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Fターム[5G303CB36]の内容

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Fターム[5G303CB36]に分類される特許

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【課題】 静電容量が高くかつ高温負荷状態においても比誘電率の温度変化率の小さいコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体磁器が希土類元素、Mn、Mgを含み、チタン酸バリウムの結晶粒子9が、粒界から20nmの深さの範囲におけるマグネシウムの濃度勾配が0.05原子%/nm以上である第1結晶群の結晶粒子9aと、粒界から20nmの深さの範囲におけるマグネシウムの濃度勾配が0.03原子%/nm以下である第2結晶群の結晶粒子9bとを有しており、第1の結晶群を構成する結晶粒子9aおよび前記第2の結晶群を構成する結晶粒子を合わせた平均粒径が0.15〜0.40μmであり、誘電体磁器の研磨面に見られる第1の結晶群を構成する結晶粒子9aの面積をa、第2の結晶群を構成する結晶粒子9bの面積をbとしたときに、b/(a+b)が0.4〜0.7である。 (もっと読む)


【課題】ニッケル内部電極を使用した積層セラミックコンデンサに適用可能であり、かつ100nm未満の粒径のチタン酸アルカリ土類金属化合物を主原料としても誘電率が向上しうる高誘電率セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径が50nm以上100nm未満であるチタン酸アルカリ土類金属化合物とランタン化合物とを混合する工程と、前記混合する工程で得られた混合物を、不活性ガス雰囲気下、1000℃以上1200℃未満の温度で焼成する工程と、を有し、前記ランタン化合物の混合量が、前記チタン酸アルカリ土類金属化合物に対するランタンの原子数換算で0.5〜1.5at%である、高誘電率セラミックスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ペロブスカイト粉末、その製造方法及びこれを用いた積層セラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明は、ABOで表されるペロブスカイト構造を有するコア部と、上記コア部と整合する構造を有し且つ上記コア部と化学的組成が異なるシェル部と、を有し、上記シェル部が上記コア部上にドープされたペロブスカイト粉末を提供する。本発明によると、水熱合成法を用いて整合構造を有し且つ化学的組成が異なるコア−シェル構造のペロブスカイト粉末を製造することにより、信頼性、誘電特性及び電気的特性に優れたペロブスカイト粉末を具現することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明によると、BaTiO(0.995≦m≦1.010)を含む母材粉末と、上記母材粉末100モルに対して、少なくとも一つの希土類元素を含む酸化物または炭酸塩0.05〜4.00モルを含む第1副成分と、上記母材粉末100モルに対して、少なくとも一つの遷移金属を含む酸化物または炭酸塩0.05〜0.70モルを含む第2副成分と、上記母材粉末100モルに対して、Si酸化物0.20〜2.00モルを含む第3副成分と、上記母材粉末100モルに対して、Al酸化物0.02〜1.00モルを含む第4副成分と、上記第3副成分に対して、BaまたはCaのうち少なくとも一つを含む酸化物20〜140%を含む第5副成分と、を含む誘電体組成物が提供される。 (もっと読む)


【課題】誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品の提供。
【解決手段】BaTiOを含む母材粉末と、上記母材粉末100モルに対して、遷移金属を含む酸化物または炭酸塩0.1〜1.0at%の含量(x1)を含む第1副成分と、上記母材粉末100モルに対して、原子価固定アクセプタ(fixed valence acceptor)元素を含む酸化物または炭酸塩0.01〜3.0at%の含量(y)を含む第2副成分と、Ce元素(含量はz at%)及び少なくとも一つの希土類元素(含量はw at%)を含む酸化物または炭酸塩を含む第3副成分と、焼結助剤を含む第4副成分と、を含み、上記母材粉末100モルに対して、0.01≦z≦x1+4yであり、0.01≦z+w≦x1+4yである誘電体組成物。 (もっと読む)


【課題】希土類元素を用いなくても粒成長抑制及び耐還元性を実現し、優れた高温信頼性を確保できる誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】誘電体組成物は、母材粉末と、上記母材粉末100モルに対して、遷移金属を含む酸化物または炭酸塩0.1〜1.0at%の含量(x)を含む第1副成分と、上記母材粉末100モルに対して、原子価固定アクセプタ元素を含む酸化物または炭酸塩0.01〜5.0at%の含量(y)を含む第2副成分と、ドナー元素を含む酸化物または炭酸塩を含む第3副成分と、焼結助剤を含む第4副成分と、を含有する。セラミック素体110を構成する誘電体層111は、このような誘電体組成物を含む。 (もっと読む)


【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲(−55〜400℃)において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式KNbOで表される第一の相と、一般式(Ba1−x)(Ti1−y)O(ただし、MはCa、SrおよびMgから選択される少なくとも1種類)、(ただし、LはZr、Hf、Co、V、Ta、Cr、Mo、W、Mgの中から選択される少なくとも1種類)で表される第二の相との混合相から成る。 (もっと読む)


【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲(−55〜400℃)において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式KNbで表される第一の相と、一般式BaαTiβで表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、前記m、n、α、βが0.990≦m/n≦1.005、0.995≦α/β≦1.010、且つ、m/nとα/βとが同時に1を取らないことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 比誘電率の温度変化率の小さい誘電体磁器とそれを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とする主結晶粒子9aと酸化イッテルビウムの結晶粒子9bとを有するとともに、チタン100モルに対してマグネシウムをMgO換算で0.5〜3.0モル含有してなり、X線回折チャートにおいて、チタン酸バリウムの面指数(110)の回折強度に対する酸化イッテルビウムの面指数(222)の回折強度が0.5〜3.0%である。 (もっと読む)


【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型化合物(ABO)を含有し、化合物100モルに対して、各酸化物換算で、RA(RAはDy、GdおよびTbから選ばれる1つ以上)を0.6〜2.5モル、RB(RBはHoおよび/またはY)を0.2〜1.0モル、RC(RCはYbおよび/またはLu)を0.1〜1.0モル含有し、Mg酸化物を、Mg換算で0.8〜2.0モル、Si化合物をSi換算で1.2〜3.0モル含有し、RAの含有量(α)、RBの含有量(β)およびRCの含有量(γ)が、1.2≦α/β≦5.0、0.5≦β/γ≦10.0である誘電体磁器組成物。該誘電体磁器組成物は、誘電体層厚みが5.0μm以下の電子部品に適用することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】従来よりも高い温度で使用可能であり、加えて従来よりも高い誘電率を有する誘電体組成物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式:M(1)1−xM(2)M(3)1−yM(4)2+x―y1―x+yで示される組成であることを特徴とする誘電体組成物(但し、M(1)元素はY,La,Ce,Pr,Nd,Gdから選ばれる1種以上の元素であり、M(2)元素はMg,Ca,Sr,Baから選ばれる1種以上の元素であり、M(3)元素はTi,Zrから選ばれる1種以上の元素であり、M(4)元素はV,Nb,Taから選ばれる1種以上の元素であり、O元素とN元素は酸素と窒素である。)により上記課題が解決できる。 (もっと読む)


【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】BaTiOで表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を主成分として含有し、化合物100モルに対して、各元素換算で、Mgの酸化物を0.6〜2.0モル、Mnおよび/またはCrの酸化物を0.010〜0.6モル、V、MoおよびWから選ばれる1つ以上の酸化物を0.010〜0.2モル、R1の酸化物(R1はY、Yb、ErおよびHoから選ばれる1つ以上)を0.10〜1.0モル、R2の酸化物(R2はDy、GdおよびTbから選ばれる1つ以上)を0.10〜1.0モル、Baの酸化物および/またはCaの酸化物と、Siの酸化物と、からなる成分を0.2〜1.5モル、副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】容量温度特性がEIA規格のX8R特性を満足する誘電体磁器組成物の製造方法及び積層セラミックコンデンサなどの電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、MgO等を含む第1副成分と、酸化シリコンを含む第2副成分と、V等を含む第3副成分と、Yb等を第4a副成分と、BaOからなる第5a副成分と、ZrOからなる第5b副成分と、を含む誘電体磁器組成物の製造方法であって、前記チタン酸バリウムに前記第5a副成分の少なくとも一部を付着させる工程と、前記各副成分の原料と、前記第5a副成分が付着したチタン酸バリウムと、を混合することにより誘電体磁器組成物粉末を得る工程と、前記誘電体磁器組成物粉末を成形して焼成する工程と、を有する誘電体磁器組成物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムからなる主成分を含有し、前記チタン酸バリウム100モルに対して、各元素換算で、Mgの酸化物を1.00〜2.50モルと、Mnおよび/またはCrの酸化物を0.01〜0.20モルと、V、MoおよびWからなる群から選ばれる少なくとも1つの酸化物を0.03〜0.15モルと、R1の酸化物(R1は、Y、およびHoからなる群から選ばれる少なくとも1つである)を0.20〜1.50モルと、R2の酸化物(R2は、Eu、GdおよびTbからなる群から選ばれる少なくとも1つである)を0.20〜1.50モルと、Siおよび/またはBの酸化物を0.30〜1.50モルと、を副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】高い電界強度下においても良好な特性を示す誘電体磁器組成物および該誘電体磁器組成物が誘電体層に適用された電子部品を提供すること。
【解決手段】複数の誘電体粒子と、誘電体粒子間に存在する粒界と、を有する誘電体磁器組成物であって、誘電体粒子が、コアとコアの周囲に存在しMnが固溶しているシェルとからなるコアシェル構造を有する粒子を含み、シェルに存在するMn量に対する粒界に存在するMn量が4倍以上である。誘電体粒子の平均結晶粒子径は0.3μm以下であることが好ましい。誘電体磁器組成物は、主成分としてチタン酸バリウムを含有し、副成分として、希土類元素の酸化物と、Baおよび/またはCaの酸化物と、Mnの酸化物と、Mg、V、ZrおよびCrから選ばれる1つ以上の酸化物と、Siを含む酸化物と、を含有することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】比誘電率が高く、かつ、信頼性が高い誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分と、少なくとも1種以上の副成分元素と、を含む誘電体磁器組成物であって、前記誘電体磁器組成物が、誘電体粒子と、粒界と、を有し、前記誘電体粒子中の任意の位置における前記副成分元素から選ばれる1種以上の元素の濃度をCsとし、前記誘電体粒子が、実質的に前記主成分で構成される主成分相と、前記主成分相の周囲に、前記副成分元素から選ばれる少なくとも1種が拡散した拡散相と、を有し、前記誘電体粒子について、前記主成分相を含む任意の切断面で切断したとき、前記断面線分上の所定区間にCsの極大値が存在し、前記Csの極大値の位置よりも縁端側にCsの極小値が存在し、前記Csの極小値の位置から前記縁端に向かってCsが上昇する誘電体粒子を含む誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】小さい粒子径でかつ高い正方晶性を有するチタン酸バリウム粉末の製造方法およびそのチタン酸バリウム粉末を用いた積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【解決手段】BET法による比表面積がそれぞれ20m2/g以上の炭酸バリウム粉末と20m2/g以上の酸化チタン粉末を少なくとも含む原料粉末を準備する準備工程と、BET法による比表面積がAm2/gの前記炭酸バリウム粉末xgとBET法による比表面積がBm2/gの前記酸化チタン粉末ygを混合する際に
C=(Ax+By)/(x+y)
で表される混合前の前記原料粉末のトータル比表面積Cm2/gに対し混合後の混合粉末のBET法による比表面積が1.1×Cm2/g以下となるように混合する混合工程と、この混合工程にて得られた混合粉末を1×102Pa以下の酸素分圧中で熱処理する熱処
理工程を含む、チタン酸バリウム粉末の製造方法。 (もっと読む)


【課題】100nm以下の粒径のチタン酸バリウム系化合物を主原料として使用して誘電体層を形成しても、積層セラミックコンデンサの容量を増加させることができる方法を提供する。
【解決手段】チタン酸アルカリ土類金属化合物を主原料とする誘電体セラミックスの誘電率を向上する方法であって、前記チタン酸アルカリ土類金属化合物を主成分とする誘電体セラミックスの原料組成物に、誘電率向上剤としてバリウム化合物を含有させるようにした。 (もっと読む)


【課題】高温負荷試験の寿命特性の優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ1の誘電体層2を構成する誘電体セラミックとして、(Ba1-xCax)TiO3を主成分とし、前記(Ba1-xCax)TiO3100モル部に対して、aモル部のAlO3/2と、bモル部のVO5/2と、cモル部のMgOと、dモル部のReO3/2を含む誘電体セラミックであって、前記ReはY、La、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、及びYbの中から選ばれる少なくとも1種の金属元素であり、前記x、a、b、c、及びdは、それぞれ、0.050≦x≦0.150、a≧0.15、0.05≦b≦0.50、c≦0.50、及びd≧1.00の各条件を満たすことを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】高容量及び優れた信頼性を有する耐還元性誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】本発明は耐還元性誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品に関し、本発明による耐還元性誘電体組成物は、BaTiO系母材粉末、前記母材粉末100モルに対して、遷移金属酸化物または炭酸塩0.1から1.0モル、及びSiOを含む焼結助剤0.1から3.0モルを含む。 (もっと読む)


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