【課題】光ファイバ通信で必要なチャンネル間隔（２５ＧＨｚ間隔，５０ＧＨｚ間隔等）の光周波数コムを発生させ、且つ、変調器を１種類にして変調信号の位相調整を不要とすることなどが可能な半導体光変調器及び光周波数コム発生光源を提供する。
【解決手段】例えば、半導体光変調器１００は、入力光１０１を変調してサイドバンドを発生する半導体位相変調器１０２と、この半導体位相変調器１０２によって発生したサイドバンドの強度を等化する半導体光増幅器１０３とを、同一の半導体基板上にモノリシック集積した構造とする。また、光周波数コム発生光源は、入力光を変調してサイドバンドを発生する半導体位相変調器と、この半導体位相変調器によって発生したサイドバンドの強度を等化する半導体光増幅器と、前記入力光を前記半導体位相変調器へ出力する波長可変半導体レーザとを、同一の半導体基板上にモノリシック集積した構造とする。 （もっと読む）

【課題】発生キャリアを光吸収層から効率的に引き抜くことができ、ゲート幅の裾引きを改善することが可能な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に、下部クラッド層１２、バルク材料からなる光吸収層１３、および、上部クラッド層１４が順次積層された導波路構造と、少なくともその一部が導波路構造の上方に形成される上部電極２２と、半導体基板１１の下方に形成される下部電極２３と、を備え、入力されるポンプ光の光強度に応じて光吸収層１３の吸収係数が変化する相互吸収飽和特性を利用して、光信号のサンプリングを行うために用いられる光ゲート素子であって、導波路構造の光の導波方向の少なくとも一方の側方に、ポンプ光または光信号により光吸収層１３内に発生したキャリアを一時的に蓄積するための容量領域を備える。 （もっと読む）

量子ドット（５１９）と、前記量子ドット（５１９）に電場を印加するように構成される電気的コンタクト（５３３、５３７）と、前記コンタクト（５３３、５３７）に結合される電源であって、双励起子又はより高次の励起子を形成するためにキャリアが前記量子ドット（５１９）に供給されるように、ポテンシャルを印加するように構成される電源と、を具備する光子源であって、前記光子源は、量子ドット（５１９）内の励起子の放射寿命より大きくなるように、キャリアが前記量子ドット（５１９）へ及び前記量子ドット（５１９）からトンネルする時間を増大するように構成される障壁（５２１）をさらに具備し、前記量子ドット（５１９）は、双励起子又はより高次の励起子の崩壊中にエンタングルされた光子の放射に適している、光子源。 （もっと読む）

【課題】緩和時間に制限されない超高速応答が得られる超高速光スイッチを実現する。
【解決手段】超高速光スイッチ１は、光との相互作用が最も大きくなる励起子エネルギー準位と、複数の高次励起子エネルギー準位とを有する励起子２と、励起子エネルギー準位と高次励起子エネルギー準位とを励起可能な入力光３を励起子２に照射する入力光照射器４と、励起子エネルギー準位と高次励起子エネルギー準位とを励起可能な制御光５を励起子２に照射して、複数の励起子エネルギー準位が励起されたことによって生じる振動構造を利用し、励起子２からの応答信号光７の出射を制御する制御光照射器６とを備える。 （もっと読む）

【課題】光の偏向角制御を容易にする
【解決手段】半導体レーザ１は、レーザ光を出射するレーザ部２と、レーザ部２から出射されたレーザ光を偏向する光偏向部３とを備える。またレーザ部２及び光偏向部３は、ｎ−ＧａＡｓ基板上に、ｎ型クラッド層、ｎ型ガイド層、多重量子井戸層、ｐ型ガイド層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層が順次積層されて構成されている。そして光偏向部３の多重量子井戸層の量子井戸層の厚さは、レーザ部２の多重量子井戸層の量子井戸層の厚さより薄くなるように設定されている。更に光偏向部３のコンタクト層上には、レーザ光が入射する方向Ｄ１に向かって延びる形状に形成され、方向Ｄ１に対して垂直な方向Ｄ２に沿って一定の所定配置間隔Ｇ１で複数配置されたｐ型電極２８が設けられる。 （もっと読む）

【課題】アレイ状のエミッタに対して一個の波長変換素子を対応可能とすることで、小型化及び低コスト化が実現可能な光源装置、プロジェクタ、及びモニタ装置を提供する。
【解決手段】レーザ光を射出するエミッタ２がライン状に配列されたエミッタ列Ａ１，Ａ２を複数有する光素子１と、光素子１のエミッタ２から射出されたレーザ光の光路上に配置される波長変換素子２０と、光素子１との間で共振器構造を構成する外部共振器３０と、光素子２及び波長変換素子２０間におけるレーザ光の光路上に設けられ、光素子１から射出されたレーザ光を透過させるとともに外部共振器３０で反射されて波長変換素子２０により波長変換されたレーザ光を反射させる半透過反射ミラーＭと、半透過反射ミラーＭにより反射されたレーザ光をさらに反射して外部に射出する光学部材Ｍ３と、を備える光源装置１００である。 （もっと読む）

【課題】 他の半導体光装置と同一半導体基板上に集積化が容易な、ファラデー回転子を用いない光アイソレータ装置を提供すること。
【解決手段】 信号光１４の周波数を第１の周波数変換器２２で周波数変換し、第２の周波数変換器３２で元に戻し出射する。この過程で、第１の光周波数選択器２６は信号光１４を遮断するが、信号光１４に由来する第２の周波数変換光２８は透過する。しかし、第２の周波数変換光２８が反射されてなる戻り光１２は、励起光１６とは進行方向が逆なので、第２の周波数変換器３２で周波数変換されない。このため、第１の周波数選択器２６によって遮断される。 （もっと読む）

【課題】正孔および電子の注入効率を低下させることなく緑色などの所望の波長のレーザ光を出射することが可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ型半導体層３Ａ、活性層４Ａ、およびｐ型半導体層５Ａを含んでおり、ｎ型半導体層３Ａ、活性層４Ａ、およびｐ型半導体層５Ａの積層方向に対して垂直である方向に活性層４Ａからレーザ光が出射されるレーザダイオード部２Ａを備える半導体発光素子Ａ１であって、レーザダイオード部２Ａに対してその光出射方向に配置されており、少なくともその一部に希土類元素が添加されたＩＩＩ族窒化物半導体からなる波長変換部２Ｂをさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】偏向角切り替えを簡単な操作で行うことができ、光ビームを自由空間内で偏向することができ、及び製造を容易とする。
【解決手段】第１反射面２４と、第２反射面１８と、媒質２２と、媒質の屈折率を制御するための屈折率制御手段２０とを備えたファブリペロ共振器型の光偏向用構造体１２を含み、第１反射面の反射率、及び、第２反射面の反射率の一方又は双方が、それぞれ場所により規則的に変化しており、屈折率制御手段が、媒質の屈折率を制御することにより、第１反射面及び第２反射面のいずれか一方に入射する共振条件を満たす波長の光が、第１反射面又は第２反射面から偏向されて出射される。 （もっと読む）

【課題】入力ダイナミックレンジが大きく、入力信号光の変形が防止され、導波路の形成が容易な光波長変換器を提供する。
【解決手段】光波長変換器は、マッハーツェンダー干渉計を構成し、波長変換用の半導体光増幅器が挿入され、両方に直流光、一方に入力信号光が入力されている第１および第２の分岐路に、上記入力信号光が入力されるポートで、上記入力信号光を増幅する信号増幅用の半導体光増幅器が結合されている光波長変換器において、上記入力信号光の波長での上記信号増幅用の半導体光増幅器の微分利得が上記直流光の波長での上記波長変換用の半導体光増幅器の微分利得未満である。 （もっと読む）

【課題】耐久性に優れ、厚膜の非線形光学媒質を有する反射型の光スイッチ並びにそれを用いた光分配装置及び光多重化装置の提供。
【解決手段】基板１０上に、高反射率の反射層１２と、無機半導体結晶層１４と、低反射率の反射層１６とをこの順に積層してなる。光スイッチングは、無機半導体結晶の３次非線形光学特性（光カー効果）を利用する。偏光子により直線偏光された信号光と、信号光に対して偏光方向が４５°傾けられた制御光とを光スイッチに照射すると、制御光が照射されている間のみ無機半導体結晶の屈折率異方性が誘起され信号光が直線偏光から楕円偏光に変換される。楕円偏光のうち、元の偏光方向に直交する成分のみが検光子を介して検出される。このようにして信号光のオン／オフを制御光により制御する。 （もっと読む）

【課題】
単一半導体光増幅器の利得飽和特性を利用した、２．５Ｇｂｉｔ／ｓ以上の動作速度を持つ、単純な構造の全光ＯＲ論理素子具現装置及び方法の提供。
【解決手段】
入力信号パターンＡ及びＢの論理和Ａ＋Ｂを演算するにあたり、Ａ及びＢのパルスパターンをそれぞれ照射信号Ａ及びポンプ信号Ｂとして単一半導体光増幅器１２０に反対方向から入射してＡＢ￣を得て、光結合器１３２でＡＢ￣とＢとを結合してＡＢ￣＋Ｂ＝Ａ＋Ｂを得ることによって論理和演算を行う、単一半導体光増幅器１２０の利得飽和特性を利用した全光ＯＲ論理素子具現装置の採用。
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【課題】 複数の光スイッチ部のタイミング調整が容易な光導波路型の半導体光スイッチを実現することを目的にする。
【解決手段】 本発明は、光信号が入射または出射されるポートを有し、光信号を途中で２つに分岐して伝播する光導波路が複数形成され、光信号を伝播する光導波路を選択して出射用のポートのうち所望のポートから出射する光スイッチに改良を加えたものである。本光スイッチは、光導波路の分岐部分に設けられ、所望のポートへ光信号を伝播する光導波路側に経路を切り替える初段の光スイッチ部と、この初段の光スイッチ部よりも後段の分岐部分に設けられ、初段の光スイッチ部からの漏れ光を外部への出射用のポートのいずれにも伝播されない経路に切り替える後段の光スイッチ部とを有し、ポート、光導波路、初段、後段の光スイッチ部は、同一の基板に設けられ、初段、後段の光スイッチ部は、キャリア注入による屈折率変化により光信号の経路を切り替えることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 偏光依存性を低減した光信号交換装置を実現することを目的にする。
【解決手段】 本発明は、入力された光信号を、複数設けられる出力ポートのうち所望の出力ポートから出力する光信号交換装置に改良を加えたものである。本装置は、光信号を、互いに９０度異なる第１、第２の偏光成分に分けて出力する分離素子と、分離された光信号のうち、どちから一方の光信号の偏光面を９０度回転させる第１の偏光面制御素子と、分離素子からの他方の光信号を、所望の出力ポート側に経路を切り替えて出力する第１のキャリア注入光導波路型光スイッチと、第１の偏光面制御素子からの光信号を、所望の出力ポート側に経路を切り替えて出力する第２のキャリア注入光導波路型光スイッチと、第１のキャリア注入光導波路型光スイッチからの光信号の偏光面を９０度回転させる第２の偏光面制御素子と、第２のキャリア注入光導波路型光スイッチと第２の偏光面制御素子とからの光信号を合わせ、出力ポートに出力するコンバイナとを設けたことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】応答時間の低下を防止でき、かつ、電気信号の劣化を防止できる受光素子およびそれを備えた光ピックアップ装置を提供する。
【解決手段】Ｐ型シリコン基板１の表面にはカソード低抵抗化領域８が形成されている。このカソード低抵抗化領域８上には、入射した光信号の強度に応じて反射率が変化するアモルファス合金膜１６を形成している。 （もっと読む）