【課題】硫黄を含む発光層にレーザ照射を行い、高輝度化を図るようにした無機ＥＬ素子において、レーザ照射によるさらなる高輝度化を実現する。
【解決手段】ガラス基板１１上に、下部電極１２、下部絶縁層１３、硫黄を含む発光層としてのＳｒＳ：Ｃｕ、Ａｇよりなる発光層１４、上部絶縁層１６、上部電極１７を順次形成する無機ＥＬ素子の製造方法において、発光層１４を形成後、発光層１４の上に、硫黄を含む層として酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）を主成分とする絶縁層に硫黄を添加してなるキャップ層１５を形成する工程と、キャップ層１５の上からキャップ層１５を介して発光層１４にレーザを照射する工程と、その後、キャップ層１５の上に上部絶縁層１６を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】レーザー光の照射によるアニール温度で昇華する特性を有する発光層を用いた場合であっても、その昇華性発光層の昇華による影響を抑制しつつ、効率的なアニール処理を行って、発光輝度の向上を図ること。
【解決手段】 絶縁性基板１上に、順に、第１電極２、第１絶縁層３、発光層４、第２絶縁層５、及び第２電極６を形成するとともに、発光層４にレーザー光を照射して、当該発光層の発光輝度を向上させるＥＬ素子の製造方法において、発光層４は、レーザー光が直接照射されたときのアニール温度によって昇華する特性を有する第１発光層４ａと、当該アニール温度において昇華しない特性を有する第２発光層４ｂとを含み、第１発光層４ａが下側となり、第２発光層４ｂが上層側となるようにそれぞれ成膜する。そして、第２の絶縁層を形成する前に、レーザー光を第２発光層４ｂに直接照射してアニール処理を行う。 （もっと読む）

【課題】発光材料である量子ドットへの励起子の移動性が高く、発光効率に優れたＥＬ素子を提供する。
【解決手段】エレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光層は、保護材料によりその表面が保護された量子ドットが、有機化合物を含有するマトリックス材料中に分散した構造を有しており、前記保護材料のイオン化ポテンシャルをＩｐ（ｈ）、電子親和力をＥａ（ｈ）、バンドギャップをＥｇ（ｈ）とし、前記マトリックス材料に含有される有機化合物のイオン化ポテンシャルをＩｐ（ｍ）、電子親和力をＥａ（ｍ）、バンドギャップをＥｇ（ｍ）とし、前記量子ドットのバンドギャップをＥｇ（ｑ）としたときに、前記保護材料として、以下の条件（Ａ）〜（Ｃ）；（Ａ）Ｉｐ（ｈ）＜Ｉｐ（ｍ）＋０．１ｅＶ、（Ｂ）Ｅａ（ｈ）＞Ｅａ（ｍ）−０．１ｅＶ、（Ｃ）Ｅｇ（ｑ）＜Ｅｇ（ｈ）＜Ｅｇ（ｍ）を全て満たす第１の保護材料を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

光電子デバイスは、２つの離隔された電極と、該２つの離隔された電極間に配置された、三元コア／シェル型ナノ結晶を含む少なくとも１つの層とを含んでいる。三元コア／シェル型ナノ結晶は、合金組成に勾配を有する三元半導体コアを有する。三元コア／シェル型ナノ結晶はまた、１分より長いオン時間によって特徴付けられる単一分子無ブリンキング挙動、又は１０ｎｓより短い放射ライフタイムを示す。
（もっと読む）

【課題】量子ドットを含む発光層を備えた発光素子において、電荷（ホール、エレクトロン）をトラップして再結合し易く、且つその再結合によって生じた励起子を効果的に発光現象に変換できる発光層を備えた発光素を提供する。
【解決手段】少なくとも、陽極３と、量子ドット１１を有する発光層５と、陰極４とをその順で有する発光素子１であって、その発光層５は、量子ドット１１よりもバンドギャップが大きい半導体微粒子１２を含み、その半導体微粒子１２の粒径が量子ドット１１の粒径よりも大きいように構成して、上記課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】量子ドット単分子膜を有する発光層を備えた発光素子であっても、所望の発光色を発光効率よく得ることができる発光素子を提供する。
【解決手段】少なくとも、陽極３と、正孔輸送層６と、２つの量子ドット単分子膜５Ａ，５Ｂを有する発光層５と、電子輸送層７と、陰極４とをその順で有する発光素子１であって、その発光層５が、正孔輸送層６側に位置する第１単分子膜５Ａと、電子輸送層７側に位置する第２単分子膜５Ｂと、両単分子膜５Ａ，５Ｂ間に位置する励起子生成層５Ｃとを有するように構成して、上記課題を解決した。このとき、励起子生成層５Ｃの厚さが１０ｎｍ以下であることが好ましく、励起子生成層５Ｃがバイポーラ性の電荷輸送性材料からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】量子ドットを含む発光層を備えた発光素子において、正孔輸送層を構成する正孔輸送材料の正孔移動度が電子輸送層を構成する電子輸送材料の電子移動度よりも大きい場合であっても、発光層内での再結合を多くして、所望の発光色を発光効率よく得ることができる発光素子を提供する。
【解決手段】少なくとも、陽極３と、量子ドット１１を含有する発光層５と、陰極４とをその順で有する発光素子１であって、発光層５の厚さ方向における量子ドット１１の密度が陽極側から陰極側に向かって小さくなるように構成して、上記課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】無機ＥＬ及びＰＤＰ用として良好な、色純度が良く高輝度の蛍光体薄膜と、それを高い成膜速度で形成することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】亜鉛、バリウム、アルミニウム、イオウ及びユウロピウムから構成される次の組成式：Ｚｎ_x０Ｂａ_x1Ａｌ_x2Ｓ_x3Ｅｕ_x4（式中、ｘ０〜ｘ４は、下記の（１）〜（５）に示す要件を満たす。）で表される硫化物から形成される蛍光体薄膜であって、その化合物組織は、組成式：ＢａＡｌ_２Ｓ_４：Ｅｕで表される化合物相を主体として含む相からなることを特徴とする。
（１） ０．０１≦ｘ０≦０．０２
（２） ｘ１＋ｘ４＝１
（３） ２．０１≦ｘ２≦３．０
（４） ４.０＜ｘ３≦４．３
（５） ０．０３≦ｘ４≦０．１０ （もっと読む）

【課題】硫化亜鉛（ＺｎＳ）をエレクトロルミネッセンス層の構成材料とし、低電圧で直流駆動しつつ高輝度を得ることが可能なＥＬ素子を提供する。
【解決手段】基板上に、第一電極、エレクトロルミネッセンス層及び第二電極を積層して備えるエレクトロルミネッセンス素子であって、上記エレクトロルミネッセンス層は、第一の酸化亜鉛層、硫化亜鉛層及び第二の酸化亜鉛層をこの順に含んで構成されるエレクトロルミネッセンス素子である。 （もっと読む）

【課題】無機化合物を用いた発光材料において、発光材料の結晶構造の観点から従来よりも高い発光輝度の得られる発光材料を提供する。
【解決手段】ヒ化ガリウム、リン化ガリウム、又はアンチモン化ガリウムと、マンガンとを混合して第１の焼成を行い、第１の焼成物を作製し、母体材料と、発光中心材料を構成する元素又はその元素を含む化合物とを混合して第２の焼成を行い、第２の焼成物を作製し、第２の焼成物に、第１の焼成物を混合して、第３の焼成を行うことにより発光材料を作製する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高温長時間の焼成法や、高温の水を介して製造する水熱法などによる蛍光体を用いた従来の無機ＥＬ素子の高電圧駆動である課題を解決するものであり、発光素子を簡便にして迅速な方法で製造し、それを用いて低電圧駆動のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】２つの電極間に、無機化合物半導体又はそれを含む混合物にマイクロ波を照射し加熱処理をする熱触媒法による、励起発光性の蛍光体を用いたエレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。また内部にマイクロ波吸収体を形成した断熱性セラミックス加熱容器の底辺に、基板を配置し、この基板上に前記無機化合物半導体又はそれを含む混合物粉末試料を配置して形成した蛍光体を用いたエレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】低い温度で作製され、ｐ型の電気伝導性を示す良好な化合物半導体膜、および、該化合物半導体膜と発光材料とを積層してなる、高輝度な発光を得ることが可能な発光膜を提供する。
【解決手段】Ｃｕ_２−Ｚｎ−ＩＶ−Ｓ_４型で表される構成で、該ＩＶはＧｅまたはＳｉであることを特徴とする化合物半導体膜であり、少なくとも、基板上に、発光材料と、化合物半導体膜と、が順に積層した構成の発光膜である。 （もっと読む）

無機発光層を形成する方法は、半導体ナノ粒子を成長させるための溶媒、コア／シェル量子ドットの溶液及び半導体ナノ粒子前駆体を組み合わせること、半導体ナノ粒子を成長させ、コア／シェル量子ドット、半導体ナノ粒子及びコア／シェル量子ドットに接続された半導体ナノ粒子の未精製溶液を形成すること、コア／シェル量子ドット、半導体ナノ粒子及びコア／シェル量子ドットに接続された半導体ナノ粒子の単一のコロイド分散液を形成すること、前記コロイド分散液を堆積させて膜を形成すること、及び、前記膜をアニーリングして無機発光層を形成することを含む。 （もっと読む）

【課題】熱処理温度が低く、発光輝度や色純度に優れ、発光むらが少なく、発光素子寿命に優れた蛍光体積層膜を提供する。
【解決手段】少なくとも、硫化亜鉛化合物を母体材料とする膜と、酸素欠損を有する金属酸化物膜と、を積層して、積層膜を形成する第１工程と、前記積層膜を大気圧の下で熱処理して、蛍光体積層膜を形成する第２工程と、を少なくとも有することを特徴とする蛍光体積層膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】発光効率のよい電界発光素子を提供する。
【解決手段】陽極（基板１１上に備わる下部電極）と陰極（上部電極３１）と、該陽極と該陰極との間に、少なくとも電荷輸送層１２と、発光層２１と、が挟持され、電荷輸送層１２が、π共役を有する化合物を少なくとも一種類含み、発光層２１が、半導体ナノ粒子発光材料からなり、該半導体ナノ粒子発光材料が、該π共役を有する化合物を介して、該陽極又は該陰極と化学結合していることを特徴とする、電界発光素子１。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＧａ_２Ｓ_４を母体材料とする赤色発光蛍光体であって、特に、視感度の高い赤色領域に、高輝度の発光が得られる赤色発光蛍光体を提供する。
【解決手段】本発明では、ＺｎＧａ_２Ｓ_４を母体材料とし、Ｍｎ（マンガン）とＬａ（ランタン）とを含む赤色発光蛍光体が提供される。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高く、高輝度の無機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
また、低電圧駆動であってかつ大面積化の可能な無機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】１対の対向する電極の間に、気相法で形成されたII−VI族化合物を含む発光層を有する無機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記1対の電極を結ぶ線が、前記II−VI族化合物を含む発光層の成膜方向と交差するように構成される。上記構成によれば、基板に対して垂直な方向に選択的に配向した粒結晶（グレイン）から構成される多結晶構造のII−VI族化合物をはさんで基板の面方向に離れて2つの電極が配置されているので、2つの電極間に電圧を印加したときに、II−VI族化合物結晶の粒界と交差するように基板面方向に通電することができる。このため、II−VI族化合物の選択配向した結晶の粒界方向に流れる電流ロスを低減することができ、発光効率を向上することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高輝度の赤色発光蛍光体を提供する。
【解決手段】一般式Ｍ^ＩＩＭ_２^ＩＩＩＳ_４で表される母体材料に、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｎ（マンガン）が添加され、さらに、元素周期律表の第ＩＩＩａ族内の少なくとも一つの元素が共添加剤として添加された赤色発光蛍光体。（ここで、Ｍ^ＩＩは、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム)、Ｂａ（バリウム）のいずれか、またはこれらの組み合わせであり、Ｍ^ＩＩＩは、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）のいずれか、またはこれらの組み合わせである）該赤色発光蛍光体は、電子線、電界等の励起エネルギー源を蛍光体に照射させるＦＥＤやＥＬ等の表示装置の赤色発光蛍光体として使用できる。 （もっと読む）

本発明は、照明技術に関し、特に固体照明技術に関する。一実施形態では、本発明は、第１電極と、放射線透過性の第２電極と、放射線透過誘電性材料中に設けられた少なくとも一つの電界凝集体及び少なくとも一つの燐蛍光体を含む、第１電極と第２電極との間に配置された合成層とからなる照明装置を提供する。
（もっと読む）

【課題】色再現域が広く、耐久性に優れる画像表示装置を提供すること、所望の色調の光を長期間にわたって安定的に発光することができる発光素子を提供すること、前記画像表示装置を備えた電子機器を提供すること、また、上記画像表示装置、発光素子等に好適に適用することができる薄膜パターン形成方法、薄膜を提供すること。
【解決手段】本発明の薄膜パターン形成方法は、インクジェット法により、分散媒と微粒子状の量子ドットとを含み、前記量子ドットが前記分散媒中に分散してなる分散液を吐出し、受け面に所定パターンで付着させる工程と、前記受け面に付着した前記分散液から前記分散媒の少なくとも一部を除去する工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）