等により補助層18の除去を行うとともに、コア層14と補助層18の高さを共通化する(すなわち平坦化する)のが好ましい。
【0035】
(工程3:テーパ部形成工程)
図4(c)および図5(c)に示すように、フォトリソグラフィーおよびエッチングによりコア層14および補助層18の不要部分を除去してコア4および補助クラッド5を形成する。
まず、コア層14および補助層18上に、塗布などにより未露光のフォトレジスト層を形成する(フォトレジスト層形成工程)。
次いで、所定の形状のフォトマスクを用い、紫外線などを照射し、所定領域のフォトレジスト層を露光する(露光工程)。露光は、例えばステッパー露光装置を用いて行なうことができる。
次いで、フォトレジスト層を現像する現像工程を経て、現像工程により得られたフォトレジストパターンを用いてコア層14および補助層18をエッチングする(第2エッチング工程)。
【0036】
この第2エッチング工程では、コア層14および補助層18に、光の導波方向(Y方向)に対する一定角度の傾斜面19を形成する。
これによって、補助クラッド5Aの傾斜面8a(側面)と、補助クラッド5Bの傾斜面5dが形成されるとともに、傾斜面8aに隣接して、コア層14の延出部分16の側面16b側に、テーパ部12の他方の側面12bである傾斜面12b(第2側面領域)が形成される。
図示例では他方の側面12bの全面が第2側面領域となっているが、第2側面領域は、側面12bのうち少なくとも先端12cを含む領域であればよい。
図示例では、他方の側面12b(第2側面領域)は、一方の側面16a(第1側面領域)に対して、光の導波方向(Y方向)に沿い基板1に垂直な面について鏡映対称となるよう傾斜して形成される。
この工程によって、テーパ部12を有するコア4と、補助クラッド5とが形成される。
【0037】
この工程では、互いに接するコア層14と補助層18に対し同時にエッチングを施すことによって、補助クラッド5Aの傾斜面8aとテーパ部12の他方の側面12bとを同時に形成するため、テーパ部12の先端12cは、補助クラッド5Aに接した状態で形成される。
このため、テーパ部12の先端形状に沿う微細な形状のレジスト形成が不要であり、露光工程において光の回折に起因する制限を受けない。
また、微細形状のレジストによる先端のみをむき出しにして形成するエッチングがないため、先端部分の鈍化(丸まり)が起こりにくく、エッチングの条件設定は比較的容易である。
さらに、テーパ部12の先端12cが補助クラッド5Aに接した状態で形成されるため、その後の工程における外力による変形が起こりにくい。
従って、より幅が狭い先端12cを精度よく形成することができ、テーパ部12の先端部分における損失を低減できる。また、電子ビームによる直接描画法に限らず、マスクを用いた光学露光法による製造が可能なため、量産に適する。
【0038】
第2エッチング工程において、補助層18の一部が除去しきれずに下部クラッド3上に残ることが考えられるが、補助クラッド5と上部クラッド6の屈折率が同じまたは近い場合には、上部クラッド6に相当する部分の補助層18がそのまま残っても光導波路素子10の特性に大きな影響はない。補助クラッド5と上部クラッド6の屈折率が異なる場合においても、前記部分に補助層18が残ることの影響は軽微である。
ただし、補助クラッド5を光の導波路として利用する場合のように、不要部分の補助層18の除去が求められる場合には、さらなるエッチングによって前記部分の補助層18を除去することが好ましい。
上部クラッド6の外側部分の残存補助層18については、外部クラッド7を形成するにあたって除去することができる。
【0039】
上述のように、基板1上に、他の光導波路素子を同時に形成する場合には、テーパ部形成工程(第2エッチング工程)において、前記他の光導波路素子の全面コア層(図示略)(他の構造)にエッチングを施して、所定形状のコア層を得ることができる。
【0040】
一般に、製造装置には、パターンのアラインメントに誤差が生じることがある。このアラインメントの誤差は、通常数nmから数十nmであるが、このアラインメントにより、本発明ではコアのテーパ部の長さが変化することが考えられる。
これを図17を用いて説明する。この図は、コア層形成工程および補助層形成工程においてコア層14および補助層18を形成した後(図5(b)参照)、テーパ部形成工程においてフォトマスク19を用いてコア層14にテーパ部を形成する工程を説明する図である。
テーパ部形成工程においては、レジスト層を形成した後、フォトマスク19を用いて露光を行い、コア層14の一方の側面16a(テーパ部12の一方の側面12aとなる面)とは反対の側面に、テーパ部12の他方の側面12bを形成する。
図中、一点鎖線で示す位置19Aと二点鎖線で示す位置19Bは、フォトマスク19のアラインメント精度を考慮して得られたX方向の一方側および他方側の最大ずれ位置である。
【0041】
例えば、コア幅m1が200nmで、フォトマスク19がX方向一方側(図中上方)に最もずれた場合(位置19A)におけるテーパ部12の最大長さm3(Y方向の長さ)を300μmとすると、フォトマスク19のアラインメントのずれが30nmの場合は、このアラインメントずれによるテーパ部12の先端12c位置のずれ量は30μmとなる。
なお、Y方向への装置のアラインメント精度はX方向と同程度であるので、テーパ部12の先端12cの位置への影響はX方向のずれによる影響と比較して小さい。
【0042】
しかし、テーパ部12の長さが制限されている場合などのように、製造におけるテーパ部12の先端12c位置のずれを低減することが好ましい場合には、次の方法を採用することができる。
図18に示すように、フォトマスク19に代えてフォトマスク29を使用する。フォトマスク29は、先端29aのY方向の位置を、テーパ部12の先端12cのY方向の想定位置と一致させる。
フォトマスク29は、X方向一方側の最大ずれ位置29Aにあるときに先端12cが鋭角形状となる(先端12cの幅がゼロとなる)ようにその位置を設定する。
このようにすると、フォトマスク29のずれが発生した場合でも、先端12cの幅が変化する代わりに、先端12cの位置は一定とすることができる。
この方法では、フォトマスク29を用いた露光により、先端29aに沿う側面を有する補助クラッド5と、テーパ部12の側面12bが同時に形成されるため、幅が狭い先端12cを精度よく形成することができる。
先端12cの幅の最大値は、フォトマスク29の最大ずれ量(マスクシフト量)に一致する。
先端12cの幅が増大するのは好ましいことではないが、先端12cの幅の最大値は前記マスクシフト量であり、一般的にはマスクシフト量は、その装置で行う従来の製造工程で得られる先端幅よりも小さいため、本方法では、従来の手法に比べて低損失化が可能な導波路構造を得ることができる。
【0043】
(工程4:上部クラッドおよび外部クラッド形成工程)
図4(d)および図5(d)に示すように、コア4、補助クラッド5および下部クラッド3を覆うように上部クラッド6を形成する。
次いで、外部クラッド7を形成し、図1に示す光導波路素子10を得る。
【0044】
[第2の実施の形態]
図11および図12は、本発明の第2実施形態にかかる光導波路素子20の断面図であり、グレーティング構造を採用したものである。
図11は、光導波路素子20のXZ平面における断面図であり、図12のA2−A2断面図である。図12は、図11のA1−A1断面図である。図13は、光導波路素子20の断面図である。
以下の説明においては、第1の実施形態の光導波路素子10と同じ構成については同一符号を付してその説明を省略することがある。本実施形態の一部の構成は、国際公開第2009/107812号に記載されている光導波路素子と共通である。
光導波路素子20は、基板1上に光導波路22が形成された光導波路素子である。本実施形態では、SOI基板を加工して作製することを想定する。
基板1は、例えばシリコン(Si)からなる。
【0045】
図11において、光導波路22は、下部クラッド3と、下部クラッド3上に形成された内側コア24と、その上に形成された中間コア25と、これらを覆って形成された上部クラッド26とを有する。
下部クラッド3は、内側コア24よりも屈折率が低い材料からなり、例えばSiO2等を使用することができる。
【0046】
内側コア24は、厚みの薄い平板部(薄板部)24aと、平板部24aの幅方向中央位置において上部クラッド26側に突出する厚みの厚い凸状部(厚板部)24bとから構成されるリブ型形状をなす。
内側コア24には、下部クラッド3、中間コア25および上部クラッド26よりも高い屈折率を有する材料、例えばシリコン(Si)を使用できる。
【0047】
中間コア25は、内側コア24とは異なる材料、内側コア24より屈折率が低く、かつ上部クラッド26より屈折率が高い材料からなることが好ましく、内側コア24の凸状部24bおよびこれに近い部分の平板部24aを覆って形成されている。
内側コア24および中間コア25は、光が導波する複合コアを構成している。
【0048】
図11に示すように、中間コア25は、上面に設けた溝25aの幅winおよび中間コア25の全幅woutを光の導波方向(紙面に垂直な方向)に周期的に変化させることによりブラッググレーティング構造となり、光導波路22の実効屈折率を変化させることができる。この構造は、波長分散補償素子に適用できる。
上部クラッド26は、中間コア25よりも低い屈折率を有する材料からなり、例えばSiO2等を使用することができる。
【0049】
図12のA3−A3断面、A5−A5断面、A7−A7断面およびA8−A8断面をそれぞれ図13(a)〜図13(d)に示す。
図13(a)に示すように、A3−A3断面(図12参照)では、内側コア24の平板部24aの幅が中間コア25の幅に等しくされている。
なお、平板部24aの幅は、中間コア25の幅より広く、または狭く形成することも可能であり、導波路構造の変化によるモードフィールドの変化が小さい範囲で適宜設計変更が可能である。
【0050】
図13(a)において、内側コア24の外側には中間コア25が設けられ、その外側には外側コア28が設けられ、その外側に上部クラッド26が設けられている。
図12に示すように、外側コア28は、このA3−A3断面位置から先端方向に延在して形成されている。A3−A3断面位置より後方では外側コア28は存在しないため、この位置の前後で光導波路の構造が変化するが、光は内側コア24を中心に分布するため、外側コア28についての構造変化が光特性に及ぼす影響は小さい。
【0051】
外側コア28は、中間コア25より屈折率が低く、かつ上部クラッド26より屈折率が高い材料からなることが好ましい。例えば、SiOxNyが使用できる。
A3−A3断面(図12参照)では、外側コア28は、内側コア24および中間コア25からなる複合コアに対するクラッドとして機能させることができる。
外側コア28は、後述する光導波路22の先端(図13(d)参照)では、光が導波するコアとして機能する。
【0052】
なお、本実施形態では、A3−A3断面位置より後方では外側コア28は存在しない構造が採用されているが(図13(a)参照)、これに限らず、A3−A3断面位置より後方の部分にも、中間コア25の外側に外側コア28を形成してもよい。
【0053】
A3−A3断面位置から先端方向に向かって、内側コア24の平板部24aは、幅が徐々に狭くなるテーパ状に形成され、その幅はA4−A4断面位置に至って凸状部24bの幅と一致する。平板部24aをテーパ状とすることによって、光の導波方向に導波路構造が急激に変化することに起因する損失を抑えることができる。
【0054】
図12および図13に示すように、中間コア25は上面位置が内側コア24より高く形成され、A4−A4断面位置からA5−A5断面位置までの範囲では、内側コア24の一方面24c、他方面24dおよび上面に接して形成されている。
図12および図13(b)に示すように、A5−A5断面位置からA6−A6断面位置までの範囲における中間コア25(中間コア基部38)は内側コア24の一方面24cおよび上面に形成されており、テーパ部30の一方の側面30aに接している。
A5−A5断面位置からA6−A6断面位置までの範囲において、中間コア基部38のテーパ部30に沿う部分のうち内側コア24と同じ高さ範囲の部分38aは、先端30cに向けたテーパ部30の幅の減少に応じて幅が大きくなる形状である。
中間コア25は、先端方向に向けたテーパ部30の幅の減少に応じて幅が徐々に大きくなる形状となっているため、導波光の分布が徐々に内側コア24から中間コア25に移ることから、低損失で光を内側コア24から中間コア25に伝搬させることができる。
A5−A5断面位置からA6−A6断面位置までの範囲において、内側コア24の一方面24cは、他方面24dに向かって傾斜した傾斜面24eとなっている。
【0055】
傾斜面24eが形成された部分の内側コア24は、先端に向けて徐々に幅が狭くなるテーパ部30となっている。図示例の先端30cは先鋭な鋭角形状であるが、先端30cは微小な一定幅の先端面12dを有してもよい(図14参照)。
テーパ部30では、一方面24cには中間コア25が接しており、テーパ部30の先端30cは、中間コア25に接する面(傾斜面24e)の先端に形成されている。
図12に示すように、A5−A5断面位置から先端側のA7−A7断面位置までの範囲では、中間コア25は先端方向に延出している。
A5−A5断面位置から先端側のA6−A6断面位置までの範囲では、中間コア25の側面25bは、テーパ部30の他方の側面30b(他方面24d)に対し面一に形成されている。
【0056】
図12に示すように、A6−A6断面位置とA7−A7断面位置との間に位置する部分の中間コア25である延出基部35は、一定幅の下部25Aと、その上に形成されて徐々に幅が狭くなる上部25Bとを有する形状である(図13(c)参照)。延出基部35と、その先端から先端方向に幅が狭くなりつつ延出するテーパ延出部36は、延出部分39を構成する。
延出部分39の先端25cは、A8−A8断面位置にあり、光導波路22の先端22aより後方にある(図13(d)参照)。
【0057】
内側コア24は、既に説明した製造方法を利用して作製できる。
すなわち、一方の側面30a(第1側面領域)を有するコア層(図示略)を形成し(コア層形成工程)、中間コア25となる補助層(図示略)を一方の側面30aに接して形成し(補助層形成工程)、前記コア層に対して前記補助層と同時にエッチングを施して、テーパ部30の他方の側面30b(第2側面領域)を形成することによって(テーパ部形成工程)、内側コア24を形成することができる。
【0058】
内側コア24のテーパ部30の他方の側面30b(他方面24d)は、テーパ部形成工程において、中間コア25の側面25bとともにエッチングにより形成されるため、先端30cは、中間コア25に接した状態で形成される。
このため、テーパ部30の先端形状に沿う微細な形状のレジスト形成が不要であり、露光工程において光の回折に起因する制限を受けない。
また、微細形状のレジストによる先端のみをむき出しにして形成するエッチングがないため、先端部分の鈍化(丸まり)が起こりにくく、エッチングの条件設定は比較的容易である。
さらに、テーパ部30の先端30cが中間コア25に接した状態で形成されるため、その後の工程における外力による変形が起こりにくい。
従って、より幅が狭い先端30cを精度よく形成することができ、テーパ部30の先端部分における損失を低減できる。
【0059】
[実施例1]
図6に断面構造を示す構成の光導波路素子において、接続損失についてのシミュレーションを行った。
以下の説明においては、第1の実施形態の光導波路素子10と同じ構成については同一符号を付してその説明を省略することがある。
図6の構造において、コア4をSi(屈折率3.5)、上部クラッド6をSiON(屈折率1.5)、下部クラッド3および外部クラッド7をSiO2(屈折率1.45)で構成し、各部の寸法をw2=3000nm、t1=300nm、t2=3000nmとした第1の光導波路と、第1の光導波路におけるコア4に、Si(屈折率3.5)に代えて上部クラッド6の材料(SiON(屈折率1.5))を用いた第2の光導波路と、が接続されている構造についてシミュレーションを行った。
両構造における導波モードのオーバーラップインテグラルを求めることで結合効率を算出し、結合効率から、導波モードに結合しなかったパワーとして接続損失を求めた。
各導波路構造の導波モードは、有限要素法、有限差分法等により求めることができる。
【0060】
図6に示すコア4の幅w1をパラメータとするシミュレーション結果を図7に示す。図7には、TE−likeモードとTM−likeモードについての接続損失を示す。
なお、TE−likeモードとは、導波路中を伝播する光の電界が主に導波方向に垂直方向の成分を有し、電界の主成分が基板に対して平行方向(水平方向)である伝播モードであり、TM−likeモードとは、導波路中を伝播する光の磁界が主に導波方向に垂直方向の成分を有し、電界の主成分が基板に対して垂直方向である伝播モードである。
図7より、例えばTM−likeモードではコア4の幅が60nmであっても0.8dBという大きな損失が生じるが、コア4の幅を狭くすることによって、結合損失を低減でき、低損失化を図ることができることがわかる。
【0061】
[実施例2]
図8は、補助クラッド5における接続損失についてのシミュレーション結果を示すものである。
本シミュレーションは、図6の構造において、コア4に、Si(屈折率3.5)に代えて、補助クラッド5に使用可能な材料であるSiN(屈折率2.0)を使用すること以外は実施例1と同様である。
図8より、SiN(屈折率2.0)を使用すると、Si(屈折率3.5)を用いた場合(図7)に比べ、損失が低くなることがわかる。
【0062】
実施例1、2の結果から、以下に説明するように、本発明の採用により損失低減が可能となることがわかる。
例えば、図3に示す光導波路素子10において補助クラッド5を上部クラッド6と同じ材料とすれば、光導波路素子10は図6に示すものと同じ基本構造となる。
従来技術によりテーパ部を形成すると先端の幅は大きくなるため(例えば150nm以上)、実施例1の結果(図7)より、損失は大きくなる。
これに対し、本発明の方法を採用すれば上述のとおり先端12cの幅を小さくできるため、実施例1の結果(図7)より、先端12cにおける損失を非常に小さくできると考えられる。
【0063】
さらに、図3に示す光導波路素子10において、上部クラッド6とは異なる材料(上部クラッド6より高屈折率、かつコア4より低屈折率の材料。例えばSiN(屈折率2.0))を補助クラッド5に用いる場合には、コア4を伝搬する光を低損失で補助クラッド5に伝搬させることができることに加え、実施例2の結果(図8)より、補助クラッド5の先端5aの幅が比較的大きい場合でも先端5aにおける損失を低くできる。このため、補助クラッド5の先端5aから上部クラッド6に低損失で光を伝搬させることができる。
以上より、本発明の方法を採用すれば、テーパ部12の先端12cの幅を小さくできるため、コア4から補助クラッド5へ低損失で光を伝搬させ、さらに補助クラッド5から上部クラッド6への光の伝搬についても低損失化できることがわかる。
【0064】
[実施例3]
図9は、コア4の先端の幅方向位置がコア4の幅方向中央位置からずれた場合の影響についてのシミュレーション結果を示すものである。
この図より、コア4の先端幅が10nmである場合には損失は非常に小さく、コア4の先端幅が60nmである場合にも、ずれ幅が0.5μmでも損失は1.0dB以下であり、損失を低く抑えられることがわかる。
テーパ部先端の幅方向の位置は、上部クラッドに対して中央であることが好ましいが、本発明では、先端の幅方向の位置が中央からずれた場合においても、従来の方法と比較して十分低損失な接続を実現することができる。
【0065】
[実施例4]
図10は、本発明の構造をスポットサイズ変換素子に応用することを考慮したシミュレーションに用いた構造を示すものである。
図10は、図3と同様に、光導波路素子のXY平面における断面図である。ここでは、コア4の外側に上部クラッド6が形成され、その外側に外部クラッド7が形成された構造を想定している。
コア4のコア基部11の長さ(Y方向の長さ)をL3とし、テーパ部12の長さをL2とし、テーパ部12の先端と光導波路2の先端との距離をL1として、L1=10μm、L2=300μm、L3=10μmとした場合において、この光導波路素子を、ビームウェストが3μmのレンズファイバと結合させた場合の損失を、EME(Eigen mode Expansion Method)法により計算した結果、接続損失は、TE−likeモードでは0.28dB、TM−likeモードでは0.31dBであった。
【0066】
[実施例5]
図11〜図13に示す構成の光導波路素子20において、ビームウェストが3μmの光ファイバと結合させた場合の結合効率を計算した。
本シミュレーションに用いた各寸法は次のとおりである。
図11において、t1=250nm、t2=50nm、tin=100nm、tout=450nm、w1=560nm、win=0nm、wout=1000nm。
図12において、L1=50μm、L2=100μm、L3=200μm、L4=50μm、L5=300μm、L6=10μm。
図13(a)において、h1=600nm、h2=250nm、h3=50nm、h4=2200nm、w1=1000nm、w2=160nm、w3=280nm、w4=2500nm。
図13(b)において、h1=600nm、h2=300nm、h4=2200nm、w1=780nm、w2=560nm、w4=2500nm。
図13(c)において、h1=300nm、h2=300nm、h4=2200nm、w1=780nm、w2=150nm。
図13(d)において、h4=2500nm、w4=2200nm。
【0067】
第1の実施形態における実施例1のシミュレーションと同様の方法によりシミュレーションを行った結果、結合効率は、TE−likeモードについて0.19dB、TM−likeモードについて0.32dBであった。
【0068】
[実施例6]
図15および図16は、本発明の製造方法の一例により作製した光導波路素子のコアのテーパ部および補助クラッドを示すSEM写真である。
補助クラッドにはSiO2を使用し、コアにはSiを使用した。テーパ部形成工程では、KrF線のステッパを用いた。
図15はテーパ部の(長さ方向の)中間部分、図16はテーパ部の先端部分を示す。補助クラッドおよびコアの高さは280nmである。
従来の方法による加工可能な最小先端幅は160nmであるが、図15に示す中間部分ではコアの幅は約100nmであり、図16に示すテーパ部先端では約60nm幅を実現した。
これらの結果より、本発明の製造方法によれば、より幅が狭い先端を有するテーパ部を形成できることがわかる。
【符号の説明】
【0069】
1・・・基板、2、22・・・光導波路、3・・・下部クラッド、4、24・・・コア、5・・・補助クラッド、6、26・・・上部クラッド、7・・・外部クラッド、8・・・延出部分、8a・・・傾斜面、10、20・・・光導波路素子、12、30・・・テーパ部、12a・・・テーパ部の一方の側面、12b・・・テーパ部の他方の側面、12c、30c・・・テーパ部の先端、14・・・コア層、15・・・コア基部、16・・・延出部分、16a・・・一方の側面、16b・・・他方の側面、18・・・補助層、19・・・傾斜面、24・・・内側コア、25・・・中間コア、28・・・外側コア。
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体をコアとして用いた光導波路を有する光導波路素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
光通信で伝送される情報量は増加の一途をたどっている。これに対しては、(I)信号の伝送速度を増す、(II)波長多重通信のチャンネル数を増す、といった対策が進められているが、これに伴い、光部品の数が増すとともに伝送経路も複雑になるため、光通信設備の大型化、複雑化、高額化という問題が生じる。
光通信設備が使用される通信キャリア局舎やデータセンター等では、コンピュータやルータ等の情報機器を動作させる電力に加え、機器の発熱により冷却設備にも無視できない電力が必要となる。このため、近年の環境問題への対応の必要から、消費電力削減が大きな課題となっている。
こうした課題に対して、シリコン(Si)などの屈折率の高い材料を用いた光導波路素子の使用が検討されている。
媒質中の光の波長はその媒質の屈折率に反比例するため、屈折率が高い材料を使用すると、光導波路のコア幅などの寸法を小さくできる。また、高屈折率材料(シリコン等)に対し屈折率が大きく異なるシリカ等をクラッドとすることで、閉じ込めが強い光導波路が得られ、曲げ半径を小さくすることができ、光導波路素子の小型化が可能となる。
さらに、シリコン等を用いた光導波路素子では、従来のCPU、メモリ等の半導体デバイス製造で使用する半導体プロセスで使用する半導体プロセスに関する技術・装置と共通の要素が多く、低コスト化を図ることができる。また、従来の半導体デバイスとの同一基板上での集積も可能である。
このように、シリコン等を用いた小型かつ低価格の光導波路素子の実現により、情報通信機器で使用している電気処理の一部を光で置き換えることにより、システム全体の消費電力を削減できる可能性が議論されている。
光導波路素子に対し光を入出力および伝送するには、一般的に光ファイバが用いられる。しかし、光ファイバの一般的なモードフィールド径は約9μmであるのに対し、シリコン等の高屈折率材料を用いた導波路においては、シングルモード条件を満たすコア径は1μm以下であり大きく異なる。このため、シリコン等を用いた導波路と光ファイバとの直接接続を行うと、大きな損失が生じてしまうことがある。
両者の低損失の接続を実現するため、特許文献1には、テーパ形状の導波路構造を有するスポットサイズコンバータが提案されている。
特許文献1に記載の技術では、コア導波路の幅が素子先端方向に向かって狭くなっている構造が採用されている。素子先端の導波路の幅は60nmとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2004−184986号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
光導波路素子に用いるテーパ形状を有するスポットサイズコンバータでは、一般にそのテーパ構造の先端の幅は狭い方が結合効率を向上させることができるため好ましいが、微細な加工を要する光導波路素子の製造は容易ではない。
微細加工が可能な製造方法としては、電気集積回路基板などの製造に用いられる光学露光法があるが、この方法では、レジストパターンを作製するにあたって、光の回折を原因として微細なパターン形成が難しくなることがある。
また、仮に正確なレジストパターンの作製が可能であったとしても、光部品の製造においてはコアやクラッド等の構造物の形成に深さ方向の加工が必要となるため、精度の高い加工を実現するためのエッチングの条件設定等は容易ではなかった。
さらに、エッチングにより形成した構造物は、微細構造のため強度が低く、その後の工程において外力を受けて変形するおそれがあった。
また、前記電気集積回路用の製造装置では径が大きいウェハーが用いられることが多いのに対し、光部品の製造においては旧世代の小径のウェハーが用いられることが多いため、光部品の製造に前記製造装置を利用するのは難しい場合がある。
また、特許文献1に記載の技術では加工法として電子ビーム直接描画方式が採用されている。この方法は微細な導波路の加工は可能であるが、量産性に優れるものではない。
【0005】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、容易かつ精度の高い微細加工が可能である光導波路素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記の課題を解決するため、本発明の光導波路素子の製造方法は、先端に向けて徐々に幅が狭くなるテーパ部を有するコアを備えた光導波路素子を製造する方法であって、前記コアの材料からなるコア層を形成するコア層形成工程と、前記コア層に接する補助層を形成する補助層形成工程と、前記コア層に前記テーパ部を形成し前記コアを得るテーパ部形成工程とを含み、前記コア層形成工程は、前記テーパ部の一方の側面のうち少なくとも前記先端を含む第1側面領域を形成する工程であり、前記補助層形成工程は、前記第1側面領域のうち少なくとも前記先端を含む領域に接して、前記コアとは異なる材料からなる補助層を形成する工程であり、前記テーパ部形成工程は、前記コア層に対し、前記補助層と同時にエッチングを施すことによって、前記テーパ部の他方の側面のうち少なくとも前記先端を含む第2側面領域を形成する工程である光導波路素子の製造方法である。
本発明の光導波路素子の製造方法は、前記テーパ部形成工程におけるエッチングに際し、前記コア層に第2側面領域を形成すると同時に、前記補助層に、前記第2側面領域と面一な側面を形成するができる。
本発明の光導波路素子の製造方法は、前記テーパ部形成工程の後に、上部クラッド形成工程を有し、前記上部クラッド形成工程は、前記補助層と同じ材料からなる上部クラッドを、少なくとも前記コアの先端を覆うように形成する工程である。
本発明の光導波路素子の製造方法は、前記コア層形成工程において、前記コア層と同じ材料からなる同一基板上の他の構造を、前記コア層と同時に形成することができる。
前記テーパ部形成工程においては、前記テーパ部の他方の側面形成と同時に、前記コア層と同じ材料からなる他の構造を所定の形状とすることができる。
本発明の光導波路素子の製造方法は、前記コア層形成工程において、前記第1側面領域を、光の導波方向に対し傾斜して形成し、前記テーパ部形成工程において、前記第2側面領域を、前記第1側面領域に対して、前記光の導波方向に沿い前記基板に垂直な面について鏡映対称となるよう傾斜して形成することができる。
【発明の効果】
【0007】
本発明の光導波路素子の製造方法は、互いに接するコア層と補助層に対し同時にエッチングを施すことによって、テーパ部の他方の側面のうち少なくとも先端を含む第2側面領域を形成するため、テーパ部の先端は、補助層に接した状態で形成される。
このため、テーパ部の先端形状に沿う微細な形状のレジスト形成が不要であり、露光工程において光の回折に起因する制限を受けない。
また、微細形状のレジストによる先端のみをむき出しにして形成するエッチングがないため、先端部分の鈍化(丸まり)が起こりにくく、エッチングの条件設定は比較的容易である。
さらに、テーパ部の先端が補助層に接した状態で形成されるため、その後の工程における外力による変形が起こりにくい。
従って、より幅が狭い先端を精度よく形成することができ、テーパ部の先端部分における損失を低減できる。また、電子ビームによる直接描画法に限らず、マスクを用いた光学露光法による製造が可能なため、量産に適する。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】第1実施形態の光導波路素子の説明図である。
【図2】図1のA1−A1断面図である。
【図3】図2のA2−A2断面図である。
【図4】第1実施形態の光導波路素子の製造方法を示す工程図であり、光導波路素子のXZ平面における断面図である。
【図5】第1実施形態の光導波路素子の製造方法を示す工程図であり、光導波路素子の平面図である。
【図6】シミュレーションに用いた光導波路素子の断面構造を示す図である。
【図7】コア幅と接続損失との関係についてのシミュレーション結果を示すグラフである。
【図8】補助クラッド先端位置と接続損失との関係についてのシミュレーション結果を示すグラフである。
【図9】コア先端位置と接続損失との関係についてのシミュレーション結果を示すグラフである。
【図10】シミュレーションに用いた光導波路素子の平面構造を示す図である。
【図11】第2実施形態の光導波路素子の断面図である。
【図12】図11のA1−A1断面図である。
【図13】第2実施形態の光導波路素子の断面図である。
【図14】テーパ部の先端形状の例を示す模式図である。
【図15】テーパ部の中間部分を示す写真である。
【図16】テーパ部の先端部分を示す写真である。
【図17】テーパ部形成工程の例を説明する説明図である。
【図18】テーパ部形成工程の例を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
なお、以下の図面においては、XYZ直交座標系を設定し、XYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する場合がある。この場合においては、光の導波方向をY方向、該導波方向と直交する光導波路の幅方向をX方向、X方向及びY方向と直交する高さ方向をZ方向と称する。
光導波路は基板上に形成されるため、X方向とY方向は基板と平行な方向であり、Z方向は基板と垂直な方向である。
なお、以下の実施形態では、コアがY方向に延在する直線光導波路を例示するが、コアが湾曲した曲がり光導波路であっても良い。
【0010】
[第1の実施の形態]
図1は、本発明の第1実施形態にかかる光導波路素子10の説明図である。図2は、光導波路素子10のXZ平面における図1および図3のA1−A1断面図である。図3は、図2のA2−A2断面図である。なお、先端方向とは図3における左方であり、以下、この方向を前方といい、その反対方向(図3における右方)を後方ということがある。
図1および図2に示すように、光導波路素子10は、基板1上に光導波路2が形成された光導波路素子であり、先端位置において他の光ファイバ等と接続できる。
本実施形態では、SOI基板を加工して光導波路素子10を作製することを想定する。
【0011】
基板1は、例えばシリコン(Si)からなる。
光導波路2は、基板1上に形成された下部クラッド3と、下部クラッド3上に形成されたコア4(第1のコア)と、下部クラッド3上においてコア4の少なくとも一方の側面に形成された補助クラッド5、5と、これらの上に形成された上部クラッド6と、上部クラッド6の外面を覆って形成された外部クラッド7とを有する。
【0012】
下部クラッド3は、コア4よりも屈折率が低い材料からなり、例えばSiO2等を使用することができる。
下部クラッド3は、コア4からの漏光が生じないように十分に厚く形成する必要がある。下部クラッド3の厚みは2〜3μm、またはそれ以上であることが好ましい。本実施形態では、SOI基板の有するSiO2層をそのまま利用できる。
【0013】
コア4は、光が導波するものであって、下部クラッド3、上部クラッド6および補助クラッド5よりも高い屈折率を有する材料、例えばシリコン(Si)を使用できる。
コア4は断面矩形とすることができる。なお、コア4の形状は特に限定されず、矩形以外の形状、例えば中央部の厚みの厚い部分と、その両側の厚みの薄い部分とを有するリブ型形状であってもよい。
【0014】
本実施形態では、SOI基板の最上層であるシリコン(Si)層をエッチング等により加工することでコア4を形成することができる。
具体例としては、下部クラッド3、上部クラッド6および補助クラッド5がSiO2からなる場合において、シリコンからなり、幅および高さが約300nmであるコア4を挙げることができる。
【0015】
図1および図3に示すように、コア4は、光の導波方向(Y方向)に延在する一定幅のコア基部11と、コア基部11の先端からさらに先端12cに向けて徐々に幅が狭くなるテーパ部12とを有する。
テーパ部12の一方および他方の側面12a、12bは、光導波路2の先端方向(Y方向)に対し互いにほぼ同じ角度で傾斜していてよい。
テーパ部12の先端12cの幅方向(X方向)位置は、コア4の幅方向のほぼ中央であることが望ましい。
テーパ部12の一方および他方の側面12a、12bは、光の導波方向(Y方向)に沿い基板1に垂直な面について鏡映対称となるよう傾斜して形成するのが好ましい。
なお、先端12cは、本実施形態においては、先鋭な鋭角形状(図14(a)参照)であるが、これに限らず、微小な一定幅の先端面12dを有してもよい(図14(b)参照)。
【0016】
テーパ部12においては、先端方向に向けて光の閉じ込めが徐々に弱くなり、モードフィールドが周囲の領域に広がっていく。
テーパ部12は、先端方向に向かってスポットサイズを漸次拡大するスポットサイズ変換部として機能するため、光導波路素子10はスポットサイズ変換素子として使用することができる。
テーパ部12の長さ(Y方向の長さ)を十分に長くすることで、低損失にモードフィールドを広げることが可能である。
また、先端12cを十分に小さくする(例えば図14(b)において先端面12dの幅を狭くする)ことによって、先端12cにおける光の散乱を低減することができる。
このため、コア4とクラッド3、6、7を有する光導波路と、その先端側の光導波路(上部クラッド6がコアとして機能し、外部クラッド7がクラッドとして機能する光導波路)とを低損失に接続することができる。
さらに、上部クラッド6および外部クラッド7を、接続を想定する外部の光ファイバに合わせて適切に設計することで、外部の光ファイバとの間で低損失に光の伝搬を行うことができるため、光導波路素子10は、前記コア4を有する光導波路を光ファイバへ接続するためのスポットサイズコンバータとして機能する。
本実施形態では、基板1およびクラッド3、6、7は、テーパ部12の先端12cよりもさらに前方に延在している。
【0017】
補助クラッド5は、コア4の一方または両方の側面に形成されている。図示例の補助クラッド5はコア4の両方の側面に形成されているが、コア4の側面の一方のみに形成されていてもよい。
本実施形態では、コア4の両側に形成された補助クラッド5のうち、コア4の一方の側面4aに形成された補助クラッド5Aは、コア基部11の一方の側面11aおよびテーパ部12の一方の側面12aの全面を覆い、テーパ部12の先端12cよりさらに先端方向に延出して形成されている。
補助クラッド5は、断面矩形とすることができる。なお、補助クラッド5の形状は特に限定されず、矩形以外の形状であってもよい。
【0018】
補助クラッド5の構成材料は、コア4よりも屈折率が低い材料が好ましく、例えばSiO2等を使用することができる。
補助クラッド5は、酸窒化シリコン(SiOxNy)あるいは窒化シリコン(SixNy)などを適用することも可能であり、例えば、酸窒化シリコン(SiOxNy)では、組成比x:yを制御することで、製造段階において屈折率を制御することが可能である。具体的には、屈折率が1.5に調整された酸窒化シリコンや、屈折率が2.0に調整された窒化シリコン等が使用できる。
【0019】
補助クラッド5は、上部クラッド6と屈折率が同じ材料で構成するのが好ましい。
補助クラッド5が、上部クラッド6と屈折率が同じ材料からなる場合には、補助クラッド5Aのうち、テーパ部12の先端12cより先端側に延出した部分8(延出部分8という)については、仮にこの延出部分8がない場合でもその部分は上部クラッド6に覆われるため、その形状に特に制限はない。すなわち、コア4に接していない部分の補助クラッド5Aについては制限がない。
例えば、延出部分8をできるだけ広く確保することによって、補助クラッド5と上部クラッド6との界面をコア4から離れた位置に形成し、この界面の影響を抑えるという考え方をとることもできるし、逆に、コア4に接していない部分をできるだけ小さくすることもできる。
【0020】
補助クラッド5は、上部クラッド6の材料より高屈折率の材料または低屈折率の材料で構成することもできる。
補助クラッド5が上部クラッド6の材料より高屈折率の材料からなる場合には、コア4から補助クラッド5に伝搬した光を上部クラッド6に低損失で伝搬させるため延出部分8の先端5aの幅を極力小さくするのが好ましい。
補助クラッド5が上部クラッド6の材料より低屈折率の材料からなる場合も、先端5aにおいて、断面構造の急激な変化により生じる散乱による損失を避けるため、先端5aの幅を極力小さくするのが好ましい。
【0021】
図示例では、延出部分8の内面は、テーパ部12の他方の側面12bと面一に形成された傾斜面8a(形成面)となっている。
他方の側面12bと傾斜面8aとが面一であると、これらの側面12bおよび傾斜面8aの形成精度を高めるのが容易になるため好ましい。
補助クラッド5Aの先端5aは、基板1およびクラッド3、6、7の先端に比べ後方に位置する。
【0022】
コア4の他方の側面4bに形成された補助クラッド5Bは、コア基部11の他方の側面11bの全面を覆うように形成されている。補助クラッド5Bの先端5bは、側面11bの先端に達している。
補助クラッド5Bの外面5cには、テーパ部12の他方の側面12bと面一に形成された傾斜面5dが形成されている。
【0023】
図1および図2に示すように、上部クラッド6は、コア4よりも低い屈折率を有する材料からなり、例えばSiO2等を使用することができる。
上部クラッド6は、コア4および補助クラッド5を覆って形成される。上部クラッド6は、少なくともコア4の先端12cを覆うように形成される。
上部クラッド6は、補助クラッド5より先端側においては、光が導波する第2のコアとして機能させることができる。この場合には下部クラッド3および外部クラッド7は第2のコアを囲むクラッドとして機能するため、上部クラッド6は、下部クラッド3および外部クラッド7よりも屈折率の高い材料からなることが好ましい。
【0024】
外部クラッド7は、上部クラッド6よりも低い屈折率を有する材料、例えばSiO2等からなることが好ましい。なお、空気層(屈折率:1)を外部クラッド7として機能させることもできる。
【0025】
クラッド3、6、7は、酸窒化シリコン(SiOxNy)あるいは窒化シリコン(SixNy)などを適用することも可能であり、例えば、SiOxNyでは、組成比x:yを調整することで、製造段階において屈折率を制御することが可能である。具体的には、屈折率が1.5に調整された酸窒化シリコンや、屈折率が2.0に調整された窒化シリコン等が使用できる。
【0026】
補助クラッド5が上部クラッド6と屈折率が同じ材料で構成される場合には、光は主にコア4を導波する。
補助クラッド5が上部クラッド6より屈折率が高い材料で構成される場合には、テーパ部12においてその幅が狭くなるにつれ、導波光のモードフィールドは、補助クラッド5に位置する割合が大きくなる。
補助クラッド5が上部クラッド6より屈折率が低い材料で構成される場合には、テーパ部12においてその幅が狭くなるにつれ、導波光のモードフィールドは、上部クラッド6に位置する割合が大きくなる。
【0027】
上記構造の光導波路素子10では、コア4が先端方向に徐々に幅が狭くなるテーパ部12を有するので、コア4先端における損失を低減できる。
なお、補助クラッド5および上部クラッド6の外面の形状は特に限定されず、平面でも曲面でもよい。また、上部クラッド6に対するコア4および補助クラッド5の位置についても図示例に限定されない。
【0028】
[光導波路素子の製造方法]
次に、光導波路素子10を製造する場合を例として、図4および図5を参照しつつ、本発明の光導波路素子の製造方法の第1実施形態について説明する。
下部クラッド3の上に、コア4となる材料からなるコア層13が全面に形成された基板1を用意する。以下、コア層13を全面コア層13という。
以下の説明では、Si基板1上にSiO2からなる下部クラッド3が形成され、その上にSiからなる全面コア層13が形成されたSOI基板を使用する場合を例とするが、これに限らず、GaAsやInPなどの他の半導体材料やガラス材料からなる基板を使用することもできる。
【0029】
(工程1:コア層形成工程)
図4(a)、(b)および図5(a)、(b)に示すように、フォトリソグラフィーおよびエッチングにより全面コア層13の不要部分を除去してコア層14を形成する。不要部分が除去された領域をコア層除去領域という。
図5(b)のコア層14は、光の導波方向(Y方向)に延在する一定幅のコア基部15と、コア基部15の先端から先端側に延出する延出部分16とを有する。
延出部分16の一方の側面16a(第1側面領域)は、テーパ部12の一方の側面12aとなる部分であり、先端方向に向けて、延出部分16の幅が狭くなる方向に傾斜している。一方の側面16aは、光の導波方向(Y方向)に対し傾斜して形成されている。
一方の側面16a(第1側面領域)は、テーパ部12の一方の側面12aのうち少なくとも先端12cを含む領域である。すなわち、側面12a全体を含む領域であってもよいし、側面12aのうち先端12cを含む一部領域であってもよい。
【0030】
コア層14を形成する方法は、例えば以下のとおりである。
まず、全面コア層13上に、塗布などにより未露光のフォトレジスト層を形成する(フォトレジスト層形成工程)。
次いで、所定の形状のフォトマスクを用い、紫外線などを照射し、所定領域のフォトレジスト層を露光する(露光工程)。露光は、例えばステッパー露光装置を用いて行なうことができる。
次いで、フォトレジスト層を現像する現像工程を経て、現像工程により得られたフォトレジストパターンを用いて全面コア層13をエッチングする(第1エッチング工程)。
図4(b)および図5(b)に示すように、このエッチング工程によって、コア層14を形成する。
【0031】
第1エッチング工程は、図4(a)および図5(a)に示すように、全面コア層13を、いったん光導波方向(Y方向)の全長にわたる一定幅で断面矩形の構造体17とするエッチングを行った後、次いで先端部分を前記形状とするエッチングを行う2段階工程であってもよい。
次いで、残留したフォトレジストを除去する工程を行なう。
なお、第1エッチング工程は、コア層14の少なくとも延出部分16の一方の側面16aに、補助クラッド5を形成するための領域を確保することができればよい。
【0032】
本発明では、1枚の基板1上に、光導波路素子10だけでなく、例えばコア層14と同じ材料をコアに使用した他の光導波路素子としての変調器や分散補償器など、別機能を持つ光導波路素子を同時に形成することもできる。
この場合には、前記他の光導波路素子のコアとなる全面コア層(図示略)(他の構造)を、光導波路素子10の全面コア層13と同時に形成することができる。
【0033】
(工程2:補助層形成工程)
図4(b)および図5(b)に示すように、コア層形成工程における前記コア層除去領域に、補助クラッド5の材料からなる補助層18を形成する。補助層18は、CVD装置等を用いて形成することができる。補助層18はコア4とは異なる材料からなる。
補助層18は、延出部分16の一方の側面16a(第1側面領域)のうち、少なくとも先端12cを含む領域に接するように形成する。
【0034】
コア層14上に形成された補助層18は、化学機械研磨(CMP)やエッチング等により除去することができる。
コア層14上の補助層18の除去は不可欠ではないが、コア層14の厚みが適当な範囲を越える場合には、CMPやエッチング等により補助層18の除去を行うとともに、コア層14と補助層18の高さを共通化する(すなわち平坦化する)のが好ましい。
【0035】
(工程3:テーパ部形成工程)
図4(c)および図5(c)に示すように、フォトリソグラフィーおよびエッチングによりコア層14および補助層18の不要部分を除去してコア4および補助クラッド5を形成する。
まず、コア層14および補助層18上に、塗布などにより未露光のフォトレジスト層を形成する(フォトレジスト層形成工程)。
次いで、所定の形状のフォトマスクを用い、紫外線などを照射し、所定領域のフォトレジスト層を露光する(露光工程)。露光は、例えばステッパー露光装置を用いて行なうことができる。
次いで、フォトレジスト層を現像する現像工程を経て、現像工程により得られたフォトレジストパターンを用いてコア層14および補助層18をエッチングする(第2エッチング工程)。
【0036】
この第2エッチング工程では、コア層14および補助層18に、光の導波方向(Y方向)に対する一定角度の傾斜面19を形成する。
これによって、補助クラッド5Aの傾斜面8a(側面)と、補助クラッド5Bの傾斜面5dが形成されるとともに、傾斜面8aに隣接して、コア層14の延出部分16の側面16b側に、テーパ部12の他方の側面12bである傾斜面12b(第2側面領域)が形成される。
図示例では他方の側面12bの全面が第2側面領域となっているが、第2側面領域は、側面12bのうち少なくとも先端12cを含む領域であればよい。
図示例では、他方の側面12b(第2側面領域)は、一方の側面16a(第1側面領域)に対して、光の導波方向(Y方向)に沿い基板1に垂直な面について鏡映対称となるよう傾斜して形成される。
この工程によって、テーパ部12を有するコア4と、補助クラッド5とが形成される。
【0037】
この工程では、互いに接するコア層14と補助層18に対し同時にエッチングを施すことによって、補助クラッド5Aの傾斜面8aとテーパ部12の他方の側面12bとを同時に形成するため、テーパ部12の先端12cは、補助クラッド5Aに接した状態で形成される。
このため、テーパ部12の先端形状に沿う微細な形状のレジスト形成が不要であり、露光工程において光の回折に起因する制限を受けない。
また、微細形状のレジストによる先端のみをむき出しにして形成するエッチングがないため、先端部分の鈍化(丸まり)が起こりにくく、エッチングの条件設定は比較的容易である。
さらに、テーパ部12の先端12cが補助クラッド5Aに接した状態で形成されるため、その後の工程における外力による変形が起こりにくい。
従って、より幅が狭い先端12cを精度よく形成することができ、テーパ部12の先端部分における損失を低減できる。また、電子ビームによる直接描画法に限らず、マスクを用いた光学露光法による製造が可能なため、量産に適する。
【0038】
第2エッチング工程において、補助層18の一部が除去しきれずに下部クラッド3上に残ることが考えられるが、補助クラッド5と上部クラッド6の屈折率が同じまたは近い場合には、上部クラッド6に相当する部分の補助層18がそのまま残っても光導波路素子10の特性に大きな影響はない。補助クラッド5と上部クラッド6の屈折率が異なる場合においても、前記部分に補助層18が残ることの影響は軽微である。
ただし、補助クラッド5を光の導波路として利用する場合のように、不要部分の補助層18の除去が求められる場合には、さらなるエッチングによって前記部分の補助層18を除去することが好ましい。
上部クラッド6の外側部分の残存補助層18については、外部クラッド7を形成するにあたって除去することができる。
【0039】
上述のように、基板1上に、他の光導波路素子を同時に形成する場合には、テーパ部形成工程(第2エッチング工程)において、前記他の光導波路素子の全面コア層(図示略)(他の構造)にエッチングを施して、所定形状のコア層を得ることができる。
【0040】
一般に、製造装置には、パターンのアラインメントに誤差が生じることがある。このアラインメントの誤差は、通常数nmから数十nmであるが、このアラインメントにより、本発明ではコアのテーパ部の長さが変化することが考えられる。
これを図17を用いて説明する。この図は、コア層形成工程および補助層形成工程においてコア層14および補助層18を形成した後(図5(b)参照)、テーパ部形成工程においてフォトマスク19を用いてコア層14にテーパ部を形成する工程を説明する図である。
テーパ部形成工程においては、レジスト層を形成した後、フォトマスク19を用いて露光を行い、コア層14の一方の側面16a(テーパ部12の一方の側面12aとなる面)とは反対の側面に、テーパ部12の他方の側面12bを形成する。
図中、一点鎖線で示す位置19Aと二点鎖線で示す位置19Bは、フォトマスク19のアラインメント精度を考慮して得られたX方向の一方側および他方側の最大ずれ位置である。
【0041】
例えば、コア幅m1が200nmで、フォトマスク19がX方向一方側(図中上方)に最もずれた場合(位置19A)におけるテーパ部12の最大長さm3(Y方向の長さ)を300μmとすると、フォトマスク19のアラインメントのずれが30nmの場合は、このアラインメントずれによるテーパ部12の先端12c位置のずれ量は30μmとなる。
なお、Y方向への装置のアラインメント精度はX方向と同程度であるので、テーパ部12の先端12cの位置への影響はX方向のずれによる影響と比較して小さい。
【0042】
しかし、テーパ部12の長さが制限されている場合などのように、製造におけるテーパ部12の先端12c位置のずれを低減することが好ましい場合には、次の方法を採用することができる。
図18に示すように、フォトマスク19に代えてフォトマスク29を使用する。フォトマスク29は、先端29aのY方向の位置を、テーパ部12の先端12cのY方向の想定位置と一致させる。
フォトマスク29は、X方向一方側の最大ずれ位置29Aにあるときに先端12cが鋭角形状となる(先端12cの幅がゼロとなる)ようにその位置を設定する。
このようにすると、フォトマスク29のずれが発生した場合でも、先端12cの幅が変化する代わりに、先端12cの位置は一定とすることができる。
この方法では、フォトマスク29を用いた露光により、先端29aに沿う側面を有する補助クラッド5と、テーパ部12の側面12bが同時に形成されるため、幅が狭い先端12cを精度よく形成することができる。
先端12cの幅の最大値は、フォトマスク29の最大ずれ量(マスクシフト量)に一致する。
先端12cの幅が増大するのは好ましいことではないが、先端12cの幅の最大値は前記マスクシフト量であり、一般的にはマスクシフト量は、その装置で行う従来の製造工程で得られる先端幅よりも小さいため、本方法では、従来の手法に比べて低損失化が可能な導波路構造を得ることができる。
【0043】
(工程4:上部クラッドおよび外部クラッド形成工程)
図4(d)および図5(d)に示すように、コア4、補助クラッド5および下部クラッド3を覆うように上部クラッド6を形成する。
次いで、外部クラッド7を形成し、図1に示す光導波路素子10を得る。
【0044】
[第2の実施の形態]
図11および図12は、本発明の第2実施形態にかかる光導波路素子20の断面図であり、グレーティング構造を採用したものである。
図11は、光導波路素子20のXZ平面における断面図であり、図12のA2−A2断面図である。図12は、図11のA1−A1断面図である。図13は、光導波路素子20の断面図である。
以下の説明においては、第1の実施形態の光導波路素子10と同じ構成については同一符号を付してその説明を省略することがある。本実施形態の一部の構成は、国際公開第2009/107812号に記載されている光導波路素子と共通である。
光導波路素子20は、基板1上に光導波路22が形成された光導波路素子である。本実施形態では、SOI基板を加工して作製することを想定する。
基板1は、例えばシリコン(Si)からなる。
【0045】
図11において、光導波路22は、下部クラッド3と、下部クラッド3上に形成された内側コア24と、その上に形成された中間コア25と、これらを覆って形成された上部クラッド26とを有する。
下部クラッド3は、内側コア24よりも屈折率が低い材料からなり、例えばSiO2等を使用することができる。
【0046】
内側コア24は、厚みの薄い平板部(薄板部)24aと、平板部24aの幅方向中央位置において上部クラッド26側に突出する厚みの厚い凸状部(厚板部)24bとから構成されるリブ型形状をなす。
内側コア24には、下部クラッド3、中間コア25および上部クラッド26よりも高い屈折率を有する材料、例えばシリコン(Si)を使用できる。
【0047】
中間コア25は、内側コア24とは異なる材料、内側コア24より屈折率が低く、かつ上部クラッド26より屈折率が高い材料からなることが好ましく、内側コア24の凸状部24bおよびこれに近い部分の平板部24aを覆って形成されている。
内側コア24および中間コア25は、光が導波する複合コアを構成している。
【0048】
図11に示すように、中間コア25は、上面に設けた溝25aの幅winおよび中間コア25の全幅woutを光の導波方向(紙面に垂直な方向)に周期的に変化させることによりブラッググレーティング構造となり、光導波路22の実効屈折率を変化させることができる。この構造は、波長分散補償素子に適用できる。
上部クラッド26は、中間コア25よりも低い屈折率を有する材料からなり、例えばSiO2等を使用することができる。
【0049】
図12のA3−A3断面、A5−A5断面、A7−A7断面およびA8−A8断面をそれぞれ図13(a)〜図13(d)に示す。
図13(a)に示すように、A3−A3断面(図12参照)では、内側コア24の平板部24aの幅が中間コア25の幅に等しくされている。
なお、平板部24aの幅は、中間コア25の幅より広く、または狭く形成することも可能であり、導波路構造の変化によるモードフィールドの変化が小さい範囲で適宜設計変更が可能である。
【0050】
図13(a)において、内側コア24の外側には中間コア25が設けられ、その外側には外側コア28が設けられ、その外側に上部クラッド26が設けられている。
図12に示すように、外側コア28は、このA3−A3断面位置から先端方向に延在して形成されている。A3−A3断面位置より後方では外側コア28は存在しないため、この位置の前後で光導波路の構造が変化するが、光は内側コア24を中心に分布するため、外側コア28についての構造変化が光特性に及ぼす影響は小さい。
【0051】
外側コア28は、中間コア25より屈折率が低く、かつ上部クラッド26より屈折率が高い材料からなることが好ましい。例えば、SiOxNyが使用できる。
A3−A3断面(図12参照)では、外側コア28は、内側コア24および中間コア25からなる複合コアに対するクラッドとして機能させることができる。
外側コア28は、後述する光導波路22の先端(図13(d)参照)では、光が導波するコアとして機能する。
【0052】
なお、本実施形態では、A3−A3断面位置より後方では外側コア28は存在しない構造が採用されているが(図13(a)参照)、これに限らず、A3−A3断面位置より後方の部分にも、中間コア25の外側に外側コア28を形成してもよい。
【0053】
A3−A3断面位置から先端方向に向かって、内側コア24の平板部24aは、幅が徐々に狭くなるテーパ状に形成され、その幅はA4−A4断面位置に至って凸状部24bの幅と一致する。平板部24aをテーパ状とすることによって、光の導波方向に導波路構造が急激に変化することに起因する損失を抑えることができる。
【0054】
図12および図13に示すように、中間コア25は上面位置が内側コア24より高く形成され、A4−A4断面位置からA5−A5断面位置までの範囲では、内側コア24の一方面24c、他方面24dおよび上面に接して形成されている。
図12および図13(b)に示すように、A5−A5断面位置からA6−A6断面位置までの範囲における中間コア25(中間コア基部38)は内側コア24の一方面24cおよび上面に形成されており、テーパ部30の一方の側面30aに接している。
A5−A5断面位置からA6−A6断面位置までの範囲において、中間コア基部38のテーパ部30に沿う部分のうち内側コア24と同じ高さ範囲の部分38aは、先端30cに向けたテーパ部30の幅の減少に応じて幅が大きくなる形状である。
中間コア25は、先端方向に向けたテーパ部30の幅の減少に応じて幅が徐々に大きくなる形状となっているため、導波光の分布が徐々に内側コア24から中間コア25に移ることから、低損失で光を内側コア24から中間コア25に伝搬させることができる。
A5−A5断面位置からA6−A6断面位置までの範囲において、内側コア24の一方面24cは、他方面24dに向かって傾斜した傾斜面24eとなっている。
【0055】
傾斜面24eが形成された部分の内側コア24は、先端に向けて徐々に幅が狭くなるテーパ部30となっている。図示例の先端30cは先鋭な鋭角形状であるが、先端30cは微小な一定幅の先端面12dを有してもよい(図14参照)。
テーパ部30では、一方面24cには中間コア25が接しており、テーパ部30の先端30cは、中間コア25に接する面(傾斜面24e)の先端に形成されている。
図12に示すように、A5−A5断面位置から先端側のA7−A7断面位置までの範囲では、中間コア25は先端方向に延出している。
A5−A5断面位置から先端側のA6−A6断面位置までの範囲では、中間コア25の側面25bは、テーパ部30の他方の側面30b(他方面24d)に対し面一に形成されている。
【0056】
図12に示すように、A6−A6断面位置とA7−A7断面位置との間に位置する部分の中間コア25である延出基部35は、一定幅の下部25Aと、その上に形成されて徐々に幅が狭くなる上部25Bとを有する形状である(図13(c)参照)。延出基部35と、その先端から先端方向に幅が狭くなりつつ延出するテーパ延出部36は、延出部分39を構成する。
延出部分39の先端25cは、A8−A8断面位置にあり、光導波路22の先端22aより後方にある(図13(d)参照)。
【0057】
内側コア24は、既に説明した製造方法を利用して作製できる。
すなわち、一方の側面30a(第1側面領域)を有するコア層(図示略)を形成し(コア層形成工程)、中間コア25となる補助層(図示略)を一方の側面30aに接して形成し(補助層形成工程)、前記コア層に対して前記補助層と同時にエッチングを施して、テーパ部30の他方の側面30b(第2側面領域)を形成することによって(テーパ部形成工程)、内側コア24を形成することができる。
【0058】
内側コア24のテーパ部30の他方の側面30b(他方面24d)は、テーパ部形成工程において、中間コア25の側面25bとともにエッチングにより形成されるため、先端30cは、中間コア25に接した状態で形成される。
このため、テーパ部30の先端形状に沿う微細な形状のレジスト形成が不要であり、露光工程において光の回折に起因する制限を受けない。
また、微細形状のレジストによる先端のみをむき出しにして形成するエッチングがないため、先端部分の鈍化(丸まり)が起こりにくく、エッチングの条件設定は比較的容易である。
さらに、テーパ部30の先端30cが中間コア25に接した状態で形成されるため、その後の工程における外力による変形が起こりにくい。
従って、より幅が狭い先端30cを精度よく形成することができ、テーパ部30の先端部分における損失を低減できる。
【0059】
[実施例1]
図6に断面構造を示す構成の光導波路素子において、接続損失についてのシミュレーションを行った。
以下の説明においては、第1の実施形態の光導波路素子10と同じ構成については同一符号を付してその説明を省略することがある。
図6の構造において、コア4をSi(屈折率3.5)、上部クラッド6をSiON(屈折率1.5)、下部クラッド3および外部クラッド7をSiO2(屈折率1.45)で構成し、各部の寸法をw2=3000nm、t1=300nm、t2=3000nmとした第1の光導波路と、第1の光導波路におけるコア4に、Si(屈折率3.5)に代えて上部クラッド6の材料(SiON(屈折率1.5))を用いた第2の光導波路と、が接続されている構造についてシミュレーションを行った。
両構造における導波モードのオーバーラップインテグラルを求めることで結合効率を算出し、結合効率から、導波モードに結合しなかったパワーとして接続損失を求めた。
各導波路構造の導波モードは、有限要素法、有限差分法等により求めることができる。
【0060】
図6に示すコア4の幅w1をパラメータとするシミュレーション結果を図7に示す。図7には、TE−likeモードとTM−likeモードについての接続損失を示す。
なお、TE−likeモードとは、導波路中を伝播する光の電界が主に導波方向に垂直方向の成分を有し、電界の主成分が基板に対して平行方向(水平方向)である伝播モードであり、TM−likeモードとは、導波路中を伝播する光の磁界が主に導波方向に垂直方向の成分を有し、電界の主成分が基板に対して垂直方向である伝播モードである。
図7より、例えばTM−likeモードではコア4の幅が60nmであっても0.8dBという大きな損失が生じるが、コア4の幅を狭くすることによって、結合損失を低減でき、低損失化を図ることができることがわかる。
【0061】
[実施例2]
図8は、補助クラッド5における接続損失についてのシミュレーション結果を示すものである。
本シミュレーションは、図6の構造において、コア4に、Si(屈折率3.5)に代えて、補助クラッド5に使用可能な材料であるSiN(屈折率2.0)を使用すること以外は実施例1と同様である。
図8より、SiN(屈折率2.0)を使用すると、Si(屈折率3.5)を用いた場合(図7)に比べ、損失が低くなることがわかる。
【0062】
実施例1、2の結果から、以下に説明するように、本発明の採用により損失低減が可能となることがわかる。
例えば、図3に示す光導波路素子10において補助クラッド5を上部クラッド6と同じ材料とすれば、光導波路素子10は図6に示すものと同じ基本構造となる。
従来技術によりテーパ部を形成すると先端の幅は大きくなるため(例えば150nm以上)、実施例1の結果(図7)より、損失は大きくなる。
これに対し、本発明の方法を採用すれば上述のとおり先端12cの幅を小さくできるため、実施例1の結果(図7)より、先端12cにおける損失を非常に小さくできると考えられる。
【0063】
さらに、図3に示す光導波路素子10において、上部クラッド6とは異なる材料(上部クラッド6より高屈折率、かつコア4より低屈折率の材料。例えばSiN(屈折率2.0))を補助クラッド5に用いる場合には、コア4を伝搬する光を低損失で補助クラッド5に伝搬させることができることに加え、実施例2の結果(図8)より、補助クラッド5の先端5aの幅が比較的大きい場合でも先端5aにおける損失を低くできる。このため、補助クラッド5の先端5aから上部クラッド6に低損失で光を伝搬させることができる。
以上より、本発明の方法を採用すれば、テーパ部12の先端12cの幅を小さくできるため、コア4から補助クラッド5へ低損失で光を伝搬させ、さらに補助クラッド5から上部クラッド6への光の伝搬についても低損失化できることがわかる。
【0064】
[実施例3]
図9は、コア4の先端の幅方向位置がコア4の幅方向中央位置からずれた場合の影響についてのシミュレーション結果を示すものである。
この図より、コア4の先端幅が10nmである場合には損失は非常に小さく、コア4の先端幅が60nmである場合にも、ずれ幅が0.5μmでも損失は1.0dB以下であり、損失を低く抑えられることがわかる。
テーパ部先端の幅方向の位置は、上部クラッドに対して中央であることが好ましいが、本発明では、先端の幅方向の位置が中央からずれた場合においても、従来の方法と比較して十分低損失な接続を実現することができる。
【0065】
[実施例4]
図10は、本発明の構造をスポットサイズ変換素子に応用することを考慮したシミュレーションに用いた構造を示すものである。
図10は、図3と同様に、光導波路素子のXY平面における断面図である。ここでは、コア4の外側に上部クラッド6が形成され、その外側に外部クラッド7が形成された構造を想定している。
コア4のコア基部11の長さ(Y方向の長さ)をL3とし、テーパ部12の長さをL2とし、テーパ部12の先端と光導波路2の先端との距離をL1として、L1=10μm、L2=300μm、L3=10μmとした場合において、この光導波路素子を、ビームウェストが3μmのレンズファイバと結合させた場合の損失を、EME(Eigen mode Expansion Method)法により計算した結果、接続損失は、TE−likeモードでは0.28dB、TM−likeモードでは0.31dBであった。
【0066】
[実施例5]
図11〜図13に示す構成の光導波路素子20において、ビームウェストが3μmの光ファイバと結合させた場合の結合効率を計算した。
本シミュレーションに用いた各寸法は次のとおりである。
図11において、t1=250nm、t2=50nm、tin=100nm、tout=450nm、w1=560nm、win=0nm、wout=1000nm。
図12において、L1=50μm、L2=100μm、L3=200μm、L4=50μm、L5=300μm、L6=10μm。
図13(a)において、h1=600nm、h2=250nm、h3=50nm、h4=2200nm、w1=1000nm、w2=160nm、w3=280nm、w4=2500nm。
図13(b)において、h1=600nm、h2=300nm、h4=2200nm、w1=780nm、w2=560nm、w4=2500nm。
図13(c)において、h1=300nm、h2=300nm、h4=2200nm、w1=780nm、w2=150nm。
図13(d)において、h4=2500nm、w4=2200nm。
【0067】
第1の実施形態における実施例1のシミュレーションと同様の方法によりシミュレーションを行った結果、結合効率は、TE−likeモードについて0.19dB、TM−likeモードについて0.32dBであった。
【0068】
[実施例6]
図15および図16は、本発明の製造方法の一例により作製した光導波路素子のコアのテーパ部および補助クラッドを示すSEM写真である。
補助クラッドにはSiO2を使用し、コアにはSiを使用した。テーパ部形成工程では、KrF線のステッパを用いた。
図15はテーパ部の(長さ方向の)中間部分、図16はテーパ部の先端部分を示す。補助クラッドおよびコアの高さは280nmである。
従来の方法による加工可能な最小先端幅は160nmであるが、図15に示す中間部分ではコアの幅は約100nmであり、図16に示すテーパ部先端では約60nm幅を実現した。
これらの結果より、本発明の製造方法によれば、より幅が狭い先端を有するテーパ部を形成できることがわかる。
【符号の説明】
【0069】
1・・・基板、2、22・・・光導波路、3・・・下部クラッド、4、24・・・コア、5・・・補助クラッド、6、26・・・上部クラッド、7・・・外部クラッド、8・・・延出部分、8a・・・傾斜面、10、20・・・光導波路素子、12、30・・・テーパ部、12a・・・テーパ部の一方の側面、12b・・・テーパ部の他方の側面、12c、30c・・・テーパ部の先端、14・・・コア層、15・・・コア基部、16・・・延出部分、16a・・・一方の側面、16b・・・他方の側面、18・・・補助層、19・・・傾斜面、24・・・内側コア、25・・・中間コア、28・・・外側コア。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
先端(12c、30c)に向けて徐々に幅が狭くなるテーパ部(12、30)を有するコア(4、24)を備えた光導波路素子を製造する方法であって、
前記コアの材料からなるコア層(14)を形成するコア層形成工程と、前記コア層に接する補助層(18)を形成する補助層形成工程と、前記コア層に前記テーパ部を形成し前記コアを得るテーパ部形成工程とを含み、
前記コア層形成工程は、前記テーパ部の一方の側面(12a)のうち少なくとも前記先端を含む第1側面領域(16a)を形成する工程であり、
前記補助層形成工程は、前記第1側面領域のうち少なくとも前記先端を含む領域(16a)に接して、前記コアとは異なる材料からなる補助層(18)を形成する工程であり、
前記テーパ部形成工程は、前記コア層に対し、前記補助層と同時にエッチングを施すことによって、前記テーパ部の他方の側面(12b)のうち少なくとも前記先端を含む第2側面領域を形成する工程であることを特徴とする光導波路素子の製造方法。
【請求項2】
前記テーパ部形成工程におけるエッチングに際し、前記コア層に第2側面領域を形成すると同時に、前記補助層に、前記第2側面領域と面一な側面(8a)を形成することを特徴とする請求項1に記載の光導波路素子の製造方法。
【請求項3】
前記テーパ部形成工程の後に、上部クラッド形成工程を有し、
前記上部クラッド形成工程は、前記補助層と同じ材料からなる上部クラッドを、少なくとも前記コアの先端を覆うように形成する工程であることを特徴とする請求項1または2に記載の光導波路素子の製造方法。
【請求項4】
前記コア層形成工程において、前記コア層と同じ材料からなる同一基板上の他の構造を、前記コア層と同時に形成することを特徴とする請求項1〜3のうちいずれか1項に記載の光導波路素子の製造方法。
【請求項5】
前記テーパ部形成工程において、前記テーパ部の他方の側面(12b)形成と同時に、前記コア層と同じ材料からなる他の構造を所定の形状とすることを特徴とする請求項4に記載の光導波路素子の製造方法。
【請求項6】
前記コア層形成工程において、前記第1側面領域を、光の導波方向に対し傾斜して形成し、
前記テーパ部形成工程において、前記第2側面領域を、前記第1側面領域に対して、前記光の導波方向に沿い前記基板に垂直な面について鏡映対称となるよう傾斜して形成することを特徴とする請求項1〜5のうちいずれか1項に記載の光導波路素子の製造方法。
【請求項1】
先端(12c、30c)に向けて徐々に幅が狭くなるテーパ部(12、30)を有するコア(4、24)を備えた光導波路素子を製造する方法であって、
前記コアの材料からなるコア層(14)を形成するコア層形成工程と、前記コア層に接する補助層(18)を形成する補助層形成工程と、前記コア層に前記テーパ部を形成し前記コアを得るテーパ部形成工程とを含み、
前記コア層形成工程は、前記テーパ部の一方の側面(12a)のうち少なくとも前記先端を含む第1側面領域(16a)を形成する工程であり、
前記補助層形成工程は、前記第1側面領域のうち少なくとも前記先端を含む領域(16a)に接して、前記コアとは異なる材料からなる補助層(18)を形成する工程であり、
前記テーパ部形成工程は、前記コア層に対し、前記補助層と同時にエッチングを施すことによって、前記テーパ部の他方の側面(12b)のうち少なくとも前記先端を含む第2側面領域を形成する工程であることを特徴とする光導波路素子の製造方法。
【請求項2】
前記テーパ部形成工程におけるエッチングに際し、前記コア層に第2側面領域を形成すると同時に、前記補助層に、前記第2側面領域と面一な側面(8a)を形成することを特徴とする請求項1に記載の光導波路素子の製造方法。
【請求項3】
前記テーパ部形成工程の後に、上部クラッド形成工程を有し、
前記上部クラッド形成工程は、前記補助層と同じ材料からなる上部クラッドを、少なくとも前記コアの先端を覆うように形成する工程であることを特徴とする請求項1または2に記載の光導波路素子の製造方法。
【請求項4】
前記コア層形成工程において、前記コア層と同じ材料からなる同一基板上の他の構造を、前記コア層と同時に形成することを特徴とする請求項1〜3のうちいずれか1項に記載の光導波路素子の製造方法。
【請求項5】
前記テーパ部形成工程において、前記テーパ部の他方の側面(12b)形成と同時に、前記コア層と同じ材料からなる他の構造を所定の形状とすることを特徴とする請求項4に記載の光導波路素子の製造方法。
【請求項6】
前記コア層形成工程において、前記第1側面領域を、光の導波方向に対し傾斜して形成し、
前記テーパ部形成工程において、前記第2側面領域を、前記第1側面領域に対して、前記光の導波方向に沿い前記基板に垂直な面について鏡映対称となるよう傾斜して形成することを特徴とする請求項1〜5のうちいずれか1項に記載の光導波路素子の製造方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図17】
【図18】
【図15】
【図16】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図17】
【図18】
【図15】
【図16】
【公開番号】特開2011−242650(P2011−242650A)
【公開日】平成23年12月1日(2011.12.1)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−115482(P2010−115482)
【出願日】平成22年5月19日(2010.5.19)
【出願人】(000005186)株式会社フジクラ (4,463)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成23年12月1日(2011.12.1)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年5月19日(2010.5.19)
【出願人】(000005186)株式会社フジクラ (4,463)
【Fターム(参考)】
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