【課題】ニッケル内部電極を使用した積層セラミックコンデンサに適用可能であり、かつ１００ｎｍ未満の粒径のチタン酸アルカリ土類金属化合物を主原料としても誘電率が向上しうる高誘電率セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径が５０ｎｍ以上１００ｎｍ未満であるチタン酸アルカリ土類金属化合物とランタン化合物とを混合する工程と、前記混合する工程で得られた混合物を、不活性ガス雰囲気下、１０００℃以上１２００℃未満の温度で焼成する工程と、を有し、前記ランタン化合物の混合量が、前記チタン酸アルカリ土類金属化合物に対するランタンの原子数換算で０．５〜１．５ａｔ％である、高誘電率セラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 静電容量が高くかつ高温負荷状態においても比誘電率の温度変化率の小さいコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体磁器が希土類元素、Ｍｎ、Ｍｇを含み、チタン酸バリウムの結晶粒子９が、粒界から２０ｎｍの深さの範囲におけるマグネシウムの濃度勾配が０．０５原子％／ｎｍ以上である第１結晶群の結晶粒子９ａと、粒界から２０ｎｍの深さの範囲におけるマグネシウムの濃度勾配が０．０３原子％／ｎｍ以下である第２結晶群の結晶粒子９ｂとを有しており、第１の結晶群を構成する結晶粒子９ａおよび前記第２の結晶群を構成する結晶粒子を合わせた平均粒径が０．１５〜０．４０μｍであり、誘電体磁器の研磨面に見られる第１の結晶群を構成する結晶粒子９ａの面積をａ、第２の結晶群を構成する結晶粒子９ｂの面積をｂとしたときに、ｂ／（ａ＋ｂ）が０．４〜０．７である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明によると、Ｂａ_ｍＴｉＯ_３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）を含む母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、少なくとも一つの希土類元素を含む酸化物または炭酸塩０．０５〜４．００モルを含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、少なくとも一つの遷移金属を含む酸化物または炭酸塩０．０５〜０．７０モルを含む第２副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、Ｓｉ酸化物０．２０〜２．００モルを含む第３副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、Ａｌ酸化物０．０２〜１．００モルを含む第４副成分と、上記第３副成分に対して、ＢａまたはＣａのうち少なくとも一つを含む酸化物２０〜１４０％を含む第５副成分と、を含む誘電体組成物が提供される。 （もっと読む）

【課題】希土類元素を用いなくても粒成長抑制及び耐還元性を実現し、優れた高温信頼性を確保できる誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】誘電体組成物は、母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、遷移金属を含む酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％の含量（ｘ）を含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、原子価固定アクセプタ元素を含む酸化物または炭酸塩０．０１〜５．０ａｔ％の含量（ｙ）を含む第２副成分と、ドナー元素を含む酸化物または炭酸塩を含む第３副成分と、焼結助剤を含む第４副成分と、を含有する。セラミック素体１１０を構成する誘電体層１１１は、このような誘電体組成物を含む。 （もっと読む）

【課題】圧電多層アクチュエータへの利用に適した圧電材料の提供。
【解決手段】分子式Ｐ_{１−ｃ−ｄ}Ｄ_ｃＺ_ｄ（ただし、０＜ｃ≦０．１５かつ０≦ｄ≦０．５）を有する材料を含む圧電材料であって、Ｐが化合物Ｐｂ（Ｚｒ_１−ｙＴｉ_ｙ）Ｏ_３（ただし、０．５０≦１−ｙ≦０．６０）を表し、Ｚがペロブスカイト型構造の付加的成分を表し、Ｄが一般式［（Ｍ_１Ｏ）_１−ｐ（Ｍ_２Ｏ）_ｐ］_ａ［Ｎｂ_２Ｏ_５］_１−ａ（ただし２／３＜ａ＜１かつ０＜ｐ＜１）（このとき、Ｍ_１はＢａ_１−ｔＳｒ_ｔ、ただし０≦ｔ≦１、を表し、Ｍ_２はストロンチウムあるいはカルシウムを表す）を表し、材料Ｄがクリオライト型の構造を含む。これにより、ＰＺＴホスト格子のＢサイトのドーピングを達成することができる。 （もっと読む）

【課題】誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品の提供。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３を含む母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、遷移金属を含む酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％の含量（ｘ１）を含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、原子価固定アクセプタ（ｆｉｘｅｄ ｖａｌｅｎｃｅ ａｃｃｅｐｔｏｒ）元素を含む酸化物または炭酸塩０．０１〜３．０ａｔ％の含量（ｙ）を含む第２副成分と、Ｃｅ元素（含量はｚ ａｔ％）及び少なくとも一つの希土類元素（含量はｗ ａｔ％）を含む酸化物または炭酸塩を含む第３副成分と、焼結助剤を含む第４副成分と、を含み、上記母材粉末１００モルに対して、０．０１≦ｚ≦ｘ１＋４ｙであり、０．０１≦ｚ＋ｗ≦ｘ１＋４ｙである誘電体組成物。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式Ｋ_ｍＮｂ_ｎＯ_３で表される第一の相と、一般式Ｂａ_αＴｉ_βＯ_３で表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、前記ｍ、ｎ、α、βが０．９９０≦ｍ／ｎ≦１．００５、０．９９５≦α／β≦１．０１０、且つ、ｍ／ｎとα／βとが同時に1を取らないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式ＫＮｂＯ_３で表される第一の相と、一般式（Ｂａ_１−ｘＭ_ｘ）（Ｔｉ_１−ｙＬ_ｙ）Ｏ_３（ただし、ＭはＣａ、ＳｒおよびＭｇから選択される少なくとも１種類）、（ただし、ＬはＺｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｇの中から選択される少なくとも１種類）で表される第二の相との混合相から成る。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率の温度変化率の小さい誘電体磁器とそれを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とする主結晶粒子９ａと酸化イッテルビウムの結晶粒子９ｂとを有するとともに、チタン１００モルに対してマグネシウムをＭｇＯ換算で０．５〜３．０モル含有してなり、Ｘ線回折チャートにおいて、チタン酸バリウムの面指数（１１０）の回折強度に対する酸化イッテルビウムの面指数（２２２）の回折強度が０．５〜３．０％である。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型化合物（ＡＢＯ_３）を含有し、化合物１００モルに対して、各酸化物換算で、ＲＡ_２Ｏ_３（ＲＡはＤｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）を０．６〜２．５モル、ＲＢ_２Ｏ_３（ＲＢはＨｏおよび／またはＹ）を０．２〜１．０モル、ＲＣ_２Ｏ_３（ＲＣはＹｂおよび／またはＬｕ）を０．１〜１．０モル含有し、Ｍｇ酸化物を、Ｍｇ換算で０．８〜２．０モル、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で１．２〜３．０モル含有し、ＲＡ_２Ｏ_３の含有量（α）、ＲＢ_２Ｏ_３の含有量（β）およびＲＣ_２Ｏ_３の含有量（γ）が、１．２≦α／β≦５．０、０．５≦β／γ≦１０．０である誘電体磁器組成物。該誘電体磁器組成物は、誘電体層厚みが５．０μｍ以下の電子部品に適用することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ガーネット型イオン伝導性酸化物において、伝導度の低下をできるだけ抑えると共に、焼成エネルギーをより低減する。
【解決手段】ガーネット型イオン伝導性酸化物は、Ｌｉと、Ｌａと、Ｚｒとを含み、Ｌａと異なる元素でありアルカリ土類金属及びランタノイド元素のうち少なくとも１種以上の元素Ａと、Ｚｒと異なる元素であり酸素と６配位をとることが可能な遷移元素及び第１２族〜第１５族に属する典型元素のうち少なくとも１種以上の元素Ｂとを含む。また、基本組成Ｌｉ_XＬａ_3-YＳｒ_YＺｒ_2-ZＮｂ_ZＯ₁₂（式中、Ｘは、（Ｌａ_3-YＳｒ_Y）の平均価数をａ、（Ｚｒ_2-ZＮｂ_Z）の平均価数をｂとしたとき、Ｘ＝２４−３×ａ−２×ｂを満たし、且つ０＜Ｙ≦１．０，０＜Ｚ≦１．０）を満たす）で表されるものとしてもよい。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高い温度で使用可能であり、加えて従来よりも高い誘電率を有する誘電体組成物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式：Ｍ（１）_１−ｘＭ（２）_ｘＭ（３）_１−ｙＭ（４）_ｙＯ_{２＋ｘ―ｙ}Ｎ_{１―ｘ＋ｙ}で示される組成であることを特徴とする誘電体組成物（但し、Ｍ（１）元素はＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｇｄから選ばれる1種以上の元素であり、Ｍ（２）元素はＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ（３）元素はＴｉ，Ｚｒから選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ（４）元素はＶ，Ｎｂ，Ｔａから選ばれる１種以上の元素であり、Ｏ元素とＮ元素は酸素と窒素である。）により上記課題が解決できる。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３ で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を主成分として含有し、化合物１００モルに対して、各元素換算で、Ｍｇの酸化物を０．６〜２．０モル、Ｍｎおよび／またはＣｒの酸化物を０．０１０〜０．６モル、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる１つ以上の酸化物を０．０１０〜０．２モル、Ｒ１の酸化物（Ｒ１はＹ、Ｙｂ、ＥｒおよびＨｏから選ばれる１つ以上）を０．１０〜１．０モル、Ｒ２の酸化物（Ｒ２はＤｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）を０．１０〜１．０モル、Ｂａの酸化物および／またはＣａの酸化物と、Ｓｉの酸化物と、からなる成分を０．２〜１．５モル、副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物、および該誘電体磁器組成物が誘電体層に適用された電子部品を提供すること。
【解決手段】複数の誘電体粒子と、誘電体粒子間に存在する粒界と、を有する誘電体磁器組成物であって、誘電体粒子が、固溶体粒子（２１）により構成され、粒界（３１，３２）にＳｉが均一に存在する。誘電体磁器組成物は、主成分として、組成式（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）_ａ（Ｔｉ_１−ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_２＋ａで表される化合物を含有し、副成分として、ＲＥ元素（Ｙ、ＤｙおよびＨｏから選ばれる１つ以上）の酸化物、と、Ｍｎの酸化物と、Ｓｉを含む酸化物と、を含有し、組成式中のｘ、ｙおよびａが、０≦ｘ≦０．０８、０．００５≦ｙ≦０．０８、０．９９５≦ａ≦１．０１５であり、Ｍｎに対するＲＥ元素のモル比が、３≦ＲＥ／Ｍｎ≦６であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムからなる主成分を含有し、前記チタン酸バリウム１００モルに対して、各元素換算で、Ｍｇの酸化物を１．００〜２．５０モルと、Ｍｎおよび／またはＣｒの酸化物を０．０１〜０．２０モルと、Ｖ、ＭｏおよびＷからなる群から選ばれる少なくとも１つの酸化物を０．０３〜０．１５モルと、Ｒ１の酸化物（Ｒ１は、Ｙ、およびＨｏからなる群から選ばれる少なくとも１つである）を０．２０〜１．５０モルと、Ｒ２の酸化物（Ｒ２は、Ｅｕ、ＧｄおよびＴｂからなる群から選ばれる少なくとも１つである）を０．２０〜１．５０モルと、Ｓｉおよび／またはＢの酸化物を０．３０〜１．５０モルと、を副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性を満足する誘電体磁器組成物の製造方法及び積層セラミックコンデンサなどの電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、ＭｇＯ等を含む第１副成分と、酸化シリコンを含む第２副成分と、Ｖ_２Ｏ_５等を含む第３副成分と、Ｙｂ_２Ｏ_３等を第４ａ副成分と、ＢａＯからなる第５ａ副成分と、ＺｒＯ_２からなる第５ｂ副成分と、を含む誘電体磁器組成物の製造方法であって、前記チタン酸バリウムに前記第５ａ副成分の少なくとも一部を付着させる工程と、前記各副成分の原料と、前記第５ａ副成分が付着したチタン酸バリウムと、を混合することにより誘電体磁器組成物粉末を得る工程と、前記誘電体磁器組成物粉末を成形して焼成する工程と、を有する誘電体磁器組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い電界強度下においても良好な特性を示す誘電体磁器組成物および該誘電体磁器組成物が誘電体層に適用された電子部品を提供すること。
【解決手段】複数の誘電体粒子と、誘電体粒子間に存在する粒界と、を有する誘電体磁器組成物であって、誘電体粒子が、コアとコアの周囲に存在しＭｎが固溶しているシェルとからなるコアシェル構造を有する粒子を含み、シェルに存在するＭｎ量に対する粒界に存在するＭｎ量が４倍以上である。誘電体粒子の平均結晶粒子径は０．３μｍ以下であることが好ましい。誘電体磁器組成物は、主成分としてチタン酸バリウムを含有し、副成分として、希土類元素の酸化物と、Ｂａおよび／またはＣａの酸化物と、Ｍｎの酸化物と、Ｍｇ、Ｖ、ＺｒおよびＣｒから選ばれる１つ以上の酸化物と、Ｓｉを含む酸化物と、を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】優れた高温負荷寿命および容量温度特性を有する電子部品を提供する。
【解決手段】誘電体層を有する電子部品であって、前記誘電体層は、ＡがＡサイトの元素、Ｂ１がＢサイトの元素、Ｏが酸素元素をそれぞれ示す場合に、一般式がＡＢ１Ｏ_３で表わされ、Ａ／Ｂ１のモル比がγで表わされる主成分と、少なくともＡ元素とＢ１元素とを含有し、Ａ／Ｂ１のモル比αが前記γよりも小さい第１複合酸化物と、少なくともＡ元素とＢ１元素とを含有し、Ａ／Ｂ１のモル比βが前記γよりも大きい第２複合酸化物と、を有する電子部品。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減でき、複数回の焼成操作を必要としない、固相反応法を利用したＢａＴｉ₂Ｏ₅系複合酸化物の製造方法を提供する。
【解決手段】原子物質量比Ｔｉ／Ｂａを１．８〜２．２の範囲内にするようにＢａＴｉＯ₃とＴｉＯ₂からなる原料を調合する調合工程と、前記原料の混合及び微粒化を行い、平均粒径１０〜６５０ｎｍの粉砕物を形成する混合・粉砕工程と、前記粉砕物を８５０℃以上１０００℃未満で加熱する焼成工程と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が高く、かつ、信頼性が高い誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分と、少なくとも１種以上の副成分元素と、を含む誘電体磁器組成物であって、前記誘電体磁器組成物が、誘電体粒子と、粒界と、を有し、前記誘電体粒子中の任意の位置における前記副成分元素から選ばれる１種以上の元素の濃度をＣｓとし、前記誘電体粒子が、実質的に前記主成分で構成される主成分相と、前記主成分相の周囲に、前記副成分元素から選ばれる少なくとも１種が拡散した拡散相と、を有し、前記誘電体粒子について、前記主成分相を含む任意の切断面で切断したとき、前記断面線分上の所定区間にＣｓの極大値が存在し、前記Ｃｓの極大値の位置よりも縁端側にＣｓの極小値が存在し、前記Ｃｓの極小値の位置から前記縁端に向かってＣｓが上昇する誘電体粒子を含む誘電体磁器組成物。 （もっと読む）