【課題】 光集積デバイスに光ファイバを位置決めする際に、光ファイバの位置ずれや角度のずれを最小にする。
【解決手段】 光集積デバイスは、基板上に積層された多層ガイド層を貫通する開口と、前記開口に案内されて前記基板に形成された光入出力部と光学的に接続される光ファイバとを含み、前記開口は、最下層のガイド層と最上層のガイド層における開口幅が、前記最下層と前記最上層の間に位置する中間層の開口幅よりも狭く、前記光ファイバは、開口幅方向に沿った第１の端部で前記最下層のガイド層の開口部の側壁に当接し、前記第１の端部と反対側の第２の端部で前記最上層のガイド層の開口部の側壁と当接する。 （もっと読む）

【課題】低コストで簡便に形成することが可能である回折格子型光結合器を提供する。
【解決手段】シリコン光導波路26の一部分30の両側に複数のサブ光導波路24を並列に並べて、第1回折格子28が形成されている。シリコン光導波路の一部分には第2回折格子32が形成されている。第1回折格子と第2回折格子とによって回折格子部14が構成されている。シリコン光導波路の一端に第1光導波路ループ16が接続され、他端に第2光導波路ループ18が接続されている。そして、第1光導波路ループと第2光導波路ループは、光導波路ループ結合部20で結合される。光導波路ループ結合部には、入出力用シリコン光導波路22が接続されている。 （もっと読む）

【課題】 光干渉素子のクロスポイントチューニングを行うことなく、光デバイスの位置決めを行うことができる、光デバイスの位置決め方法を提供する。
【解決手段】 光デバイスの位置決め方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された複数の半導体アームと、前記半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子において、前記複数の半導体アームのうち、１つを除く他のすべての半導体アームに光吸収特性を生じさせる制御を行う第１ステップと、前記第１ステップの後に、前記出力カプラから出力される前記入力光を測定しつつ、前記光干渉素子と光結合する光デバイスの位置決めを行う第２ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 例えば集積化された小型の光合分波器において、サイズが大きくなってしまうことなく、外部の光学素子との光学的な結合効率の向上を可能とし、位置ずれに対する結合効率のトレランスを改善することを目的とする。
【解決手段】 光合分波器において、互いに異なる波長をもつ複数の光が波長多重光に合波されるか又は波長多重光が互いに異なる波長をもつ複数の光に分波される光合分波部と、複数の光学素子と前記光合分波部との間にそれぞれ光学的に接続され前記互いに異なる波長それぞれに対応する長さをもち前記複数の光がそれぞれマルチモードで導波される複数のマルチモード光導波路と、１つの光学素子と前記光合分波部との間に光学的に接続され前記互いに異なる波長に対応する長さをもち前記波長多重光がマルチモードで導波される１つのマルチモード光導波路と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】半導体からのＶ族原子の脱離を抑制しつつ同一面内でエッチング深さが異なる形状を簡易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマの所定の濃度に対して、開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面にて酸素プラズマによりポリマーの生成を抑制しつつ半導体表面のエッチングが進行する状態のみが発現するように前記開口部幅１９０５が設定された開口部１９０１を有するマスク１９００を半導体表面に形成する第１の工程と、マスク１９００が形成された前記半導体表面に前記炭化水素系プラズマおよび前記酸素プラズマを照射し、前記酸素プラズマを前記マスクの開口部幅方向にて前記開口部に拡散させることによりポリマーの生成を抑制するとともにエッチングに寄与する炭化水素系プラズマの濃度を制御する第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】導波路に光を結合させる際の光の損失を防止する。
【解決手段】基板１２と、基板の上面１２ａ上に形成されたクラッド層１４と、クラッド層の上面１４ａに形成された、光入力用のグレーティング１６ｃを有する光導波路１６と、光導波路を覆って、クラッド層の上面上に形成されたオーバークラッド層１８と、オーバークラッド層の上面１８ａ上のグレーティングに対応する部分に形成された反射膜２０とを備えていて、グレーティングに対応する部分の、クラッド層の下面１４ｂ上に反射防止膜２２が形成されており、基板に反射防止膜を露出させる孔部２４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】複数の共振波長を有する光デバイスを提供する。
【解決手段】本明細書に開示する光デバイス１０は、光を伝搬するコア層１２を有し、コア層１２を伝搬する光を共振させる共振部１４と、コア層１２に沿って幅が変化しながら延びる共振波長変調層１６と、を備える。共振部１４は、コア層１２における長手方向の両側部に設けられた回折格子１３か、又は、コア層１２を伝搬する光と結合可能に配置された複数のリング型光導波路１７を有する。共振波長変調層１６は、コア層１２の光の伝搬方向における共振波長を変化させる。 （もっと読む）

【課題】高密度波長多重通信システムの光ファイバ伝送路にインライン型としても設置可能で、複数の波長チャネルを一括して補償し、各波長チャネルの分散補償残差をより小さくすることが可能な小型の光分散補償素子及びその設計方法を提供する。
【解決手段】該光分散補償素子の群遅延スペクトルは、該システムにおいて光信号の伝送を意図する波長である複数の波長チャネルのそれぞれにおいて所定のチャネル帯域幅の範囲で分散補償を意図する群遅延時間を有する複数の分散補償波長チャネル帯域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆに分割され、前記複数の分散補償波長チャネル帯域は、チャネル帯域幅がそれぞれ異なり、かつ、前記複数の分散補償波長チャネル帯域は、ｐｓ／ｎｍを単位として表した分散補償量と、ｎｍを単位として表したチャネル帯域幅との積が、略同一である。 （もっと読む）

【課題】如何なる偏光状態も縮退させるために所望の偏光を与える光学微小光共振器を提供する。
【解決手段】光学微小光共振器は、微小円筒４２及び微小円筒上の共振導波管４８として形成され、光源導波管５０からの光を微小円筒上に光学的に結合するための円周リッジ４１のような複数の離間した共振素子とを有する。共振素子は、所望の偏光を与え、且つ、偏光状態を縮退させる間隔、高さ、及び、角度を有する。共振導波管を覆って塗膜４０ａ，４１ａも形成可能であり、塗膜は共振導波管と協働可能であり、如何なる偏光状態も縮退させる屈折率である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、回路規模を大きくせず回路設計製造を難しくせず、光がスラブ導波路からアレイ導波路に向けて入射するとき、または、光がアレイ導波路からスラブ導波路に向けて入射するときに、挿入損失を低減することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、光伝搬の方向と略平行な方向に間隔を置いて配置された、伝搬される光を回折させる複数の位相格子ＧＰ１、及び光伝搬の方向と略平行な方向に複数の位相格子ＧＰ１と交互に配置された、複数の位相格子ＧＰ１において回折された光を干渉させる複数の干渉領域ＩＦを有するスラブ導波路１と、複数の位相格子ＧＰ１が一体の位相格子として形成する自己像の明干渉部分の位置でかつスラブ導波路１の端部に、端部が接続されるアレイ導波路２と、を備えることを特徴とする光導波路である。 （もっと読む）

【課題】入射した太陽光を効率良く集光することができ、窓に利用した場合でも視認性を確保することができる集光構造体を提供する。
【解決手段】集光構造体１０は、透明な導光体１１と、導光体１１の一方の面側に設けられた第１の層１２と、導光体１１の他方の面側に設けられ、かつ導光体１１側の面と反対側の面に凹凸構造１４が形成された第２の層１３とを備えている。第１の層１２及び第２の層１３はいずれも透明でかつ導光体１１より光の屈折率が小さな材質で形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来のＧＭＲＦよりも小さな面積で入射光と結合可能であり、高屈折率の材料を必要とせず、所望波長の光とそれ以外の波長の光とを別個に取り出す波長選択フィルタを提供する。
【解決手段】波長選択フィルタは、導波コア２と、導波コア２上に設けられたＤＢＲ１１、位相調整区間ｐ１、ＧＣ１０、位相調整区間ｐ２、及びＤＢＲ１２とを備える。所望波長の光及び所望波長以外の波長の光を含む入射光がＧＣ１０に入射したとき、導波コア２を伝搬する導波光をＧＣ１０により回折して導波コア２の第１の面から放射させることにより、ＧＣ１０に入射した所望波長の光を反射し、導波コア２を伝搬する導波光をＧＣ１０により回折して導波コア２の第２の面から放射させることにより、ＧＣ１０に入射して導波コア２を透過した所望波長の光を相殺する。所望波長以外の波長の光は導波コア２を透過する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体結晶により構成される強誘電体基板に周期分極反転構造が形成される光学デバイスに関し、その強誘電体結晶の薄膜化および周期分極反転構造の高精度化を可能とする。
【解決手段】単分極化された強誘電体結晶により構成された強誘電体基板１１の一方主面Ｓ1Aと、強誘電体基板１１よりも厚い支持基板１４の一方主面Ｓ1Bとの間に接合部１３を介在させて強誘電体基板１１を支持基板１４で支持しながら一体化しているので、上記した平面研磨処理により強誘電体基板１１、つまり強誘電体結晶を薄膜化することができ、その結果、周期分極反転構造を薄くすることができる。そして、こうして薄膜化された強誘電体基板１１に対し、上記したように電圧印加法により分極反転部を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い感度を維持しつつ、高精度な光検出測定を可能とする光導波路型バイオセンサチップ、あるいはその製造方法を提供する。
【解決手段】透光性を有する基板と、前記基板上に形成された、前記基板より屈折率が高い光導波路層と、前記光導波路層で光を伝播させるために前記光導波路層へ光を入射する第１グレーティングと、前記光導波路層で伝播した光を前記光導波路層外へ光を出射する第２グレーティングと、前記光導波路層上に形成された金属酸化膜と、前記金属酸化膜上に架橋剤を介して固定化された発色剤を少なくとも有するセンシング膜と、を有することを特徴とする光導波路型バイオセンサチップ。 （もっと読む）

【課題】回折格子を透過した光を反射させて、回折格子と再結合させる際に波面が乱れないような光結合構造を提供すること。
【解決手段】本発明の光結合構造１００は、光回路２００に設けられ、外部からの入射光を前記光回路面内に回折させる回折格子１と、回折格子１の入射光側と反対側に設けられ、凹凸部を有する反射部４を有している。回折格子１は、ライン部１１ｂとスペース部１１ａを有し、凹凸部は、ライン部１１ｂを透過した前記反射光とスペース部１１ａを透過した反射光の回折格子１内における位相が同相になるような形状となっている。 （もっと読む）

【課題】高密度波長多重通信システムの光ファイバ伝送路にインライン型としても設置可能で、チャネル帯域幅が異なる複数の波長チャネルを一括して補償し、各波長チャネルの分散補償残差をより小さくすることが可能な小型の光分散補償素子及びその設計方法を提供する。
【解決手段】光分散補償素子の群遅延スペクトルは、光信号の伝送を意図する波長である複数の波長チャネルのそれぞれにおいて所定のチャネル帯域幅の範囲で分散補償を意図する群遅延時間を有する複数の分散補償波長チャネル帯域Ａ，Ｂに分割され、前記複数の分散補償波長チャネル帯域Ａ，Ｂは、前記チャネル帯域幅が異なる少なくとも２つ以上の群に分かれている。 （もっと読む）

【課題】光学設計を簡素化し、光損失を抑えることができる光導波路型センサチップを得ること。
【解決手段】光導波路層と、前記光導波路層へ光を入射させ、前記光導波路層外に前記光を出射させるよう、前記光導波路層の界面のうち一方の面の両端に配置された１対の光学素子と、前記光導波路層上の所定の領域に形成された機能膜と、前記光導波路層の前記光の入射面上の、少なくとも前記光学素子が配置された平面領域を含む平面領域に形成された被覆層と、入射側の前記光学素子に入射する前記光を通過させるように、前記被覆層に形成された第１の貫通孔と、出射側の前記光学素子から出射する前記光を通過させるように、前記被覆層に形成された第２の貫通孔と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 Ｎ．Ａ．が大きく、小型で損失が少ないハイブリッドレンズを備えた平面導波路を提供する。
【解決手段】 クラッド層と、前記クラッド層の表面側に積層された、前記クラッド層より屈折率が高いコア層と、前記コア層の表面または内部に形成された、前記クラッド層より屈折率が高く、前記コア層とは屈折率が異なるハイブリッドレンズ部を備えており、前記ハイブリッドレンズ部は、光軸を中心に対称であり、光軸から離れるほど間隔が狭くなる略ノコギリ歯形状を有する、回折レンズである幾何格子部あるいは屈折レンズ部と、前記幾何格子部あるいは屈折レンズ部に対して光軸から遠い位置に設けられ、光軸から離れるほど間隔が狭くなる回折レンズであるＶＰ格子部とを備えている、平面導波路のハイブリッドレンズ。 （もっと読む）

【課題】本発明は、回路規模を大きくせず回路設計製造を難しくせず、光がスラブ導波路からアレイ導波路に向けて入射するとき、または、光がアレイ導波路からスラブ導波路に向けて入射するときに、挿入損失を低減することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、回折格子ＧＰが端部から距離を置いて内部に形成されたスラブ導波路１と、スラブ導波路１の端部でかつ回折格子ＧＰの自己像ＳＰの明干渉部分が形成される位置に端部が接続されたアレイ導波路２と、を備える光導波路である。本発明は、第１の入出力導波路と、第１の入出力導波路の端部にスラブ導波路１のアレイ導波路２と反対側の端部が接続された上述の光導波路と、アレイ導波路２のスラブ導波路１と反対側の端部に接続された第２のスラブ導波路と、第２のスラブ導波路のアレイ導波路２と反対側の端部に接続された第２の入出力導波路と、を備えるアレイ導波路回折格子である。 （もっと読む）

【課題】埋め込み素子の導波路とハイメサリッジ素子の導波路がずれるのを防ぐ。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に半導体積層構造３０と半導体積層構造３２を横並びに形成する。半導体積層構造３０，３２上にｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６を形成する。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６をパターニングして、半導体積層構造３０上のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６を除去する。半導体積層構造３０をエッチングして導波路リッジ４０を形成し、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６及び半導体積層構造３２をエッチングしてハイメサリッジ４２を形成する。導波路リッジ４０の両サイドを埋め込み層４４，４６，４８で埋め込む。導波路リッジ４０及びその近傍の埋め込み層上にｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層５２を形成する。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６，５２をマスクとして埋め込み層をエッチングして埋め込み素子とハイメサリッジ素子とを形成する。 （もっと読む）