誘電体磁器組成物及びそれを含む積層セラミックキャパシタ
【課題】本発明は、誘電体磁器組成物及びそれを含む積層セラミックキャパシタに関する。
【解決手段】本発明による誘電体磁器組成物は、Ｂａｍ（Ｔｉ１−ｘＺｒｘ）Ｏ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０，０＜ｘ≦０．１０）で表される母材粉末と第１副成分〜第５副成分を含む。本発明による誘電体磁器組成物を含む積層セラミックキャパシタは、高誘電率及び優れた高温信頼性を有する。
【解決手段】本発明による誘電体磁器組成物は、Ｂａｍ（Ｔｉ１−ｘＺｒｘ）Ｏ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０，０＜ｘ≦０．１０）で表される母材粉末と第１副成分〜第５副成分を含む。本発明による誘電体磁器組成物を含む積層セラミックキャパシタは、高誘電率及び優れた高温信頼性を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体磁器組成物及びそれを含む積層セラミックキャパシタに関し、より詳しくは、高誘電率及び優れた高温信頼性を有する誘電体磁器組成物及びそれを含む積層セラミックキャパシタに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的にキャパシタ、インダクタ、圧電素子、バリスタ、またはサーミスタ等のセラミック材料を使用する電子部品は、セラミック材料から成るセラミック素体と、素体内部に形成された内部電極と、上記内部電極と接続されるようにセラミック素体表面に設置された外部電極とを具備する。
【０００３】
セラミック電子部品のうち積層セラミックキャパシタは、積層された複数の誘電体層と、一誘電体層を介し対向配置される内部電極と、上記内部電極に電気的に接続された外部電極とを含む。
【０００４】
積層セラミックキャパシタは、小型でありながら高容量が保障され実装が容易であるという長所から、コンピュータ、ＰＤＡ、携帯電話等の移動通信装置の部品として広く使用されている。
【０００５】
積層セラミックキャパシタは、通常、内部電極層用ペーストと誘電体層用ペーストとをシート法や印刷法等によって積層し、同時焼成して製造される。
【０００６】
ところが、従来の積層セラミックキャパシタ等に用いられる誘電体材料は還元性雰囲気下で焼成すると、還元されて半導体化する性質を有する。このため、内部電極の材料として、誘電体材料が焼結する温度で溶融されず、誘電体材料を半導体化しない高い酸素分圧下で焼成しても酸化されないＰｄ等の貴金属が利用されている。
【０００７】
しかし、Ｐｄ等の貴金属は高価であるため、積層セラミックキャパシタの低価格化に大きな支障を及ぼす。そのため、内部電極材として比較的安価なＮｉやＮｉ合金等の非金属が主に使用されている。ところが、内部電極層の導電材として非金属を利用する場合、大気中で焼成を行うと内部電極層が酸化される。従って、誘電体層と内部電極層の同時焼成を還元性雰囲気で行う必要がある。
【０００８】
しかしながら、還元性雰囲気下で焼成すると、誘電体層が還元されて絶縁抵抗（ＩＲ）が低くなる。このため、非還元性の誘電体材料が提案されている。また、静電容量の温度変化が小さく、−１５０〜＋１５０ｐｐｍ／℃の範囲で任意に制御可能な温度補償用誘電体磁器組成物に対する要求が高まっている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、高誘電率及び優れた高温信頼性を有する誘電体磁器組成物及びそれを含む積層セラミックキャパシタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するための手段として、本発明の一実施形態は、Ｂａｍ（Ｔｉ１−ｘＺｒｘ）Ｏ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０，０＜ｘ≦０．１０）で表される母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、及びＺｒのうち少なくとも１つを含む酸化物または炭化物である０．０５〜６．００モルの第１副成分と、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ａｃ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕのうち少なくとも１つを含む酸化物である０．２〜３．０モルの第２副成分と、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉのうち少なくとも１つを含む酸化物である０．０５〜０．５０モルの第３副成分と、Ｖ、Ｎｂ及びＴａのうち少なくとも１つを含む酸化物である０．０５〜０．３５モルの第４副成分と、Ｓｉ及びＡｌのうち少なくとも１つを含む酸化物である０．５〜４．００モルの第５副成分と、を含む誘電体磁器組成物を提供する。
【００１１】
上記第１副成分に対する上記第５副成分の含量比は、０．７５〜１．５０であることができる。
【００１２】
上記第３副成分及び第４副成分の含量の合計は、上記母材粉末１００モルに対して０．１〜０．８モルであることができる。
【００１３】
上記第１から第５副成分のうち少なくとも１つ以上は、比表面積が２．０ｍ２／ｇ以上であることができる。
【００１４】
上記第１副成分及び第５副成分は、１つの化合物の形態で添加されることができる。
【００１５】
本発明の他の実施形態は、誘電体層と第１及び第２の内部電極が交互に積層されたセラミック素体と、上記セラミック素体の両端部に形成され、上記第１及び第２の内部電極と電気的に連結される第１及び第２の外部電極と、を含み、上記誘電体層は、Ｂａｍ（Ｔｉ１−ｘＺｒｘ）Ｏ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０，０＜ｘ≦０．１０）で表される母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、及びＺｒのうち少なくとも１つを含む酸化物または炭化物である０．０５〜６．００モルの第１副成分と、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ａｃ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕのうち少なくとも１つを含む酸化物である０．２〜３．０モルの第２副成分と、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉのうち少なくとも１つを含む酸化物である０．０５〜０．５０モルの第３副成分と、Ｖ、Ｎｂ及びＴａのうち少なくとも１つを含む酸化物である０．０５〜０．３５モルの第４副成分と、Ｓｉ及びＡｌのうち少なくとも１つを含む酸化物である０．５〜４．００モルの第５副成分と、を含む積層セラミックキャパシタを提供する。
【００１６】
上記第１及び第２の内部電極は、ＮｉまたはＮｉ合金を含むことができる。
【００１７】
上記第１副成分に対する上記第５副成分の含量比は、０．７５〜１．５０であることができる。
【００１８】
上記第３副成分及び第４副成分の含量の合計は、上記母材粉末１００モルに対して０．１〜０．８モルであることができる。
【００１９】
上記第１から第５副成分のうち少なくとも１つ以上は、比表面積が２．０ｍ２／ｇ以上であることができる。
【００２０】
上記第１副成分及び第５副成分は、１つの化合物の形態で添加されることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明による誘電体磁器組成物は、高誘電率及び高温信頼性が確保され、低温の還元雰囲気で焼成可能であるため、Ｎｉ内部電極を使用することができる。
【００２２】
本発明による誘電体組成物は、キャパシタ、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、またはサーミスタ等の電子部品に適用されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを示す概略的な斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ'に沿って切断した積層セラミックキャパシタを示す概略的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、添付された図面を参照し本発明の好ましい実施形態を説明する。
【００２５】
しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は当該技術分野において平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。従って、図面における要素の形状及びサイズ等は明確な説明のために誇張されることがあり、図面上の同一の符号で表示される要素は同一の要素である。
【００２６】
本発明は誘電体磁器組成物に関し、誘電体磁器組成物を含む電子部品にはキャパシタ、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、またはサーミスタ等があり、以下では、電子部品の一例として積層セラミックキャパシタについて説明する。
【００２７】
図１は、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタ１００を示す概略的な斜視図であり、図２は、図１のＡ−Ａ'に沿って切断した積層セラミックキャパシタ１００を示す概略的な断面図である。
【００２８】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施例による積層セラミックキャパシタ１００は、誘電体層１１１と第１及び第２の内部電極１３０ａ、１３０ｂが交互に積層されたセラミック素体１１０を有する。セラミック素体１１０の両端部には、セラミック素体１１０の内部に交互に配置された第１及び第２の内部電極１３０ａ、１３０ｂとそれぞれ導通する第１及び第２の外部電極１２０ａ、１２０ｂが形成されている。
【００２９】
セラミック素体１１０の形状は特に制限されないが、通常、直方体形状であることができる。また、そのサイズも特に制限されないが、用途によって適切なサイズにすることができ、例えば、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜１．９ｍｍ）であることができる。
【００３０】
誘電体層１１１の厚さはキャパシタの容量設計に合わせて任意に変更できるが、本発明の一実施例において、焼成後、誘電体層の１層当たりの厚さは、好ましくは０．２μｍ以上であることができる。非常に薄いアクティブ層は、一層内に存在する結晶粒数が小さく、信頼性に悪影響を及ぼすため、誘電体層の厚さは０．２μｍ以上であることができる。
【００３１】
第１及び第２の内部電極１３０ａ、１３０ｂは、各端面がセラミック素体１１０の対向する両端部の表面に交互に露出されるように積層されている。第１及び第２の外部電極１２０ａ、１２０ｂはセラミック素体１１０の両端部に形成され、交互に配置された第１及び第２の内部電極１３０ａ、１３０ｂの露出端面に電気的に連結されてキャパシタ回路を構成する。
【００３２】
第１及び第２の内部電極１３０ａ、１３０ｂに含有される導電材は特に限定されないが、誘電体層の構成材料が耐還元性を有するため、非金属を利用することができる。
【００３３】
導電材として利用する非金属には、ＮｉまたはＮｉ合金であることができる。Ｎｉ合金には、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ及びＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉの合金であることができ、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることができる。
【００３４】
第１及び第２の内部電極１３０ａ、１３０ｂの厚さは、用途等によって適切に決定されることができるが、例えば、０．１〜５μｍ、または、０．１〜２．５μｍであることができる。
【００３５】
第１及び第２の外部電極１２０ａ、１２０ｂに含有される導電材は特に限定されないが、Ｎｉ、Ｃｕ、またはこれらの合金を利用することができる。第１及び第２の外部電極１２０ａ、１２０ｂの厚さは、用途等によって適切に決定されることができるが、例えば、約１０〜５０μｍであることができる。
【００３６】
上記セラミック素体１１０を構成する誘電体層１１１は、本発明の誘電体磁器組成物を含有する。
【００３７】
本発明の一実施例による誘電体磁器組成物は、Ｂａｍ（Ｔｉ１−ｘＺｒｘ）Ｏ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０，ｘ≦０．１０）で表される母材粉末と第１副成分〜第５副成分を含む。
【００３８】
本発明の一実施例による誘電体磁器組成物は、高誘電率及び高温信頼性が確保され、低温の還元雰囲気で焼成可能であるため、Ｎｉ内部電極を使用することができる。
【００３９】
以下、本発明の一実施例による誘電体磁器組成物の各成分について、さらに具体的に説明する。
【００４０】
ａ）Ｂａｍ（Ｔｉ１−ｘＺｒｘ）Ｏ３
本発明の一実施例は、Ｂａｍ（Ｔｉ１−ｘＺｒｘ）Ｏ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０，０＜ｘ≦０．１０）で表される母材粉末を含む。上記式において、ｍが０．９９５未満であると、還元性雰囲気での焼成により容易に還元され、誘電体磁器組成物が半導性物質に変わることがあり、ｍが１．０１０を超過すると、焼成温度が高くなることがある。上記式において、ｘが０．１を超過すると、所望の温度特性から外れることがある。
【００４１】
ｂ）第１副成分
本発明の一実施例は、第１副成分として、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ及びＺｒのうち少なくとも１つ以上を含む酸化物または炭化物を含む。上記第１副成分は、誘電体磁器組成物の耐還元性、粒成長制御及び焼結安定性を付与する役割をする。
【００４２】
上記第１副成分の含量は、母材粉末１００モルに対して０．０５〜６．００モルで含まれる。上記第１副成分の含量が０．０５モル未満であると、還元性雰囲気での焼成により容易に還元され、粒成長制御が困難なことがあり、６．００モルを超過すると、焼結温度が上昇して、所望の誘電定数値を得ることが困難なことがある。
【００４３】
ｃ）第２副成分
本発明の一実施例は、第２副成分として、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ａｃ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕのうち少なくとも１つを含む酸化物を含む。上記第２副成分は、高温加速寿命を向上させ、キュリー温度（Ｔｃ）以上での容量変化を安定化させる役割をし、所望の温度特性を満足するようにする。
【００４４】
上記第２副成分の含量は、母材粉末１００モルに対して０．２〜３．０モルで含まれる。上記第２副成分の含量が０．２モル未満であると、高温加速寿命が低下することがあり、静電容量変化率（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ、ＴＣＣ）が不安定なことがあり、３．０モルを超過すると、焼結温度が上昇して、所望の誘電定数値を得ることが困難なことがあり、２次相の発生により、信頼性が低下するという問題が発生することがある。
【００４５】
ｄ）第３副成分
本発明の一実施例は、第３副成分として、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉのうち少なくとも１つを含む酸化物を含む。上記第３副成分は、絶縁抵抗（ＩＲ）を増加させ、高温加速寿命を向上させる役割をする。
【００４６】
上記第３副成分の含量は、母材粉末１００モルに対して０．０５〜０．５０モルで含まれる。上記第３副成分の合計が０．０５モル未満であると、高温加速寿命が低下することがあり、静電容量変化率が不安定なことがあり、０．５０モルを超過すると、Ｃ＊Ｒ値（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ＊Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が低下することがあり、時間による容量変化が大きくなることがある。
【００４７】
ｅ）第４副成分
本発明の一実施例は、第４副成分として、Ｖ、Ｎｂ及びＴａのうち少なくとも１つを含む酸化物を含む。上記第４副成分は、高温加速寿命を向上させ、キュリー温度（Ｔｃ）以上での容量変化を安定化させる役割をする。
【００４８】
上記第４副成分の含量は、母材粉末１００モルに対して０．０５〜０．３５モルで含まれる。上記第４副成分の含量が０．０５モル未満であると、高温加速寿命が低下することがあり、０．３５モルを超過すると、Ｃ＊Ｒ値が低下することがある。
【００４９】
また、上記第３副成分及び第４副成分の含量の合計は、母材粉末１００モルに対して０．１モル〜０．８モルであることができる。上記第３副成分及び第４副成分の含量の合計が０．１０モル未満であると、粒成長制御が困難なことがあり、且つ高温加速寿命が低下することがあり、０．８モルを超過すると、時間による容量変化が大きくなることがあり、Ｃ＊Ｒ値が低下することがある。
【００５０】
ｆ）第５副成分
本発明の一実施例は、第５副成分として、Ｓｉ及びＡｌのうち少なくとも１つを含む酸化物を含む。上記第５副成分は、他の成分、特に、第１副成分または母材粉末と反応して焼結性を付与する。
【００５１】
上記第５副成分の含量は、母材粉末１００モルに対して０．５モル〜４．０モルで含まれる。上記第５副成分の含量が０．５モル未満であると、焼成温度が高くなる虞があり、４．０モルを超過すると、粒成長を制御することが困難なことがあり、所望の誘電定数値を得ることが困難なことがある。
【００５２】
また、上記第１副成分に対する上記第５副成分の含量比は、０．７５〜１．５０であることができる。上記第１副成分に対する第５副成分の含量比が０．７５未満であると、焼結温度は低くなるが、高温加速寿命が低下することがあり、焼結温度が不安定になることがある。また、１．５０を超過すると、焼結温度が高くなることがある。
【００５３】
また、上記第１副成分及び第５副成分は、１つの化合物の形態で添加されることができる。第１副成分をＭＯａまたはＭＣＯｂ（Ｍは、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、及びＺｒのうち少なくとも１つ）で表し、第５副成分をＮＯｃ（Ｎは、Ｓｉ及びＡｌのうち少なくとも１つ）で表する場合、Ｍ−ＮＯｃまたはＭＯａ−ＮＯｃで表されるガラス状で添加されることができる。この際、上記１つの化合物において第１副成分に対する第５副成分の含量比は、０．７５〜１．５０であることができる。
【００５４】
また、第１から第５副成分は、母材粉末と混合される時点で、それぞれの比表面積が２．０ｍ２／ｇ以上であることができる。
【００５５】
以下、実施例及び比較例を通じて、本発明をさらに詳しく説明するが、これは発明を具体的に理解するためであり、本発明の範囲が実施例によって限定されるわけではない。
【実施例】
【００５６】
下記表１に記載の造成及び含量による原料粉末をジルコニアボールを混合／分散メディアとして用い、エタノール／トルエンと分散剤及びバインダーを混合した後、２０時間ボールミリングしてスラリーを製造した。製造されたスラリーを小型ドクターブレード（ｄｏｃｔｏｒ ｂｌａｄｅ）方式のコーター（ｃｏａｔｅｒ）を用いて約２．０μｍ、及び１０〜１３μｍの厚さを有するシートに成形した。
【００５７】
上記約２．０μｍの厚さを有するシートにＮｉ内部電極を印刷した。上下カバー層としては、１０〜１３μｍの厚さを有する成形シートで２５層に積層し、約２．０μｍの厚さを有する内部電極が印刷されたシートを積層してアクティブ層を製作し、バーを製造した。圧着バーは、カッターを用いて３２１６サイズのチップとして切断した。製作が完了したチップを仮焼した後、還元雰囲気の下、１１００〜１２５０℃の温度で２時間焼成後、１０００℃で再酸化のために３時間熱処理した。焼成されたチップはターミネーション工程を行い、２４時間放置した後、測定した。
【００５８】
【表１】
【００５９】
［評価］
チップの常温静電容量（Ｃ）及び誘電損失は、ＬＣＲ ｍｅｔｅｒを用いて１ｋＨｚ、１Ｖで測定し、１０個ずつサンプルを取って常温絶縁（Ｒ）をＤＣ ５０Ｖ印加した状態で６０秒経過した後、測定した。静電容量変化率は、−５５℃〜１２５℃の温度範囲で測定された。高温ＩＲ昇圧実験は、１２５℃で１Ｖｒ＝７．５Ｖ／μｍの条件で行い、高温信頼性を評価した。この結果を下記の表２に示した。
【００６０】
【表２】
【００６１】
実施例１から４を参照すると、母材粉末１００モル当たりに添加される第１副成分の合計が０．０５モル未満の場合は、還元性雰囲気での焼成により容易に還元され、粒成長の制御が困難であったことに対し、６．００モル超過の場合は、焼結温度が上昇し、所望の誘電定数値を得ることができなかった。添加される第２副成分の合計が０．２モル未満の場合は、高温加速寿命が低下するという問題が生じ、ＴＣＣ特性が不安定であったことに対し、３．００モル超過の場合は、焼結温度が上昇し、所望の誘電定数値を得ることができなかった。添加される第３副成分の合計が０．０５モル未満の場合は、高温加速寿命が低下し、且つＴＣＣ特性が不安定であったことに対し、０．５モル超過の場合は、Ｃ＊Ｒ値が低下した。添加される第４副成分の合計が０．０５モル未満の場合は、高温加速寿命が低下したことに対し、０．３５モル超過の場合は、Ｃ＊Ｒ値が低下した。添加される第５副成分の合計が０．５モル未満の場合は、所望の温度よりも高い温度で焼成されるという問題が生じたことに対し、４．０モル超過の場合は、粒成長を制御することが困難であった。
【００６２】
本発明は上述した実施形態及び添付された図面により限定されるものではなく、添付された請求範囲により限定される。従って、請求範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内において多様な形態の置換、変形及び変更が可能であることは当技術分野の通常の知識を有する者には自明であり、これも添付された請求範囲に記載された技術的思想に属する。
【符号の説明】
【００６３】
１００ 積層セラミックキャパシタ
１１０ セラミック素体
１１１ 誘電体層
１２０ａ、１２０ｂ 第１及び第２の外部電極
１３０ａ、１３０ｂ 第１及び第２の内部電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体磁器組成物及びそれを含む積層セラミックキャパシタに関し、より詳しくは、高誘電率及び優れた高温信頼性を有する誘電体磁器組成物及びそれを含む積層セラミックキャパシタに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的にキャパシタ、インダクタ、圧電素子、バリスタ、またはサーミスタ等のセラミック材料を使用する電子部品は、セラミック材料から成るセラミック素体と、素体内部に形成された内部電極と、上記内部電極と接続されるようにセラミック素体表面に設置された外部電極とを具備する。
【０００３】
セラミック電子部品のうち積層セラミックキャパシタは、積層された複数の誘電体層と、一誘電体層を介し対向配置される内部電極と、上記内部電極に電気的に接続された外部電極とを含む。
【０００４】
積層セラミックキャパシタは、小型でありながら高容量が保障され実装が容易であるという長所から、コンピュータ、ＰＤＡ、携帯電話等の移動通信装置の部品として広く使用されている。
【０００５】
積層セラミックキャパシタは、通常、内部電極層用ペーストと誘電体層用ペーストとをシート法や印刷法等によって積層し、同時焼成して製造される。
【０００６】
ところが、従来の積層セラミックキャパシタ等に用いられる誘電体材料は還元性雰囲気下で焼成すると、還元されて半導体化する性質を有する。このため、内部電極の材料として、誘電体材料が焼結する温度で溶融されず、誘電体材料を半導体化しない高い酸素分圧下で焼成しても酸化されないＰｄ等の貴金属が利用されている。
【０００７】
しかし、Ｐｄ等の貴金属は高価であるため、積層セラミックキャパシタの低価格化に大きな支障を及ぼす。そのため、内部電極材として比較的安価なＮｉやＮｉ合金等の非金属が主に使用されている。ところが、内部電極層の導電材として非金属を利用する場合、大気中で焼成を行うと内部電極層が酸化される。従って、誘電体層と内部電極層の同時焼成を還元性雰囲気で行う必要がある。
【０００８】
しかしながら、還元性雰囲気下で焼成すると、誘電体層が還元されて絶縁抵抗（ＩＲ）が低くなる。このため、非還元性の誘電体材料が提案されている。また、静電容量の温度変化が小さく、−１５０〜＋１５０ｐｐｍ／℃の範囲で任意に制御可能な温度補償用誘電体磁器組成物に対する要求が高まっている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、高誘電率及び優れた高温信頼性を有する誘電体磁器組成物及びそれを含む積層セラミックキャパシタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するための手段として、本発明の一実施形態は、Ｂａｍ（Ｔｉ１−ｘＺｒｘ）Ｏ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０，０＜ｘ≦０．１０）で表される母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、及びＺｒのうち少なくとも１つを含む酸化物または炭化物である０．０５〜６．００モルの第１副成分と、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ａｃ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕのうち少なくとも１つを含む酸化物である０．２〜３．０モルの第２副成分と、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉのうち少なくとも１つを含む酸化物である０．０５〜０．５０モルの第３副成分と、Ｖ、Ｎｂ及びＴａのうち少なくとも１つを含む酸化物である０．０５〜０．３５モルの第４副成分と、Ｓｉ及びＡｌのうち少なくとも１つを含む酸化物である０．５〜４．００モルの第５副成分と、を含む誘電体磁器組成物を提供する。
【００１１】
上記第１副成分に対する上記第５副成分の含量比は、０．７５〜１．５０であることができる。
【００１２】
上記第３副成分及び第４副成分の含量の合計は、上記母材粉末１００モルに対して０．１〜０．８モルであることができる。
【００１３】
上記第１から第５副成分のうち少なくとも１つ以上は、比表面積が２．０ｍ２／ｇ以上であることができる。
【００１４】
上記第１副成分及び第５副成分は、１つの化合物の形態で添加されることができる。
【００１５】
本発明の他の実施形態は、誘電体層と第１及び第２の内部電極が交互に積層されたセラミック素体と、上記セラミック素体の両端部に形成され、上記第１及び第２の内部電極と電気的に連結される第１及び第２の外部電極と、を含み、上記誘電体層は、Ｂａｍ（Ｔｉ１−ｘＺｒｘ）Ｏ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０，０＜ｘ≦０．１０）で表される母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、及びＺｒのうち少なくとも１つを含む酸化物または炭化物である０．０５〜６．００モルの第１副成分と、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ａｃ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕのうち少なくとも１つを含む酸化物である０．２〜３．０モルの第２副成分と、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉのうち少なくとも１つを含む酸化物である０．０５〜０．５０モルの第３副成分と、Ｖ、Ｎｂ及びＴａのうち少なくとも１つを含む酸化物である０．０５〜０．３５モルの第４副成分と、Ｓｉ及びＡｌのうち少なくとも１つを含む酸化物である０．５〜４．００モルの第５副成分と、を含む積層セラミックキャパシタを提供する。
【００１６】
上記第１及び第２の内部電極は、ＮｉまたはＮｉ合金を含むことができる。
【００１７】
上記第１副成分に対する上記第５副成分の含量比は、０．７５〜１．５０であることができる。
【００１８】
上記第３副成分及び第４副成分の含量の合計は、上記母材粉末１００モルに対して０．１〜０．８モルであることができる。
【００１９】
上記第１から第５副成分のうち少なくとも１つ以上は、比表面積が２．０ｍ２／ｇ以上であることができる。
【００２０】
上記第１副成分及び第５副成分は、１つの化合物の形態で添加されることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明による誘電体磁器組成物は、高誘電率及び高温信頼性が確保され、低温の還元雰囲気で焼成可能であるため、Ｎｉ内部電極を使用することができる。
【００２２】
本発明による誘電体組成物は、キャパシタ、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、またはサーミスタ等の電子部品に適用されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを示す概略的な斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ'に沿って切断した積層セラミックキャパシタを示す概略的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、添付された図面を参照し本発明の好ましい実施形態を説明する。
【００２５】
しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は当該技術分野において平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。従って、図面における要素の形状及びサイズ等は明確な説明のために誇張されることがあり、図面上の同一の符号で表示される要素は同一の要素である。
【００２６】
本発明は誘電体磁器組成物に関し、誘電体磁器組成物を含む電子部品にはキャパシタ、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、またはサーミスタ等があり、以下では、電子部品の一例として積層セラミックキャパシタについて説明する。
【００２７】
図１は、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタ１００を示す概略的な斜視図であり、図２は、図１のＡ−Ａ'に沿って切断した積層セラミックキャパシタ１００を示す概略的な断面図である。
【００２８】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施例による積層セラミックキャパシタ１００は、誘電体層１１１と第１及び第２の内部電極１３０ａ、１３０ｂが交互に積層されたセラミック素体１１０を有する。セラミック素体１１０の両端部には、セラミック素体１１０の内部に交互に配置された第１及び第２の内部電極１３０ａ、１３０ｂとそれぞれ導通する第１及び第２の外部電極１２０ａ、１２０ｂが形成されている。
【００２９】
セラミック素体１１０の形状は特に制限されないが、通常、直方体形状であることができる。また、そのサイズも特に制限されないが、用途によって適切なサイズにすることができ、例えば、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜１．９ｍｍ）であることができる。
【００３０】
誘電体層１１１の厚さはキャパシタの容量設計に合わせて任意に変更できるが、本発明の一実施例において、焼成後、誘電体層の１層当たりの厚さは、好ましくは０．２μｍ以上であることができる。非常に薄いアクティブ層は、一層内に存在する結晶粒数が小さく、信頼性に悪影響を及ぼすため、誘電体層の厚さは０．２μｍ以上であることができる。
【００３１】
第１及び第２の内部電極１３０ａ、１３０ｂは、各端面がセラミック素体１１０の対向する両端部の表面に交互に露出されるように積層されている。第１及び第２の外部電極１２０ａ、１２０ｂはセラミック素体１１０の両端部に形成され、交互に配置された第１及び第２の内部電極１３０ａ、１３０ｂの露出端面に電気的に連結されてキャパシタ回路を構成する。
【００３２】
第１及び第２の内部電極１３０ａ、１３０ｂに含有される導電材は特に限定されないが、誘電体層の構成材料が耐還元性を有するため、非金属を利用することができる。
【００３３】
導電材として利用する非金属には、ＮｉまたはＮｉ合金であることができる。Ｎｉ合金には、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ及びＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉの合金であることができ、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることができる。
【００３４】
第１及び第２の内部電極１３０ａ、１３０ｂの厚さは、用途等によって適切に決定されることができるが、例えば、０．１〜５μｍ、または、０．１〜２．５μｍであることができる。
【００３５】
第１及び第２の外部電極１２０ａ、１２０ｂに含有される導電材は特に限定されないが、Ｎｉ、Ｃｕ、またはこれらの合金を利用することができる。第１及び第２の外部電極１２０ａ、１２０ｂの厚さは、用途等によって適切に決定されることができるが、例えば、約１０〜５０μｍであることができる。
【００３６】
上記セラミック素体１１０を構成する誘電体層１１１は、本発明の誘電体磁器組成物を含有する。
【００３７】
本発明の一実施例による誘電体磁器組成物は、Ｂａｍ（Ｔｉ１−ｘＺｒｘ）Ｏ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０，ｘ≦０．１０）で表される母材粉末と第１副成分〜第５副成分を含む。
【００３８】
本発明の一実施例による誘電体磁器組成物は、高誘電率及び高温信頼性が確保され、低温の還元雰囲気で焼成可能であるため、Ｎｉ内部電極を使用することができる。
【００３９】
以下、本発明の一実施例による誘電体磁器組成物の各成分について、さらに具体的に説明する。
【００４０】
ａ）Ｂａｍ（Ｔｉ１−ｘＺｒｘ）Ｏ３
本発明の一実施例は、Ｂａｍ（Ｔｉ１−ｘＺｒｘ）Ｏ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０，０＜ｘ≦０．１０）で表される母材粉末を含む。上記式において、ｍが０．９９５未満であると、還元性雰囲気での焼成により容易に還元され、誘電体磁器組成物が半導性物質に変わることがあり、ｍが１．０１０を超過すると、焼成温度が高くなることがある。上記式において、ｘが０．１を超過すると、所望の温度特性から外れることがある。
【００４１】
ｂ）第１副成分
本発明の一実施例は、第１副成分として、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ及びＺｒのうち少なくとも１つ以上を含む酸化物または炭化物を含む。上記第１副成分は、誘電体磁器組成物の耐還元性、粒成長制御及び焼結安定性を付与する役割をする。
【００４２】
上記第１副成分の含量は、母材粉末１００モルに対して０．０５〜６．００モルで含まれる。上記第１副成分の含量が０．０５モル未満であると、還元性雰囲気での焼成により容易に還元され、粒成長制御が困難なことがあり、６．００モルを超過すると、焼結温度が上昇して、所望の誘電定数値を得ることが困難なことがある。
【００４３】
ｃ）第２副成分
本発明の一実施例は、第２副成分として、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ａｃ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕのうち少なくとも１つを含む酸化物を含む。上記第２副成分は、高温加速寿命を向上させ、キュリー温度（Ｔｃ）以上での容量変化を安定化させる役割をし、所望の温度特性を満足するようにする。
【００４４】
上記第２副成分の含量は、母材粉末１００モルに対して０．２〜３．０モルで含まれる。上記第２副成分の含量が０．２モル未満であると、高温加速寿命が低下することがあり、静電容量変化率（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ、ＴＣＣ）が不安定なことがあり、３．０モルを超過すると、焼結温度が上昇して、所望の誘電定数値を得ることが困難なことがあり、２次相の発生により、信頼性が低下するという問題が発生することがある。
【００４５】
ｄ）第３副成分
本発明の一実施例は、第３副成分として、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉのうち少なくとも１つを含む酸化物を含む。上記第３副成分は、絶縁抵抗（ＩＲ）を増加させ、高温加速寿命を向上させる役割をする。
【００４６】
上記第３副成分の含量は、母材粉末１００モルに対して０．０５〜０．５０モルで含まれる。上記第３副成分の合計が０．０５モル未満であると、高温加速寿命が低下することがあり、静電容量変化率が不安定なことがあり、０．５０モルを超過すると、Ｃ＊Ｒ値（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ＊Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が低下することがあり、時間による容量変化が大きくなることがある。
【００４７】
ｅ）第４副成分
本発明の一実施例は、第４副成分として、Ｖ、Ｎｂ及びＴａのうち少なくとも１つを含む酸化物を含む。上記第４副成分は、高温加速寿命を向上させ、キュリー温度（Ｔｃ）以上での容量変化を安定化させる役割をする。
【００４８】
上記第４副成分の含量は、母材粉末１００モルに対して０．０５〜０．３５モルで含まれる。上記第４副成分の含量が０．０５モル未満であると、高温加速寿命が低下することがあり、０．３５モルを超過すると、Ｃ＊Ｒ値が低下することがある。
【００４９】
また、上記第３副成分及び第４副成分の含量の合計は、母材粉末１００モルに対して０．１モル〜０．８モルであることができる。上記第３副成分及び第４副成分の含量の合計が０．１０モル未満であると、粒成長制御が困難なことがあり、且つ高温加速寿命が低下することがあり、０．８モルを超過すると、時間による容量変化が大きくなることがあり、Ｃ＊Ｒ値が低下することがある。
【００５０】
ｆ）第５副成分
本発明の一実施例は、第５副成分として、Ｓｉ及びＡｌのうち少なくとも１つを含む酸化物を含む。上記第５副成分は、他の成分、特に、第１副成分または母材粉末と反応して焼結性を付与する。
【００５１】
上記第５副成分の含量は、母材粉末１００モルに対して０．５モル〜４．０モルで含まれる。上記第５副成分の含量が０．５モル未満であると、焼成温度が高くなる虞があり、４．０モルを超過すると、粒成長を制御することが困難なことがあり、所望の誘電定数値を得ることが困難なことがある。
【００５２】
また、上記第１副成分に対する上記第５副成分の含量比は、０．７５〜１．５０であることができる。上記第１副成分に対する第５副成分の含量比が０．７５未満であると、焼結温度は低くなるが、高温加速寿命が低下することがあり、焼結温度が不安定になることがある。また、１．５０を超過すると、焼結温度が高くなることがある。
【００５３】
また、上記第１副成分及び第５副成分は、１つの化合物の形態で添加されることができる。第１副成分をＭＯａまたはＭＣＯｂ（Ｍは、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、及びＺｒのうち少なくとも１つ）で表し、第５副成分をＮＯｃ（Ｎは、Ｓｉ及びＡｌのうち少なくとも１つ）で表する場合、Ｍ−ＮＯｃまたはＭＯａ−ＮＯｃで表されるガラス状で添加されることができる。この際、上記１つの化合物において第１副成分に対する第５副成分の含量比は、０．７５〜１．５０であることができる。
【００５４】
また、第１から第５副成分は、母材粉末と混合される時点で、それぞれの比表面積が２．０ｍ２／ｇ以上であることができる。
【００５５】
以下、実施例及び比較例を通じて、本発明をさらに詳しく説明するが、これは発明を具体的に理解するためであり、本発明の範囲が実施例によって限定されるわけではない。
【実施例】
【００５６】
下記表１に記載の造成及び含量による原料粉末をジルコニアボールを混合／分散メディアとして用い、エタノール／トルエンと分散剤及びバインダーを混合した後、２０時間ボールミリングしてスラリーを製造した。製造されたスラリーを小型ドクターブレード（ｄｏｃｔｏｒ ｂｌａｄｅ）方式のコーター（ｃｏａｔｅｒ）を用いて約２．０μｍ、及び１０〜１３μｍの厚さを有するシートに成形した。
【００５７】
上記約２．０μｍの厚さを有するシートにＮｉ内部電極を印刷した。上下カバー層としては、１０〜１３μｍの厚さを有する成形シートで２５層に積層し、約２．０μｍの厚さを有する内部電極が印刷されたシートを積層してアクティブ層を製作し、バーを製造した。圧着バーは、カッターを用いて３２１６サイズのチップとして切断した。製作が完了したチップを仮焼した後、還元雰囲気の下、１１００〜１２５０℃の温度で２時間焼成後、１０００℃で再酸化のために３時間熱処理した。焼成されたチップはターミネーション工程を行い、２４時間放置した後、測定した。
【００５８】
【表１】
【００５９】
［評価］
チップの常温静電容量（Ｃ）及び誘電損失は、ＬＣＲ ｍｅｔｅｒを用いて１ｋＨｚ、１Ｖで測定し、１０個ずつサンプルを取って常温絶縁（Ｒ）をＤＣ ５０Ｖ印加した状態で６０秒経過した後、測定した。静電容量変化率は、−５５℃〜１２５℃の温度範囲で測定された。高温ＩＲ昇圧実験は、１２５℃で１Ｖｒ＝７．５Ｖ／μｍの条件で行い、高温信頼性を評価した。この結果を下記の表２に示した。
【００６０】
【表２】
【００６１】
実施例１から４を参照すると、母材粉末１００モル当たりに添加される第１副成分の合計が０．０５モル未満の場合は、還元性雰囲気での焼成により容易に還元され、粒成長の制御が困難であったことに対し、６．００モル超過の場合は、焼結温度が上昇し、所望の誘電定数値を得ることができなかった。添加される第２副成分の合計が０．２モル未満の場合は、高温加速寿命が低下するという問題が生じ、ＴＣＣ特性が不安定であったことに対し、３．００モル超過の場合は、焼結温度が上昇し、所望の誘電定数値を得ることができなかった。添加される第３副成分の合計が０．０５モル未満の場合は、高温加速寿命が低下し、且つＴＣＣ特性が不安定であったことに対し、０．５モル超過の場合は、Ｃ＊Ｒ値が低下した。添加される第４副成分の合計が０．０５モル未満の場合は、高温加速寿命が低下したことに対し、０．３５モル超過の場合は、Ｃ＊Ｒ値が低下した。添加される第５副成分の合計が０．５モル未満の場合は、所望の温度よりも高い温度で焼成されるという問題が生じたことに対し、４．０モル超過の場合は、粒成長を制御することが困難であった。
【００６２】
本発明は上述した実施形態及び添付された図面により限定されるものではなく、添付された請求範囲により限定される。従って、請求範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内において多様な形態の置換、変形及び変更が可能であることは当技術分野の通常の知識を有する者には自明であり、これも添付された請求範囲に記載された技術的思想に属する。
【符号の説明】
【００６３】
１００ 積層セラミックキャパシタ
１１０ セラミック素体
１１１ 誘電体層
１２０ａ、１２０ｂ 第１及び第２の外部電極
１３０ａ、１３０ｂ 第１及び第２の内部電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｂａｍ（Ｔｉ１−ｘＺｒｘ）Ｏ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０，０＜ｘ≦０．１０）で表される母材粉末と、
前記母材粉末１００モルに対して、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、及びＺｒのうち少なくとも１つを含む酸化物または炭化物である０．０５〜６．００モルの第１副成分と、
Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ａｃ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕのうち少なくとも１つを含む酸化物である０．２〜３．０モルの第２副成分と、
Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉのうち少なくとも１つを含む酸化物である０．０５〜０．５０モルの第３副成分と、
Ｖ、Ｎｂ及びＴａのうち少なくとも１つを含む酸化物である０．０５〜０．３５モルの第４副成分と、
Ｓｉ及びＡｌのうち少なくとも１つを含む酸化物である０．５〜４．００モルの第５副成分と、
を含む誘電体磁器組成物。
【請求項２】
前記第１副成分に対する前記第５副成分の含量比は、０．７５〜１．５０であることを特徴とする請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項３】
前記第３副成分及び第４副成分の含量の合計は、前記母材粉末１００モルに対して０．１〜０．８モルであることを特徴とする請求項１または２に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項４】
前記第１から第５副成分のうち少なくとも１つ以上は、比表面積が２．０ｍ２／ｇ以上であることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項５】
前記第１副成分及び第５副成分は、１つの化合物の形態で添加されることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項６】
請求項１から５の何れか１項に記載の誘電体磁器組成物を含む誘電体層と第１及び第２の内部電極が交互に積層されたセラミック素体と、
前記セラミック素体の両端部に形成され、前記第１及び第２の内部電極と電気的に連結される第１及び第２の外部電極と、を含む積層セラミックキャパシタ。
【請求項７】
前記第１及び第２の内部電極は、ＮｉまたはＮｉ合金を含むことを特徴とする請求項６に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項１】
Ｂａｍ（Ｔｉ１−ｘＺｒｘ）Ｏ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０，０＜ｘ≦０．１０）で表される母材粉末と、
前記母材粉末１００モルに対して、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、及びＺｒのうち少なくとも１つを含む酸化物または炭化物である０．０５〜６．００モルの第１副成分と、
Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ａｃ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕのうち少なくとも１つを含む酸化物である０．２〜３．０モルの第２副成分と、
Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉのうち少なくとも１つを含む酸化物である０．０５〜０．５０モルの第３副成分と、
Ｖ、Ｎｂ及びＴａのうち少なくとも１つを含む酸化物である０．０５〜０．３５モルの第４副成分と、
Ｓｉ及びＡｌのうち少なくとも１つを含む酸化物である０．５〜４．００モルの第５副成分と、
を含む誘電体磁器組成物。
【請求項２】
前記第１副成分に対する前記第５副成分の含量比は、０．７５〜１．５０であることを特徴とする請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項３】
前記第３副成分及び第４副成分の含量の合計は、前記母材粉末１００モルに対して０．１〜０．８モルであることを特徴とする請求項１または２に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項４】
前記第１から第５副成分のうち少なくとも１つ以上は、比表面積が２．０ｍ２／ｇ以上であることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項５】
前記第１副成分及び第５副成分は、１つの化合物の形態で添加されることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項６】
請求項１から５の何れか１項に記載の誘電体磁器組成物を含む誘電体層と第１及び第２の内部電極が交互に積層されたセラミック素体と、
前記セラミック素体の両端部に形成され、前記第１及び第２の内部電極と電気的に連結される第１及び第２の外部電極と、を含む積層セラミックキャパシタ。
【請求項７】
前記第１及び第２の内部電極は、ＮｉまたはＮｉ合金を含むことを特徴とする請求項６に記載の積層セラミックキャパシタ。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１１−１３６８９６（Ｐ２０１１−１３６８９６Ａ）
【公開日】平成２３年７月１４日（２０１１．７．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１８６１８２（Ｐ２０１０−１８６１８２）
【出願日】平成２２年８月２３日（２０１０．８．２３）
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年７月１４日（２０１１．７．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年８月２３日（２０１０．８．２３）
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
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