【課題】
電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板を利用し、補強基板に接着した場合でも、薄板や補強版の破損を抑制し、さらには微小なクラックによる光損失などの性能劣化も抑制した、光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板１と、該薄板には光導波路２が形成されており、該薄板に接着層５を介して接着された補強基板６とを有する光導波路素子において、該補強基板６の該薄板側の表面には、凹凸構造が形成され、該補強基板は、該凹凸構造が形成された後であり、かつ該薄板に接着する前に、キュリー温度以下の高温で熱処理されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】材料を無駄にすることなく、希土類化合物を用いた光素子が製造できるようにする。
【解決手段】エルビウムの酸化物よりなる希土類含有層１０５をスパッタ法などの物理蒸着法により、基板を加熱することなく形成し、例えば１０００℃に加熱することで、希土類含有層１０５を溝部１０４に凝集させ、酸化エルビウムの結晶からなる希土類コア部１０６を形成する。希土類の酸化物は、加熱することで、下地に形成されている凹部に凝集する。また、この加熱により、アモルファス状態の酸化エルビウムが結晶化するので、希土類コア部１０６は、酸化エルビウムの結晶から構成されたものとなる。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置とその製造方法において、光半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】半導体基板１を途中の深さまでエッチングすることにより、断面形状が凸状のコア４ａを半導体基板１に形成する工程と、コア４ａの一方の側面４ｘと他方の側面４ｙの各々に酸化防止膜２２を形成する工程と、酸化防止膜２２が形成された状態で、コア４ａの両脇の半導体基板１の表面を熱酸化する工程と、コア４ａの一方の側面４ｘの横の半導体基板１に第１の不純物領域を形成する工程と、コア４ａの他方の側面４ｙの横の半導体基板１に第２の不純物領域を形成する工程とを有する光半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉベースのフォトニクスプラットフォーム上で、フォトニックデバイス、Ｇｅ導波路一体型光検出器、およびハイブリッドＩＩＩ−Ｖ／Ｓｉレーザの共集積化のための方法を提供する。
【解決手段】パターン化したＳｉ導波路構造を含むＳｉデバイスを備えたＳｉベースのフォトニクス基板を用意する工程、誘電体層、例えば、ＳｉＯ_２層を、平坦化したＳｉベースのフォトニクス基板の上部に堆積する工程、適切なエッチング深さで溝を誘電体層にエッチング形成して、フォトニクス基板のパターン化したＳｉ導波路構造を露出させる工程、露出した導波路を選択エッチングして、Ｇｅ成長用のテンプレートを作成し、薄いＳｉ層をＧｅ成長用のシード層として残す工程、意図的なＧｅ過成長を伴って、シード層からＧｅを選択成長させる工程、Ｇｅ表面を平坦化し、１００ｎｍ〜５００ｎｍの減少した厚さを持つＧｅ層を残す工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 リブ型光導波路デバイス及びその製造方法に関し、光導波路における光閉じ込め効果を減少させることなく、単結晶コアの側面ラフネスを低減する。
【解決手段】 ＳｉＯ_２からなる下部クラッド層と、前記下部クラッド上に設けられたＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（但し、０≦ｘ≦０．３）からなる単結晶コアと、前記単結晶コアの側面に拡散防止膜を介して設けられた屈折率緩和層と、前記単結晶コアの上面と前記拡散防止膜及び屈折率緩和層の露出面を覆うＳｉＯ_２からなる下部クラッド層とを有する光導波路を備え、前記屈折率緩和層の屈折率を、前記単結晶コアの屈折率より小さく且つ前記上部クラッド層の屈折率より大きくする。 （もっと読む）

【課題】シリコン導波路に対する損傷が抑制された状態で、シリコン細線導波路とゲルマニウム受光器とをモノリシックに形成できるようにする。
【解決手段】一部のシリコンコア１３２が露出するレジストマスクを形成し、これをマスクにしたイオン注入技術により、一部のシリコンコア１３２にｐ型不純物を導入し、酸化シリコン層１０２の上に、ｐ型シリコンコア１３２ａを形成する。次に、酸素雰囲気で、９００℃・１０分程度の条件で加熱処理することで、熱酸化膜１０７，１０７ａを、シリコンコア１３１およびｐ型シリコンコア１３２ａに形成する。 （もっと読む）

【課題】光導波路の終端における反射戻り光を抑制する。
【解決手段】反射光減衰器１は、基板２と、その基板上に形成されたクラッド５とコア４とを備える光導波路と、その光導波路の少なくとも一部の側面に、光導波路を進行光が伝搬する伝搬方向に向って、コア中心軸との距離が次第に短くなるよう配置されたＴｉやＣｒ、Ｗ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕなどの金属からなる光を吸収する光吸収材料６とを備える。光導波路を伝搬方向に向って伝搬する光の強度分布がコアからクラッドへ漏洩してゆき、光吸収材料にて光が吸収されることで反射戻り光を抑制する。 （もっと読む）

【課題】散乱損失が低く、製造工程が簡単な垂直方向テーパ構造を持つ光結合器を提供する。
【解決手段】基板上に誘電体層と半導体結晶層を有し、この半導体結晶層の少なくとも一部に光の伝搬方向に沿って基板平面に垂直方向の厚さが徐々に変化する垂直方向テーパ構造を有し、この垂直方向テーパ構造部の上面のラフネスが前記半導体結晶層を構成する原子１層分程度である、光結合器。 （もっと読む）

【課題】伝送する光について損失が発生することを防止し、また、製造プロセスの効率化を実現する。
【解決手段】ハードマスクＨＭを用いて単結晶シリコン膜について異方性エッチング処理を実施し、単結晶シリコンパターンを形成する。そして、単結晶シリコンパターンについて熱酸化処理を実施し、その単結晶シリコンパターンにて露出する側壁部分を酸化シリコンに変質することによって第２クラッド層２０１を形成すると共に、その単結晶シリコンパターンの内部にコア層１１１を形成する。ここでは、等方性の熱酸化処理を実施する。 （もっと読む）

【課題】多心光コネクタとの光接続損失を抑制し得る光導波路フィルムを提供する。
【解決手段】光導波路フィルムは、同一層内にＸ方向に沿って並列に配設された複数のコア部９４Ａ〜９４Ｈと、これらコア部９４Ａ〜９４Ｈの各々の側面を覆い、かつコア部９４Ａ〜９４Ｈよりも低い光屈折率を有する樹脂からなるクラッド部９５とを備える。この光導波路フィルム１０では、コア部９４Ａ〜９４ＨのうちＸ方向と直交するＹ方向に隣り合うコア部間の間隔が光導波路領域全体の中の少なくとも一部の領域でＸ方向に沿って変化している。 （もっと読む）

導波路を作製する方法は、（ａ）基板（２２）と、基板上の下部クラッディング（２０）層と、下部クラッディング層上に窒化ケイ素、アモルファスシリコン、又はアモルファスシリコン−ゲルマニウム合金を含むコア層（２４）と、を含む導波路構成体を提供すること、（ｂ）コア層をパターン化すること、及び（ｃ）導波路構成体をアニール（２８）すること、を含む。
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【課題】従来の光導波モードを利用する技術よりも、安定かつ高い感度で被検出試料を検出できる光導波モードセンサーを提供する。
【解決手段】本発明は、ガラスとその上に形成した反射膜と、さらに該反射膜自身の表面を酸化して形成した光導波路層とからなる検出板を用いる。この検出板のガラス側から、反射膜に光を入射する光入射機構と、反射膜によって反射される前記光の反射光を検出する光検出機構と、を備える。入射光の一部又は全部が光導波路内を伝搬する光導波モードと結合することによって反射光強度が著しく増減する光入射角度領域を用いて、検出板の表面に検出対象となる物質が吸着又は付着した際に生じる反射光強度の変化を読み取ることによって、物質の検出を行う。 （もっと読む）

【課題】真空プラズマ中での酸素欠損を回復させ、伝播損失の少ない光導波路を製造する。
【解決手段】酸化物化合物基板に光導波路を形成する光導波路の製造方法において、ドライエッチングプロセスにより、前記酸化物化合物基板に光導波路を形成する第１の工程と、前記光導波路が形成された前記酸化物化合物基板を、酸素雰囲気中で熱処理を行うことにより、前記ドライエッチングプロセスで欠損した酸素を再結合させる第２の工程とを備えた。 （もっと読む）

【課題】犠牲層の平坦化が可能であり、また熱接合によるロッドの変形を低減することが可能となる３次元フォトニック結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】周期的な２次元パターン構造の積層体による３次元フォトニック結晶の製造方法であって、
基板上に、第１の材料からなる薄膜を形成する第１の工程と（図１（ａ））、
前記薄膜に周期的な２次元パターン構造を形成する第２の工程と（図１（ｂ））、
前記２次元パターン構造上に、第２の材料からなる薄膜を形成する第３の工程と（図１（ｃ））、
前記第２の材料からなる薄膜を平坦化する際に、下地の前記２次元パターン構造が露出する前に該平坦化を停止する第４の工程と（図１（ｄ））、
前記第１の工程から前記第４の工程を少なくとも２回以上繰り返し、前記２次元パターン構造による積層体を形成する第５の工程と（図１（ｆ）、（ｇ））、を含む構成とする。 （もっと読む）

【課題】 容易に作製することができる上、用いる基板の選択性が高い、基板を接合させた構成の光学素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 導波基板２１とベース基板２２とを備え、導波基板２１とベース基板２２とが接合されていて、導波基板２１とベース基板２２との接合面において、一部に、接合していない非接合領域２４を備えている。 （もっと読む）

【課題】シリコンを用いた光導波路において、伝搬損失が少ない状態で、２光子吸収により生成される電子−正孔を効率的に消滅できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に、酸化シリコンよりなる下部クラッド層１０２が配置され、下部クラッド層１０２の上に基板１０１の平面に平行な面が（１１１）面とされた単結晶シリコンよりなるシリコンコア１０３が形成され、シリコンコア１０３の層厚方向中央部において、基板１０１の平面に平行とされた（１１１）面に形成された複数の転位ループ１０４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、第１面１０ａ及び第２面１１ｂを有する第１導電型半導体を含む第１領域Ａと、第１面１３ａ及び第２面１５ａを有する第２導電型半導体を含む第２領域Ｂと、前記第１領域Ａの第２面１１ｂと前記第２領域Ｂの第１面１３ａとの間に配置された発光層１２とを備える。前記第１領域Ａの第１面１０ａと前記第２領域Ｂの第２面１５ａとの間には、閉じられた複数の空洞１８が周期的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】極めて扱いやすく、高濃度で均一な添加元素の添加が可能で、しかも段差被覆性が良好で高速合成時においても透明な膜の製造が可能な石英系ガラス用原料および石英系ガラスの製造方法を提供する。
【解決手段】珪素を含む有機化合物、または、硼素、リン、ゲルマニウムのうちから選ばれた少なくとも一種類の元素を含む有機化合物を、テトラヒドロフランを含む有機溶剤に溶解させた石英系ガラス用原料を、液体原料タンク２〜５から気化装置８で気化させて原料ガスとし、該原料ガスに反応ガスを混合してＣＶＤ反応炉１１で化学反応により基体１４上に石英系ガラスを堆積させる。 （もっと読む）

【課題】温度変化の影響を受けず、曲がり半径を小さくしても光損失を低減できること。
【解決手段】光導波路１００は、基板１０１上に第２の不純物を拡散させて屈折率が大きい第２の拡散領域（１０２）を形成してなる。この光導波路１００の第２の拡散領域（１０２）の曲がり部の外側に、第２の拡散領域（１０２）に沿って基板１０１に形成した溝１０５と、溝１０５の底部１０５ａから第１の不純物を用いて拡散され、基板１０１の屈折率を小さくした第１の拡散領域（１０７）と、を備える。 （もっと読む）

本発明は、以下の工程：
（ａ）空の間隙性の格子サイトが並んだ表面に、互いに接続された空気孔を有するポリマー構造体の準備
（ｂ）ポリマー構造体表面上に均質で等方性の薄い被覆材料を適用
（ｃ）高屈折率材料を導入
（ｄ）ポリマーあるいは工程（ｂ）によって適用された被覆材料に入口を開孔
（ｅ）工程（ｂ）で適用した層を除去
（ｆ）ポリマー構造体を除去
を含む、高屈折率を有する材料からなるフォトニック結晶の製造方法に関する。
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