【課題】 本発明は、より品質の高い切断面が得られ、かつ加工速度が十分に速く、Ｔ字型に交わる切断線に沿った切断も可能な、レーザ照射による基板の切断方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板（１０）を切断予定線（１００）に沿って切断する基板の切断方法であって、切断予定線（１００）に沿って基板にミシン目状の孔（２０２）を形成する工程と、切断予定線（１００）に沿ってレーザを照射する工程と、を含む切断方法を提供する。さらに、本発明は、基板（１０）を切断予定線（１００）に沿って切断する基板の切断方法であって、切断予定線（１００）を含む溝（９０）を形成する工程と、切断予定線（１００）に沿ってレーザを照射する工程と、を含む切断方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】難加工性材料を割断できるようにすること、及び透明な加工対象物の内部にマーキングすること。
【解決手段】レーザ発生器１と、レーザ光をＡ、Ｂ二つの背向する面３１、３２をもつ平板状の加工対象物３のＡ面３１から集光入射させて該加工対象物３の内部の厚み方向所定位置に集光点を設定する集光点設定手段２１、４３と、該集光点設定手段２１、４３で設定された集光点を該Ａ面３１に平行に移動させる集光点移動手段４１、４２と、を有し、該集光点移動手段４１、４２による集光点の移動軌跡上に該レーザ光の多光子吸収による改質領域を形成して該加工対象物３を割断するレーザ加工装置であって、前記集光点設定手段４１、４２で前記厚み方向所定位置を前記Ａ面３１と反対の前記Ｂ面３２に近い位置から該Ａ面３１方向に順次設定して前記改質領域を順次形成して該加工対象物を割断すること、及び内部にマーキングすることを特徴とするレーザ加工装置。 （もっと読む）

非金属基板の分割装置および方法が、第１ビームと、冷媒流が基板の第１スポットの終端部位あるいはそれに直隣接する部位に付与されるように位置された第１冷却装置と、第２ビームと、第１冷却装置と第２ビームの間に位置された第２冷却装置を有するものとして開示される。第１スクライブビームが基板に入射する角度および基板に入射する第１スクライブビームのエネルギー強度の少なくとも一つが、直角分割を達成するために調節される。クラックセンサとコントローラも設けられ、切断線の位置が測定され、その位置が基準位置を比較され、切断線位置の基準位置との比較に基づいて第２ビームのパワー強度が調節される。
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【課題】 ＴＦＴ−ＬＣＤ、ＰＤＰ、ＯＬＥＤのようなディスプレイモジュールのガラス切断時、上・下板の同時切断または上板だけの切断など選択的な基板切断が可能な非金属材基板の切断装置及び切断方法を提供する。
【解決手段】本発明は、紫外線領域の短波長レーザービームを発生させるレーザービーム発生装置と、前記短波長レーザービームを、切断しようとする非金属材基板上の所望の位置に照射する照射具と、前記基板深さ方向へのレーザービームの焦点位置を可変させる焦点移動手段と、前記基板と前記レーザービームとが相対運動するようにして、前記基板の切断作業が行われるようにする相対物移動手段と、を備えてなることを特徴 （もっと読む）

本発明は、脆弱性の材料、たとえばガラス、セラミックス、ガラスセラミックスまたはこれに類するものから成る構成部材４を、熱的に生ぜしめられる応力亀裂を構成部材４に分離ゾーンで発生させることによって一貫して切断加工するための装置に関する。当該装置は、構成部材４が、レーザビームを同時にまたは時間的に連続して分離ゾーンに沿ってほぼ同じ箇所でまたは互いに僅かに間隔を置いて配置された箇所で部分吸収下に少なくとも２回部分的に透過させるように、レーザビーム１０を、加工したい構成部材に指向するためのレーザを有している。本発明によれば、支承装置が設けられており、該支承装置が、支承面４０を備えており、該支承面４０に、加工したい構成部材が、外的に生ぜしめられる機械的な応力を減少させるかまたは回避するために支承可能であり、支承面４０が、レーザ放射線に対して高透過性の材料から少なくとも部分的に成っている。本発明による装置によって、脆弱性の材料から成る構成部材の分離加工が特に高い精度で可能となる。
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【課題】多数の等間隔をおかれた電子素子が固定された受動電子素子基板が独立した回路素子にきれいに分離される方法を提供すること。
【解決手段】鋭い折り線(44)を有するスクライブライン(36)を形成する方法は、基板(10)の厚さ(24)の一部が除去されるようにセラミック又はセラミックに似た基板(10)に沿って紫外線レーザビームを向けることを必要とする。紫外線レーザビームは、相当量の基板溶融なくして基板にスクライブラインを形成し、これによりきれいに規定された折り線が基板の厚さ内に伸びる高応力集中領域を形成する。その結果、独立した回路素子になるように基板の破断を生じさせるスクライブラインの側部に付与される破断力に応答して高応力集中領域において多数の深さ方向亀裂が基板の厚さ内に伝播する。この領域の形成は非常に正確な基板の破断を容易にし、他方、破断力の付与の間及び後に各素子の内部構造の一体性を維持する。 （もっと読む）

本発明は、所望の分割線に沿ったレーザによる熱の一時的かつ局所的な適用の結果と、これに続いて、冷却剤による熱の一時的かつ局所的な除去の結果として生じる応力に起因する分離亀裂の誘発によって平坦なセラミック加工物を分割するための方法に関し、ビームスポット長が以下の公式ｌ＝８×ｄ×２４／ＷＬＦから計算され、式中、ｌはビームスポットの長さであり、ＷＬＦは分割されるセラミックの熱伝導率であり、ｄは分割されるセラミックの厚さであり、その結果、レーザによって加工物上に形成されるビームスポットの長さが、セラミックの熱伝導率および加工物の厚さに応じて選択される。特に、高い内部応力を有する加工物に関して、レーザ出力または前送り速度などの工程変数は、誘発される熱応力の大きさに影響を及ぼすために、工程を通じて変更される。 （もっと読む）

本装置（５０）は、居住可能な建造物の表面を加工する。本装置（５０）は、相互作用領域にレーザ光を供給するように適合させたレーザの基本ユニット（３００）を含み、レーザ光が、建造物から材料を取り除く。レーザの基本ユニット（３００）は、レーザ発生器（３１０）と、レーザ発生器（３１０）に連結されたレーザヘッド（１２００）とを含んでいる。レーザヘッド（２００）は、相互作用領域から材料を取り除くように適合され、それにより、建造物内における活動への破壊性を減少させ得る。本装置（５０）は、建造物に取り外し可能に連結され、レーザヘッド（１２００）に取り外し可能に連結されるように適合させた固定用メカニズム（１１１０）をさらに含んでいる。本装置（５０）は、レーザの基本ユニット（３００）に電気的に接続された制御器（５００）をさらに含んでいる。制御器（５００）は、使用者の入力に応答して、レーザの基本ユニット（３００）に制御信号を送信するように適合されている。
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