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Fターム[2H147AB24]の内容

光集積回路 (45,729) | 光集積回路中の光学的機能 (4,741) | ビーム径変換、コリメート (142)

Fターム[2H147AB24]に分類される特許

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【課題】平面型の光導波路と、この光導波路の導波面から外れて設置された光学素子とを結合させることができ、容易でかつ安価なコストで製造できる光結合器を提供する。
【解決手段】光導波路30と、光導波路を伝播する光の等価屈折率よりも屈折率が高い高屈折率層40とを具える。光導波路は、支持基板20の第1主表面にクラッド31及びコア33が順次積層されて構成されている。高屈折率層は、コアの上面33a上に設けられ、かつコアの上面からの離間距離が光の伝播方向100に沿って連続的に狭まる反射面40aを有する。 (もっと読む)


【課題】基板吸収損失を低減する。
【解決手段】スポットサイズ変換器は、アンダークラッドとなるBOX層5と、第1のシリコンコア6と、テーパ部7と、第2のシリコンコア8と、オーバークラッド9とを備える。BOX層5と第1のシリコンコア6とオーバークラッド9とは、第1のシリコン細線光導波路1を構成し、BOX層5とテーパ部7とオーバークラッド9とは、テーパ構造部2を構成し、BOX層5と第2のシリコンコア8とオーバークラッド9とは、第2のシリコン細線光導波路3を構成する。オーバークラッド9の屈折率は、アンダークラッドとなるBOX層5の屈折率よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】小型化を図ると同時に、光出射部側のコア径を変換することで光出射側光ファイバの直径を小さくすることが可能な光導波路を提供する。
【解決手段】
本発明の光導波路は、光入射部側から入射される3以上の光を、合波し、光出射部側へ伝搬する合波コアを備える光導波路であって、3以上の前記光入射部の内、少なくとも1つの光入射部が他の2つ以上の同一高さにある光入射部とは異なる高さにあり、かつ前記合波コアが、光入射部側から光出射部側に向けて横幅及び厚さが狭くなるテーパ形状部を有する光導波路である。 (もっと読む)


【課題】光の入射角をより広く許容でき、確実に所望の位置へと導光できる導光体を提供する。
【解決手段】導光モジュールは、入射部11、導光部12、および出射部13からなる。入射部11は、筐体201の前方に向けて設置され、出射部13は、筐体201の背面に設置される。導光部12は、奥行き方向に延びる途中で、約90度曲げられ、高さ方向に延びる形状になっている。この曲げられる部分が円弧状導光路121となる。入射部11は、幅方向に広く、高さ方向に狭い(厚みが薄い)曲面状の入射面111と絞り部112とからなる。入射面111は、上面視して半円(中心角が約180度の扇形)形状であり、この半円の円周上から赤外線を入射する。入射部11は、入射面111の背部に絞り部112が設けられている。絞り部112は、入射面111から導光部12に向かって、入射部11の幅を徐々に狭くする形状になっている。 (もっと読む)


【課題】比較的容易に製造することのできるスポットサイズ変換導波路、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様においては、基板2と、スポットサイズが一定な第1の部分31、及び第1の部分31の一端に接続された第2の部分32を含み、基板2上に形成されたコア3と、を有するスポットサイズ変換導波路1が提供される。第2の部分32の基板2に接する底面は、第1の部分31側からその反対側に向かって幅が広がるテーパー形状を有する。第2の部分32の第1の部分31と接する端面41は、第1の部分31と同等のスポットサイズを有する。また、第2の部分32の第1の部分31と反対側の端面43は、第1の部分31よりも大きいスポットサイズを有し、先端部が丸みを帯びた凸形状を有する。 (もっと読む)


【課題】テーパ構造のC型開口を有する90°に曲がっている金属導波路、導波路の製造方法、導波路を利用した光伝送モジュール及び導波路を採用したHAMR(熱補助磁気記録)ヘッドを提供する。
【解決手段】光を伝送する開口113が内部に形成された導電性金属からなる金属導波路111において、開口は、入力端111aと出力端111bとの間で光の進行方向を変えるように曲がっている構造を有し、曲がっている部分と出力端との間で出力端側に幅が次第に狭くなるテーパ構造を有し、開口を形成する金属の内面にリッジ部114が突出して形成されることによって、開口がC型の形状を有する金属導波路である。 (もっと読む)


【課題】半導体からのV族原子の脱離を抑制しつつ同一面内でエッチング深さが異なる形状を簡易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマの所定の濃度に対して、開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面にて酸素プラズマによりポリマーの生成を抑制しつつ半導体表面のエッチングが進行する状態のみが発現するように前記開口部幅1905が設定された開口部1901を有するマスク1900を半導体表面に形成する第1の工程と、マスク1900が形成された前記半導体表面に前記炭化水素系プラズマおよび前記酸素プラズマを照射し、前記酸素プラズマを前記マスクの開口部幅方向にて前記開口部に拡散させることによりポリマーの生成を抑制するとともにエッチングに寄与する炭化水素系プラズマの濃度を制御する第2の工程を有するようにした。 (もっと読む)


【課題】電気伝送を代替する光インターコネクション用の光結合回路を部品点数が少なく且つ安価に入手し得るようにし、損失の少ない送受信用光モジュールを提供すること。
【解決手段】光インターコネクション回路の一部を成す光結合回路11を、ボード10上に入力される光信号を一方の端部から他方の端部に案内する導波路12と、この導波路12の他方の端部に異なった方向への光信号の送受信を案内する45度多重反射ミラー14と、この45度多重反射ミラー14を介して光信号を送受信し外部に対して信号の授受を中継する信号伝達手段15,25…とを備え、前記導波路12には前記45度多重反射ミラー14内での光信号の広がりを抑制する光レンズ部12cを設け、この光レンズ部12cを前記導波路と一体化するように構成した。そして、信号送受信用光モジュールでは、この光結合回路を装備した。 (もっと読む)


【課題】隣接するチャネル型光導波路の間隙からの光の漏れを少なくする。
【解決手段】基板20と、平面型光導波路16、平面型光導波路の一端面16aに放射状に接続されている複数のチャネル型光導波路14、及び、平面型光導波路の一端面に対向する他端面16bに接続されている入力用光導波路12を含む光導波路構造体18と、基板の一方の主面20a上に設けられていて、光導波路構造体を囲む被覆膜22と、を備え、被覆膜の屈折率が光導波路構造体の屈折率の6割以下であり、複数のチャネル型光導波路の、光伝搬方向に直交する方向であって、主面に平行な方向の幅が、平面型光導波路から離間するに従って徐々に拡幅する。 (もっと読む)


【課題】 入射光の強度が大きくなっても、光強度のピーク値の上昇を抑制する技術が望まれている。
【解決手段】 テーパ導波路が、入力導波路とフォトダイオードとを接続する。入力導波路に接続された入力端から、フォトダイオードに接続された出力端に向かって、テーパ導波路の幅が広がる。テーパ導波路の広がり半角は、入力導波路から信号光が入力されると、高次モードを励振する大きさである。フォトダイオードの幅は一定であるか、またはテーパ導波路の出力端から遠ざかる向きに広がっており、その広がり半角は、テーパ導波路の広がり半角以下である。 (もっと読む)


【課題】外部光導波路との結合に高い効率を提供できるスポットサイズ変換器を提供する。
【解決手段】遷移部29は遷移部33から間隔を置いて設けられる。遷移部29の幅W1と遷移部33の幅W2との比(W1/W2)は、光入出力部27から遷移部29への方向DIRC1に単調に小さくなる。スポットサイズ変換器13aでは、光入出力部27から遷移部29への方向DIRC1にコア幅の比(W1/W2)が単調に小さくなるので、遷移部33と遷移部29との光結合の大きさが、方向DIRC2に関して変化する。また、光入出力部27の幅W(I/O)が遷移部29から光入出力部27への第2の方向DIRC2にそって単調に大きくなると共にコア層23の厚さがコア層25の厚さより厚いので、コア層25の材料並びにコア層25の幅及び厚さとは独立してスポットサイズを変換できる。 (もっと読む)


【課題】高密度波長多重通信システムの光ファイバ伝送路にインライン型としても設置可能で、複数の波長チャネルを一括して補償し、各波長チャネルの分散補償残差をより小さくすることが可能な小型の光分散補償素子及びその設計方法を提供する。
【解決手段】該光分散補償素子の群遅延スペクトルは、該システムにおいて光信号の伝送を意図する波長である複数の波長チャネルのそれぞれにおいて所定のチャネル帯域幅の範囲で分散補償を意図する群遅延時間を有する複数の分散補償波長チャネル帯域A,B,C,D,E,Fに分割され、前記複数の分散補償波長チャネル帯域は、チャネル帯域幅がそれぞれ異なり、かつ、前記複数の分散補償波長チャネル帯域は、ps/nmを単位として表した分散補償量と、nmを単位として表したチャネル帯域幅との積が、略同一である。 (もっと読む)


【課題】光の挿入損失について改善された光デバイスを提供する。
【解決手段】基板と、基板に形成された光を導波するための光導波路と、光導波路の両側に基板の一部が掘り下げられて形成された所定深さの凹部が形成されてリッジ部を成す光デバイスにおいて、凹部の所定深さが、当該凹部の端に向かって徐々に浅くなって形成され、光が当該凹部の端の方向に導波するにしたがって導波する光のスポットサイズが徐々に大きくなる。これにより、リッジ部と当該リッジ部と連続して形成されるプレーナ部との境界部における光の結合損失を低減する。 (もっと読む)


【課題】確実な位置合わせができ、光軸ズレがなく光の伝送ロスが小さい光電気混載パッケージを提供する。
【解決手段】光電気混載パッケージ41は、配線基板10、光素子接続用端子55及び光導波構造部82を備える。配線基板10には、光導波構造部用孔81と、光伝送媒体92の先端に接続されて光導波構造部82内を伝搬する光の進路を変換する光路変換部93を有する光コネクタ91のガイド孔に嵌入されるガイドピン52が嵌入可能な位置決め用ガイド孔51とが形成される。光素子接続用端子55は、主面12側における光導波構造部用孔81の開口部付近に配置される。光導波構造部82は、コア83及びそれを取り囲むクラッド84を有し、光導波構造部用孔81内に形成される。位置決め用ガイド孔51及び光導波構造部82におけるコア83は、いずれも同一の位置基準用導体56を基準として形成される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、回路規模を大きくせず回路設計製造を難しくせず、光がスラブ導波路からアレイ導波路に向けて入射するとき、または、光がアレイ導波路からスラブ導波路に向けて入射するときに、挿入損失を低減することができる光導波路を提供する。
【解決手段】本発明は、回折格子GP又はGAが形成されたスラブ導波路1と、回折格子GP又はGAの自己像の明干渉部分が形成される位置に接続されたアレイ導波路2と、スラブ導波路1及びアレイ導波路2の間に形成され、光伝搬の方向と略垂直な方向の屈折率分布における屈折率の平均値が、スラブ導波路1側からアレイ導波路2側に向かうにつれて平均的に高くなり、光伝搬の方向と略平行な方向の屈折率分布における屈折率の平均値が、アレイ導波路2の中心軸において高くなる屈折率変化領域DVと、を備えることを特徴とする光導波路である。 (もっと読む)


【課題】VCSEL等の発光素子の個数が少なくても大きな伝送容量を確保することができるとともに、装置の小型化が容易な光インターコネクション用光送信器を提供する。
【解決手段】光送信器は、波長多重連続光が入力される光導波路117と、光導波路117の長さ方向に沿って配置され、外部から供給される電気信号に応じて光導波路117を通る光に対し、入力ポートからスルーポートへの透過率を変化させて変調を行う複数の変調器121と、複数の変調器121により変調された光を出力する光信号出力部113とを有する。複数の変調器121は、変調可能な光の波長がそれぞれ異なる。 (もっと読む)


【課題】小型で低光損失な光導波路の折り返し回路を提供し、素子の小型化・低損失化を実現すると共に、機械的信頼性を高めた光変調器を提供する。
【解決手段】ニオブ酸リチウム材料からなるLN変調器と、ガラス材料からなり、前記LN変調器への光信号の入出力のために前記LN変調器と突き合わせ接続された第1及び第2のPLCとを含む光変調器であって、前記第1のPLCの光導波回路は、一方の端面にファイバブロックを介して接続された少なくとも2本のファイバと、他方の端面に突き合わせ接続された前記LN変調器の光導波路とを接続し、前記第2のPLCの光導波回路は、一方の端面に突き合わせ接続された前記LN変調器の光導波路どうしを接続する折り返し光導波路であり、該折り返し光導波路は、前記第2のPLC上に実装された半導体光導波回路に形成されている。 (もっと読む)


【課題】無反射コーティングを必要とせず、突き合わせ接続するだけで、シリコン導波路と一般的なシングルモード光ファイバとを高効率で光結合できる光学変換素子を提供する。
【解決手段】導波路構造を有し、導波光のモードフィールドを変換する光学変換素子であって、少なくとも2重のコアを有し、その内、最内コアは、シリコンの逆テーパ型の細線コア3であり、第1の外部コアは、酸化膜のリッジ構造であって、かつ、幅のみが変化する順テーパ型のリッジコア6であり、最内コアの狭幅側に第1の外部コアが位置していることを特徴とする光学変換素子。 (もっと読む)


【課題】任意の偏波方向の光入力信号に対するサンプリングを可能とするとともに、光ファイバや光導波路素子との結合効率が良好な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、下部クラッド層、活性層13、および、上部クラッド層が順次積層された導波路構造を備え、該導波路構造は、ハイメサ導波路構造Iと、光入射端面10aおよび光出射端面10bのうちの少なくとも一方の端面とハイメサ導波路構造Iとの間に形成され、ハイメサ導波路構造Iと光の導波方向に連続する埋込み導波路構造IIa、IIbと、を含み、埋込み導波路構造IIa、IIbは、活性層13の光の導波方向に直交する幅が、前記少なくとも一方の端面に向かって狭くなる幅減少領域を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】検出感度を高めたリング共振型の微小物質検出センサおよびそれを有する微小物質検出装置を提供する。
【解決手段】微小物質検出センサは、リング状の第1の導波路を有する、光リング共振器と、光リング共振器と近接して配置された第2の導波路とを含む。光リング共振器は、第1の導波路の断面における特定の辺に対応する表面部分で被検出物質と接触するように構成されている。光リング共振器は、コアと、コアに隣接し、かつ、第1の導波路の断面において被検出物質が接触する表面部分に対応する辺とは異なる辺を構成するクラッドと、コアに隣接し、かつ、第1の導波路の断面において被検出物質が接触する表面部分に対応する辺を構成するとともに、その値がクラッドの屈折率より高く、かつ、コアの屈折率より低い屈折率を有する低屈折率層とを含む。 (もっと読む)


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