【課題】リング導波路の曲率半径を小さくしても伝播損失を抑制できる導波路型光デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導波路型光デバイス３０は、基板４０と、基板４０上に形成されたリング導波路３２とを有する。リング導波路３２はリング状のコア４２と、クラッド４３とにより形成されている。リング状のコア４２の内周面には、リング状のコア４２よりも薄く且つリング状のコア４２の内周面に沿って所定の幅で形成されたスラブ層３３が接続されており、リング状のコア４２の外周にはスラブ層が設けられていない。 （もっと読む）

【課題】位相調整用の液状樹脂を滴下する特定区間の光導波路の近傍に位相調整用の樹脂が漏洩し難い構造を導入し、光導波路の位相調整を確実に実施する手段を備えた光導波路素子を提供すること。
【解決手段】伝搬する光のフィールドが光導波路の外に染み出すように光導波路コア及びクラッドの幅が設定されているメサ型またはリッジ型の光導波路を備えた光導波路素子において、前記光導波路コアに沿って形成した窪みのうち、屈折率を変化のための樹脂を充填する特定区間の窪みの周囲を囲むように光導波路の高さよりも高く表面が水平で平滑な漏洩防止構造体を形成することを特徴とする光導波路素子である。好ましくは、前記漏洩防止構造体の表面に、該漏洩防止構造体の縁部に沿った周囲を一周囲った溝を設ける。 （もっと読む）

【課題】マイクロディスペンサ法を用いて微小領域に滴下する際に、光導波路の上面や側面に滴下し易くかつ安全に液状の充填材料を滴下する構造を備えた光導波路素子を提供すること。
【解決手段】伝搬する光のフィールドが光導波路５の外に染み出すように光導波路コア及びクラッドの幅が設定されているメサ型１またはリッジ型６の光導波路を備えた光導波路素子において、前記光導波路の近傍に、光導波路の高さよりも高い突起構造３ａ、３ｂ、３ｃを設けた光導波路素子。または、前記突起構造の代わりに、前記光導波路の近傍から当該光導波路の上方に突出して形成した梁状の構造を設けてもよい。さらに、前記突起構造の代わりに、前記光導波路の片側に、当該光導波路の長手方向に沿って、該光導波路の高さよりも高い壁構造を設けてもよい。 （もっと読む）

【課題】 光路長差が大きい場合であっても光路長が同じになるように調整する。
【解決手段】 「エバネットセント波のしみこみ現象」の発生を光路長の調整に適用したものであり、２つの光導波路３，４のコア３１，４１を接触させ、そのコアの接触面７を介して光信号の一部が対面する光導波路３，４に伝搬することを利用しカプリングを生じさせ、その接触位置を光導波路３，４の長手方向に移動させることによって、光路長を伸縮させることが可能となるものである。 （もっと読む）

【課題】バッファ層中へのＬｉイオン等のキャリアの拡散を抑制し、長期間に渡り駆動電圧が安定した光導波路素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、基板１に形成された光導波路２と、基板１の上に形成されたバッファ層５と、バッファ層５上に形成され、光導波路２を伝搬する光波を変調する変調電極３，４とを有する光導波路素子において、光導波路２とバッファ層５との間に、基板１に含まれる金属イオンがバッファ層５内に拡散し偏在することを抑制するための偏在抑制層６を設ける。 （もっと読む）

【課題】データ処理装置などの機器間又は機器内において、チップ間やボード間で送受信される高速光信号を伝送する際に、安価な作製手段で伝送速度高速化、小型・集積化、および部品実装性に優れるＳｉ集積の光モジュールおよび光電気混載ボードを提供する。
【解決手段】Ｓｉ同一基板１００上に、レーザ光源素子１０１と、Ｓｉ基板１００に直接設けられたＳｉ導波路１０２とを具備し、Ｓｉ導波路１０２が基板水平方向に形成され、Ｓｉ導波路光出射端からの光軸延長線上に、基板平行に対して傾斜角を有する第１のテーパ面１０６と、それと対向する位置に基板平行に対して傾斜角を有する第２のテーパ面１０７がそれぞれ表面に露呈した光路変換部１０６を設け、基板外部との間でやりとりされる光信号が、光路変換部１０４およびＳｉ基板１００内部を介して基板垂直方向に光学的に接続される光モジュールとする。 （もっと読む）

【課題】テーパ構造のＣ型開口を有する９０°に曲がっている金属導波路、導波路の製造方法、導波路を利用した光伝送モジュール及び導波路を採用したＨＡＭＲ（熱補助磁気記録）ヘッドを提供する。
【解決手段】光を伝送する開口１１３が内部に形成された導電性金属からなる金属導波路１１１において、開口は、入力端１１１ａと出力端１１１ｂとの間で光の進行方向を変えるように曲がっている構造を有し、曲がっている部分と出力端との間で出力端側に幅が次第に狭くなるテーパ構造を有し、開口を形成する金属の内面にリッジ部１１４が突出して形成されることによって、開口がＣ型の形状を有する金属導波路である。 （もっと読む）

【課題】リッジ形状やメサ形状といった凸状部分上の樹脂若しくはレジストのエッチングの停止タイミングを容易に且つ精度良く判断することが可能な光半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】この光半導体デバイスの製造方法は、一対の溝に挟まれた光導波路において光の導波を行う光変調器を製造する方法であって、ウエハ１６上に設定された評価用領域（ＴＥＧ領域）に、複数対の評価用溝３１ａ，３１ｂを形成する工程と、ウエハ１６上に樹脂層１３を塗布する工程と、樹脂層１３に対してエッチングを行い、光導波路の頂部を露出させる露出工程と、光導波路上に電極を形成する工程とを備え、評価用領域における複数対の評価用溝３１ａ，３１ｂの幅が各対毎に異なっており、露出工程の際に、エッチングによって評価用領域における少なくとも一対の評価用溝３１ａ，３１ｂに挟まれた領域３３の頂部を露出させる。 （もっと読む）

【課題】光吸収効率を向上させること、特に導波路部と光検出部の間に光閉じ込め作用の弱いスラブ領域が形成された場合でも、光吸収効率を向上させる。
【解決手段】導波路コア層を含む導波路７１１と、前記導波路の幅より広い幅を有し、前記導波路コアからの出射光が入射される多モード干渉導波路７３１と、少なくとも１つの層からなり、前記多モード干渉導波路からの出射光が入射される第１半導体層７０２と、前記第１半導体層の上に設けられ、前記第１半導体層に入射された出射光を吸収する吸収層７０３を含む光検出部７０１とを有し、前記導波路７１１からの出射光が入射される前記多モード干渉導波路７３１の端部から、前記多モード干渉導波路からの出射光が入射される前記光検出部７０１の端部までの長さが、前記多モード導波路において自己結像が起こる長さの７０％から１００％までの長さである。 （もっと読む）

【課題】
光ファイバの波長分散を補償可能であり、数１０Ｇｂｐｓを超える高速伝送にも適用可能な光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で構成される基板１と、該基板に形成された光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極３とを有する光変調器において、該光導波路から出射する出射光Ｌ２を光ファイバで導波し、該光ファイバの波長分散特性と逆の特性の波形歪を有するように、該光導波路に沿って該基板を所定のパターンで分極反転１０させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体光集積回路装置及びその製造方法に関し、吸収効率の向上と素子抵抗の低減を両立する。
【解決手段】 半導体基板上に形成された少なくともメサ状部を有する導波路コア層からなる導波路部と、前記導波路コア層の延長部上に順次積層された第１導電型スペーサ層、吸収層及び前記第１導電型と反対の第２導電型上部クラッド層を少なくとも有するフォトダイオード部とを少なくとも設け、前記第１導電型スペーサ層の少なくとも一部がメサ状であり、前記メサ状の第１導電型スペーサ層の側面に接するように、前記第１導電型スペーサ層の屈折率より小さな屈折率の第１導電型半導体層を設ける。 （もっと読む）

【課題】外部光導波路との結合に高い効率を提供できるスポットサイズ変換器を提供する。
【解決手段】遷移部２９は遷移部３３から間隔を置いて設けられる。遷移部２９の幅Ｗ１と遷移部３３の幅Ｗ２との比（Ｗ１／Ｗ２）は、光入出力部２７から遷移部２９への方向ＤＩＲＣ１に単調に小さくなる。スポットサイズ変換器１３ａでは、光入出力部２７から遷移部２９への方向ＤＩＲＣ１にコア幅の比（Ｗ１／Ｗ２）が単調に小さくなるので、遷移部３３と遷移部２９との光結合の大きさが、方向ＤＩＲＣ２に関して変化する。また、光入出力部２７の幅Ｗ（Ｉ／Ｏ）が遷移部２９から光入出力部２７への第２の方向ＤＩＲＣ２にそって単調に大きくなると共にコア層２３の厚さがコア層２５の厚さより厚いので、コア層２５の材料並びにコア層２５の幅及び厚さとは独立してスポットサイズを変換できる。 （もっと読む）

【課題】導波路コア層の幅のばらつきが光の伝播に及ぼす影響を抑制する。
【解決手段】光半導体素子１は、クラッド層２上に設けられた、導波路コア層３ａ、及びその両側のスラブ層３ｂを有する第１半導体層３を備える。光半導体素子１は、その導波路コア層３ａの側面、及びスラブ層３ｂの上面を被覆する絶縁層４を備え、更に、導波路コア層３ａの側方で、スラブ層３ｂの上方に、絶縁層４を介して設けられた第２半導体層５を備える。第２半導体層５と導波路コア層３ａとは、絶縁層４によって電気的に分離される一方、光学的には接続される。 （もっと読む）

【課題】強誘電体結晶同士を接合する接着剤の剥離が生じない、強誘電体結晶からなる光導波路素子を提供する。
【解決手段】強誘電体結晶からなる基板１０と、基板１０上に形成された第１の接着層２０と、第１の接着層２０を介して基板１０と接合された強誘電体結晶からなる光導波路層３０と、光導波路層３０上に形成された第２の接着層４０と、第２の接着層４０を介して光導波路層３０と接合された、強誘電体結晶からなるキャップ層５０とを備え、両端部においてスラブ型導波路構造を形成し、両端部に挟まれた中央領域において３次元導波路構造を形成している。 （もっと読む）

【課題】 リブ型光導波路デバイス及びその製造方法に関し、光導波路における光閉じ込め効果を減少させることなく、単結晶コアの側面ラフネスを低減する。
【解決手段】 ＳｉＯ_２からなる下部クラッド層と、前記下部クラッド上に設けられたＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（但し、０≦ｘ≦０．３）からなる単結晶コアと、前記単結晶コアの側面に拡散防止膜を介して設けられた屈折率緩和層と、前記単結晶コアの上面と前記拡散防止膜及び屈折率緩和層の露出面を覆うＳｉＯ_２からなる下部クラッド層とを有する光導波路を備え、前記屈折率緩和層の屈折率を、前記単結晶コアの屈折率より小さく且つ前記上部クラッド層の屈折率より大きくする。 （もっと読む）

【課題】ＲＦ駆動電圧とともにＤＣバイアス電圧が小さい光変調器を提供する。
【解決手段】基板と、基板に形成された光導波路と、高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の中心電極及び接地電極を有する進行波電極と、バイアス電圧を印加するバイアス電極とを有し、光導波路には高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部とを具備し、高周波電気信号用相互作用部とＤＣバイアス用相互作用部の両方において光導波路に沿って基板の一部を掘り下げて形成された凹部によりリッジ部をなす光変調器において、高周波電気信号用相互作用部におけるリッジ部の高さとＤＣバイアス用相互作用部におけるリッジ部の高さとが異ならしめて形成され、ＤＣバイアス用相互作用部におけるリッジ部の高さが、高周波電気信号用相互作用部におけるリッジ部の高さよりも低く成る。 （もっと読む）

【課題】リッジ型の光導波路を有する光導波路（ＳＨＧ）素子の生産性を高める。
【解決手段】ＳＨＧ素子６は、主面にリッジ型の光導波路７を有する導波路基板８と、導波路基板８の主面と反対側の対向面に接合された支持基板９とからなる光導波路素子であり、光導波路７の入射面１５と出射面１６を導波路基板８の主面に設けた構成とした。入射面１５或いは出射面１６には研削加工やポッティングによりレンズを一体成形する。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能であるとともに、光の挿入損失について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】光導波路と、高周波電気信号を印加するための進行波電極と、光にバイアス電圧を印加するためのバイアス電極と、進行波電極に高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とを具備し、高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部の両方にリッジ部を具備する光変調器において、バイアス用相互作用部に形成されたリッジ部の頂面における相互作用光導波路の端から当該頂面の端までの距離が、高周波電気信号用相互作用部に形成されたリッジ部の頂面における相互作用光導波路の端から当該頂面の端までの距離よりも大きく形成され、バイアス用相互作用部における光の伝搬損失を低減する。 （もっと読む）

【課題】導波路内の光の伝播の方向に対して傾斜している分極反転光学領域を有する、非線形光学結晶材料を備える周期分極反転光導波路が提供される。
【解決手段】傾斜している分極反転光学領域から反射された光は、光導波路の中へ戻って効率的に結合することがなく、このことにより、導波路に結合された半導体レーザ光源への背面反射の低減が助長される。背面反射が低減すると、半導体レーザ光源の安定稼働が助長される。傾斜している分極反転領域を有する周期分極反転光導波路を製造する方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】ＶＣＳＥＬ等の発光素子の個数が少なくても大きな伝送容量を確保することができるとともに、装置の小型化が容易な光インターコネクション用光送信器を提供する。
【解決手段】光送信器は、波長多重連続光が入力される光導波路１１７と、光導波路１１７の長さ方向に沿って配置され、外部から供給される電気信号に応じて光導波路１１７を通る光に対し、入力ポートからスルーポートへの透過率を変化させて変調を行う複数の変調器１２１と、複数の変調器１２１により変調された光を出力する光信号出力部１１３とを有する。複数の変調器１２１は、変調可能な光の波長がそれぞれ異なる。 （もっと読む）