【課題】小型化が可能でありより容易に製造できる状態で、光機能素子が構成できるようにする。
【解決手段】光導波路１０１と、光導波路１０１の出力側に配置された偏波分離部１０２とを少なくとも備える。光導波路１０１は、光導波路１０１の固有偏波面に対して偏波を４５°傾けた状態または円偏波状態の位相変調信号１２１が入力され、固有偏波面に対して平行な第１偏波１２２と固有偏波面に対して垂直な第２偏波１２３との伝搬時間の差が、位相変調信号の１ビット分の時間となる光導波路長とされている。 （もっと読む）

【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】ＰＢＳ１００は、第１の光カプラ１１０と、第１の複屈折率調整部１２０と、第２の複屈折率調整部１３０と、第２の光カプラ１４０とを閃亜鉛鉱型構造を有する半導体基板１０１上に備える。第１の複屈折率調整部１２０及び第２の複屈折率調整部１３０が位相シフタとして機能する。第１の複屈折率調整部１２０は、第１の幅の第１の導波路部１０２Ａと、第２の幅の第２の導波路部１０３Ａと、第１の電極１０２Ｂと、第２の電極１０３Ｂとで構成され、ここで、第１の幅は第２の幅よりも大きい。第２の複屈折率調整部１３０は、第１の導波路部１０２Ａから傾斜して配置された第３の導波路部１０２Ｃと、第２の導波路部１０３Ｂから傾斜して第３の導波路部１０２Ｃと平行に配置された第４の導波路部１０３Ｃと、第３の電極１０２Ｄと、第４の電極１０３Ｄとで構成される。 （もっと読む）

【課題】 入射光の強度が大きくなっても、光強度のピーク値の上昇を抑制する技術が望まれている。
【解決手段】 テーパ導波路が、入力導波路とフォトダイオードとを接続する。入力導波路に接続された入力端から、フォトダイオードに接続された出力端に向かって、テーパ導波路の幅が広がる。テーパ導波路の広がり半角は、入力導波路から信号光が入力されると、高次モードを励振する大きさである。フォトダイオードの幅は一定であるか、またはテーパ導波路の出力端から遠ざかる向きに広がっており、その広がり半角は、テーパ導波路の広がり半角以下である。 （もっと読む）

【課題】光モジュールの機械的強度の低下を招くことなく、干渉計の精度を高い状態に保つことができない。
【解決手段】光モジュールは、干渉計を有する基板と、基板の底面の一部の領域である接合領域に接合するキャリアと、を有し、接合領域には、干渉計が占める基板上の領域に対応する底面の領域が含まれない。 （もっと読む）

【課題】自己形成光導波路である光合分波器を有した光通信デバイスの量産性を向上させること。
【解決手段】光通信デバイスは、光ファイバーコネクタ１と、光ファイバーコネクタ１が挿入されたキャップハウジング２と、によって構成されている。光ファイバーコネクタ１は、コネクタハウジング１０と、コネクタハウジング１０内部に納められた光ファイバー１１の先端部、および光合分波器１２とを有している。光合分波器１２は、光導波路コア１３、光導波路クラッド１５を有し、これらは光硬化性樹脂の硬化物であり、自己形成光導波路技術により形成される。キャップハウジング２は、光ファイバーコネクタ１が離脱可能に挿入される凹部２２を有している。また、キャップハウジング２の内部には、受発光素子２０、２１とが納められていて、光合分波器１２と光学的に接続される。 （もっと読む）

【課題】戻り光が少なく、小型の光導波路デバイスを提供する。
【解決手段】第１の出力導波路が出力端面に対して斜めに形成され、第２の出力導波路が前記第１の出力導波路と前記出力端面の双方に対して斜めに形成された光導波路素子と、前記第１及び第２の出力導波路からそれぞれ出射された光を互いに平行な光にするレンズと、を備える。 （もっと読む）

【課題】ミラーによる光損失が少ない光カプラを実現すること。
【解決手段】筐体１０内部であってミラー１４近傍の角部には、ミラー１４を固定するためのミラー固定治具１７が配置されている。ミラー１４は、ミラー１４の誘電体多層膜形成側を凹部１８側として凹部１８にはめ込まれて固定されていて、ミラー１４の誘電体多層膜は空気層１９に接している。信号光を、ミラー１４と空気層１９の界面で反射させることができるので、ミラー１４による信号光の反射率が向上し、入力端１１ｃから出力端１２ａの挿入損失が低減される。 （もっと読む）

【課題】低消費電力である導波路型分散補償回路を提供すること。
【解決手段】複数の導波路からなる導波路アレイ１０９と該導波路アレイの入出力端に設けられたスラブ導波路１０８、１０９とを有し、入力された信号光を複数の波長に分波する第１のアレイ導波路回折格子１０２と、上記波長ごとに分波された信号光の位相を制御する位相制御手段をそれぞれ有する複数の単一モード導波路によって構成される位相制御導波路アレイ１０４と、複数の導波路からなる導波路アレイと該導波路アレイの入出力端に設けられたスラブ導波路とを有し、上記位相制御された信号光を合波して出力する第２のアレイ導波路回折格子１０６とを備え、上記第１のアレイ導波路回折格子の出力部と、上記第２のアレイ導波路回折格子の入力部に、上記スラブ導波路と上記位相制御導波路アレイとの間の伝搬損失を減らす断熱的モード変換回路１０３、１０５を配置したことを特徴とする導波路型分散補償回路。 （もっと読む）

【課題】導波路が交差することにより生じる損失を補償する。
【解決手段】光カプラ１０ａから出力された第２のＴＥ信号の導波路と、光カプラ２０ａから出力された第１のローカル光の導波路とが交差した導波路交差部分４０が存在し、また、光カプラ１０ｂから出力された第２のＴＭ信号の導波路と、光カプラ２０ｂから出力された第１のローカル光の導波路とが交差した導波路交差部分４０が存在する場合に、光カプラ１０ａから出力された第１のＴＥ信号の導波路と、光カプラ２０ａから出力された第２のローカル光の導波路と、光カプラ２０ｂから出力された第２のローカル光の導波路と、光カプラ１０ｂから出力された第１のＴＥ信号の導波路に、損失補償用交差導波路５０ａ〜５０ｄをそれぞれ設ける。 （もっと読む）

【課題】複数のマッハツェンダ変調器を備える光デバイスのサイズを小さくする。
【解決手段】基板１の表面領域に、複数のマッハツェンダ変調器Ａ、Ｂ、および入力分岐導波路２が形成されている。入力分岐導波路２は、入力光を分岐して複数のマッハツェンダ変調器Ａ、Ｂに導く。各マッハツェンダ変調器は、それぞれ、入力分岐導波路２に結合する分岐部１１、２１、分岐部１１、２１に結合する平行導波路１２（１２ａ、１２ｂ）、２２（２２ａ、２２ｂ）、平行導波路１２、２２に結合する合波部１３、平行導波路１２ａ、２２ｂに信号を与える信号電極１４、２４を備える。各マッハツェンダ変調器の分岐部１１、２１の向きが互いに異なっている。 （もっと読む）

【課題】
透過率を高速に変更可能な光フィルタを実現する。
【解決手段】
光導波路（１８）は、サブバンド間遷移によりＴＭ波を吸収しＴＥ波に相互位相変調を起こす量子井戸サブバンド間遷移光導波路構造からなる。光導波路（１８）の入射側と出射側に反射膜（２０，２２）を設け、ファブリペロー共振器を構成する。偏光合波器（２４）は、ＴＥ波の信号光（２８）とＴＭ波の制御光（３０）を合波し、合波光を反射手段（２０）を介して光導波路（１８）に入射する。出射側の偏光ビームスプリッタ（２６）は、光導波路（１８）の出射光から、信号光（３２）と制御光（３４）を分離する。 （もっと読む）

【課題】光非線形性結晶を用いた差周波混合過程において、テラヘルツ波の閉じ込めが可能な導波路構造を備え、高効率でコヒーレントなテラヘルツ波発生装置及び発生方法を提供する。
【解決手段】ポンプ光２Ａを発生するポンプ光源２と、信号光３Ａを発生する信号光源３と、ポンプ光２と信号光３を同じ光路上で合成するための入射光学部５と、入射光学部５で合波されたポンプ光２Ｄ及び信号光３Ｄが入射されるテラヘルツ波発生用結晶７と、を備え、テラヘルツ波発生用結晶７は、スラブ型の導波路又はリブ型の導波路構造を有しており、合波されたポンプ光２Ｄ及び信号光３Ｄが導波路の光軸方向に入射され、導波路７におけるポンプ光２と信号光３との差周波数混合によって導波路７の光軸上にテラヘルツ波８を発生する。 （もっと読む）

【課題】従来の波長ドメイン光スイッチと導波路型波長選択スイッチの短所を解消した導波路型波長ドメイン光スイッチを提供する。
【解決手段】導波路型合分波素子が３枚以上積層された導波路型合分波素子積層体１０１と、上記導波路型合分波素子積層体の分波側に位置するレンズシステム２０２と、該レンズシステムに対して上記導波路型合分波素子積層体とは反対側に位置する反射型の光位相変調セル１０９とを備え、レンズシステム２０２は、レンズアレイ１０２と、像倍率変換光学システム２０３と、ｆ−ｆレンズ（Ｙ）１０７と、ｆ−ｆレンズ（Ｘ）１０６とを備える （もっと読む）

【課題】可変分散量の増大を、低損失、低リップルでかつ小型、低コストで実現可能にしたPLC型可変分散補償器を提供する。
【解決手段】PLC型可変分散補償器１０は、平面光波回路１１上の２５段に多段接続した位相シフタ１０１〜１２５と、位相シフタ間に接続された２４個の可変カプラ２０１〜２２４とからなる多段マッハツェンダー干渉計を備え、各可変カプラの結合率を変化させて分散可変特性を得る。１３番目の位相シフタ１１３の長い方の遅延線と１４番目の位相シフタ１１４の短い方の遅延線とを可変カプラ２１３を介してそれぞれ接続させると共に、１３番目の位相シフタ１１３の短い方の遅延線と１４番目の位相シフタ１１４の位相シフタの長い方の遅延線とを可変カプラ２１３を介してそれぞれ接続させるよう、折り返し部の位相シフタ１１３の2本の遅延線を交差させて折り返すようにしている。 （もっと読む）

【課題】偏波多重通信に適用可能な小型で高性能の光デバイスを提供する。
【解決手段】２つの変調器２０，３０及びＰＢＣ３を同一基板２に形成し、基板２の一端面２ａにλ／４板６及びミラー７を設ける。変調器２０で変調されて出力されたＴＭモード光は、ＰＢＣ３のポートＡ１に入力され、対角位置のポートＢ２に出力される。変調器３０で変調されて出力されたＴＭモード光は、ポートＡ１に対向するポートＢ１に入力され、対角位置のポートＡ２に出力された後、λ／４板６及びミラー７でＴＥモードに変換され、ポートＡ２に戻される。そのＴＥモード光は、対向位置のポートＢ２に出力される。これにより、ポートＢ２を経て端面２ｂ側からＴＭ・ＴＥモード光が出力される。 （もっと読む）

【課題】工程数の簡略化による低コスト生産が可能で、コアの形状を一定に保持したままフィルム幅方向に周期的に規則正しくコアを配列させ、コアのサイズの微細化が可能で、複屈折やコアの曲げによる光損失性に優れた光導波路フィルムを提供する。
【解決手段】断面形状として熱可塑性樹脂Ｃからなるジャケットに周囲を覆われた熱可塑性樹脂Ｂからなるクラッドと、そのクラッドに周囲を覆われた熱可塑性樹脂Ａからなるコアがフィルム長手方向に延在しフィルム幅方向に４個以上配列する光導波路フィルムであり、中央部に位置するコアの複屈折が０．０３以下、コア厚みＴｃ、コア表面から光導波路フィルム表面となる片方のジャケット表面までの最短距離Ｄｓ１、および、コア表面から光導波路フィルム表面となるもう一方のジャケット表面までの最短距離Ｄｓ２の関係が下記式（１）を満足する光導波路フィルム。２０≧Ｔｃ／（Ｄｓ１＋Ｄｓ２）≧１／２０・・式（１） （もっと読む）

【課題】従来の光導波モードを利用する技術よりも、安定かつ高い感度で被検出試料を検出できる光導波モードセンサーを提供する。
【解決手段】本発明は、ガラスとその上に形成した反射膜と、さらに該反射膜自身の表面を酸化して形成した光導波路層とからなる検出板を用いる。この検出板のガラス側から、反射膜に光を入射する光入射機構と、反射膜によって反射される前記光の反射光を検出する光検出機構と、を備える。入射光の一部又は全部が光導波路内を伝搬する光導波モードと結合することによって反射光強度が著しく増減する光入射角度領域を用いて、検出板の表面に検出対象となる物質が吸着又は付着した際に生じる反射光強度の変化を読み取ることによって、物質の検出を行う。 （もっと読む）

【課題】高精度な製造プロセスを必要とせずに、容易に実装が可能な偏波回転素子を提供する。
【解決手段】例えば酸化シリコン（屈折率１．４４４）からなる下部クラッド層１０１と、下部クラッド層１０１の上に配置された第１コア１０２及び第２コア１０３からなるコア部１０４を備える。コア部１０４は、例えばシリコン（屈折率３．４７８）から構成されている。コア部１０４を構成している第１コア１０２及び第２コア１０３は、同じ方向（導波方向）に延在して配置され、この方向に垂直で下部クラッド層１０１に平行な幅が異なる状態に形成されている。第１コア１０２の方が第２コア１０３より幅広に形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来の光波長可変フィルタは、熱光学効果を利用していたため熱制御機構における消費電力が大きいことが問題となっていた。波長可変の応答時間は２−６０ｍｓと遅い。さらに、熱光学特性の観点からポリマ導波路を用いていたため、吸湿等の信頼性の点でも問題があった。
【解決手段】本発明の光波長可変フィルタは、波長可変のための波面変換制御をＡＷＧ外の空間光学素子により実現する。波面制御素子は、静電駆動方式よるマイクロマシン型波面制御器を用いる。磁気駆動方式、熱駆動方式、圧電駆動方式を用いることができる。電気光学結晶を利用しても同様の効果が得られる。偏波無依存化することで、ＬＣＯＳや垂直配向の液晶素子なども利用できる。極めて少ない消費電力で波長可変制御が可能で、波長切り替えの応答時間も極めて速い。光学配置構成が簡単で安定性、実装性に優れた光波長フィルタを実現できる。 （もっと読む）

【課題】偏波無依存でかつ高速動作可能な高速光スイッチを実現可能な光モジュールを提供する。
【解決手段】光モジュール１０では、ポートA，Bから入射した光は、偏波スプリッタ４０，４１によってTE成分とTM成分に偏波分離される。続いて、偏波分離されたTE成分はそのまま半導体導波路３１へ入射されるが、一方、TM成分は1/2波長板２３によって一度TE成分に変換されて、半導体導波路３１へ入射される。ここでは、半導体導波路に形成されたMZIの位相を変えることによって、高速スイッチング(nsオーダーのスイッチング)が行われる。その後、偏波コンバイナ５０，５１に入射されるが、TM成分から変換されたTE成分は、1/2波長板２３によりもう一度TM成分に変換され、偏波コンバイナ５０，５１によってTE成分とTM成分が合波され、ポートC,Dからそれぞれ出射される。 （もっと読む）