（Ｂａ_{ｌ−ｈ−ｉ−ｍ}Ｃａ_ｈＳｒ_ｉＧｄ_ｍ）_ｋ（Ｔｉ_{ｌ−ｙ−ｊ−ｎ}Ｚｒ_ｙＨｆ_ｊＭｇ_ｎ）Ｏ_３で表わされ、０．９９５≦ｋ≦１．０１５、０≦ｈ≦０．０３、０≦ｉ≦０．０３、０．０１５≦ｍ≦０．０３５、０≦ｙ＜０．０５、０≦ｊ＜０．０５、０≦（ｙ＋ｊ）＜０．０５および０．０１５≦ｎ≦０．０３５を満足する、チタン酸バリウム系複合酸化物からなる反応物を得、この反応物１００モルに対して、Ｍａ（Ｂａ等）を１．５モル未満、Ｍｂ（Ｍｎ等）を１．０モル未満、Ｍｃ（Ｓｉ等）を０．５モル以上かつ２．０モル以下それぞれ混合し、この混合物を焼成することによって、誘電体セラミックを得る。この誘電体セラミックは、耐湿性が良好で、ＪＩＳ規格のＦ特性およびＥＩＡ規格のＹ５Ｖ特性を満足し、比誘電率が９０００以上であり、高温での信頼性に優れている。
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【課題】 基板材料として、安価なステンレス金属材料の使用が可能で、かつ、圧電特性が優れたＰＺＴ厚膜を有する、積層型圧電セラミックス構造体及びその製造方法を得る。
【解決手段】 ステンレス金属基板１の上に、中間層を介して積層型圧電セラミックス層が形成された積層型圧電セラミックス構造体であって、前記中間層は、ステンレス金属基板１側に材質がニッケル層２と積層型圧電セラミック側には、材質が銅３との複合体である積層型圧電セラミックス構造体とする。 （もっと読む）

【課題】 高い誘電率と良好な温度特性を確保し、しかもＴＣバイアス特性が改善された積層セラミックコンデンサを提供すること。
【解決手段】 誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層２と、内部電極層３とが交互に積層してあるコンデンサ素子本体１０を有する積層セラミックコンデンサ１であって、前記誘電体磁器組成物が、実質的に主成分で構成されたコア２２ａの周囲に、副成分が主成分に拡散されたシェル２４ａを持つ複数の誘電体粒子２ａを有する誘電体磁器組成物であって、平均粒径の値を示す誘電体粒子を対象とした場合に、前記シェル２４ａの最大厚みｔ１と最小厚みｔ２の差（ｔ１−ｔ２）が、前記誘電体粒子の半径Ｒの６〜６０％に制御されている誘電体磁器組成物で構成されている積層セラミックコンデンサ１。
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【課題】 低温焼成可能な圧電磁器組成物を得るための技術を提供する。
【解決手段】 焼成に供される粉末として、比表面積が１．８〜１１．０ｍ²／ｇであるものを用いるようにした。これにより、焼結性が改善され、１０５０℃以下、さらには１０００℃以下で焼成しても焼結密度が高く所望の圧電特性を備えた圧電磁器を得ることができる。
圧電磁器は（Ｐｂ_a1Ａ_a2）［（Ｚｎ_1/3Ｎｂ_2/3）_xＴｉ_yＺｒ_z］Ｏ₃で表される主成分（但し、ＡはＳｒ，ＢａおよびＣａから選ばれる少なくとも１種の金属元素であり、０．９６≦ａ１＋ａ２≦１．０３、０≦ａ２≦０．１０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０．０５≦ｘ≦０．４０、０．１≦ｙ≦０．５、０．２≦ｚ≦０．６を満たす原子比である）とすることができる。 （もっと読む）

【課題】
酸化物からなるｎ型熱電変換材料で、特に熱伝導度の値（κ）がより小さい材料を提供することにある。
【解決手段】
アルカリ土類金属（Ａｅ）とチタン（Ｔｉ）と酸素とを含有する化合物であって、チタンとアルカリ土類金属とのモル比（Ｔｉ／Ａｅ）が２以上の値であり、チタン原子の少なくとも一部が３価のチタンイオンであることを特徴とする熱電変換材料。焼結により熱電変換材料となる金属化合物混合物を焼結することによる熱電変換材料の製造方法であって、該金属化合物混合物がアルカリ土類金属（Ａｅ）およびチタン（Ｔｉ）を、Ｔｉ／Ａｅのモル比で２以上の値となるように含有し、該金属化合物混合物を不活性ガス雰囲気中または還元性雰囲気中において９００℃以上１７００℃以下の範囲の温度で保持して焼結することを特徴とする熱電変換材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 基板材料としてＳｉ、セラミックスの他、ステンレスや銅，鉄，ニッケルなどの安価な金属材料の使用が可能で、かつ、圧電特性が優れたＰＺＴ等の鉛を含む圧電セラミックス厚膜を有する、積層圧電セラミックス構造体とその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板３と、鉛を含む圧電セラミックス厚膜１との間に、銅または白金族金属からなる金属層を中間層２として積層した積層圧電セラミックス構造体で、前記鉛を含む圧電セラミックスは、ＭｎＯ、Ｍｎ₂Ｏ₃、Ｍｎ₃Ｏ₄、ＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯのうち、少なくとも一種を含有して、耐還元性を有しており、前記圧電セラミックス層は、エアロゾルデポジション法により形成し、前記積層圧電セラミックス構造体を不活性雰囲気中、または、還元性雰囲気中で熱処理を行う積層圧電セラミックス構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】誘電体層をより薄層化しても、誘電特性や静電容量の温度特性を損なうことなく、絶縁性や高温負荷寿命等の信頼性を向上させる。
【解決手段】（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３を主成分とし、該主成分に第１〜第４の添加成分が含有されている。第１の添加成分が、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷの中から選択された少なくとも１種を含み、第２の添加成分が所定の希土類元素からなり、第３の添加成分が、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｇ及びＡｌの中から選択された少なくとも１種を含み、第４の添加成分が少なくともＳｉを含有した焼結助剤からなる。そして、第１の添加成分２が主成分粒子１に固溶されると共に、第１の添加成分２の前記主成分粒子１への固溶距離Ｌが、主成分粒子１の外表面１ａから内部方向に向かって前記主成分粒子１の半径Ｒの１／１００以上かつ１／３以下である。
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【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性や温度特性を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムと、ＳｉＯ_２ 及びＣａＯを主成分とするガラス成分と、添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記添加物成分の原料を除いて、前記チタン酸バリウムの原料と前記ガラス成分の原料を混合し、前記チタン酸バリウムの原料をＢａＴｉＯ_３ に換算したときの該ＢａＴｉＯ_３ １００モルに対する前記ガラス成分の原料の比率が、Ｃａ量に換算して０〜２モル（但し、０モルと２モルを除く）である混合粉体を準備する工程と、準備された混合粉体を９５０℃未満で２時間超の時間、仮焼きして仮焼粉体を得る工程と、得られた仮焼粉体に前記添加物成分の原料を混合し、最終組成の誘電体原料を得る工程とを、有する誘電体磁器組成物の製造方法。
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【課題】誘電体層が薄い積層セラミックコンデンサであっても直流電圧による静電容量変化の少ない、即ち優れたＤＣバイアス特性を持つ積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【解決手段】チタン酸カルシウムが主成分の結晶粒子から構成され、この結晶粒子の中央部分を半導体相、周辺部分を常誘電体相としたセラミック誘電体を用いることにより、静電容量が大きく、かつＤＣバイアス特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】容量の経時変化である容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性を満足し、Ｔｃバイアス特性変化率が小さく、加速試験における抵抗変化率が小さく、信頼性に優れる誘電体磁器組成物および電子部品を提供する。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、酸化シリコンを主成分とする第１副成分と、ＣａＺｒＯ₃、またはＣａＯとＺｒＯ₂の混合体を含む第２副成分と、Ｓｃ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される第１の希土類元素（Ｒ１）の酸化物からなる第３副成分と、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｅｕのから選択される第２の希土類元素（Ｒ２）の酸化物からなる第４副成分と、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯから選択される第５副成分と、Ｖ₂Ｏ₅、ＭｏＯ₃、ＷＯ₃から選択される第６副成分と、を少なくとも有する誘電体磁器組成物であって、第１副成分〜第４副成分の関係において、各副成分割合が所定の関係を満たすように構成する。 （もっと読む）

【課題】 容量の経時変化である容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）を満足し、加速試験における抵抗変化率が小さく（平均寿命が長く）、信頼性に優れる積層型セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層を構成する結晶粒子に第１の希土類元素（Ｒ１）および第２の希土類元素（Ｒ２）がそれぞれ拡散されており、平均粒径の結晶粒子において、第１の希土類元素（Ｒ１）の結晶粒子表面からの拡散層深さｄ１が結晶粒子の径Ｄに対して占める割合をＸ１（％）とし、第２の希土類元素（Ｒ２）の結晶粒子表面からの拡散層深さｄ２が結晶粒子の径Ｄに対して占める割合をＸ２（％）とした場合、第２の希土類元素（Ｒ２）の拡散層深さｄ２が第１の希土類元素（Ｒ１）の拡散層深さｄ１よりも深部に及んでおり、Ｘ１＝１０〜３５％、かつＸ２＞Ｘ１（ｄ２＞ｄ１と同義）の関係が成立してなるように構成される。 （もっと読む）

一般実験式Ｐｂ_１−ａＲＥ_ｂＺｒ_ｘＴｉ_ｙＴＲ_ｚＯ_３を有する圧電セラミック組成物が記載され、ここでＲＥはユウロピウム、ガドリニウム、ランタン、ネオジム、プラセオジム、プロメチウム及び／又はサマリウムの群から選択され、希土類金属分率ｂを有する少なくとも１つの希土類金属であり、ＴＲはクロム、鉄及び／又はマンガンの群から選択され、遷移金属原子価Ｗ_ＴＲ及び遷移金属分率ｚを有する少なくとも１つの遷移金属であり、かつ次の関係があてはまる：ｚ＞ｂ／（４−Ｗ_ＴＲ）。遷移金属−及び希土類金属−ドーピングからなる非−化学量論ドーピング比により、最大の粒度を有する均質なＰＺＴ−結晶が低い焼結温度でも達成される。ドーピングの変化により、前記組成物を有するＰＺＴ−セラミックの圧電性は古典的なソフト系ＰＺＴの圧電性から古典的なハード系ＰＺＴの圧電性まで変化されることができる。圧電セラミック体は例えばモノリシックの多層構造様式の圧電アクチュエーターであり、これは大信号範囲における大きなｄ_３３−定数及び低い内部損失に基づいて自動車のエンジンにおける多重噴射に使用可能である。
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