【課題】本発明は、誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明によると、Ｂａ_ｍＴｉＯ_３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）を含む母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、少なくとも一つの希土類元素を含む酸化物または炭酸塩０．０５〜４．００モルを含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、少なくとも一つの遷移金属を含む酸化物または炭酸塩０．０５〜０．７０モルを含む第２副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、Ｓｉ酸化物０．２０〜２．００モルを含む第３副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、Ａｌ酸化物０．０２〜１．００モルを含む第４副成分と、上記第３副成分に対して、ＢａまたはＣａのうち少なくとも一つを含む酸化物２０〜１４０％を含む第５副成分と、を含む誘電体組成物が提供される。 （もっと読む）

【課題】希土類元素を用いなくても粒成長抑制及び耐還元性を実現し、優れた高温信頼性を確保できる誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】誘電体組成物は、母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、遷移金属を含む酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％の含量（ｘ）を含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、原子価固定アクセプタ元素を含む酸化物または炭酸塩０．０１〜５．０ａｔ％の含量（ｙ）を含む第２副成分と、ドナー元素を含む酸化物または炭酸塩を含む第３副成分と、焼結助剤を含む第４副成分と、を含有する。セラミック素体１１０を構成する誘電体層１１１は、このような誘電体組成物を含む。 （もっと読む）

【課題】誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品の提供。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３を含む母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、遷移金属を含む酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％の含量（ｘ１）を含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、原子価固定アクセプタ（ｆｉｘｅｄ ｖａｌｅｎｃｅ ａｃｃｅｐｔｏｒ）元素を含む酸化物または炭酸塩０．０１〜３．０ａｔ％の含量（ｙ）を含む第２副成分と、Ｃｅ元素（含量はｚ ａｔ％）及び少なくとも一つの希土類元素（含量はｗ ａｔ％）を含む酸化物または炭酸塩を含む第３副成分と、焼結助剤を含む第４副成分と、を含み、上記母材粉末１００モルに対して、０．０１≦ｚ≦ｘ１＋４ｙであり、０．０１≦ｚ＋ｗ≦ｘ１＋４ｙである誘電体組成物。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式Ｋ_ｍＮｂ_ｎＯ_３で表される第一の相と、一般式Ｂａ_αＴｉ_βＯ_３で表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、前記ｍ、ｎ、α、βが０．９９０≦ｍ／ｎ≦１．００５、０．９９５≦α／β≦１．０１０、且つ、ｍ／ｎとα／βとが同時に1を取らないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式ＫＮｂＯ_３で表される第一の相と、一般式（Ｂａ_１−ｘＭ_ｘ）（Ｔｉ_１−ｙＬ_ｙ）Ｏ_３（ただし、ＭはＣａ、ＳｒおよびＭｇから選択される少なくとも１種類）、（ただし、ＬはＺｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｇの中から選択される少なくとも１種類）で表される第二の相との混合相から成る。 （もっと読む）

【課題】低温焼結が可能で、高周波領域での誘電損失が低く、メッキ耐食性に優れたセラミックス焼結体を得ることが可能なセラミックス組成物、該組成物から得られるセラミックス焼結体、及び該焼結体を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】固相反応法により合成されたディオプサイド結晶粉末１００質量部に対し、ＳｒＴｉＯ_３粉末を６〜１９質量部、Ａｌ成分を酸化物換算で１．４〜６質量部、Ｌｉ成分を酸化物換算で０．３〜０．９質量部、Ｂ成分を酸化物換算で１．６〜３．２質量部、Ｚｎ成分を酸化物換算で３．２〜５．１質量部、Ｃｕ成分を酸化物換算で０．５〜０．９質量部、Ａｇ成分を酸化物換算で０〜３質量部、Ｃｏ成分を酸化物換算で０〜４．５質量部含有するセラミックス組成物。該組成物を用いて、セラミックス焼結体及び電子部品を得る。 （もっと読む）

【課題】小さい粒子径でかつ高い正方晶性を有するチタン酸バリウム粉末の製造方法およびそのチタン酸バリウム粉末を用いた積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【解決手段】ＢＥＴ法による比表面積がそれぞれ２０ｍ²／ｇ以上の炭酸バリウム粉末と２０ｍ²／ｇ以上の酸化チタン粉末を少なくとも含む原料粉末を準備する準備工程と、ＢＥＴ法による比表面積がＡｍ²／ｇの前記炭酸バリウム粉末ｘｇとＢＥＴ法による比表面積がＢｍ²／ｇの前記酸化チタン粉末ｙｇを混合する際に
Ｃ＝（Ａｘ＋Ｂｙ）／（ｘ＋ｙ）
で表される混合前の前記原料粉末のトータル比表面積Ｃｍ²／ｇに対し混合後の混合粉末のＢＥＴ法による比表面積が１．１×Ｃｍ²／ｇ以下となるように混合する混合工程と、この混合工程にて得られた混合粉末を１×１０²Ｐａ以下の酸素分圧中で熱処理する熱処
理工程を含む、チタン酸バリウム粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】拡散剤にＰｂ系材料を使用しなくても、良好な電気特性を提供する。
【解決手段】粒界絶縁型半導体セラミックは、主成分がＳｒＴｉＯ_３系化合物で形成されると共に、粒界絶縁化剤とガラス成分とを含む拡散剤が含有されている。粒界絶縁化剤は、Ｐｂを含まない非Ｐｂ系材料で形成されると共に、ガラス成分が、Ｂ及びＰｂを含まないＳｉＯ_２−ＸＯ_２−ＭＯ−ＴｉＯ_２系ガラス材（Ｘはアルカリ金属、ＭはＢａ、Ｓｒ、Ｃａから選択された少なくとも１種を示す。）を主成分とし、かつ、前記ガラス成分の含有量は、前記粒界絶縁化剤１００重量部に対し３〜１５重量部である。部品素体２は、この粒界絶縁型半導体セラミックで形成されている。 （もっと読む）

【課題】 磁性体の混合濃度を比較的大きくすることなく、透磁率増加の効果を得ることができ、これによって得られた磁性体含有絶縁体を回路基板に適用することで、特性インピーダンスを向上することができ、低消費電力化の効果を得ることができる磁性体含有絶縁体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 樹脂ワニスと磁性体を溶剤に分散したスラリーを混合し、塗布、乾燥、焼成を行うことによって得られる磁性体含有絶縁体の製造方法であって、
前記スラリーの製造工程は、溶剤に界面活性剤を添加した分散溶剤を製造する工程と、該分散溶剤に磁性体微粉を混合する工程、とからなり、前記磁性体微粉を混合する工程は、前記スクリュー攪拌を行う工程と、１００ｋＨｚ未満の周波数の超音波を照射する工程と、１００ｋＨｚ以上の周波数の超音波を照射する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 従来の薄膜誘電体は、薄膜化することにより特性が劣化する。
【解決手段】 ナノグラニュラー構造を有する薄膜誘電体：（イ）組成：一般式Ｆｅ_ａＣｏ_ｂＮｉ_ｃＭ_ｗＮ_ｘＯ_ｙＦ_ｚ，Ｍ成分はＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ及び/又はＴａ，組成比ａ,ｂ,ｃ,ｗ,ｘ,ｙ,ｚは原子比率（％）で、０≦ａ≦６０，０≦ｂ≦６０，０≦ｃ≦６０，1０＜ａ+ｂ+ｃ＜６０，１０≦ｗ≦５０，０≦ｘ≦５０，０≦ｙ≦５０，０≦ｚ≦５０，２０≦ｘ+ｙ+ｚ≦７０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である；（ロ）構造：Ｆｅ，Ｃｏ及び/又はＮｉからなり、かつｎｍサイズを有する金属グラニュールが、Ｍ成分とＮ，Ｏ及びＦの少なくとも1種とからなる絶縁体マトリックスに分散している。 （もっと読む）

【課題】微粒であり、均一な粒度を有し、誘電体層の薄層化に寄与しうる六方晶系チタン酸バリウム粉末を提供すること。
【解決手段】本発明に係る六方晶系チタン酸バリウム粉末は、最大粒径が１．０μｍ以下であり、９０％累積粒子径（Ｄ９０）と５０％累積粒子径（Ｄ５０）との比（Ｄ９０／Ｄ５０）が３．０以下であり、六方晶化率が５０％以上であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】組成変動を生じることなく、安定して優れた誘電特性を有することができる誘電体磁器組成物の製造方法および積層型セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】本発明に係る誘電体磁器組成物の製造方法は、主成分原料と副成分原料とを水で混合して原料混合粉末を得る原料混合粉末の作製工程と、前記原料混合粉末を酸素雰囲気下において熱処理する熱処理工程と、熱処理後、原料混合粉末にＬｉ₂Ｏを含むガラスを添加し、有機溶剤を用いて粉砕するガラス成分添加・粉砕工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】誘電体層をより一層薄層化・多層化した場合であっても、誘電特性、絶縁性、温度特性、高温負荷特性等の諸特性を損なうこともなく、耐熱衝撃性が良好な誘電体セラミック、及びこれを用いた積層セラミックコンデンサを実現する。
【解決手段】誘電体セラミックが、一般式ＡＢＯ_３で表されるチタン酸バリウム系化合物を主成分とし、Ａｌ、Ｍｇ、及びＳｉを含有した結晶性酸化物が、二次相粒子として存在している。そして、誘電体層６ａ〜６ｇは上記誘電体セラミックで形成されている。 （もっと読む）

【課題】誘電体層として用いた場合に、寿命特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることが可能な誘電体セラミックおよびそれを用いて誘電体層を形成した信頼性（寿命特性）に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】誘電体セラミックを、ＢａＴｉＯ₃系セラミック粒子を主相粒子とする焼結体からなり、ＢａＴｉＯ₃系セラミック粒子が、シェル部とコア部とを備え、副成分として、Ｒ（Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，ＥｒおよびＹから選ばれる少なくとも１種）、および、Ｍ（Ｍｇ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｍｏ，ＷおよびＶから選ばれる少なくとも１種）を含み、ＲおよびＭは、ＢａＴｉＯ₃系セラミック粒子のシェル部に存在するとともに、ＲおよびＭの合計濃度が、粒界からコア部に向かって勾配を有し、かつ、極小となる部分Ｃ２と、極大となる部分Ｃ３とを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶ積が低く、種々の特性のバラツキを小さくすることができ、しかも結晶粒子の粒成長が抑制された電圧非直線性抵抗体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分として酸化亜鉛を含有し、酸化亜鉛１００モルに対して、副成分として、Ｃｏの酸化物をＣｏ換算で０．０５原子％超３０原子％未満、Ｓｒの酸化物をＳｒ換算で０．０５原子％超２０原子％未満、Ｒの酸化物（Ｒは、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕからなる群から選ばれる少なくとも１つ）を、Ｒ換算で０．０１原子％超２０原子％未満、Ｓｉの酸化物をＳｉ換算で０．０１原子％超１０原子％未満、含有し、Ａｌ、ＧａおよびＩｎを含有しないことを特徴とする電圧非直線性抵抗体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】誘電体層を薄層化した場合であっても、高い電界強度下における比誘電率が高く、しかも良好な温度特性および信頼性を有する誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを主成分として含有し、チタン酸バリウム１００モルに対して、（１−ｘ）ＢａＺｒＯ_３＋ｘＳｒＺｒＯ_３で表される成分を、ＢａＺｒＯ_３およびＳｒＺｒＯ_３換算で５〜１５モル、Ｍｇの酸化物をＭｇＯ換算で３〜５モル、希土類元素の酸化物をＲ_２Ｏ_３換算で４〜６モル、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＦｅから選ばれる少なくとも１つの元素の酸化物を、ＭｎＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ｃｏ_３Ｏ_４およびＦｅ_２Ｏ_３換算で０．５〜１．５モル、Ｓｉを含む化合物をＳｉ換算で２．５〜４モル、含有し、ｘが０．４〜０．９であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、誘電体磁器組成物及びそれを含む積層セラミックキャパシタに関する。
【解決手段】本発明による誘電体磁器組成物は、Ｂａ_ｍ（Ｔｉ_１−ｘＺｒ_ｘ）Ｏ_３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０，０＜ｘ≦０．１０）で表される母材粉末と第１副成分〜第５副成分を含む。本発明による誘電体磁器組成物を含む積層セラミックキャパシタは、高誘電率及び優れた高温信頼性を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、比誘電率が高く、また静電容量の温度変化の小さい積層セラミックコンデンサを得ることができる誘電体磁器組成物を提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明に係る誘電体磁器組成物は、８６.３２〜９７.６４モル％のＢａＴｉＯ₃、０.０１〜１０.００モル％のＹ₂Ｏ₃、０.０１〜１０.００モル％のＭｇＯ、０.００１〜０.２００モルのＶ₂Ｏ₅からなる誘電体主成分と、ＭｎＯ，Ｃｒ₂Ｏ₃，Ｃｏ₂Ｏ₃からなる群から選ばれる一種以上の第１添加物０.０１〜１.０モル％と、｛Ｂａα，Ｃａ（１−α）｝ＳｉＯ₃（ただし、０≦α≦１）である第２添加物０.５〜１０.０モル％と、ＢａＴｉＯ₃１００重量部に対し、Ｓｒ：１０〜５００ｐｐｍ Ｓ：１０〜５０ｐｐｍ Ａｌ：１０〜５０ｐｐｍ Ｆｅ：１０〜５０ｐｐｍ Ｚｒ：１００〜８００ｐｐｍ Ｙ：１０〜１００ｐｐｍ Ｈｆ：１０〜１００ｐｐｍを含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された強誘電体薄膜の薄膜全体において残留分極量を向上させた強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたペロブスカイト型金属酸化物を含有する強誘電体薄膜であって、前記強誘電体薄膜はスピネル型金属酸化物からなる複数の柱状構造体から形成される柱状構造体群を含有し、前記柱状構造体群が前記基板表面に対して垂直方向に立位している、または前記垂直方向を中心として−１０°以上＋１０°以下の範囲で傾斜している強誘電体薄膜。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が薄層化されても、信頼性、特に耐湿負荷試験および高温負荷試験における寿命特性に優れた、積層セラミックコンデンサを実現できる、誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】ＢａＴｉＯ₃系を主成分とし、副成分として、希土類元素Ｒ（ＲはＮｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、ＹｂおよびＹから選ばれる少なくとも１種）、Ｍ（ＭはＭｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、ＷおよびＶから選ばれる少なくとも１種）、ＳｉＯ₂およびＣａＯを含有する、誘電体セラミック。この誘電体セラミックに含まれる結晶粒子のうち、Ｓｉが固溶している結晶粒子１１の個数割合が５％以上である。 （もっと読む）