【課題】
半導体製造工程あるいは液晶パネル製造工程で用いられる基板処理装置用部材等を構成する窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】
β−Ｓｉ_３Ｎ_４を主成分とし、β−ＲＥ_２Ｓｉ_２Ｏ_７（ＲＥは周期律表第３族元素）を３体積％以上、２０体積％以下の範囲で含有してなり、室温における熱膨張係数が１．４×１０^−６／Ｋ以下、室温における熱伝導率が２５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の窒化珪素質焼結体を提供することができ、特に半導体製造装置用部材・液晶製造装置用部材として用いた際に、温度変化が生じた際においても熱膨張の非常に小さい焼結体であるため、位置精度を高いものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】 耐プラズマ性が確保されており、クリーニング処理を繰り返しても長期間使用可能で、経済的に有利なプラズマプロセス装置用チャンバー部材を提供すること。
【解決手段】 気孔率が１％以下で、かつ、破断面が粒内破壊の性状を呈する窒化アルミニウム焼結体からなることを特徴とするプラズマプロセス装置用チャンバー部材。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム質焼結体の強度、靭性を向上させる。
【解決手段】窒化アルミニウム粉末に周期律表第３ａ族元素の酸化物の中から選ばれる少なくとも一種以上を０．１〜３０重量％含み、第４ａ族元素、第５ａ族元素、第６ａ族元素の窒化物、炭化物、ケイ化物、硼化物の中から選ばれる少なくとも一種以上を０．１〜３０重量％含み、さらに第６ａ族元素の酸化物の中から選ばれる少なくとも一種以上を０．１〜５重量％含む窒化アルミニウム質焼結体である。 （もっと読む）

【課題】 高熱伝導率であると同時に高強度を有する窒化アルミニウム焼結体、及びその製造方法、並びにこの窒化アルミニウム焼結体を用いた半導体基板を提供する。
【解決手段】 気相化学合成法で得られた平均粒径１.０μｍ以下のＡｌＮ粉末１〜９５重量％と、残部が他のＡｌＮ粉末からなる原料粉末を調整し、この原料粉末を非酸化性雰囲気中で焼結した焼結体で、平均粒径が２μｍ以下、Ｘ線回析により得られる（３０２）面回析線の半価幅が０.２４ｄｅｇ以下である。この焼結体上に金属化層を形成することにより、半導体基板とすることができる。 （もっと読む）

焼結助剤として希土類元素を酸化物に換算して２〜４質量％，Ａｌ成分を酸化物換算で２〜６質量％，炭化けい素を２〜７質量％含有し、気孔率が１％以下であり、３点曲げ強度が８００〜１０００ＭＰａであり、破壊靭性値が５．７〜６．５ＭＰａ・ｍ^１／２である窒化けい素焼結体から成ることを特徴とする窒化けい素製耐摩耗性部材である。上記構成によれば、金属窒化法で製造された安価な窒化けい素粉末を使用して調製した場合においても、従来の窒化けい素焼結体と同等以上の機械的強度、優れた耐摩耗性、転がり寿命特性を有し、しかも加工性に優れた窒化けい素製耐摩耗製部材およびその製造方法を提供することができる。
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ベータ−窒化ケイ素含有量が窒化ケイ素粉末の０重量％〜約１．６重量％である窒化ケイ素粉末を含む出発粉末混合物から製造されるアルファプライム−ベータプライムサイアロンセラミック体（２０、３０）およびその作製方法。粉末混合物はさらに、アルミニウム、酸素、窒素、および２種の選択された希土類元素をサイアロンセラミック体に提供する１種以上の粉末を含む。選択された希土類元素は希土類元素の３つの特定の群のうちの少なくとも２つの群から選択される。
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【課題】 強度や破壊靭性などの機械的特性及び耐熱衝撃性を向上させた弁部材を提供すること。
【解決手段】 窒化珪素質焼結体からなり、液体の流路の少なくとも一部を構成する溝または穴部を備えた液体用の弁部材であって、該弁部材を成す窒化珪素質焼結体は、窒化珪素を主成分とする結晶相と、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＣｕのうち少なくとも１種の第１の金属元素の珪化物からなる第１金属珪化物および上記第１の金属元素よりも融点の高い第２の金属元素の珪化物からなる第２金属珪化物を含む粒界相とを有し、且つ上記溝または穴部の表面における上記第１の金属珪化物および第２の金属珪化物のそれぞれの濃度が上記窒化硅素質焼結体の内部より低いことで耐熱衝撃性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、耐反応性に優れたセラミックス部材および高温反応炉を提供することを目的とする。
【解決手段】 本質的に窒化珪素質相と第二相とSiC粒子相からなるセラミックス部材であって、第二相とSiC粒子相の合計が２質量％以下であり、第二相は、０．５〜１．３質量％の希土類酸化物と０．５〜１．３質量％の酸窒化アルミニウムポリタイプの固溶したものであり、その第二相の形状のアスペクト比が５以上の割合が１０％以下であり、または、その第二相の形状の短軸側の最大径が０．８μｍ以上の割合が３０％以下であり、かつ、SiC粒子相は、平均粒径０．０５μｍ以下で０．２〜０．４質量％の球状SiC微粒子からなることを特徴とする耐反応性に優れたセラミックス部材、および、この部材を用いてなる高温反応炉である。 （もっと読む）

【課題】発光効率に優れた発光素子などの半導体素子製造用基板として使用され、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜基板を提供する。
【解決手段】セラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を用いることにより、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜が形成される。該単結晶薄膜と焼結体との接合体を用いて、電子素子および電子部品を製造する。 （もっと読む）

【課題】使用時に熱衝撃による破壊が防止されるように高耐熱衝撃性を有するとともに、めっき鋼板とのすべりを低減して、めっき鋼板の走行速度の変化に追従しやすい溶融金属めっき浴用のセラミックスロールを提供する。
【解決手段】鋼板と接触する中空状胴部１０と、前記胴部に接合された軸部２０，２１とからなる溶融金属めっき浴用ロールであって、少なくとも前記胴部が常温における熱伝導率が50W/(m・K)以上の窒化珪素系セラミックスからなり、前記胴部の平均表面粗さRaが0.2μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れた均熱性を有するセラミックス部材を提供する。
【解決手段】セラミックス部材１０は、セラミックス焼結体１１と、セラミックス焼結体１１に接して形成された、金属元素を含む金属部材１２とを備える。セラミックス焼結体１１における金属部材１２周辺の変質層１１ａの厚さｔは３００μｍ以下に抑えられている。 （もっと読む）

【課題】高い耐食性を有する窒化アルミニウム質セラミックスを提供する。
【解決手段】希土類元素又はアルカリ土類元素の少なくとも１つを含有する結晶相を含む粒界相２を備える窒化アルミニウム質セラミックスであって、粒界相２の中心線３の長さの総和が５×１０⁴μｍ／ｍｍ²以上であり、中心線３の分岐点４の数が１×１０²個／ｍｍ²以上である粒界連続層を備える。 （もっと読む）

【課題】 複数の部品を組み合わせてなる精密機器において、一方の部品を構成する窒化珪素質焼結体の熱膨張係数を、他方の部品の熱膨張係数と一致させることのできる窒化珪素質焼結体及びその熱膨張係数の調整方法を提供する。
【解決手段】 母相の窒化珪素がβ−Ｓｉ₃Ｎ₄からなり、粒界がチタン化合物からなる非晶質相であることを特徴とする窒化珪素質焼結体である。粒界が非晶質のチタン化合物からなる窒化珪素質焼結体を用い、チタン化合物の含有量を調整することにより、窒化珪素質焼結体の熱膨張係数を調整することを特徴とする熱膨張係数の調整方法である。粒界が非晶質のチタン化合物からなる窒化珪素質焼結体においては、窒化珪素質焼結体のチタン含有量と熱膨張係数との間に極めて良好な相関関係が存在し、チタン含有量の調整によって熱膨張係数を十数％の範囲で精密に調整することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 導電体や抵抗体として有用な導電性窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウム−希土類化合物、窒化アルミニウム−アルカリ土類化合物、又は窒化アルミニウム−希土類化合物−アルカリ土類化合物系にカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を外掛けで０．３〜１２重量％含む混合物を成形し、焼結してなる導電性窒化アルミニウム焼結体であり、相対密度９５％以上の窒化アルミニウム焼結体の粒界部にカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を含む窒化アルミニウム燒結体である。
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【課題】 高硬度と高靭性とを両立できる複合焼結体を提供する。
【解決手段】Ａｌ_２Ｏ_３と、ＴｉＣ、ＴｉＮまたはＴｉＣＮの群から選ばれる少なくとも１種の化合物とで構成された長尺状の芯材４の外周を、Ｍｇを含有したＳｉ_３Ｎ_４質焼結体からなる表皮材８にて被覆した繊維状構造からなる複合焼結体１である。
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【課題】溶融金属による浸食を軽減することにより長寿命化を達成することができるセラミックス焼結体及びこのセラミックス焼結体で構成された金属蒸着発熱体（ボート）を提供する。また、溶融金属のスプラッシュを低減させることができるセラミックス焼結体及びこのセラミックス焼結体で構成された金属蒸着発熱体（ボート）を提供する。
【解決手段】二硼化チタン（ＴｉＢ_２）及び／又は二硼化ジルコニウム（ＺｒＢ_２）と、窒化硼素（ＢＮ）と、必要に応じて窒化アルミニウム（ＡｌＮ）とを含有してなるセラミックス焼結体であって、これらの成分から選ばれた少なくとも一種の成分の濃度が、厚み方向において、有位に異なっている部分があることを特徴とするセラミックス焼結体。このセラミックス焼結体からなる金属蒸着発熱体（ボート）。 （もっと読む）

セラミック体（２０）、ならびにセラミック体（２０）を作るためのホットプレス法または完全密度までの焼結法。ホットプレスされたセラミック体（２０）は約１５から約３５体積パーセントの間の炭化ホウ素相、および少なくとも約５０体積パーセントのアルミナを含有する。完全密度まで焼結されたセラミック体（２０）は約１５から約５０体積パーセントの間の炭化ホウ素相および少なくとも５０体積パーセントのアルミナを含有する。基体（２１）はさらに次の成分（ａ）〜（ｂ）の少なくとも１つを含み；ここで成分（ａ）および（ｂ）の合計量は完全稠密化を達成するために有効な量であり、ここで成分（ａ）および（ｂ）は、（ａ）アルミニウム、マグネシウムおよび亜鉛のうちの１以上を含む金属成分；および（ｂ）炭素を含有する還元成分を含む。
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【課題】 電子部品の製造、組付に用いられる治具において、摩耗粉末による汚染低減、加工コストの低減、熱膨張係数を有する被処理材に適合できるよう熱膨張係数をコントロールすることが課題である。
【解決手段】 珪素を含む混合粉末でなる成形体を素材として、最終形状に近い形状、寸法に生加工する工程と、窒素雰囲気中での加熱により実質的に寸法変化を生じることなく、前記珪素を窒化珪素に転化せしめるとともに焼結する工程と、必要に応じて最終加工工程を行う。 （もっと読む）

【課題】表面性状の滑らかなサイアロンセラミックス多孔体、その製造方法及び用途を提供する。
【解決手段】βサイアロンを主成分とする表面性状が滑らかなサイアロンセラミックス多孔体であって、（１）βサイアロンの組成の一般式Ｓｉ_６−ｚ Ａｌ_ｚ Ｏ_ｚ Ｎ_８−ｚにおいて、そのＺ値が０．１以上３以下、（２）アスペクト比が１以上４以下のβサイアロン結晶粒の割合がβサイアロン結晶粒全体に対し６０％以上であり、好適には、気孔率が３０％以上７０％以下、平均気孔径が０．２ミクロン以上２ミクロン以下であることを特徴とするサイアロンセラミック多孔体、その製造方法、及び当該セラミックス多孔体からなる耐食性部材。
【効果】高気孔率と高強度を両立し、かつ表面性状の滑らかな特性を有するサイアロンセラミックス多孔体及びその部材を提供できる。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用いて各種パワーモジュールを構成した際にリーク電流の発生を効果的に抑制することができ、大電力化および大容量化したパワーモジュールにおいても絶縁性および動作の信頼性を大幅に向上させることが可能な窒化けい素セラミックス回路基板を提供する。
【解決手段】気孔率が容量比で２．５％以下であり、粒界相中の最大気孔径が０．３μｍ以下の窒化けい素焼結体から成り、温度２５℃，湿度７０％の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に１．５ｋＶ−１００Ｈｚの交流電圧を印加したときの電流リーク値が１０００ｎＡ以下であり、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である窒化けい素セラミックス基板２上に複数の金属回路板３，３を設けると共に、該金属回路板３，３の間隔が０．１〜２．０ｍｍの範囲である箇所を具備していることを特徴とする窒化けい素セラミックス回路基板１である。 （もっと読む）