【課題】窒化けい素セラミックス基板を用い、パワーモジュールのリーク電流の発生を抑制し、大電力化、大容量化した場合でも絶縁性、動作の信頼性を大幅に向上させることのできるパワーモジュールを提供する。
【解決手段】厚さ１．５ｍｍ以下の窒化けい素焼結体表面に幅が１μｍ以上のマイクロクラックがなく、幅が１μｍ未満のサブミクロンクラックが単位面積１００μｍ^２当たりに０〜２個である窒化けい素焼結体から成り、一定条件下での電流リーク値が４２０ｎＡ以下、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上、残留炭素含有量が５００ｐｐｍ以下である窒化けい素セラミックス基板２に金属回路板を設け、半導体素子を搭載してなるパワーモジュールであり、窒化けい素セラミックス基板２は、粒界相中における結晶化合物相の割合が２０％以上であり、ＭｇをＭｇＯに換算して０．５〜３．０質量％含有する。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性が高く、かつ耐欠損性を改善した窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】窒化珪素を主体として、ＲＥ元素化合物（ただし、ＲＥはイットリウムまたは希土類元素の少なくとも一方の元素）とマグネシウム化合物とを含む窒化珪素質焼結体の表面に、前記ＲＥ元素の含有比率は前記窒化珪素質焼結体の内部における含有比率に対して５％の範囲内で一定であり、かつ前記マグネシウム元素の含有比率は前記窒化珪素質焼結体の内部における含有比率に対して５％よりも少ない表面領域が存在する窒化珪素質焼結体である。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム系焼結体の表面に、高い密着強度を有する酸化アルミニウム層を高い酸化レートで形成するための方法を提供することを目的とする。
【解決手段】酸素分圧が０．０００１〜０．０１ＭＰａ、水蒸気分圧が０．００１ＭＰａ以上の雰囲気に調整された条件下において、窒化アルミニウム系焼結体を１０００〜１５００℃の温度範囲で熱処理することにより、その表層を酸化させて酸化アルミニウム層を形成させるための熱処理工程を備える製造方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】本来備える高強度特性に加えて、熱伝導率が高く放熱性に優れた窒化けい素焼結体の製法を提供する。
【解決手段】酸素を１．７重量％以下、不純物陽イオン元素としてのＡｌ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを合計で０．３重量％以下、α相型窒化けい素を９０重量％以上含有し、平均粒径１．０μｍ以下の窒化けい素粉末に、希土類元素を酸化物に換算して２．０〜１７．５重量％，Ｍｇを酸化物に換算して０．３〜３．０重量％添加した原料混合体を成形して成形体を調製し、得られた成形体を脱脂後、温度１７００〜１９００℃で焼結し、上記焼結温度から、１５００℃までの冷却速度を毎時１００℃以下にして徐冷することにより、粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合を２０％以上とすることを特徴とする高熱伝導性窒化けい素焼結体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 高い耐欠損性と耐摩耗性を有する切削工具を提供する。
【解決手段】 希土類金属（ＲＥ）をＲＥ_２Ｏ_３換算量で０．１〜３質量％、アルミニウム（Ａｌ）をＡｌ_２Ｏ_３換算量で０〜０．６質量％、マグネシウム（Ｍｇ）をＭｇＯ換算量で０〜１質量％、酸素を０〜２．５質量％の割合で含有する窒化珪素質焼結体からなる基体の表面に、Ｔｉ_{１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ}Ａｌ_ａＷ_ｂＳｉ_ｃＭ_ｄ（Ｃ_ｘＮ_１−ｘ）（ただし、ＭはＮｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｙから選ばれる１種以上であり、０．４５≦ａ≦０．５５、０．０１≦ｂ≦０．１、０≦ｃ≦０．０５、０．０１≦ｄ≦０．１、０≦ｘ≦１である。）の被覆層が被着形成されている切削工具である。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用いて各種パワーモジュールを構成した際にリーク電流の発生を効果的に抑制することができ、大電力化および大容量化したパワーモジュールにおいても絶縁性および動作の信頼性を大幅に向上させることが可能な半導体モジュールおよびそれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】気孔率が容量比で２．５％以下であり、粒界相中の最大気孔径が０．３μｍ以下であり、厚さが１．５ｍｍ以下である窒化けい素焼結体から成り、温度２５℃，湿度７０％の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に１．５Ｋｖ−１００Ｈｚの交流電圧を印加したときの電流リーク値が１０００ｎＡ以下であり、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である窒化けい素セラミックス基板２と、この窒化けい素セラミックス基板２に接合された金属回路板３と、この金属回路板上に搭載された半導体素子と、を備えることを特徴とする半導体モジュールである。 （もっと読む）

【課題】 半導体の性能や信頼性を高く維持できる半導体製造用部品を提供する。
【解決手段】 窒化珪素結晶粒子３と粒界相とからなり、相対密度が９８％以上の窒化珪素焼結体からなる基体１に、該基体１の表層の粒界相を除去して、窒化珪素結晶粒子３が３次元的に連結した多孔質層５を設けてなるもので、多孔質層５上にシリコンウエハを載置し、搬送する場合であっても、従来の粒界相を構成する、例えば希土類元素、アルミニウム等の元素がシリコンウエハと接触することがなく、これによりシリコンウエハを汚染し、半導体の性能や信頼性を損ねたりすることがない。 （もっと読む）

本発明は、基本的に、組成物Ｍ_１−ｙＡ_２−ｘＢ_ｘＯ_２−２ｘＮ_２＋ｘ：Ｅｕ_ｙから成り、ここで、Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ又はそれらの混合物を含むグループから選択され、Ａは、Ｓｉ、Ｇｅ又はそれらの混合物を含むグループから選択され、Ｂは、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ又はそれらの混合物を含むグループから選択され、ｘ及びｙは、＞０から≦１までで別々に選択されるセラミック複合材料を備える発光装置、特にＬＥＤに関する。この材料は、一方の相がアンバー乃至赤色放射相であり、他方の相がシアン乃至緑色放射相である２相組成物であることが分かった。
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【課題】 母基板の熱伝導率を向上できる回路基板およびその製法を提供する。
【解決手段】 窒化珪素質焼結体からなる母基板に導体層を形成してなる回路基板であって、基板が、Ｌｉを全量中０．００９〜０．０４６質量％含有することを特徴とする。このような回路基板の母基板は、窒化珪素粉末にＬｉ化合物をＬｉ_２Ｏ換算で全量中０．３〜１．５質量％添加した混合粉末を成形し、焼成し、Ｌｉを全量中０．００９〜０．０４６質量％含有せしめて作製される。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮ基板の高放熱特性を活かした上で、金属薄膜との密着性や金属薄膜の形成精度等を向上させることによって、マイクロ波集積回路等の薄膜デバイスの信頼性を高めることを可能にする。
【解決手段】ＡｌＮ結晶粒の平均粒径が３〜５μｍの範囲で、かつ粒径分布の標準偏差が２μｍ以下であり、かつ常温での熱伝導率が１６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるＡｌＮ焼結体を作製する。ＡｌＮ焼結体の表面を、加工後の表面のスキューネスＲskが−１以上となるように中仕上げ加工する。中仕上げ加工されたＡｌＮ焼結体の表面を、算術平均粗さＲaが０．０５μｍ以下となるように鏡面加工し、加工表面のスキューネスＲskを０以上１以下に仕上げ加工する。ＡｌＮ基板の加工表面上に金属薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高強度、高靭性特性に加えて、特に摺動特性が優れた耐摩耗性部材の製造方法を提供する。
【解決手段】酸素１．５質量％以下、α相型窒化けい素７５〜９７質量％含有し、平均粒径１．０μｍ以下の窒化けい素粉末に、希土類元素を酸化物換算で１〜１０質量％と、ＡｌおよびＭｇの少なくとも一方を酸化物換算で５質量％以下と、ＡｌＮ５質量％以下と、Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｒの内少なくとも１種を酸化物換算で５質量％以下との原料を混合し成形体を調製し、該成形体を脱脂後、焼結する途中、０．０１Ｐａ以下の真空中で温度１２５０〜１６００℃の温度又は窒素雰囲気中で温度１５００℃〜１６００℃で所定時間保持後、温度１６５０℃〜１８５０℃で本焼結し、焼結温度から、希土類元素により焼結時形成された液相が凝固するに至る焼結体の冷却速度を毎時１００℃以下の徐冷により、窒化けい素焼結体から成る耐摩耗性部材を製造する。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム固有の特性を保持して低抵抗化された窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ユウロピウム（Ｅｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び酸素（Ｏ）を少なくとも含み、Ｘ線回折プロファイルがＳｒ_３Ａｌ_２Ｏ_６相と略一致するピークを有する粒界相を窒化アルミニウム焼結体内に３次元的に連続化させることにより、窒化アルミニウム固有の諸特性を損なうことなく低抵抗化を実現できることを知見した。 （もっと読む）

【課題】高温環境下で粒界相中の金属イオンの移動を防ぐことができ、かつ耐腐食性及び高温特性に優れているセラミックヒータを提供すること。
【解決手段】モリブデンの珪化物、窒化物及び炭化物、並びに、タングステンの珪化物、窒化物及び炭化物のうち、少なくとも１種を主成分とする発熱体と、窒化珪素を主成分とし、かつ希土類元素を酸化物換算で４〜２５質量％含有し、かつアルミニウム成分を窒化アルミニウム換算で０．０２〜１質量％含有し、かつ全酸素量に対する希土類元素の酸素量の比が０．３〜０．６であり、かつモリブデン、バナジウム、タングステン及びクロムから成る群より選ばれる少なくとも１種の珪化物を１〜８体積％含有する基体とを備え、前記基体の表面には、希土類元素のモノシリケート及び／又はダイシリケートが主結晶相であり、前記発熱体が前記基体に埋設されて成ることを特徴とするセラミックヒータ。 （もっと読む）

【課題】 水に触れながら摺動する水潤滑下で優れた耐摩耗性を示す耐摩耗性部材を提供する。
【解決手段】 水潤滑下で使用される耐摩耗性部材において、前記耐摩耗性部材は、窒化けい素を７５〜９７質量％、Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｗ，Ｍｏの少なくとも１種を０．２〜５質量％、残部をＳｉ−Ｒ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ化合物（ただし、Ｒは希土類元素）を主とする粒界相を有する窒化けい素焼結体を具備すると共に、前記Ｓｉ−Ｒ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ化合物の焼結体内部の存在比率Ｍ１と表面の存在比率Ｍ２との比Ｍ２／Ｍ１が０．９〜１．１の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

複合材料品は、第１の複合材料および第２の複合材料を含む。第１の複合材料および第２の複合材料は、個々に、結合剤中に硬質粒子を含む。第１の複合材料の結合剤中のルテニウム濃度は、第２の複合材料の結合剤中のルテニウム濃度と異なる。 （もっと読む）

高密度化された窒化ケイ素体は、ランタナ系焼結助剤を用いて形成することができる。この組成物は、改善された摩耗特性よって利益を得ることができる種々の用途において有用な材料を提供する特性を示すことができる。この組成物は焼結及び熱間等静圧圧縮成形によって高密度化することができる。
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本発明は、少なくとも７０体積パーセントの量で存在する立方体窒化ホウ素粒子の多結晶塊と、性質上金属であるバインダ相とを含む立方体窒化成形体に向けられる。本発明は、バインダ相が好ましくは性質上超合金である成形体に及ぶ。 （もっと読む）

【課題】バーナーの小型化、少台数化、短時間の熱交換を図ることができ、しかも熱膨張、酸化、腐食等により損耗し難い蓄熱部材及び熱交換器を提供する。
【解決手段】理論密度比で９５％以上の緻密質セラミックスからなる蓄熱部材であって、緻密質セラミックスが、平均結晶粒径２〜５０μｍ、平均アスペクト比１０未満、純度８５質量％以上のアルミナ質セラミックス、平均結晶粒径２〜５０μｍ、平均アスペクト比１０未満、純度９０質量%以上のムライト質セラミックス、平均結晶粒径１〜２０μｍ、平均アスペクト比１５未満、純度８５質量%以上の窒化珪素質セラミックス、又は、平均結晶粒径０．５〜１０μｍ、平均アスペクト比１２未満、純度９０質量%以上の炭化珪素質セラミックスから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする蓄熱部材、及び、この蓄熱部材を少なくとも用いてなる熱交換器である。 （もっと読む）

【課題】イオンミリング加工法や反応性イオンエッチング法によって得られる流路面に出現する直径１００ｎｍ〜５００ｎｍの微小な気孔は相対的に大きい上、流路面の表面粗さがばらつきやすく、フェムトスライダー、アトスライダー等の小型化されたスライダーを用いた磁気ヘッドに適用することが部分的に難しい磁気ヘッド用基板であった。
【解決手段】アルミナを３５質量％以上７０質量％以下、ＴｉＣを３０質量％以上６５質量％以下の範囲である焼結体から成る磁気ヘッド用基板１であって、該磁気ヘッド用基板１の両主面部３および厚み方向の中央部２における密度の差が０．００４ｇ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】高い硬度及び優れた耐摩耗性を有する窒化ケイ素焼結体を提供すること。
【解決手段】主相としてα窒化ケイ素及びβ窒化ケイ素と、１０〜４０ｍｏｌ％の割合で含有される、平均粒径が大きくとも１．０μｍであるチタン炭窒化物とを含有して成ることを特徴とする窒化ケイ素質焼結体、これから形成された切削工具、切削インサート及び工具。 （もっと読む）