【課題】光半導体装置とその製造方法において、光半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】半導体基板１を途中の深さまでエッチングすることにより、断面形状が凸状のコア４ａを半導体基板１に形成する工程と、コア４ａの一方の側面４ｘと他方の側面４ｙの各々に酸化防止膜２２を形成する工程と、酸化防止膜２２が形成された状態で、コア４ａの両脇の半導体基板１の表面を熱酸化する工程と、コア４ａの一方の側面４ｘの横の半導体基板１に第１の不純物領域を形成する工程と、コア４ａの他方の側面４ｙの横の半導体基板１に第２の不純物領域を形成する工程とを有する光半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】用いる材料の制限を緩和して、導波路における複屈折の制御がより簡便に行えるようにする。
【解決手段】コア１０２が、低屈折率コア層１２１および低屈折率コア層１２３と、低屈折率コア層１２１および低屈折率コア層１２３に挟まれて配置され、低屈折率コア層１２１および低屈折率コア層１２３より屈折率の高い高屈折率コア層１２２とから構成されている。コア１０２は、低屈折率コア層１２１，高屈折率コア層１２２，および低屈折率コア層１２３が、この順に積層されて構成されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン導波路に対する損傷が抑制された状態で、シリコン細線導波路とゲルマニウム受光器とをモノリシックに形成できるようにする。
【解決手段】一部のシリコンコア１３２が露出するレジストマスクを形成し、これをマスクにしたイオン注入技術により、一部のシリコンコア１３２にｐ型不純物を導入し、酸化シリコン層１０２の上に、ｐ型シリコンコア１３２ａを形成する。次に、酸素雰囲気で、９００℃・１０分程度の条件で加熱処理することで、熱酸化膜１０７，１０７ａを、シリコンコア１３１およびｐ型シリコンコア１３２ａに形成する。 （もっと読む）

【課題】光導波路共振器又は共振器回路を製造する過程で、光導波路共振器又は共振器回路の共振特性を予測することを目的とする。
【解決手段】本願発明の光導波路共振器又は共振器回路の製造方法では、半導体で構成される光導波路共振器に前記半導体のバンドギャップに相当する波長よりも短い波長の光を照射し、前記光導波路共振器から発生するフォトルミネセンス光のスペクトラムから、前記半導体のバンドギャップに相当する波長以上の波長域での前記光導波路共振器の共振特性を予測する。 （もっと読む）

【課題】光軸のずれが抑制された高精密な光導波路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光学素子と、該光学素子に光学的に接続された光導波路３と、を備える光導波路基板を作製する方法において、エッチング可能な基板４と、該基板の一方の面に設けられたエッチングストップ部材２と、を有する複合基板を準備し、上記エッチング可能な基板上に、所望のパターンを有するマスクを形成する。その後、上記エッチング可能な基板に異方性エッチングを施して上記エッチングストップ部材まで上記基板を腐食させ、所望の幅となった時点でエッチングを停止して、当該基板に溝部３を形成し、上記溝部内に光伝播部５を形成する。 （もっと読む）

【課題】リブ型シリコン細線導波路を利用した可変光減衰器において、無駄な電力を必要とせずに低消費電力で高速動作ができるようにする。
【解決手段】電極１４１および電極１５１に挟まれた領域のコア１０３の上面に、この領域のコア１０３を酸化することで形成した酸化シリコン層１０７を備える。例えば、よく知られた熱酸化法、もしくはプラズマ酸化法により、酸化シリコン層１０７が形成できる。酸化シリコン層１０７は、層厚５ｎｍ程度であればよい。酸化シリコン層１０７を備えることで、電圧印加において、不要な電流の流れが防止でき、低消費電力化を図ることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】官能性置換基を有するポリノルボルネンをバルク重合で合成できる感光性組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の感光性組成物は、光酸発生剤と、該光酸発生剤が放出するプロトンの作用により分子構造の少なくとも一部が離脱し得る離脱性基を有するノルボルネン系モノマーと、該ノルボルネン系モノマーの付加重合のための触媒とを含んでなり、該離脱性基をexo位に有するexo体ノルボルネン系モノマーが、該離脱性基をendo位に有するendo体ノルボルネン系モノマーよりも過剰に存在する。 （もっと読む）

【課題】簡便に上部クラッド層の厚さを制御し得る光導波路の製造方法、光導波路及び光電気複合配線板を提供すること。
【解決手段】（Ｉ）第１のクラッド層を形成する工程、（II）第１のクラッド層上にコア層を形成する工程、（III）コア層をパターニングして光導波路のコアパターンを形成する工程、（IV）該コアパターン上に第２のクラッド層を形成してコアパターンを埋め込む工程を有する光導波路の製造方法であって、前記（III）工程において、コアパターンの数及び形状によって第２のクラッド層の厚さを制御することを特徴とする光導波路の製造方法、該製造方法で得られる光導波路、該光導波路を電気配線板に積層した光電気複合配線板である。 （もっと読む）

【課題】小型で、かつ高位相で高速な変調度を持つ光変調器に接続される接続路と、そのような光変調器および接続路で構成された光通信システムと、それらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の接続路３０は、光変調器の外部に設けられた光導波路と光変調器を接続し、接続路３０の内部には、第１導電型を呈するようにドープ処理された半導体層８の少なくとも一部と、第２導電型を呈するようにドープ処理された半導体層９の少なくとも一部とが誘電体層１１を挟んで重なり合って設けられている。また、第１導電型の半導体層８と、第２導電型の半導体層９と、誘電体層１１とが、光変調器から光導波路に向かってテーパー形状または逆テーパー形状を有するように幅および／または高さが変化している。 （もっと読む）

【課題】ＰＥＴ製基板の表面に光導波路を形成しても、その光導波路のコア側面の粗面化を抑制することができる光導波路装置の製造方法およびそれによって得られた光導波路装置を提供する。
【解決手段】ＰＥＴ製基板１部分と、このＰＥＴ製基板１部分の裏面に形成された、照射線Ｌを吸収する色の着色層５とからなる着色層付きＰＥＴ製基板Ａの表面に、アンダークラッド層２の形成を経て、コア３形成用の感光性樹脂層３Ａを形成した後、この感光性樹脂層３Ａに対して照射線Ｌを照射し所定パターンに露光し、その露光部分をコア３に形成する。このコア３形成工程において、照射線ＬがＰＥＴ製基板１部分の底面に達した際に、その殆どを上記着色層５に吸収させ、ＰＥＴ製基板１部分の底面で反射する照射線Ｌを殆どなくす。これにより、ＰＥＴ製基板１部分で乱反射して感光性樹脂層３Ａに達する照射線Ｌを大幅に減少させ、コア３側面の粗面化を効果的に抑制する。 （もっと読む）

【課題】陽極酸化処理に用いる薬液により、半導体基板と保護膜との剥離を抑制する多孔質構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】拡散層１２が形成された半導体基板１０に酸化膜１４を形成する工程と、酸化膜１４の所定の位置に複数の接続孔を設け、該接続孔に配線２２を形成した後、配線２２で挟まれた領域に拡散層１２の表面が露出するような開口部２４を設ける工程と、開口部２４の外周縁部に溝２６を形成し、溝２６を埋め込むように半導体基板１０の拡散層１２が形成された面の全面に保護層２８を堆積する工程と、開口部２４の外周縁部に保護層２８が残存するように開口部２４の保護層２８を除去し、拡散層１２を露出する工程と、開口部２４に残存した保護層２８を保護膜３２として、露出した拡散層１２を陽極酸化処理する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シリコン基板を用い、シリコン基板上に形成された光学通路用ビアホール内部に球形のボールレンズを挿入固定し、大量生産が可能で、既存のＰＣＢ基板に比べて良い熱特性を持たせるようにした光配線構造物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】上面に曲率半径を有するように少なくとも一つのレンズ形成用溝が備えられたシリコン基板；および前記レンズ形成用溝の形状が維持されるように前記レンズ形成用溝を含むシリコン基板上に形成されたシリカ層を含むことにより、大部分の工程が半導体工程装置を介して行われ、大量生産が可能で、既存のＰＣＢ基板に比べて良い熱特性を有する効果がある。 （もっと読む）

２つの対向した側部を有するシリコンウェーハを、光導波路が含む。該シリコンウェーハが、ヘッド部分と第１の柄部分とを含むこととなるように、第１のノッチが、前記２つの対向した側部の各々の中に画定される。
（もっと読む）

【課題】シリコン細線よりなるリブ型導波路を、損失を抑制して高効率な状態で、光ファイバーと光結合できるようにする。
【解決手段】シリコン酸化層１０５の上に、所定の方向（導波方向）に延在するライン状のレジストパターン１２１およびレジストパターン１２２が形成された状態とする。レジストパターン１２１およびレジストパターン１２２は、連続して一体に形成され、先端部のレジストパターン１２２は、端部に向けて先細りのテーパ形状に形成された状態とする。次に、これらにより、酸化シリコンパターン１４１および酸化シリコンパターン１４２が形成された状態とする。この後、これらをマスクとしてシリコン層１０３をパターニングする。 （もっと読む）

【課題】座屈による光学特性の劣化を抑制することのできる光学素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板と、シリコン基板と一体的に形成され、シリコン基板の上面に立設されたシリコン酸化物からなる少なくとも１つの柱構造体とを備え、柱構造体に光を透過させるようにした光学素子であって、柱構造体の形状を、柱構造体の長手方向の両端部を結んでなる仮想直線に対して少なくとも一方に凸の連続した曲線形状とした。 （もっと読む）

【課題】従来よりも非常に小型の波長多重光カプラを提供すること。
【解決手段】光受信機Ｒに接続される第１光導波路１２と、光送信機Ｓに接続される第２光導波路１４と、光送信機から送信される第１波長の上り光信号Ｌｓと、受信機で受信される第１波長とは異なる第２波長の下り光信号Ｌｒの双方を伝播する第３光導波路１６と、第１〜第３光導波路が互いに接続される接続部としてのグレーティング１８とを、同一基板２０上に備え、第１〜第３光導波路は、光の伝播方向に直交する断面形状が矩形状であって、矩形の長辺及び短辺の長さの少なくとも一方を０．５μｍ以下とするＳｉを材料とするコアと、コアの周囲を覆うＳｉＯ_２を材料とするクラッドからなり、グレーティングは下り光信号を透過し、かつ上り光信号を第３光導波路へと回折する。 （もっと読む）

【課題】真空プラズマ中での酸素欠損を回復させ、伝播損失の少ない光導波路を製造する。
【解決手段】酸化物化合物基板に光導波路を形成する光導波路の製造方法において、ドライエッチングプロセスにより、前記酸化物化合物基板に光導波路を形成する第１の工程と、前記光導波路が形成された前記酸化物化合物基板を、酸素雰囲気中で熱処理を行うことにより、前記ドライエッチングプロセスで欠損した酸素を再結合させる第２の工程とを備えた。 （もっと読む）

【課題】シリコンを用いた光導波路において、伝搬損失が少ない状態で、２光子吸収により生成される電子−正孔を効率的に消滅できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に、酸化シリコンよりなる下部クラッド層１０２が配置され、下部クラッド層１０２の上に基板１０１の平面に平行な面が（１１１）面とされた単結晶シリコンよりなるシリコンコア１０３が形成され、シリコンコア１０３の層厚方向中央部において、基板１０１の平面に平行とされた（１１１）面に形成された複数の転位ループ１０４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光モジュールにおいて、伝播光の角度ずれが生じてしまうような場合に、アクティブアライメントによる位置決めを確実に行なえるようにして、実装精度を向上させる。
【解決手段】光モジュールを、素子実装用開口部６Ａ（６Ｂ）を有する複数の光導波路基板１Ａ（１Ｂ）と、複数の光導波路基板の素子実装用開口部のそれぞれに実装され、電気光学効果を有する複数の光偏向素子を備える複数の光偏向素子アレイ６Ａ（６Ｂ）とを備えるものとし、複数の光導波路基板の端面が光学接着剤２０によって接着されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、対向ミラー構成を必要としないことにより、斜め蒸着プロセスを２回行うことなく、且つ、ＬＤやＰＤのモジュールサイズに合わせて不必要に回路長を長くすることがなく、且つ、電子回路のノイズ対策の点で実装性に優れた光反射回路を安価に提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る光反射回路は、光反射回路の上部溝に設置されたミラーを透明体の斜面に形成されている反射膜とし、当該反射膜の直下に位置する基板を透明とするか、又は下部溝を設けることで、光反射回路の下面からも導波光を入出射できるようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）