【課題】高電界強度の電圧が印加されても良好な誘電特性を有し、高温負荷試験の寿命特性が優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】本発明に係る誘電体セラミックは、主成分としてＡＢＯ₃（ただし、Ａは、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒのうちの少なくとも１種であり、Ｂは、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆのうちの少なくとも１種である。）を含み、副成分としてＣａＣｕ₃Ｔｉ₄Ｏ₁₂を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】１μｍ未満に薄層化した場合であっても、高温負荷特性と静電容量の温度特性とが両立可能な誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサの実現。
【解決手段】結晶構造が異なる第１の結晶粒子１と第２の結晶粒子２とが混在した混晶系構造を有している。主相粒子はチタン酸バリウム系化合物を主成分とし、Ｌａ、Ｃｅ等の特定の希土類元素を含有している。第１の結晶粒子１は、特定の希土類元素Ｒが主相粒子に固溶していない主相粒子単独領域３と、特定の希土類元素Ｒが主相粒子に固溶した表層部の希土類元素固溶領域４とからなる。第２の結晶粒子２は、コア・シェル構造を有し、シェル部６は特定の希土類元素Ｒが主相粒子に固溶している。そして、第１及び第２の結晶粒子１、２の全結晶粒子に対する個数割合は、第１の結晶粒子１が１２〜８４％であり、第２の結晶粒子２は１６〜８８％とする。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率であり、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足しつつ、ＤＣバイアス特性およびＤＣエージング特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層５が、チタン酸バリウムを主成分とし、カルシウムと、マグネシウムと、希土類元素とを有するとともに、主結晶粒子が、コアシェル構造の結晶粒子からなり、該結晶粒子は、カルシウムの濃度が０．３原子％より少ない第１の結晶粒子と、カルシウムの濃度が０．３原子％以上である第２の結晶粒子とを有するとともに、平均粒径が０．１５〜０．４μｍであり、コア部９ａの結晶構造が正方晶系であるとともに、前記コア部を取り囲むシェル部９ｂの結晶構造が立方晶系であり、かつＸ線回折情報を基に算出した前記シェル部９ｂの平均厚みが５〜１５ｎｍである誘電体磁器からなる。 （もっと読む）

【課題】容量温度特性の絶対値が大きくても、広い温度範囲において容量変化率を該絶対値に対し所定範囲にある誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ}Ｓｒ_ｘＣａ_ｙ）_ｍ（Ｔｉ_１−ｚＺｒ ）Ｏ_３で表される主成分を有する誘電体磁器組成物の製造方法であり、（Ｂａ_{１−ｘ１−ｙ}Ｓｒ_ｘ１Ｃａ_ｙ）_ｍ（Ｔｉ_１−ｚＺｒ_ｚ）Ｏ_３で表される第１主成分原料と、（Ｂａ_{１−ｘ２−ｙ}Ｓｒ_ｘ２Ｃａ_ｙ）_ｍ（Ｔｉ_１−ｚＺｒ_ｚ）Ｏ_３で表される第２主成分原料とを準備する工程と、第１主成分および第２主成分の原料を混合、焼成する工程とを有し、第１主成分のモル数をａ、第２主成分のモル数をｂとし、ａ＋ｂ＝１、ａ：ｂ＝２０：８０〜８０：２０、０．２０≦ｘ≦０．４０、ｘ＝ａｘ１＋ｂｘ２、ｘ１／ｘ２≧１．０５、０≦ｙ≦０．２０、０≦ｚ≦０．３０、０．９５０≦ｍ≦１．０５０である。 （もっと読む）

【課題】ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａを必ず含み、さらにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含むことがある。Ｂは、Ｔｉを必ず含み、さらにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含むことがある。）を主成分とし、副成分として、Ｒｅ（Ｒｅは、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｓｃ、Ｙ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｂ、ＴｍおよびＬｕのうちの少なくとも１種）を含む、誘電体セラミックについて、その誘電率を高める。
【解決手段】誘電体セラミック１１は、ＡＢＯ_３系の主成分からなる主相粒子１２と、主相粒子１２とは異なる組成を有する二次相粒子１３とを含む。この誘電体セラミック１１中のＲｅの全含有量に対する、二次相粒子１３中のＲｅ含有量の割合を５０％以上とし、Ｒｅの分布を二次相粒子１３により多く集中させる。二次相粒子中のＲｅ含有量は３０モル％以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】容量温度特性の絶対値が大きい場合であっても、広い温度範囲において、容量変化率を該絶対値に対し所定の範囲にすることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ} Ｓｒ_ｘ Ｃａ_ｙ ）_ｍ （Ｔｉ_１−ｚ Ｚｒ_ｚ ）Ｏ_３で表される主成分と、Ｍｇ酸化物と、Ｍｎ（Ｃｒ）酸化物と、希土類酸化物と、Ｓｉを含む酸化物と、Ｂａ、ＳｒおよびＺｒを含む複合酸化物と、を有し、０.２０≦ｘ≦０．４０、０≦ｙ≦０．２０、０≦ｚ≦０．３０、かつ０．９５０≦ｍ≦１．０５０であり、−２５〜１０５℃の温度範囲において、２５℃における静電容量を基準とした容量温度特性を示す傾きａを有する直線に対して、２５℃を基準とした静電容量変化率が−１５〜＋５％の範囲内にあり、傾きａが−５５００〜−１８００ｐｐｍ／℃である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、誘電体磁器組成物及びそれを含む積層セラミックキャパシタに関する。
【解決手段】本発明による誘電体磁器組成物は、Ｂａ_ｍ（Ｔｉ_１−ｘＺｒ_ｘ）Ｏ_３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０，０＜ｘ≦０．１０）で表される母材粉末と第１副成分〜第５副成分を含む。本発明による誘電体磁器組成物を含む積層セラミックキャパシタは、高誘電率及び優れた高温信頼性を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させつつ、良好な比誘電率や温度特性が得られる誘電体磁器組成物および該誘電体磁器組成物が適用された電子部品を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３および（Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３から選ばれる１つからなる主成分、希土類元素の酸化物、およびＢａを含む複合化合物を複合化合物換算で９〜１３モル含有する誘電体磁器組成物であって、誘電体磁器組成物が、非拡散相とＲ元素が含まれる拡散相とからなる表面拡散構造を有する表面拡散粒子を有しており、表面拡散粒子において、非拡散相が占める面積をＳ１、拡散相が占める面積をＳ２とすると、Ｓ１：Ｓ２＝２０：８０〜３０：７０（ただしＳ１＝３０およびＳ２＝７０を除く）であり、表面拡散粒子における前記Ｒ元素の平均濃度をＣとした場合、４．８≦Ｓ２×Ｃ≦５．８である。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率であり、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足しつつ、ＤＣバイアス特性およびＤＣエージング特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層５が、チタン酸バリウム１００モルに対して、バナジウムを０〜０．１モル、マグネシウムを０．５〜１．２モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウム，テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素を０．５〜１．０モルおよびマンガンを０〜０．２モル含有する誘電体磁器からなるとともに、結晶構造が正方晶系のコア部９ａと、該コア部９ａを取り囲み前記バナジウム、前記マグネシウム、前記希土類元素および前記マンガンのうち少なくとも１種の添加成分が固溶しており結晶構造が立方晶系のシェル部９ｂとからなり、該シェル部９ｂの平均厚みｔが５〜１５ｎｍであるとともに、前記結晶粒子の平均粒径が０．１５〜０．４μｍである。 （もっと読む）

【課題】９５％以上の相対密度を有するセラミックス／金属窒化物コンポジット、及び、当該セラミックス／金属窒化物コンポジットの製造方法を提供する。
【解決手段】金属粒子を粉体状のセラミックスに混合して得た混合粉末を用いて成形体を製造する工程Ａと、前記成形体を、熱間等方圧加圧法の実施に適した容器内に設置して圧力１〜５０ＭＰａの窒素ガス雰囲気下で、徐々に昇温させて１２００〜１８００℃の温度で一次熱処理を行い、当該熱処理により得られる焼結体の組織を閉気孔として金属粒子を窒化させる工程Ｂと、その後、圧力１００ＭＰａ以上の窒素ガスを容器内に導入して１２００〜１８００℃の温度を一定時間維持して二次熱処理を行い、相対密度９５％以上のセラミックス／金属窒化物コンポジットを製造する工程Ｃを含む。好ましい金属粒子はモリブデン粉末やチタン粉末であり、好ましいセラミックスはアルミナである。 （もっと読む）

【課題】高い比誘電率を示し、絶縁抵抗に優れ、十分な信頼性が確保されたコンデンサ等の電子部品を製造するのに好適な誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】一般式（Ｂａ_１−αＭ_α）_Ａ（Ｔｉ_１−βＭｎ_β）_ＢＯ_３で表され、結晶構造が六方晶であって、Ｍの１２配位時の有効イオン半径が、１２配位時のＢａ^２＋の有効イオン半径に対して±２０％以内であり、Ａ、Ｂ、αおよびβが、０．９００≦（Ａ／Ｂ）≦１．０４０、０．００３≦α≦０．０５、０．０３≦β≦０．２の関係を満足する六方晶系チタン酸バリウムを主成分とし、該主成分１００モルに対し、副成分としてＭｇＯ等のアルカリ土類酸化物と、Ｍｎ_３Ｏ_４および／またはＣｒ_２Ｏ_３と、ＣｕＯと、Ａｌ_２Ｏ_３と、希土類元素酸化物と、ＳｉＯ_２を含むガラス成分とを特定量含んでなる誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率であるとともに比誘電率のばらつきが小さく、かつ低い分極電荷を示すとともに分極電荷のばらつきの小さい積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とし立方晶系の結晶粒子を有し、前記結晶粒子の平均粒径が０．０８〜０．２μｍであるとともにＹｂ_２ＴｉＯ_５相を有する誘電体磁器からなり、積層セラミックコンデンサを酸に溶解させて求められる元素の含有量が、バリウム１モルに対して、イットリウムがＹＯ_３／２換算で０．００５〜０．０３モル、マンガンがＭｎＯ換算で０．０２〜０．０４モル、マグネシウムがＭｇＯ換算で０．００７５〜０．０４モル、イッテルビウムがＹｂＯ_３／２換算で０．０２５〜０．１２モルであり、かつ前記誘電体層のＸ線回折分析のリートベルト法解析において、バリウム１モルに対する前記Ｙｂ_２ＴｉＯ_５の含有量が０．００２５〜０．００８０モルである。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が薄層化されても、誘電体セラミックの比誘電率が高く、温度変化や機械的衝撃に対する信頼性に優れた、積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１の誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックとして、（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（ただし、０．０４５≦ｘ≦０．１５）を主成分とし、かつＲｅ_２Ｏ_３（ただし、Ｒｅは、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、ＹｂおよびＹから選ばれる少なくとも１種）、ＭｇＯ、ＭｎＯ、Ｖ_２Ｏ_５およびＳｉＯ_２を副成分とし、一般式：１００（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３＋ａＲｅ_２Ｏ_３＋ｂＭｇＯ＋ｃＭｎＯ＋ｄＶ_２Ｏ_５＋ｅＳｉＯ_２で表わされ、０．６５≦ａ≦１．５、０．１５≦ｂ≦２．０、０．４≦ｃ≦１．５、０．０２≦ｄ≦０．２５、および０．２≦ｅ≦３．０の各条件を満足する、誘電体セラミックを用いる。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が薄層化されても、信頼性、特に耐湿負荷試験および高温負荷試験における寿命特性に優れた、積層セラミックコンデンサを実現できる、誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】ＢａＴｉＯ₃系を主成分とし、副成分として、希土類元素Ｒ（ＲはＮｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、ＹｂおよびＹから選ばれる少なくとも１種）、Ｍ（ＭはＭｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、ＷおよびＶから選ばれる少なくとも１種）、ＳｉＯ₂およびＣａＯを含有する、誘電体セラミック。この誘電体セラミックに含まれる結晶粒子のうち、Ｓｉが固溶している結晶粒子１１の個数割合が５％以上である。 （もっと読む）

【課題】脱脂工程におけるセラミックス成形体の割れが抑制され、焼成工程に仕込む際等のハンドリングに十分な強度を有するチタン酸アルミニウム系セラミックス焼成体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、アルミニウム源粉末およびチタニウム源粉末を含む無機成分と、有機成分とを含む原料混合物を成形してセラミックス成形体を得る成形工程、酸素濃度０．１％以下の雰囲気中において、最高温度が７００℃以上１１００℃以下である温度条件で、上記セラミックス成形体に含まれる上記有機成分を除去する脱脂工程、および、上記セラミックス成形体を、最高温度１３００℃以上の温度条件で焼成する焼成工程をこの順で含み、上記焼成工程の昇温過程が、酸素濃度１％以上６％以下の雰囲気中において行われる、チタン酸アルミニウム系セラミックス焼成体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサのような積層セラミック電子部品において、内部電極の厚みが薄くされても、構造欠陥を生じにくくする。
【解決手段】たとえば積層セラミックコンデンサ１において、内部電極４，５は卑金属を導電成分として含み、誘電体セラミック層３は、ＡＢＯ₃（Ａは、Ｂａを必ず含み、さらにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含むことがある。Ｂは、Ｔｉを必ず含み、さらにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含むことがある。）を主成分とし、副成分として、Ｌｉ、ＫおよびＮａから選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属元素を含有する、誘電体セラミックから構成される。各内部電極４，５の厚みは０．５μｍ以下であり、上記誘電体セラミックにおいて、アルカリ金属元素の含有量は主成分１００モル部に対して０．２モル部以上とされる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ハニカム形状などの成形体形状を損なうことなく、焼成時の線収縮率（焼成収縮率）が大きい焼成体を製造しうる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、成形体を焼成する工程を含むセラミックス焼成体の製造方法であって、成形体の寸法に対する焼成体の寸法の線収縮率（線収縮率（％）＝（成形体の寸法−焼成体の寸法）／（成形体の寸法）×１００）が１％以上であり、成形体は、高熱伝導率セラミックスからなる敷物上に配置した状態で焼成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率であるとともに、比誘電率のばらつきが小さく、かつ分極電荷の小さい積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層５が、チタン酸バリウムを主成分とする結晶相を主結晶相とし、前記結晶相が立方晶系を主体とする結晶構造を有するとともに、前記結晶相を構成する結晶粒子の平均粒径が０．０６〜０．２０μｍであり、イットリウム、マンガン、マグネシウムおよびイッテルビウムを含有する誘電体磁器からなり、前記積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層５のＸ線回折分析のリートベルト法解析におけるバリウム１モルに対してＹｂ_２Ｏ_３の含有量が０．００７５〜０．０２３モルである。 （もっと読む）

【課題】 高温負荷寿命の向上を実現し、信頼性の高いセラミック電子部品およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】誘電体層および電極層を有するセラミック電子部品であって、誘電体層２が、ＡＢＯ_３（ＡはＢａ、ＣａおよびＳｒから選ばれる少なくとも１つ、ＢはＴｉおよびＺｒから選ばれる少なくとも１つである）で表される化合物と、希土類元素の酸化物と、を含有する誘電体磁器組成物から構成されており、誘電体層２には、希土類元素の酸化物のみが偏析している偏析領域２０が存在しており、誘電体層２の断面において、１．０×１．０μｍの視野面積に対し、偏析領域２０が占める面積の割合が０．４５〜０．９０％である。希土類元素の酸化物の含有量は１．０〜２．０モル％が好ましい。偏析領域の面積割合はたとえば焼成時の昇温速度を７００〜２０００℃／時間とすることで制御できる。 （もっと読む）

【課題】静電容量の温度特性を示すＸ７Ｒ特性（ＥＩＡ規格）およびＢ特性（ＥＩＡＪ規格）をいずれも満足することができ、且つ、静電容量および絶縁抵抗の電圧依存性が小さく、絶縁破壊耐力に優れ、内部電極層としてＮｉまたはＮｉ合金が使用可能な積層コンデンサなどの電子部品と、その電子部品の誘電体層として用いて好適な誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムと、Ｍ成分（ただし、Ｍはマンガン酸化物、鉄酸化物、コバルト酸化物およびニッケル酸化物の群から選択される少なくとも１種類以上の成分）とを主成分とし、強誘電体相領域を有する誘電体磁器組成物であって、前記強誘電体相領域における前記Ｍ成分の濃度が、外側から中心に向けて変化している。 （もっと読む）