【課題】表示むらを抑制すること、又は異なる画素におけるトランジスタ特性のばらつきを低減すること、あるいは、発光素子の劣化等に伴う輝度の低下を抑制する事が可能な発光装置を提供する。
【解決手段】基板１００の上に設けられたトランジスタ１２１と、発光素子１０９とを具備する画素部１２０を有し、トランジスタは、チャネル形成領域を形成する単結晶半導体層１２２を有し、基板と単結晶半導体層との間に、酸化シリコン層が設けられており、トランジスタのソース又はドレインと発光素子の電極とが電気的に接続され、発光素子の発光時にトランジスタを飽和領域で動作させる。また、発光素子の階調表示を、トランジスタのゲートに印加する電位を変化させることによって行う。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ層の劣化を抑制し、陽極などの電極のエッジ部における電界集中の影響を抑制させた軽量な発光装置。
【解決手段】基板上に薄膜トランジスタを有し、薄膜トランジスタ上に絶縁膜を有する。絶縁膜はコンタクトホールを有し、コンタクトホールを介して、陽極が薄膜トランジスタと電気的に接続されている。当該コンタクトホール内には、陽極及び別の絶縁膜を有し、当該陽極はコンタクトホール内で凹形状となる。別の絶縁膜は、樹脂を有することができ、凹形状を埋めることができる。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の電気的特性を確保することが可能な電子機器を提供する。
【解決手段】電子機器は、光源と、有機半導体層を含む薄膜トランジスタと、光源から生じた光が有機半導体層に至る経路に配置され、その有機半導体層の光吸収波長域のうちの少なくとも一部を含む波長域の光を吸収すると共にそれ以外の波長域の光を透過する光吸収透過層とを備える。 （もっと読む）

【課題】駆動回路等を制御するための駆動制御信号の信号線を基板の所定部位に配設することで、基板面の有効利用と、駆動制御信号への外的影響を防止ないし抑制することが可能な表示装置、及びそれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】基板２０上に、バンク層２２１と該バンク層２２１により区画形成された凹状区画領域２２３とを所定のマトリクスパターンで配列するとともに、表示部たる画素部１１０に、表示に寄与する実画素部１１１と、表示に寄与しないダミー画素部１１２とを構成する。さらに基板２０上には、走査線を導通する走査信号の出力制御を行う走査線駆動回路８０と、該走査線駆動回路８０を駆動させるための駆動制御信号が導通する駆動制御信号導通部３２０とが設けられ、基板２０を平面視した場合に、駆動制御信号導通部３２０が、少なくともダミー画素部１１２のバンク層２２１と重畳配置する部分を含むように配置されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に形成した有機ＥＬ層の上に、有機ＥＬ層に損傷を与えることなくフォトリソ法により直接カラーフィルタを形成することで、画像の超高解像度、超高速応答に対応することができる有機ＥＬ素子一体型カラーフィルタの製造方法に関する。
【解決手段】シリコン基板に形成された駆動素子上に有機ＥＬ層を形成し、その後、前記有機ＥＬ層の最外層に平坦層を施し、前記平坦層上により直接カラーフィルタを形成することを特徴とする有機ＥＬ素子一体型カラーフィルタの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子を提供する。
【解決手段】基板上にコールタール及びコールタールピッチのうち一つ以上を含んだ前駆体膜を形成する段階と、基板と前駆体膜との間の触媒膜、及び前駆体膜上の保護膜のうち一つ以上を形成する段階と、基板を熱処理し、基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】構造が簡素でかつ低コストの白色発光素子を提供する。
【解決手段】基板はＳｉ（１００）もしくはＧａＡｓ（１００）面を使用し、その上に水素化窒化炭素薄膜をスパッタ装置およびプラズマＣＶＤ装置によって２層もしくは多層成長し、膜厚増加方向に窒素含有量が増加するように成長させる。窒素含有量が増加するとバンドギャップが広がるので、バンドギャップの狭い下部の水素化窒化炭素からも吸収することなく白色発光を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】光抽出効率を向上することができる電界発光素子用光抽出層及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、電界発光素子用光抽出層及びその製造方法に係り、基板に形成され、大きさが２．８ｅＶ以上のワイドバンドギャップを有する酸化物薄膜を含み、前記酸化物薄膜の表面にはテクスチャリングが形成されている。 （もっと読む）

【課題】既存のシリコン集積回路との親和性の高い薄層シリコン層を用いた発光素子で、発光波長が変更できるようにする。
【解決手段】この半導体発光素子は、シリコンから構成されて量子効果が示される範囲の層厚とされた発光層１０１と、発光層１０１にキャリアを注入するキャリア注入部１０２と、発光層１０１に印加する電界を制御する電界制御部１０３とを備える。こ半導体発光素子では、キャリア注入部１０２によりキャリアを注入することで発光する発光層１０１に、電界制御部１０３により任意の電界を印加し、量子閉じ込めシュタルク効果（ＱＣＳＥ）を生じさせることで、発光と同時に発光波長の変調を行う。 （もっと読む）

【課題】特定の波長に対して感度を持たせた素子を材料の選定を行うことなく容易に作製可能なエレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】順方向バイアス電圧を印加することによりｐ層とｎ層の接合部に拡散電流を発生させ、発生された拡散電流により生じるジュール熱に基づいて何れかの層の表面形状及び／又はドーパント分布を変化させることを繰り返し、近接場光が発生した箇所では反転分布に基づき非断熱過程により複数段階で誘導放出させることにより、拡散電流を減少させてジュール熱を低下させることにより表面形状及び／又はドーパント分布を固定させる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に容易に作製することができ、特に青色〜緑色（４５０〜５５０ｎｍ程度）の短波長領域でより大きい輝度で発光する発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子は、不純物を含む半導体からなる第１電極と、透光性の第２電極と、第１および第２電極に挟まれた誘電体層とを備え、第１電極は、イオン注入された原子を有し、前記原子は、前記誘電体層と第１電極との界面から５００ｎｍ以内の第１電極中に濃度ピークを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程でニッケル含有シリサイドを形成する。
【解決手段】シリコン基板を用いた場合であって、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ゲート電極側面のサイドウォールを形成し、不純物イオンをドープしてソース領域及びドレイン領域を形成し、表面酸化膜を除去し、シリコン基板を４５０℃以上に加熱しながら、ニッケル含有膜を１０ｎｍ〜１００ｎｍの膜厚で形成することにより、ソース領域、ドレイン領域、及びゲート電極上にニッケル含有シリサイドを形成することができる。その後、未反応のニッケルを除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体ナノクリスタルを含む発光デバイスを提供する。
【解決手段】発光デバイスが、層内に半導体ナノクリスタルを含む。該層は、半導体ナノクリスタルの単層にすることができる。該単層は、基板１上にパターンを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】電圧の印加に伴う発熱が抑制された発光装置を提供する。
【解決手段】本発明の発光装置は、半導体層と、第１電極と、前記半導体層と第１電極とに挟まれた誘電体層と、前記半導体層の中、前記誘電体層の中、前記半導体層と前記誘電体層との間、または第１電極と前記誘電体層との間に形成された発光体とを含む発光素子と、前記半導体層と第１電極との間に電圧を印加するための電源回路とを備え、前記発光素子は、前記半導体層を正極とし第１電極を負極として前記誘電体層に電流を流した場合および前記半導体層を負極とし第１電極を正極として前記誘電体層に電流を流した場合のうち、一方の場合では電流を流すと発光するのに対し、他方の場合では電流を流しても実質的に発光せず、前記電源回路は、向きが一定の電流が発光を伴い前記誘電体層を流れるように前記発光素子と電気的に接続することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子を提供する。
【解決手段】基板上にコーティング工程を利用し、高分子膜を形成する段階と、高分子膜上に保護膜を形成する段階と、基板を熱処理し、基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】演色性の良好な白色発光素子を、従来のように青色発光素子を用いることなく単一素子により作製することが出来、青色発光素子と黄色蛍光体からなる白色ＬＥＤに生じる構造の複雑化、高価化を回避する。
【解決手段】基板にはＳｉもしくはＧａＡｓ（１００）面を用い，その上に２層の水素化アモルファス窒化炭素を成長させる。まず，基板上に緑，赤色発光の水素化アモルファス窒化炭素を成長させる。その上に青色発光のアモルファス窒化炭素を成長させる。この２層成長後、熱処理をほどこして、赤色から青色の発光領域にわたりほぼ均一の強度で発光するようにさせて演色性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】発光色の制御が容易で、且つ、半導体集積回路が形成されたＳｉ基板や可撓性の基体の上面に形成可能な発光膜を有するカラー表示が可能な電界効果発光素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の電極となるＳｉ基板１０の表面に、スピンオンコート法やインクジェット印刷法等で、希土類元素の有機化合物を含む溶液を塗布して、塗膜を形成せしめた後、その塗膜を熱処理することにより、所望の発光色の発光領域を有する発光膜１２を形成し、更に、その発光膜１２の表面に第２の電極１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体層が効率良く平坦化されたＳＯＩ基板を提供することを課題の一とする。また、当該ＳＯＩ基板を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板を貼り合わせ、熱処理により、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成し、半導体層の表面と、該半導体層と同じ半導体材料でなる半導体ターゲットとが対向するように配置し、半導体層の表面と半導体ターゲットとに、交互に希ガスイオンを照射することで、半導体層の表面の平坦化を図るＳＯＩ基板の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】低減された製造コストで容易に製造でき、高速光通信をすることができる光電気混載基板を提供する。
【解決手段】本発明の光電気混載基板は、第１半導体回路と第１発光素子とが第１半導体基板に設けられ、第１半導体回路は、第１発光素子と電気的に接続し、かつ、信号の演算処理を行う回路であり、第１発光素子は、第１電極、透光性を有する第２電極および第１電極と第２電極とに挟まれた担持体部を備え、前記担持体部は、透光性を有し、かつ、内部に発光体を有し、第１発光素子は、第１半導体回路が演算処理を行った信号を光出力することを特徴とする。 （もっと読む）