【課題】同軸状電極内に発生する面状放電（電流シート）の密度を高め、かつ同軸状電極内の周方向に均一な面状放電を生成することができるプラズマ光源とプラズマ光発生方法を提供する。
【解決手段】１対の同軸状電極１０の中心電極１２とガイド電極１４との間に、中心電極とガイド電極間の浮遊容量Ｃｓより大きい静電容量Ｃ２を有する補助コンデンサ１８をそれぞれ備え、補助コンデンサ１８により中心電極とガイド電極間の電圧を放電電圧より短い周期で変動させて、擬似的に高周波の面状放電２を発生させる。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内に配置された要素の特性や性能が劣化することを抑制する。
【解決手段】チャンバ装置は、レーザシステムおよび前記レーザシステムから出力されるレーザ光を集光する集光光学系と共に用いられるチャンバ装置であって、前記レーザ光を内部へ導入するための入射口を有するチャンバと、前記チャンバに取り付けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給システムと、前記チャンバ内に配置され、前記チャンバ内で前記ターゲット物質に前記レーザ光が照射されて発生した帯電粒子を回収するための回収部と、を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光生成装置のＣＥを向上させる。
【解決手段】極端紫外光源装置は、レーザビーム生成システムと、前記レーザビーム生成システムから出力される少なくとも１つのレーザビームの光強度および出力タイミングの少なくともいずれか一方を制御するレーザ制御システムと、前記レーザビーム生成システムから出力される前記少なくとも１つのレーザビームを内部に導入するための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバ１と、前記チャンバ１に設けられ、前記チャンバ１内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部２と、を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】照射可能領域を拡大する。
【解決手段】光学装置は、入射する第１のレーザ光をビーム断面が円環状の第２のレーザ光に変換する第１のビーム整形部と、前記第２のレーザ光を第１の所定の位置に集光して、ベッセルビームを形成させる第１の集光光学素子と、を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内において構成部品の位置又は傾きを調整するための姿勢制御機構を最適化する。
【解決手段】極端紫外光を生成するチャンバ装置は、壁部に第１の貫通孔が設けられ、内部でＥＵＶ光の生成が行われるチャンバと、チャンバ内に配置されるＥＵＶ集光ミラーと、チャンバ外に配置され、ＥＵＶ集光ミラーの姿勢を制御する姿勢制御機構と、第１の貫通孔を介してＥＵＶ集光ミラーと姿勢制御機構とを接続する支持部と、第１の貫通孔を覆うように設けられ、少なくとも１つの第２の貫通孔を有するフランジと、少なくとも１つの第２の貫通孔の周囲に固定された一端と、支持部に固定された他端とを有し、支持部の側面の少なくとも一部を囲んでチャンバ内の密閉を維持する伸縮管と、を備えても良い。 （もっと読む）

【課題】患部の組織の破壊を抑えて放射線治療を行える放射線治療装置を提供する。
【解決手段】放射線により患部の組織に破壊が発生しない２５μｍの幅でスリット５０が複数形成されたグリッド１６を患者の患部１８の放射線源側に配置し、グリッド１６を透過した放射線を患者の患部１８に照射する。放射線により患部の組織に破壊が発生しない所定幅で透過部が複数形成されたグリッド１６を患者の患部上における放射線の入射直前の位置に配置し、グリッドを透過した放射線を患者の患部に照射しているので、患部の組織の破壊を抑えて放射線治療を行える。 （もっと読む）

【課題】単色性の高いレーザーコンプトン光を得る。
【解決手段】偏向空洞１３を通過した電子パルス１２は、線形加速器１４を通過する。線形加速器１４中において、この電子パルス１２は高周波加速を受け、高エネルギー電子パルス１５となる。レーザー光源１６は、可視光あるいは近赤外光でありパルス状のレーザー光１７を発する。レーザー光１７は、反射鏡１８で反射されて、高エネルギー電子パルス１５と衝突点１９で衝突する設定とされる。衝突点１９から、高エネルギー光（Ｘ線、ガンマ線等）とされたレーザーコンプトン光２０が発せられる。偏向空洞１３によって電子パルス１２はその進行方向に対して傾斜角をもち、衝突点１９においては、この傾斜角が大きくなった状態となるような設定とされる。 （もっと読む）

【課題】現行のＸ線治療は、悪性腫瘍治療に有効であるが、同時に健常部まで損傷し、多くの副作用が伴う。体内透過性が１０〜２０mm程度のエネルギーのＸ線を悪性腫瘍の直近傍で発生させ、Pin-pointで治療する手段が要求されている。
【解決手段】レーザーを細い可撓型パイプ内部や光ファイバー内を通して腫瘍患部の直近傍で集光して固体の表面に高温プラズマを生成してX線を発生させることはよく知られているが、本発明では １．真空中ではなく大気中で生成可能、２．レーザー光の進行方向に強いX線発生が可能、３．光の進行方向に強い指向性をもっていることを特色とし、小型軽量で悪性腫瘍により有効にPin-point治療を可能にすることができる。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内にある光学素子に付着したデブリを除去するクリーニング方法を提示する。
【解決手段】ターゲット物質にレーザ光を照射することにより生成されるプラズマから極端紫外光を発生する極端紫外光源装置であって、極端紫外光の生成が行われるチャンバと、チャンバの内部に電場又は磁場を発生させる電磁場発生部と、チャンバの内部の光学素子に付着したデブリを帯電させて該光学素子から離脱させ、又は、該デブリを該光学素子から離脱させて帯電させるクリーニング部と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光源装置において、光学素子及びその他の構成要素がデブリで汚染または損傷されることを抑制し、これらの長寿命化を実現する。
【解決手段】チャンバ内においてターゲット物質のプラズマを発生させることにより極端紫外光を発生する極端紫外光源装置１であって、ターゲット物質に第１レーザ光３４を照射することによりプリプラズマを発生させる第１レーザ部と、プリプラズマに第２レーザ光３５を照射することにより極端紫外光を発生するメインプラズマを発生させる第２レーザ部と、チャンバ内に磁場Ｂを発生させてプリプラズマ及びメインプラズマの内の少なくとも１つの状態を制御する磁場発生部と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明の極端紫外光源装置は、溶融状態のターゲット物質に接触する面が、ターゲット物質によって侵食され、ターゲット物質と反応したり、削られたりするのを抑制する。
【解決手段】ターゲット発生部１２０は、ドロップレット状の溶融した錫をターゲット２０１として、チャンバ１０１内に噴射する。ノズル部１２１及びタンク部１２２の各面のうち、溶融状態の錫に接触する箇所には、錫に対する耐侵食性を有する保護膜が形成される。あるいは、溶融状態の錫に接触する部分は、耐侵食性及び耐熱性等を備える材料から形成される。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内に配置された光学素子等の部品に付着したデブリを排除することができる極端紫外光源装置を提供する。
【解決手段】この極端紫外光源装置は、極端紫外光の生成が行われるチャンバと、チャンバ内にターゲット物質を供給するターゲット物質供給部と、ターゲット物質にドライバ用パルスレーザ光を照射してプラズマを生成するドライバレーザ装置と、クリーニング用パルスレーザ光を射出するクリーニングレーザ装置と、チャンバ内に設置された部品にクリーニング用パルスレーザ光を照射することにより、該部品の表面に付着したデブリを除去するように、クリーニングレーザ装置から射出されるクリーニング用パルスレーザ光の照射位置を制御する制御部とを含む。 （もっと読む）

【課題】イオン回収装置のイオン衝突面および／またはイオン衝突面に堆積した物質のスパッタリングによる再拡散を防止することができる極端紫外光光源装置を提供する。
【解決手段】ターゲットである溶融ＳｎのドロップレットＤにレーザ光を照射してプラズマを生成し該プラズマから極端紫外光を発生し、この極端紫外光の発生とともに生成されるイオンの流れ方向を磁場または電場によって制御する極端紫外光光源装置において、前記イオンを回収するイオン回収筒２０を設け、イオン回収筒２０のイオン衝突面Ｓａ，Ｓｂに、前記イオンによるスパッタ率が１原子／イオン未満となる金属であるＳｉを配置またはコートする。 （もっと読む）

【課題】磁場トラップによってデブリ拡散が防止されたデブリの回収と残存ターゲットの回収とを簡易な構成で行うことができること。
【解決手段】極端紫外光光源装置１０は、ターゲット１７をノズル７から供給するターゲット供給部（５、６）と、ノズル７に対向する位置に配置され、プラズマの生成に寄与しなかったターゲットである残存ターゲットを回収するターゲット回収部（１４、１５）と、プラズマが生成されるプラズマ領域を通る磁界方向軸周辺に磁場領域を形成し該プラズマ領域から放出されるイオンを含む荷電粒子を該磁界方向へ収束する磁場生成部（１１ａ、１１ｂ）と、前記磁場により収束された荷電粒子を回収するために前記磁場領域の磁界方向軸両端側に設けられた荷電粒子回収部（１２ａ、１２ｂ）と、を備え、ノズル７が、真空チャンバ１内であって、磁場領域内で荷電粒子が収束される収束領域Ｅ２外に配置される。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハに対する回路パターンの転写を阻害するデブリを発生させることなく、半導体ウェハに高集積化した回路を形成するのに最適な短波長の光を発生させることのできる半導体リソグラフィ用光源を提供する。
【解決手段】 半導体ウェハ上に回路パターンを形成するための短波長の光を発生させる半導体リソグラフィ用光源であって、負圧の状態で希ガス又は希ガスを含んだ混合ガスが充填される内部空間を画定した外周壁部を有する光源本体と、前記内部空間内に所定の軸線周りの回転磁場を発生させる磁場発生手段とを備え、前記光源本体は、少なくとも外周壁部が電気絶縁性を有する非磁性の材料で構成されるとともに、少なくとも一部に短波長の光成分又は該光成分を含んだ光を内部空間から外部へ放出させる光放出部が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スペクトル純度の高いＥＵＶ光が得られるスペクトル純度フィルタを用いたＥＵＶ光源装置を提供する。
【解決手段】このＥＵＶ光源装置は、チャンバと、ターゲット物質を供給するターゲット供給部と、炭酸ガスを含むレーザガスをレーザ媒質として使用し、ターゲット物質にレーザ光を照射してプラズマを生成するドライバレーザと、プラズマから放射される極端紫外光を集光して出射する集光ミラーと、極端紫外光の光路中に設られ、極端紫外光を透過してレーザ光を反射するスペクトル純度フィルタであって、ドライバレーザによって照射されるレーザ光の最も短い波長の半分以下のピッチを有する開口の配列が形成され、電気伝導性を有するメッシュを含むスペクトル純度フィルタとを具備する。 （もっと読む）

【課題】
レーザー光のコントラストを改善し、適切なターゲット条件を選ぶことにより、高速電子発生を抑制し、高輝度でコヒーレント、高コントラストのＸ線を発生させる装置及び方法。
【解決手段】
真空ポンプを備えた真空槽内に、パルス圧縮器、集光ミラー、ガス供給装置、偏向磁石及びレーザー阻止Ｘ線透過窓を設け、真空槽を真空ポンプにより真空に保ち、この真空槽内のパルス圧縮器に真空槽外部からレーザー光を導入してパルス圧縮器によりパルス幅をフェトム秒に圧縮した後、集光ミラーによりガス供給装置より発生させるガスジェットターゲットに集光させ、このターゲットの位置をレーザー進行方向に調整することにより高速電子の発生を伴わないＸ線発生に最適な地点でＸ線を発生させる、高速電子発生を伴わない、高強度でコヒーレント、高コントラストのＸ線を発生させる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの軌道を擾乱させることなく、ドロップレットターゲットをレーザ照射位置に高速に供給する機構と、プラズマから発生したイオン（帯電したデブリ）を磁場の作用によりトラップする機構とを両立させる。
【解決手段】予め設定されているプラズマ発光点に向けてターゲット物質を噴射するターゲットノズル１２と、該ターゲットノズルから噴射されるターゲット物質を帯電させる電荷供給装置１７と、該電荷供給装置によって帯電させられるターゲット物質を加速する加速装置１８と、プラズマ発光点においてターゲット物質にレーザビームを照射することによりプラズマを生成するレーザ発振器１３と、プラズマ発光点に磁場を形成する電磁石であって、ターゲット物質の軌道において、磁束線が略直線状且つターゲット物質の進入方向に対して略平行となる磁場を形成する電磁石１９ａ及び１９ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】レーザ生成プラズマ方式の極端紫外光源装置において、磁場の作用によりプラズマから放出されるイオン等の荷電粒子を効率的に排出すると共に、汚染物質の２次的な発生を抑制する。
【解決手段】ターゲット物質１１を供給するターゲットノズル４と、該ターゲットノズル４によって供給されるターゲット物質１１に対してレーザビームを照射することによりプラズマを生成するレーザ発振器１と、該プラズマから放射される極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラー５と、ターゲット物質１１に対してレーザビームを照射する位置に磁場を形成する電磁石６であって、該磁場の磁束線１２の形状に合わせて開口部６ａ及び７ａが形成されている電磁石６及び７とを含む。 （もっと読む）

【課題】高速イオンや中性粒子を含むデブリを磁場の作用により排出する極端紫外光源装置において、プラズマから放出される中性粒子を効率良くイオン化する。
【解決手段】少なくとも極端紫外光を放射するプラズマをパルス動作により生成するターゲット供給装置１１、ターゲットノズル１２及びレーザ装置１５と、該プラズマから放射される極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラー１７と、磁場が形成されている空間にパルス動作によりマイクロ波を照射して電子サイクロトロン共鳴を生じさせることにより、該プラズマから放出される中性粒子をイオン化するマイクロ波発生装置２０、マイクロ波導波管２１及びマイクロ波アンテナ２２と、上記磁場を発生させると共に、少なくともイオン化された粒子をトラップする磁場を形成する電磁石コイル１９ａ及び１９ｂとを含む。 （もっと読む）