【課題】 静電容量が高くかつ高温負荷状態においても比誘電率の温度変化率の小さいコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体磁器が希土類元素、Ｍｎ、Ｍｇを含み、チタン酸バリウムの結晶粒子９が、粒界から２０ｎｍの深さの範囲におけるマグネシウムの濃度勾配が０．０５原子％／ｎｍ以上である第１結晶群の結晶粒子９ａと、粒界から２０ｎｍの深さの範囲におけるマグネシウムの濃度勾配が０．０３原子％／ｎｍ以下である第２結晶群の結晶粒子９ｂとを有しており、第１の結晶群を構成する結晶粒子９ａおよび前記第２の結晶群を構成する結晶粒子を合わせた平均粒径が０．１５〜０．４０μｍであり、誘電体磁器の研磨面に見られる第１の結晶群を構成する結晶粒子９ａの面積をａ、第２の結晶群を構成する結晶粒子９ｂの面積をｂとしたときに、ｂ／（ａ＋ｂ）が０．４〜０．７である。 （もっと読む）

【課題】ニッケル内部電極を使用した積層セラミックコンデンサに適用可能であり、かつ１００ｎｍ未満の粒径のチタン酸アルカリ土類金属化合物を主原料としても誘電率が向上しうる高誘電率セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径が５０ｎｍ以上１００ｎｍ未満であるチタン酸アルカリ土類金属化合物とランタン化合物とを混合する工程と、前記混合する工程で得られた混合物を、不活性ガス雰囲気下、１０００℃以上１２００℃未満の温度で焼成する工程と、を有し、前記ランタン化合物の混合量が、前記チタン酸アルカリ土類金属化合物に対するランタンの原子数換算で０．５〜１．５ａｔ％である、高誘電率セラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ペロブスカイト粉末、その製造方法及びこれを用いた積層セラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明は、ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト構造を有するコア部と、上記コア部と整合する構造を有し且つ上記コア部と化学的組成が異なるシェル部と、を有し、上記シェル部が上記コア部上にドープされたペロブスカイト粉末を提供する。本発明によると、水熱合成法を用いて整合構造を有し且つ化学的組成が異なるコア−シェル構造のペロブスカイト粉末を製造することにより、信頼性、誘電特性及び電気的特性に優れたペロブスカイト粉末を具現することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明によると、Ｂａ_ｍＴｉＯ_３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）を含む母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、少なくとも一つの希土類元素を含む酸化物または炭酸塩０．０５〜４．００モルを含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、少なくとも一つの遷移金属を含む酸化物または炭酸塩０．０５〜０．７０モルを含む第２副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、Ｓｉ酸化物０．２０〜２．００モルを含む第３副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、Ａｌ酸化物０．０２〜１．００モルを含む第４副成分と、上記第３副成分に対して、ＢａまたはＣａのうち少なくとも一つを含む酸化物２０〜１４０％を含む第５副成分と、を含む誘電体組成物が提供される。 （もっと読む）

【課題】誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品の提供。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３を含む母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、遷移金属を含む酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％の含量（ｘ１）を含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、原子価固定アクセプタ（ｆｉｘｅｄ ｖａｌｅｎｃｅ ａｃｃｅｐｔｏｒ）元素を含む酸化物または炭酸塩０．０１〜３．０ａｔ％の含量（ｙ）を含む第２副成分と、Ｃｅ元素（含量はｚ ａｔ％）及び少なくとも一つの希土類元素（含量はｗ ａｔ％）を含む酸化物または炭酸塩を含む第３副成分と、焼結助剤を含む第４副成分と、を含み、上記母材粉末１００モルに対して、０．０１≦ｚ≦ｘ１＋４ｙであり、０．０１≦ｚ＋ｗ≦ｘ１＋４ｙである誘電体組成物。 （もっと読む）

【課題】希土類元素を用いなくても粒成長抑制及び耐還元性を実現し、優れた高温信頼性を確保できる誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】誘電体組成物は、母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、遷移金属を含む酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％の含量（ｘ）を含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、原子価固定アクセプタ元素を含む酸化物または炭酸塩０．０１〜５．０ａｔ％の含量（ｙ）を含む第２副成分と、ドナー元素を含む酸化物または炭酸塩を含む第３副成分と、焼結助剤を含む第４副成分と、を含有する。セラミック素体１１０を構成する誘電体層１１１は、このような誘電体組成物を含む。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式ＫＮｂＯ_３で表される第一の相と、一般式（Ｂａ_１−ｘＭ_ｘ）（Ｔｉ_１−ｙＬ_ｙ）Ｏ_３（ただし、ＭはＣａ、ＳｒおよびＭｇから選択される少なくとも１種類）、（ただし、ＬはＺｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｇの中から選択される少なくとも１種類）で表される第二の相との混合相から成る。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式Ｋ_ｍＮｂ_ｎＯ_３で表される第一の相と、一般式Ｂａ_αＴｉ_βＯ_３で表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、前記ｍ、ｎ、α、βが０．９９０≦ｍ／ｎ≦１．００５、０．９９５≦α／β≦１．０１０、且つ、ｍ／ｎとα／βとが同時に1を取らないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率の温度変化率の小さい誘電体磁器とそれを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とする主結晶粒子９ａと酸化イッテルビウムの結晶粒子９ｂとを有するとともに、チタン１００モルに対してマグネシウムをＭｇＯ換算で０．５〜３．０モル含有してなり、Ｘ線回折チャートにおいて、チタン酸バリウムの面指数（１１０）の回折強度に対する酸化イッテルビウムの面指数（２２２）の回折強度が０．５〜３．０％である。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型化合物（ＡＢＯ_３）を含有し、化合物１００モルに対して、各酸化物換算で、ＲＡ_２Ｏ_３（ＲＡはＤｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）を０．６〜２．５モル、ＲＢ_２Ｏ_３（ＲＢはＨｏおよび／またはＹ）を０．２〜１．０モル、ＲＣ_２Ｏ_３（ＲＣはＹｂおよび／またはＬｕ）を０．１〜１．０モル含有し、Ｍｇ酸化物を、Ｍｇ換算で０．８〜２．０モル、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で１．２〜３．０モル含有し、ＲＡ_２Ｏ_３の含有量（α）、ＲＢ_２Ｏ_３の含有量（β）およびＲＣ_２Ｏ_３の含有量（γ）が、１．２≦α／β≦５．０、０．５≦β／γ≦１０．０である誘電体磁器組成物。該誘電体磁器組成物は、誘電体層厚みが５．０μｍ以下の電子部品に適用することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高い温度で使用可能であり、加えて従来よりも高い誘電率を有する誘電体組成物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式：Ｍ（１）_１−ｘＭ（２）_ｘＭ（３）_１−ｙＭ（４）_ｙＯ_{２＋ｘ―ｙ}Ｎ_{１―ｘ＋ｙ}で示される組成であることを特徴とする誘電体組成物（但し、Ｍ（１）元素はＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｇｄから選ばれる1種以上の元素であり、Ｍ（２）元素はＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ（３）元素はＴｉ，Ｚｒから選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ（４）元素はＶ，Ｎｂ，Ｔａから選ばれる１種以上の元素であり、Ｏ元素とＮ元素は酸素と窒素である。）により上記課題が解決できる。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３ で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を主成分として含有し、化合物１００モルに対して、各元素換算で、Ｍｇの酸化物を０．６〜２．０モル、Ｍｎおよび／またはＣｒの酸化物を０．０１０〜０．６モル、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる１つ以上の酸化物を０．０１０〜０．２モル、Ｒ１の酸化物（Ｒ１はＹ、Ｙｂ、ＥｒおよびＨｏから選ばれる１つ以上）を０．１０〜１．０モル、Ｒ２の酸化物（Ｒ２はＤｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）を０．１０〜１．０モル、Ｂａの酸化物および／またはＣａの酸化物と、Ｓｉの酸化物と、からなる成分を０．２〜１．５モル、副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムからなる主成分を含有し、前記チタン酸バリウム１００モルに対して、各元素換算で、Ｍｇの酸化物を１．００〜２．５０モルと、Ｍｎおよび／またはＣｒの酸化物を０．０１〜０．２０モルと、Ｖ、ＭｏおよびＷからなる群から選ばれる少なくとも１つの酸化物を０．０３〜０．１５モルと、Ｒ１の酸化物（Ｒ１は、Ｙ、およびＨｏからなる群から選ばれる少なくとも１つである）を０．２０〜１．５０モルと、Ｒ２の酸化物（Ｒ２は、Ｅｕ、ＧｄおよびＴｂからなる群から選ばれる少なくとも１つである）を０．２０〜１．５０モルと、Ｓｉおよび／またはＢの酸化物を０．３０〜１．５０モルと、を副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性を満足する誘電体磁器組成物の製造方法及び積層セラミックコンデンサなどの電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、ＭｇＯ等を含む第１副成分と、酸化シリコンを含む第２副成分と、Ｖ_２Ｏ_５等を含む第３副成分と、Ｙｂ_２Ｏ_３等を第４ａ副成分と、ＢａＯからなる第５ａ副成分と、ＺｒＯ_２からなる第５ｂ副成分と、を含む誘電体磁器組成物の製造方法であって、前記チタン酸バリウムに前記第５ａ副成分の少なくとも一部を付着させる工程と、前記各副成分の原料と、前記第５ａ副成分が付着したチタン酸バリウムと、を混合することにより誘電体磁器組成物粉末を得る工程と、前記誘電体磁器組成物粉末を成形して焼成する工程と、を有する誘電体磁器組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い電界強度下においても良好な特性を示す誘電体磁器組成物および該誘電体磁器組成物が誘電体層に適用された電子部品を提供すること。
【解決手段】複数の誘電体粒子と、誘電体粒子間に存在する粒界と、を有する誘電体磁器組成物であって、誘電体粒子が、コアとコアの周囲に存在しＭｎが固溶しているシェルとからなるコアシェル構造を有する粒子を含み、シェルに存在するＭｎ量に対する粒界に存在するＭｎ量が４倍以上である。誘電体粒子の平均結晶粒子径は０．３μｍ以下であることが好ましい。誘電体磁器組成物は、主成分としてチタン酸バリウムを含有し、副成分として、希土類元素の酸化物と、Ｂａおよび／またはＣａの酸化物と、Ｍｎの酸化物と、Ｍｇ、Ｖ、ＺｒおよびＣｒから選ばれる１つ以上の酸化物と、Ｓｉを含む酸化物と、を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が高く、かつ、信頼性が高い誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分と、少なくとも１種以上の副成分元素と、を含む誘電体磁器組成物であって、前記誘電体磁器組成物が、誘電体粒子と、粒界と、を有し、前記誘電体粒子中の任意の位置における前記副成分元素から選ばれる１種以上の元素の濃度をＣｓとし、前記誘電体粒子が、実質的に前記主成分で構成される主成分相と、前記主成分相の周囲に、前記副成分元素から選ばれる少なくとも１種が拡散した拡散相と、を有し、前記誘電体粒子について、前記主成分相を含む任意の切断面で切断したとき、前記断面線分上の所定区間にＣｓの極大値が存在し、前記Ｃｓの極大値の位置よりも縁端側にＣｓの極小値が存在し、前記Ｃｓの極小値の位置から前記縁端に向かってＣｓが上昇する誘電体粒子を含む誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】小さい粒子径でかつ高い正方晶性を有するチタン酸バリウム粉末の製造方法およびそのチタン酸バリウム粉末を用いた積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【解決手段】ＢＥＴ法による比表面積がそれぞれ２０ｍ²／ｇ以上の炭酸バリウム粉末と２０ｍ²／ｇ以上の酸化チタン粉末を少なくとも含む原料粉末を準備する準備工程と、ＢＥＴ法による比表面積がＡｍ²／ｇの前記炭酸バリウム粉末ｘｇとＢＥＴ法による比表面積がＢｍ²／ｇの前記酸化チタン粉末ｙｇを混合する際に
Ｃ＝（Ａｘ＋Ｂｙ）／（ｘ＋ｙ）
で表される混合前の前記原料粉末のトータル比表面積Ｃｍ²／ｇに対し混合後の混合粉末のＢＥＴ法による比表面積が１．１×Ｃｍ²／ｇ以下となるように混合する混合工程と、この混合工程にて得られた混合粉末を１×１０²Ｐａ以下の酸素分圧中で熱処理する熱処
理工程を含む、チタン酸バリウム粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】１００ｎｍ以下の粒径のチタン酸バリウム系化合物を主原料として使用して誘電体層を形成しても、積層セラミックコンデンサの容量を増加させることができる方法を提供する。
【解決手段】チタン酸アルカリ土類金属化合物を主原料とする誘電体セラミックスの誘電率を向上する方法であって、前記チタン酸アルカリ土類金属化合物を主成分とする誘電体セラミックスの原料組成物に、誘電率向上剤としてバリウム化合物を含有させるようにした。 （もっと読む）

【課題】高温負荷試験の寿命特性の優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１の誘電体層２を構成する誘電体セラミックとして、（Ｂａ_1-xＣａ_x）ＴｉＯ₃を主成分とし、前記（Ｂａ_1-xＣａ_x）ＴｉＯ₃１００モル部に対して、ａモル部のＡｌＯ_3/2と、ｂモル部のＶＯ_5/2と、ｃモル部のＭｇＯと、ｄモル部のＲｅＯ_3/2を含む誘電体セラミックであって、前記ＲｅはＹ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、及びＹｂの中から選ばれる少なくとも１種の金属元素であり、前記ｘ、ａ、ｂ、ｃ、及びｄは、それぞれ、０．０５０≦ｘ≦０．１５０、ａ≧０．１５、０．０５≦ｂ≦０．５０、ｃ≦０．５０、及びｄ≧１．００の各条件を満たすことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】高容量及び優れた信頼性を有する耐還元性誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】本発明は耐還元性誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品に関し、本発明による耐還元性誘電体組成物は、ＢａＴｉＯ_３系母材粉末、前記母材粉末１００モルに対して、遷移金属酸化物または炭酸塩０．１から１．０モル、及びＳｉＯ_２を含む焼結助剤０．１から３．０モルを含む。 （もっと読む）