受光素子およびそれを備えた光ピックアップ装置
【課題】応答時間の低下を防止でき、かつ、電気信号の劣化を防止できる受光素子およびそれを備えた光ピックアップ装置を提供する。
【解決手段】Ｐ型シリコン基板１の表面にはカソード低抵抗化領域８が形成されている。このカソード低抵抗化領域８上には、入射した光信号の強度に応じて反射率が変化するアモルファス合金膜１６を形成している。
【解決手段】Ｐ型シリコン基板１の表面にはカソード低抵抗化領域８が形成されている。このカソード低抵抗化領域８上には、入射した光信号の強度に応じて反射率が変化するアモルファス合金膜１６を形成している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は受光素子およびそれを備えた光ピックアップ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光信号を電気信号に変換してその信号処理を行なう、受光素子を内蔵した半導体装置が光ピックアップ等の製品で用いられている。このような装置はＩＣ（集積回路）プロセスを利用して、受光素子であるフォトダイオードと信号処理に用いられるトランジスタ，抵抗，容量などとを同一チップ上に集積したものが一般的である。
【０００３】
一般的に、受光素子の性能はその受光感度と応答速度で決定される。上記受光素子の一例であるＰＮ接合ダイオードの受光感度は、基板中に侵入した光によって生成したキャリアのうち、ＰＮ接合で形成された空乏層内で発生したキャリアと、空乏層外で発生して拡散によって空乏層内に到達するキャリアとの和によって決定される。また、上記ＰＮ接合ダイオードの応答速度は、受光量が低いときにはＰＮ接合の容量値と寄生抵抗とによって決定される。
【０００４】
ところで、光ディスクが年々高密度化されるにつれて、光ディスクに照射する光が短波長化されてきている。例えば、ＣＤ（コンパクトディスク）には７８０ｎｍの赤外の光を照射し、ＤＶＤ（デジタル万能ディスク）には６５０ｎｍの赤色の光を照射し、ＢＤ（ブルーレイディスク）では４０５ｎｍの青紫色の光を照射している。
【０００５】
上記光ディスクに短波長の光を照射する場合、光ディスクで反射された短波長の光が受光素子に入射するが、短波長の光は侵入長が短いため、光励起キャリアの発生場所が受光素子の表面近傍に偏ってしまう。つまり、上記短波長の光を受光した受光素子では、空乏層以外で発生する光励起キャリアの数が多くなってしまう。例えば、上記受光素子が赤外の光を受光した場合、受光素子全体で発生する光キャリアの１０％が空乏層外で発生するだけであるが、受光素子が赤色の光を受光した場合、受光素子全体で発生する光キャリアの４０％が空乏層外で発生してしまう。また、上記受光素子で青紫色の光を受光した場合に至っては、青紫色の光の侵入長が０．３μｍ程度であるため、ほとんどの光キャリアが空乏層外で発生してしまう。
【０００６】
その結果、上記受光素子では、光電流として空乏層を完全に横切らなければならないキャリアの数が増加するため、空乏層内の内部電界強度が弱いとキャリアの単位時間当りの空乏層通過可能量がキャリアの流入量に追いつかなくなり、受光量が多い場合には空乏層内に過剰のキャリアが蓄積してしまう状況が発生する。これは等価的に空乏層幅の縮小となって現れ、受光素子の応答速度が低下してシステムの性能低下につながる。このような現象は、７８０ｎｍの波長の光を使うＣＤ装置では問題化していなかったが、６５０ｎｍの光を使うＤＶＤ装置では記録速度の高速化により顕著に問題化してきている。
【０００７】
すなわち、上記光ディスクの情報を再生する場合、通常、光ディスクに照射する光の強度は再生速度によらず比較的低いため、光ディスクからの反射光の強度も１μＷ〜１００μＷ程度と小さく、受光素子の応答速度が低下する問題は発生しない。
【０００８】
しかしながら、上記光ディスクに情報を記録する場合、光ディスクに照射する光のエネルギで光ディスクにピットを形成するため、その光の光量は数ｍＷ以上と大きな値が必要となる。また、上記光ディスクの記録を高速化すると、光ディスクの回転数が増大するため、光ディスクにピットを形成するために必要なエネルギもますます増大し、光ディスクに照射する光の強度は数十ｍＷ以上とさらに大きくなる。その結果、上記受光素子に入射する光の強度はディスクの反射率の仕様から１０ｍＷ以上となるため、受光素子の応答速度の低下が顕著に現れる。
【０００９】
図３に、受光素子に入射する光の入射光量と、その受光素子の応答時間（遅延時間）との関係を示す。ここで、上記受光素子に入射する光の波長は６５０ｎｍである。
【００１０】
図３から判るように、上記受光素子への入射光量が１０ｍＷを超えると、応答時間が急激に増大してしまう。
【００１１】
このような現象を防ぐためには、上記受光素子への印加電圧と、空乏層幅で決定される空乏層内の電界強度とを強めればよい。しかし、上記印加電圧および電界強度を強くすることは、以下の点で実現不可能であった。
（１）受光素子に印加できる上限電圧は回路仕様で決定されるため、印加電圧を自由に大きく設定して電界強度を上げることはできない点。
（２）拡散プロファイルを調整して空乏層幅が狭くなる構造を作製して電界強度を上げることは可能であるが、その構造では接合容量が増加するため、光ディスクの再生時の本来の応答速度自体が低下してしまう点。
【００１２】
また、上記現象を防ぐには、受光素子上に光学フィルタを配置したり（例えば特許文献１（特開２００２−２７０９３７号公報）参照。）、受光素子の表面の反射率を大きしたりすることよって、受光素子内への入射光量を低下させる方法もある。
【００１３】
しかしながら、上記方法は、光ディスクの再生時の光量も低下してしまうため、再生信号のＳＮ（シグナルノイズ）が劣化してしまうという問題が新たに発生してしまう。
【特許文献１】特開２００２−２７０９３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
そこで、本発明の課題は、応答時間の低下を防止でき、かつ、電気信号の劣化を防止できる受光素子およびそれを備えた光ピックアップ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、第１の発明の受光素子は、
光信号を電気信号に変換するための受光部と、
上記受光部上に形成され、入射した光信号の強度に応じて反射率が変化する機能膜と
を備えたことを特徴としている。
【００１６】
上記構成の受光素子によれば、上記機能膜に入射した光信号の強度に応じて、機能膜の反射率が変化する。より詳しくは、上記機能膜に入射した光信号の強度が大きいと、機能膜の反射率が大きくなる。反対に、上記機能膜に入射した光信号の強度が小さいと、機能膜の反射率が小さくなる。
【００１７】
このように、上記機能膜に入射した光信号の強度が大きいとき、機能膜の反射率が大きくなるから、光信号は機能膜を通過することで強度が小さくなる。したがって、上記受光部には大きな強度の光信号が入射せず、応答速度が低下するのを防止できる。
【００１８】
また、上記機能膜に入射した光信号の強度が小さいとき、機能膜の反射率が小さくなるから、機能膜を通過した光信号がさらに小さくならない。したがって、上記電気信号が劣化するのを防止できる。
【００１９】
また、上記機能膜の膜厚は、信号光の波長に基づいて設定するのが好ましい。
【００２０】
また、上記機能膜は受光部の表面を保護する保護膜を兼ねている。
【００２１】
通常、上記受光素子の表面反射率は、受光部が形成された基板の屈折率と、機能膜の屈折率と、機能膜の膜厚と、受光素子周囲の屈折率とによって決定される。上記受光素子周囲の媒質は空気または透明樹脂であるので、受光素子周囲の屈折率は１.０または１.５程度である。
【００２２】
例えば、上記受光素子周囲の媒質が空気である場合は、受光素子の受光部上に、屈折率が約１.４５で厚さが約５０ｎｍの酸化シリコン膜と、屈折率が約２.０で厚さが約５０ｎｍの窒化シリコン膜とを積層すると、６５０ｎｍの波長の光信号に対して受光素子の表面反射率は、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜に入射した光信号の光量に関係なく約１５％という低い値を実現できる。これは、上記酸化シリコン膜と窒化シリコン膜が光信号の光量に関係なくほぼ一定の屈折率を示すからである。
【００２３】
また、上記受光素子の受光部上に、屈折率が約１.４５で厚さが約５５ｎｍの酸化シリコン膜と、厚さが約４５ｎｍでＣｏ（コバルト），Ｃｒ（クロム），Ｚｒ（ジルコニウム）で構成された非線形光学膜とを積層した場合、非線形光学膜に入射した光信号の光量が例えば数十μＷであると、非線形光学膜の屈折率は約２.０となる。このため、６５０ｎｍの波長の光信号に対して受光素子の表面反射率は約１５％となる。そして、上記光信号の光量が例えば１５ｍＷに上がると、非線形光学膜の屈折率は約２.５に増加する。このため、６５０ｎｍの波長の光信号に対して受光素子の表面反射率は約４５％となる。このとき、上記受光素子の内部に実際に入射する光信号の光量は、受光素子へ向かって来た光信号の光量の約半分となる。具体的には、上記受光素子の内部に実際に入射する光信号の光量は８ｍＷである。このレベルであれば図３に示すように応答速度の低下は発生しない。
【００２４】
また、上記受光素子の受光部上に積層する膜の数は各膜厚を最適化すれば３つ以上でもよい。例えば、上記受光素子の受光部上に、屈折率が約１.４５で厚さが約１５ｎｍの酸化シリコン膜と、屈折率が約２.０で厚さが約５０ｎｍの窒化シリコン膜と、厚さが５０ｎｍでＣｏ，Ｃｒ，Ｚｒで構成された構成された非線形光学膜とを積層してもよい。この酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および非線形光学膜を光学素子の受光部上に積層した場合、非線形光学膜に入射した光信号の光量が例えば数十μＷであると、非線形光学膜の屈折率は約２.０となる。このため、６５０ｎｍの波長の光信号に対して受光素子の表面反射率は約１５％となる。そして、上記光信号の光量が例えば１５ｍＷに上がると、非線形光学膜の屈折率は約２.５に増加する。このため、６５０ｎｍの波長の光信号に対して受光素子の表面反射率は約４０％となる。このとき、上記受光素子の内部に実際に入射する光信号の光量は９ｍＷである。このレベルでも図３に示すように応答速度の低下は発生しない。
【００２５】
なお、上記受光素子の受光部上に積層する膜の数は使用するプロセスに合わせて適時選択すればよい。
【００２６】
一実施形態の受光素子では、上記機能膜は、上記光信号の光量に応じて屈折率が変化する。
【００２７】
一実施形態の受光素子では、上記機能膜は非線形光学膜である。
【００２８】
一実施形態の受光素子では、上記非線形光学膜の材料がアモルファス合金またはナノガラスである。
【００２９】
一実施形態の受光素子では、上記機能膜とは異なる材料で形成され、かつ、上記機能膜に積層された光学膜を備える。
【００３０】
一実施形態の受光素子では、上記光学膜は酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との少なくとも一方である。
【００３１】
一実施形態の受光素子では、上記光学膜は、上記機能膜と上記受光部との間に形成された酸化シリコン膜である。
【００３２】
一実施形態の受光素子では、上記光学膜は、上記機能膜と上記受光部との間に形成され、かつ、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とを含み、上記窒化シリコン膜は、上記酸化シリコン膜と上記機能膜との間に位置する。
【００３３】
一実施形態の受光素子では、上記酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および機能膜の各膜厚は、上記光信号の波長に基づいて設定されている。
【００３４】
より詳しくは、上記実施形態の受光素子では、上記酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および機能膜は、それぞれ、対象となる光信号の強度が大きいときには反射率が大きく、かつ、対象となる光信号の強度が小さいときには反射率が小さくなるように膜厚が設定されている。
【００３５】
第２の発明の光ピックアップ装置は、上記第１の発明の受光素子を備えたことを特徴としている。
【００３６】
上記構成の光ピックアップ装置によれば、例えばＤＶＤなどの光ディスクに情報を記録するときには受光素子の機能膜の光透過量が小さくなり、かつ、光ディスクの情報を再生するときには受光素子の機能膜の光透過量が大きくなる。
【００３７】
したがって、上記光ディスクに情報を記録するときの応答速度の低下を防ぐことができ、かつ、光ディスクの情報を再生するときの電気信号の劣化を防ぐことができる。
【発明の効果】
【００３８】
第１の発明の受光素子は、上記機能膜に入射した光信号の強度に応じて、機能膜の反射率が変化することによって、その光信号の強度が大きいときには機能膜の反射率が大きくなるから、受光部には大きな強度の光信号が入射せず、応答速度が低下するのを防止できる。
【００３９】
また、上記機能膜に入射した光信号の強度に応じて、機能膜の反射率が変化することによって、その光信号の強度が小さいときは機能膜の反射率が小さくなるから、その光信号は機能膜を通過しても強度がさらに小さくならず、電気信号が劣化するのを防止できる。
【００４０】
すなわち、第１の発明の受光素子は、入射光量によらず応答速度の速くできる上に、入射光量の低下を防ぐこともできる。
【００４１】
第２の発明の光ピックアップ装置は、上記第１の発明の受光素子を備えているから、光ディスクに情報を記録するときの応答速度の低下を防ぐことができ、かつ、光ディスクの情報を再生するときの電気信号の劣化を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下、本発明の受光素子を図示の実施の形態により詳細に説明する。本実施の形態では、本発明の受光素子とＩＣとを集積した光半導体装置について詳細に説明する。
【００４３】
図１に、本発明の一実施の形態の受光素子１０１の模式断面図を示す。
【００４４】
上記受光素子１０１は、Ｐ型シリコン基板１の表面に形成されたカソード低抵抗化領域８と、このカソード低抵抗化領域８上に順次積層された酸化シリコン膜６、窒化シリコン膜７およびアモルファス合金膜１６とを備えている。また、上記Ｐ型シリコン基板１にはＮＰＮトランジスタ１０２が形成されている。
【００４５】
なお、図１において、２はＮＰＮトランジスタ１０２のＮ+埋込み層、３は素子分離するためのＰ+埋込み層、４はＮ型エピタキシャル層、５は素子分離領域、９はベース領域、１０はコレクタ補償拡散領域、１１はエミッタ領域、１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃは１層目メタル、１３は層間絶縁膜、１４は２層目メタル、１５は表面保護膜である。
【００４６】
本実施の形態では、上記カソード低抵抗化領域８と、Ｎ型エピタキシャル層のカソード低抵抗化領域８下の部分と、Ｐ型シリコン基板１のカソード低抵抗化領域８下の部分とが受光部の一例を構成している。そして、上記アモルファス合金膜１６が非線形光学膜の一例である。また、上記酸化シリコン膜６と窒化シリコン膜７とは光学膜の一例を構成している。
【００４７】
上記構成の受光素子１０１によれば、アモルファス合金膜１６は光信号の強度に応じて反射率が変化する。より詳しくは、上記アモルファス合金膜１６に入射した光信号の強度が大きいと、アモルファス合金膜１６の反射率が大きくなる。反対に、上記アモルファス合金膜１６に入射した光信号の強度が小さくなると、アモルファス合金膜１６の反射率が小さくなる。
【００４８】
このように、上記アモルファス合金膜１６に入射した光信号の強度が大きいときは、アモルファス合金膜１６の反射率が大きくなるから、カソード低抵抗化領域８に入射した光信号の強度が小さくなる。したがって、上記カソード低抵抗化領域８には大きな強度の光信号が入射せず、応答速度が低下するのを防止できる。
【００４９】
また、上記アモルファス合金膜１６に入射した光信号の強度が小さいときには、アモルファス合金膜１６の反射率が小さくなるから、光信号はアモルファス合金膜１６を通過しても強度がさらに小さくならない。したがって、上記電気信号が劣化するのを防止できる。
【００５０】
以下、図２Ａ〜図２Ｇを用いて、上記受光素子１０１およびＮＰＮトランジスタ１０２の製造方法について説明する。
【００５１】
まず、図２Ａに示すように、約５００Ωｃｍの比抵抗を持つＰ型シリコン基板１の表面に、ＮＰＮトランジスタ１０２のコレクタ領域を形成するためのＮ+埋込み層２と、素子分離のためのＰ+埋込み層３とを形成する。なお、上記受光素子１０１を形成するための領域を分割する必要がある場合には、その領域の分割部にもＰ+埋込み層３を形成しておく。また、上記Ｐ型シリコン基板１のような高比抵抗の基板を使用するのは、空乏層幅を大きくし、接合容量を低減することにより、受光素子１０１の応答速度を向上させるためである。
【００５２】
次に、上記Ｐ型シリコン基板１の表面上に、図２Ｂに示すように、約２μｍのＮ型エピタキシャル層４を積層する。さらに、ＬＯＣＯＳ（シリコン局所酸化法）工程を行うことによって、Ｐ+埋込み層３の上に、酸化膜からなる素子分離領域５を形成する。これにより、上記Ｐ型シリコン基板１に形成する各素子を電気的に分離する。このとき、上記受光素子１０１を形成するための領域に分割部がある場合、この分割部のＰ+埋込み層３上に酸化を行なわなくともよい。
【００５３】
次に、上記Ｎ型エピシャキタル層４および素子分離領域５上に、図２Ｃに示すように、厚さが例えば１５ｎｍの酸化シリコン膜６を熱酸化法で形成する。さらに、上記酸化シリコン膜６上に、厚さが例えば５０ｎｍの窒化シリコン膜をＣＶＤ（化学蒸気堆積）法で形成した後、Ｎ型エピタキシャル層４に受光素子１０１のカソード低抵抗化領域８をリンのイオン注入法で形成する。なお、上記受光素子１０１を形成するための領域を分割する場合には、その領域の分割部にボロンのイオン注入を行なう。この後、上記受光素子１０１を形成するための領域以外の窒化シリコン膜をドライエッチング法で除去する。これにより、上記カソード低抵抗化領域８上に位置する窒化シリコン膜７が得られる。
【００５４】
次に、上記Ｎ型エピシャキタル層４に、図２Ｄに示すように、ＮＰＮトランジスタ１０２のベース領域９をボロンのイオン注入法によって形成すると共に、コレクタ補償拡散領域１０をリンのイオン注入法によって形成する。
【００５５】
次に、上記ベース領域９に、図２Ｅに示すように、エミッタ領域１１を砒素のイオン注入法で形成した後、アニール処理を行なって所定のプロファイルを実現する。
【００５６】
次に、上記酸化シリコン膜６に、図２Ｆに示すように、コンタクトホール１７を形成した後、１層目メタル配線層１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃを形成する。この１層目メタル配線層１２Ａはベース領域９に電気的に接続し、１層目メタル配線層１２Ｂはコレクタ補償拡散領域１０に電気的に接続し、１層目メタル配線層１２Ｃはエミッタ領域１１に電気的に接続する。さらに、上記酸化シリコン膜６、窒化シリコン膜７および１層目メタル配線層１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ上に層間絶縁膜１３を形成する。
【００５７】
次に、上記層間絶縁膜１３に、図２Ｇに示すように、スルーホール１８を開口した後、層間絶縁膜１３上に２層目メタル配線層１４を形成する。
【００５８】
次に、上記２層目メタル配線層１４上に表面保護膜１５を形成した後、図１に示すように、全面にアモルファス合金膜１６をスパッタ法で形成する。その後、ボンディングパッド部を開口すれば、光半導体装置が完成する。
【００５９】
このように作製した光半導体装置を光ピックアップ装置に搭載した場合、例えばＤＶＤなどの光ディスクに情報を記録するときにはアモルファス合金膜１６の光透過量が小さくなり、かつ、光ディスクの情報を再生するときにはアモルファス合金膜１６の光透過量が大きくなる。
【００６０】
したがって、上記光ディスクに情報を記録するときの応答速度の低下を防ぐことができ、かつ、光ディスクの情報を再生するときの電気信号の劣化を防ぐことができる。
【００６１】
また、上記受光素子１０１は、特にＣＤ、ＤＶＤおよびＢＤなどの光ピックアップ装置に好適に用いることができる。
【００６２】
上記実施の形態では、カソード低抵抗化領域８上にアモルファス合金膜１６を形成したが、カソード低抵抗化領域８上に、ナノガラスからなる非線形光学膜を形成してもよい。
【００６３】
また、上記カソード低抵抗化領域８上に、４つ以上の層からなる積層膜を形成してもよい。ただし、上記積層膜を構成する層の少なくとも１つは、光信号の強度に応じて反射率が変化する機能膜である。
【００６４】
また、上記カソード低抵抗化領域８上に、酸化シリコン膜６や窒化シリコン膜７以外の光学膜を形成してもよい。この光学膜は、アモルファス合金膜１６とは異なる材料で形成する。
【００６５】
また、上記カソード低抵抗化領域８とアモルファス合金膜１６との間に酸化シリコン膜６および窒化シリコン膜７を形成してたが、カソード低抵抗化領域８とアモルファス合金膜１６との間に酸化シリコン膜６のみを形成してもよい、または、カソード低抵抗化領域８とアモルファス合金膜１６との間に窒化シリコン膜６のみを形成してもよい。
【００６６】
また、上記酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および機能膜の各膜厚は、光信号の波長に応じて設定するのが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】図１は本発明の一実施の形態の受光素子の模式断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは上記受光素子の製造工程を説明するための模式断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは上記受光素子の製造工程を説明するための模式断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは上記受光素子の製造工程を説明するための模式断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは上記受光素子の製造工程を説明するための模式断面図である。
【図２Ｅ】図２Ｅは上記受光素子の製造工程を説明するための模式断面図である。
【図２Ｆ】図２Ｆは上記受光素子の製造工程を説明するための模式断面図である。
【図２Ｇ】図２Ｇは上記受光素子の製造工程を説明するための模式断面図である。
【図３】図３は従来の受光素子における入射光量と応答時間との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００６８】
１…Ｐ型シリコン基板
２…Ｎ+埋込み層
３…Ｐ+埋込み層
４…Ｎ型エピタキシャル層
５…素子分離領域
６…酸化シリコン膜
７…窒化シリコン膜
８…カソード低抵抗化領域
９…ベース領域
１０…コレクタ補償拡散領域
１１…エミッタ領域
１２…１層目メタル
１３…層間絶縁膜
１４…２層目メタル
１５…表面保護膜
１６…アモルファス合金膜
１０１…受光素子
１０２…ＮＰＮトランジスタ
【技術分野】
【０００１】
本発明は受光素子およびそれを備えた光ピックアップ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光信号を電気信号に変換してその信号処理を行なう、受光素子を内蔵した半導体装置が光ピックアップ等の製品で用いられている。このような装置はＩＣ（集積回路）プロセスを利用して、受光素子であるフォトダイオードと信号処理に用いられるトランジスタ，抵抗，容量などとを同一チップ上に集積したものが一般的である。
【０００３】
一般的に、受光素子の性能はその受光感度と応答速度で決定される。上記受光素子の一例であるＰＮ接合ダイオードの受光感度は、基板中に侵入した光によって生成したキャリアのうち、ＰＮ接合で形成された空乏層内で発生したキャリアと、空乏層外で発生して拡散によって空乏層内に到達するキャリアとの和によって決定される。また、上記ＰＮ接合ダイオードの応答速度は、受光量が低いときにはＰＮ接合の容量値と寄生抵抗とによって決定される。
【０００４】
ところで、光ディスクが年々高密度化されるにつれて、光ディスクに照射する光が短波長化されてきている。例えば、ＣＤ（コンパクトディスク）には７８０ｎｍの赤外の光を照射し、ＤＶＤ（デジタル万能ディスク）には６５０ｎｍの赤色の光を照射し、ＢＤ（ブルーレイディスク）では４０５ｎｍの青紫色の光を照射している。
【０００５】
上記光ディスクに短波長の光を照射する場合、光ディスクで反射された短波長の光が受光素子に入射するが、短波長の光は侵入長が短いため、光励起キャリアの発生場所が受光素子の表面近傍に偏ってしまう。つまり、上記短波長の光を受光した受光素子では、空乏層以外で発生する光励起キャリアの数が多くなってしまう。例えば、上記受光素子が赤外の光を受光した場合、受光素子全体で発生する光キャリアの１０％が空乏層外で発生するだけであるが、受光素子が赤色の光を受光した場合、受光素子全体で発生する光キャリアの４０％が空乏層外で発生してしまう。また、上記受光素子で青紫色の光を受光した場合に至っては、青紫色の光の侵入長が０．３μｍ程度であるため、ほとんどの光キャリアが空乏層外で発生してしまう。
【０００６】
その結果、上記受光素子では、光電流として空乏層を完全に横切らなければならないキャリアの数が増加するため、空乏層内の内部電界強度が弱いとキャリアの単位時間当りの空乏層通過可能量がキャリアの流入量に追いつかなくなり、受光量が多い場合には空乏層内に過剰のキャリアが蓄積してしまう状況が発生する。これは等価的に空乏層幅の縮小となって現れ、受光素子の応答速度が低下してシステムの性能低下につながる。このような現象は、７８０ｎｍの波長の光を使うＣＤ装置では問題化していなかったが、６５０ｎｍの光を使うＤＶＤ装置では記録速度の高速化により顕著に問題化してきている。
【０００７】
すなわち、上記光ディスクの情報を再生する場合、通常、光ディスクに照射する光の強度は再生速度によらず比較的低いため、光ディスクからの反射光の強度も１μＷ〜１００μＷ程度と小さく、受光素子の応答速度が低下する問題は発生しない。
【０００８】
しかしながら、上記光ディスクに情報を記録する場合、光ディスクに照射する光のエネルギで光ディスクにピットを形成するため、その光の光量は数ｍＷ以上と大きな値が必要となる。また、上記光ディスクの記録を高速化すると、光ディスクの回転数が増大するため、光ディスクにピットを形成するために必要なエネルギもますます増大し、光ディスクに照射する光の強度は数十ｍＷ以上とさらに大きくなる。その結果、上記受光素子に入射する光の強度はディスクの反射率の仕様から１０ｍＷ以上となるため、受光素子の応答速度の低下が顕著に現れる。
【０００９】
図３に、受光素子に入射する光の入射光量と、その受光素子の応答時間（遅延時間）との関係を示す。ここで、上記受光素子に入射する光の波長は６５０ｎｍである。
【００１０】
図３から判るように、上記受光素子への入射光量が１０ｍＷを超えると、応答時間が急激に増大してしまう。
【００１１】
このような現象を防ぐためには、上記受光素子への印加電圧と、空乏層幅で決定される空乏層内の電界強度とを強めればよい。しかし、上記印加電圧および電界強度を強くすることは、以下の点で実現不可能であった。
（１）受光素子に印加できる上限電圧は回路仕様で決定されるため、印加電圧を自由に大きく設定して電界強度を上げることはできない点。
（２）拡散プロファイルを調整して空乏層幅が狭くなる構造を作製して電界強度を上げることは可能であるが、その構造では接合容量が増加するため、光ディスクの再生時の本来の応答速度自体が低下してしまう点。
【００１２】
また、上記現象を防ぐには、受光素子上に光学フィルタを配置したり（例えば特許文献１（特開２００２−２７０９３７号公報）参照。）、受光素子の表面の反射率を大きしたりすることよって、受光素子内への入射光量を低下させる方法もある。
【００１３】
しかしながら、上記方法は、光ディスクの再生時の光量も低下してしまうため、再生信号のＳＮ（シグナルノイズ）が劣化してしまうという問題が新たに発生してしまう。
【特許文献１】特開２００２−２７０９３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
そこで、本発明の課題は、応答時間の低下を防止でき、かつ、電気信号の劣化を防止できる受光素子およびそれを備えた光ピックアップ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、第１の発明の受光素子は、
光信号を電気信号に変換するための受光部と、
上記受光部上に形成され、入射した光信号の強度に応じて反射率が変化する機能膜と
を備えたことを特徴としている。
【００１６】
上記構成の受光素子によれば、上記機能膜に入射した光信号の強度に応じて、機能膜の反射率が変化する。より詳しくは、上記機能膜に入射した光信号の強度が大きいと、機能膜の反射率が大きくなる。反対に、上記機能膜に入射した光信号の強度が小さいと、機能膜の反射率が小さくなる。
【００１７】
このように、上記機能膜に入射した光信号の強度が大きいとき、機能膜の反射率が大きくなるから、光信号は機能膜を通過することで強度が小さくなる。したがって、上記受光部には大きな強度の光信号が入射せず、応答速度が低下するのを防止できる。
【００１８】
また、上記機能膜に入射した光信号の強度が小さいとき、機能膜の反射率が小さくなるから、機能膜を通過した光信号がさらに小さくならない。したがって、上記電気信号が劣化するのを防止できる。
【００１９】
また、上記機能膜の膜厚は、信号光の波長に基づいて設定するのが好ましい。
【００２０】
また、上記機能膜は受光部の表面を保護する保護膜を兼ねている。
【００２１】
通常、上記受光素子の表面反射率は、受光部が形成された基板の屈折率と、機能膜の屈折率と、機能膜の膜厚と、受光素子周囲の屈折率とによって決定される。上記受光素子周囲の媒質は空気または透明樹脂であるので、受光素子周囲の屈折率は１.０または１.５程度である。
【００２２】
例えば、上記受光素子周囲の媒質が空気である場合は、受光素子の受光部上に、屈折率が約１.４５で厚さが約５０ｎｍの酸化シリコン膜と、屈折率が約２.０で厚さが約５０ｎｍの窒化シリコン膜とを積層すると、６５０ｎｍの波長の光信号に対して受光素子の表面反射率は、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜に入射した光信号の光量に関係なく約１５％という低い値を実現できる。これは、上記酸化シリコン膜と窒化シリコン膜が光信号の光量に関係なくほぼ一定の屈折率を示すからである。
【００２３】
また、上記受光素子の受光部上に、屈折率が約１.４５で厚さが約５５ｎｍの酸化シリコン膜と、厚さが約４５ｎｍでＣｏ（コバルト），Ｃｒ（クロム），Ｚｒ（ジルコニウム）で構成された非線形光学膜とを積層した場合、非線形光学膜に入射した光信号の光量が例えば数十μＷであると、非線形光学膜の屈折率は約２.０となる。このため、６５０ｎｍの波長の光信号に対して受光素子の表面反射率は約１５％となる。そして、上記光信号の光量が例えば１５ｍＷに上がると、非線形光学膜の屈折率は約２.５に増加する。このため、６５０ｎｍの波長の光信号に対して受光素子の表面反射率は約４５％となる。このとき、上記受光素子の内部に実際に入射する光信号の光量は、受光素子へ向かって来た光信号の光量の約半分となる。具体的には、上記受光素子の内部に実際に入射する光信号の光量は８ｍＷである。このレベルであれば図３に示すように応答速度の低下は発生しない。
【００２４】
また、上記受光素子の受光部上に積層する膜の数は各膜厚を最適化すれば３つ以上でもよい。例えば、上記受光素子の受光部上に、屈折率が約１.４５で厚さが約１５ｎｍの酸化シリコン膜と、屈折率が約２.０で厚さが約５０ｎｍの窒化シリコン膜と、厚さが５０ｎｍでＣｏ，Ｃｒ，Ｚｒで構成された構成された非線形光学膜とを積層してもよい。この酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および非線形光学膜を光学素子の受光部上に積層した場合、非線形光学膜に入射した光信号の光量が例えば数十μＷであると、非線形光学膜の屈折率は約２.０となる。このため、６５０ｎｍの波長の光信号に対して受光素子の表面反射率は約１５％となる。そして、上記光信号の光量が例えば１５ｍＷに上がると、非線形光学膜の屈折率は約２.５に増加する。このため、６５０ｎｍの波長の光信号に対して受光素子の表面反射率は約４０％となる。このとき、上記受光素子の内部に実際に入射する光信号の光量は９ｍＷである。このレベルでも図３に示すように応答速度の低下は発生しない。
【００２５】
なお、上記受光素子の受光部上に積層する膜の数は使用するプロセスに合わせて適時選択すればよい。
【００２６】
一実施形態の受光素子では、上記機能膜は、上記光信号の光量に応じて屈折率が変化する。
【００２７】
一実施形態の受光素子では、上記機能膜は非線形光学膜である。
【００２８】
一実施形態の受光素子では、上記非線形光学膜の材料がアモルファス合金またはナノガラスである。
【００２９】
一実施形態の受光素子では、上記機能膜とは異なる材料で形成され、かつ、上記機能膜に積層された光学膜を備える。
【００３０】
一実施形態の受光素子では、上記光学膜は酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との少なくとも一方である。
【００３１】
一実施形態の受光素子では、上記光学膜は、上記機能膜と上記受光部との間に形成された酸化シリコン膜である。
【００３２】
一実施形態の受光素子では、上記光学膜は、上記機能膜と上記受光部との間に形成され、かつ、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とを含み、上記窒化シリコン膜は、上記酸化シリコン膜と上記機能膜との間に位置する。
【００３３】
一実施形態の受光素子では、上記酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および機能膜の各膜厚は、上記光信号の波長に基づいて設定されている。
【００３４】
より詳しくは、上記実施形態の受光素子では、上記酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および機能膜は、それぞれ、対象となる光信号の強度が大きいときには反射率が大きく、かつ、対象となる光信号の強度が小さいときには反射率が小さくなるように膜厚が設定されている。
【００３５】
第２の発明の光ピックアップ装置は、上記第１の発明の受光素子を備えたことを特徴としている。
【００３６】
上記構成の光ピックアップ装置によれば、例えばＤＶＤなどの光ディスクに情報を記録するときには受光素子の機能膜の光透過量が小さくなり、かつ、光ディスクの情報を再生するときには受光素子の機能膜の光透過量が大きくなる。
【００３７】
したがって、上記光ディスクに情報を記録するときの応答速度の低下を防ぐことができ、かつ、光ディスクの情報を再生するときの電気信号の劣化を防ぐことができる。
【発明の効果】
【００３８】
第１の発明の受光素子は、上記機能膜に入射した光信号の強度に応じて、機能膜の反射率が変化することによって、その光信号の強度が大きいときには機能膜の反射率が大きくなるから、受光部には大きな強度の光信号が入射せず、応答速度が低下するのを防止できる。
【００３９】
また、上記機能膜に入射した光信号の強度に応じて、機能膜の反射率が変化することによって、その光信号の強度が小さいときは機能膜の反射率が小さくなるから、その光信号は機能膜を通過しても強度がさらに小さくならず、電気信号が劣化するのを防止できる。
【００４０】
すなわち、第１の発明の受光素子は、入射光量によらず応答速度の速くできる上に、入射光量の低下を防ぐこともできる。
【００４１】
第２の発明の光ピックアップ装置は、上記第１の発明の受光素子を備えているから、光ディスクに情報を記録するときの応答速度の低下を防ぐことができ、かつ、光ディスクの情報を再生するときの電気信号の劣化を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下、本発明の受光素子を図示の実施の形態により詳細に説明する。本実施の形態では、本発明の受光素子とＩＣとを集積した光半導体装置について詳細に説明する。
【００４３】
図１に、本発明の一実施の形態の受光素子１０１の模式断面図を示す。
【００４４】
上記受光素子１０１は、Ｐ型シリコン基板１の表面に形成されたカソード低抵抗化領域８と、このカソード低抵抗化領域８上に順次積層された酸化シリコン膜６、窒化シリコン膜７およびアモルファス合金膜１６とを備えている。また、上記Ｐ型シリコン基板１にはＮＰＮトランジスタ１０２が形成されている。
【００４５】
なお、図１において、２はＮＰＮトランジスタ１０２のＮ+埋込み層、３は素子分離するためのＰ+埋込み層、４はＮ型エピタキシャル層、５は素子分離領域、９はベース領域、１０はコレクタ補償拡散領域、１１はエミッタ領域、１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃは１層目メタル、１３は層間絶縁膜、１４は２層目メタル、１５は表面保護膜である。
【００４６】
本実施の形態では、上記カソード低抵抗化領域８と、Ｎ型エピタキシャル層のカソード低抵抗化領域８下の部分と、Ｐ型シリコン基板１のカソード低抵抗化領域８下の部分とが受光部の一例を構成している。そして、上記アモルファス合金膜１６が非線形光学膜の一例である。また、上記酸化シリコン膜６と窒化シリコン膜７とは光学膜の一例を構成している。
【００４７】
上記構成の受光素子１０１によれば、アモルファス合金膜１６は光信号の強度に応じて反射率が変化する。より詳しくは、上記アモルファス合金膜１６に入射した光信号の強度が大きいと、アモルファス合金膜１６の反射率が大きくなる。反対に、上記アモルファス合金膜１６に入射した光信号の強度が小さくなると、アモルファス合金膜１６の反射率が小さくなる。
【００４８】
このように、上記アモルファス合金膜１６に入射した光信号の強度が大きいときは、アモルファス合金膜１６の反射率が大きくなるから、カソード低抵抗化領域８に入射した光信号の強度が小さくなる。したがって、上記カソード低抵抗化領域８には大きな強度の光信号が入射せず、応答速度が低下するのを防止できる。
【００４９】
また、上記アモルファス合金膜１６に入射した光信号の強度が小さいときには、アモルファス合金膜１６の反射率が小さくなるから、光信号はアモルファス合金膜１６を通過しても強度がさらに小さくならない。したがって、上記電気信号が劣化するのを防止できる。
【００５０】
以下、図２Ａ〜図２Ｇを用いて、上記受光素子１０１およびＮＰＮトランジスタ１０２の製造方法について説明する。
【００５１】
まず、図２Ａに示すように、約５００Ωｃｍの比抵抗を持つＰ型シリコン基板１の表面に、ＮＰＮトランジスタ１０２のコレクタ領域を形成するためのＮ+埋込み層２と、素子分離のためのＰ+埋込み層３とを形成する。なお、上記受光素子１０１を形成するための領域を分割する必要がある場合には、その領域の分割部にもＰ+埋込み層３を形成しておく。また、上記Ｐ型シリコン基板１のような高比抵抗の基板を使用するのは、空乏層幅を大きくし、接合容量を低減することにより、受光素子１０１の応答速度を向上させるためである。
【００５２】
次に、上記Ｐ型シリコン基板１の表面上に、図２Ｂに示すように、約２μｍのＮ型エピタキシャル層４を積層する。さらに、ＬＯＣＯＳ（シリコン局所酸化法）工程を行うことによって、Ｐ+埋込み層３の上に、酸化膜からなる素子分離領域５を形成する。これにより、上記Ｐ型シリコン基板１に形成する各素子を電気的に分離する。このとき、上記受光素子１０１を形成するための領域に分割部がある場合、この分割部のＰ+埋込み層３上に酸化を行なわなくともよい。
【００５３】
次に、上記Ｎ型エピシャキタル層４および素子分離領域５上に、図２Ｃに示すように、厚さが例えば１５ｎｍの酸化シリコン膜６を熱酸化法で形成する。さらに、上記酸化シリコン膜６上に、厚さが例えば５０ｎｍの窒化シリコン膜をＣＶＤ（化学蒸気堆積）法で形成した後、Ｎ型エピタキシャル層４に受光素子１０１のカソード低抵抗化領域８をリンのイオン注入法で形成する。なお、上記受光素子１０１を形成するための領域を分割する場合には、その領域の分割部にボロンのイオン注入を行なう。この後、上記受光素子１０１を形成するための領域以外の窒化シリコン膜をドライエッチング法で除去する。これにより、上記カソード低抵抗化領域８上に位置する窒化シリコン膜７が得られる。
【００５４】
次に、上記Ｎ型エピシャキタル層４に、図２Ｄに示すように、ＮＰＮトランジスタ１０２のベース領域９をボロンのイオン注入法によって形成すると共に、コレクタ補償拡散領域１０をリンのイオン注入法によって形成する。
【００５５】
次に、上記ベース領域９に、図２Ｅに示すように、エミッタ領域１１を砒素のイオン注入法で形成した後、アニール処理を行なって所定のプロファイルを実現する。
【００５６】
次に、上記酸化シリコン膜６に、図２Ｆに示すように、コンタクトホール１７を形成した後、１層目メタル配線層１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃを形成する。この１層目メタル配線層１２Ａはベース領域９に電気的に接続し、１層目メタル配線層１２Ｂはコレクタ補償拡散領域１０に電気的に接続し、１層目メタル配線層１２Ｃはエミッタ領域１１に電気的に接続する。さらに、上記酸化シリコン膜６、窒化シリコン膜７および１層目メタル配線層１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ上に層間絶縁膜１３を形成する。
【００５７】
次に、上記層間絶縁膜１３に、図２Ｇに示すように、スルーホール１８を開口した後、層間絶縁膜１３上に２層目メタル配線層１４を形成する。
【００５８】
次に、上記２層目メタル配線層１４上に表面保護膜１５を形成した後、図１に示すように、全面にアモルファス合金膜１６をスパッタ法で形成する。その後、ボンディングパッド部を開口すれば、光半導体装置が完成する。
【００５９】
このように作製した光半導体装置を光ピックアップ装置に搭載した場合、例えばＤＶＤなどの光ディスクに情報を記録するときにはアモルファス合金膜１６の光透過量が小さくなり、かつ、光ディスクの情報を再生するときにはアモルファス合金膜１６の光透過量が大きくなる。
【００６０】
したがって、上記光ディスクに情報を記録するときの応答速度の低下を防ぐことができ、かつ、光ディスクの情報を再生するときの電気信号の劣化を防ぐことができる。
【００６１】
また、上記受光素子１０１は、特にＣＤ、ＤＶＤおよびＢＤなどの光ピックアップ装置に好適に用いることができる。
【００６２】
上記実施の形態では、カソード低抵抗化領域８上にアモルファス合金膜１６を形成したが、カソード低抵抗化領域８上に、ナノガラスからなる非線形光学膜を形成してもよい。
【００６３】
また、上記カソード低抵抗化領域８上に、４つ以上の層からなる積層膜を形成してもよい。ただし、上記積層膜を構成する層の少なくとも１つは、光信号の強度に応じて反射率が変化する機能膜である。
【００６４】
また、上記カソード低抵抗化領域８上に、酸化シリコン膜６や窒化シリコン膜７以外の光学膜を形成してもよい。この光学膜は、アモルファス合金膜１６とは異なる材料で形成する。
【００６５】
また、上記カソード低抵抗化領域８とアモルファス合金膜１６との間に酸化シリコン膜６および窒化シリコン膜７を形成してたが、カソード低抵抗化領域８とアモルファス合金膜１６との間に酸化シリコン膜６のみを形成してもよい、または、カソード低抵抗化領域８とアモルファス合金膜１６との間に窒化シリコン膜６のみを形成してもよい。
【００６６】
また、上記酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および機能膜の各膜厚は、光信号の波長に応じて設定するのが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】図１は本発明の一実施の形態の受光素子の模式断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは上記受光素子の製造工程を説明するための模式断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは上記受光素子の製造工程を説明するための模式断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは上記受光素子の製造工程を説明するための模式断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは上記受光素子の製造工程を説明するための模式断面図である。
【図２Ｅ】図２Ｅは上記受光素子の製造工程を説明するための模式断面図である。
【図２Ｆ】図２Ｆは上記受光素子の製造工程を説明するための模式断面図である。
【図２Ｇ】図２Ｇは上記受光素子の製造工程を説明するための模式断面図である。
【図３】図３は従来の受光素子における入射光量と応答時間との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００６８】
１…Ｐ型シリコン基板
２…Ｎ+埋込み層
３…Ｐ+埋込み層
４…Ｎ型エピタキシャル層
５…素子分離領域
６…酸化シリコン膜
７…窒化シリコン膜
８…カソード低抵抗化領域
９…ベース領域
１０…コレクタ補償拡散領域
１１…エミッタ領域
１２…１層目メタル
１３…層間絶縁膜
１４…２層目メタル
１５…表面保護膜
１６…アモルファス合金膜
１０１…受光素子
１０２…ＮＰＮトランジスタ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号を電気信号に変換するための受光部と、
上記受光部上に形成され、入射した光信号の強度に応じて反射率が変化する機能膜と
を備えたことを特徴とする受光素子。
【請求項２】
請求項１に記載の受光素子において、
上記機能膜は、上記光信号の光量に応じて屈折率が変化することを特徴とする受光素子。
【請求項３】
請求項２に記載の受光素子において、
上記機能膜は非線形光学膜であることを特徴とする受光素子。
【請求項４】
請求項３に記載の受光素子において、
上記非線形光学膜の材料がアモルファス合金またはナノガラスであることを特徴とする受光素子。
【請求項５】
請求項１に記載の受光素子において、
上記機能膜とは異なる材料で形成され、かつ、上記機能膜に積層された光学膜を備えたことを特徴とする受光素子。
【請求項６】
請求項５に記載の受光素子において、
上記光学膜は酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との少なくとも一方であることを特徴とする受光素子。
【請求項７】
請求項５に記載の受光素子において、
上記光学膜は、上記機能膜と上記受光部との間に形成された酸化シリコン膜であることを特徴とする受光素子。
【請求項８】
請求項５に記載の受光素子において、
上記光学膜は、上記機能膜と上記受光部との間に形成され、かつ、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とを含み、
上記窒化シリコン膜は、上記酸化シリコン膜と上記機能膜との間に位置することを特徴とする受光素子。
【請求項９】
請求項１に記載の受光素子を備えたことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項１】
光信号を電気信号に変換するための受光部と、
上記受光部上に形成され、入射した光信号の強度に応じて反射率が変化する機能膜と
を備えたことを特徴とする受光素子。
【請求項２】
請求項１に記載の受光素子において、
上記機能膜は、上記光信号の光量に応じて屈折率が変化することを特徴とする受光素子。
【請求項３】
請求項２に記載の受光素子において、
上記機能膜は非線形光学膜であることを特徴とする受光素子。
【請求項４】
請求項３に記載の受光素子において、
上記非線形光学膜の材料がアモルファス合金またはナノガラスであることを特徴とする受光素子。
【請求項５】
請求項１に記載の受光素子において、
上記機能膜とは異なる材料で形成され、かつ、上記機能膜に積層された光学膜を備えたことを特徴とする受光素子。
【請求項６】
請求項５に記載の受光素子において、
上記光学膜は酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との少なくとも一方であることを特徴とする受光素子。
【請求項７】
請求項５に記載の受光素子において、
上記光学膜は、上記機能膜と上記受光部との間に形成された酸化シリコン膜であることを特徴とする受光素子。
【請求項８】
請求項５に記載の受光素子において、
上記光学膜は、上記機能膜と上記受光部との間に形成され、かつ、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とを含み、
上記窒化シリコン膜は、上記酸化シリコン膜と上記機能膜との間に位置することを特徴とする受光素子。
【請求項９】
請求項１に記載の受光素子を備えたことを特徴とする光ピックアップ装置。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図２Ｅ】
【図２Ｆ】
【図２Ｇ】
【図３】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図２Ｅ】
【図２Ｆ】
【図２Ｇ】
【図３】
【公開番号】特開２００６−１９４２３（Ｐ２００６−１９４２３Ａ）
【公開日】平成１８年１月１９日（２００６．１．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−１９４６１３（Ｐ２００４−１９４６１３）
【出願日】平成１６年６月３０日（２００４．６．３０）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１月１９日（２００６．１．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年６月３０日（２００４．６．３０）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
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