【課題】限界ひずみを増大させ、機械的強度を高めて通電特性を向上させることができる超電導線材を提供する。
【解決手段】超電導線材１１は、基板１２上に第１中間層１３及び第２中間層１４よりなる中間層１５を介して希土類系酸化物超電導体による超電導層１６が形成されて構成されている。この超電導層１６は、希土類系酸化物超電導体の結晶の（００１）面２０が超電導線材１１の基板１２面と平行で、（１１０）面１７の方位が超電導線材１１の長手方向ｘと平行になるように成膜されている。前記第１中間層１３は結晶の（００１）面２０が超電導線材１１の基板１２面と平行で、（１１０）面１７の方位が超電導線材１１の長手方向ｘに平行に延び、第２中間層１４は結晶の（００１）面２０が超電導線材１１の基板１２面と平行で、（１００）面の方位が超電導線材１１の長手方向ｘに平行に延びるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】超電導層の厚膜化を行った場合でも、超電導電流が飽和しない超電導線材の製造方法及び超電導線材を提供する。
【解決手段】金属基板１１上に中間層１２を介して超電導層１３が形成されてなる超電導線材１の製造方法であって、超電導層１３を形成する超電導薄膜の成膜温度まで、金属基板１１を加熱する加熱工程と、中間層１２上に１０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下の膜厚を有する超電導薄膜を成膜する成膜工程と、超電導薄膜の成膜温度未満まで、金属基板１１温度を冷却する冷却工程と、を含み、加熱工程、成膜工程及び冷却工程からなる超電導薄膜形成工程を複数回行うことを特徴とする超電導線材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン元素を含む原料を供給するＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により、基板がエッチングされることなく、また、基板の種類に依存せず、薄膜を基板上に成長させることができる薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ハロゲン元素を含む原料を供給するＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により、薄膜を基板上に成長させる薄膜製造方法であって、前記薄膜を成長させるとき、前記薄膜を構成する原料とともに、Ｇａ、Ｂ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩから成る群から選ばれる１種以上を供給することを特徴とする薄膜製造方法。 （もっと読む）

【課題】溶液気化型のＣＶＤ装置を用いて超電導体等の薄膜を形成する際に有用な技術であって、気化器における気化状態の異常により良質な薄膜の形成が阻害されるのを回避するための技術を提供する。
【解決手段】気化室と、気化室内に原料溶液を導入する導入部と、気化室において気化された原料ガスを外部に導出する導出部と、気化室の外周に設けられ発熱体により気化室を加熱するヒータと、を備えた気化器において、発熱体の近傍の第１温度Ｔ_Ｍを測定する第１温度センサと、発熱体によって加熱される気化室の対応部分の第２温度Ｔ_ｂを測定する第２温度センサとを設け、発熱体の出力を前記第２温度Ｔ_ｂが一定となるように制御する。そして、第１温度Ｔ_Ｍの変動量に基づいて気化器における気化状態の異常を検出する。 （もっと読む）

【課題】磁場中において高い超電導特性を有する超電導線材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属基板１１上に中間層１２を介してイットリウム系超電導層１３が形成されてなる超電導線材１において、イットリウム系超電導層をランタノイド系元素を含む構成とする。このとき、該超電導層中のイットリウムの組成をＹ、ランタノイド系元素の組成をＬとしたとき、組成比Ｌ／（Ｌ＋Ｙ）が０．０１〜０．４０となるようにする。 （もっと読む）

【課題】
超電導薄膜の膜厚が増大した場合にも、温度を上昇させることなく、臨界電流密度の低下を抑制できる酸化物超電導線材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
基材に積層された中間層と、該中間層に積層された希土類系酸化物超電導体RE-Ｂａ-Ｃｕ-O（式中、REは希土類元素（La、Nd、Sm、Eu、Gd、Y及びYb）から１種又は２種以上選択される）からなる薄膜層を含む超電導薄膜線材において、前記薄膜層は、前記中間層からの離間距離が増大するにつれ、ＢａとＣｕの組成比が減少し、相対的に希土類元素の組成比が増大するように構成する。このようにすると、酸化物超電導線材では、超電導薄膜の膜厚が増大した場合にも、温度を上昇させることなく、臨界電流密度の低下を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】臨界電流密度Ｊｃが高く、かつ磁場角度依存性が小さい超電導体膜を提供する。
【解決手段】
一般式ＲＥＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_Ｘ（式中、ＲＥはＰｒ及びＣｅを除く希土類元素のうち、少なくとも１種の元素であり、６．５＜Ｘ＜７．１である）で表される超電導物質からなる超電導体層中に、Ｂａを含む常電導物質からなり、膜厚方向に間欠的に並んだ柱状結晶が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高いＱ値の高温超伝導フィルタを実現可能とするＮｄＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇やＬａＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇などの薄膜が、ＭｇＯ基板の上に形成できるようにする。
【解決手段】酸化マグネシウム（ＭｇＯ）基板１０１を用意する。ＭｇＯ基板１０１は、主表面が（１００）面とされたものであり、また、一辺が２０ｍｍ程度の矩形の基板である。次に、ＭｇＯ基板１０１を、分子線エピタキシー装置の処理室内に搬入し、ＭｇＯ基板１０１が６００℃〜６４０℃の範囲に加熱された状態とし、例えば、ネオジウム（Ｎｄ），バリウム（Ｂａ），及び銅（Ｃｕ）を蒸発源（蒸着源）とする分子線エピタキシー法により、ＭｇＯ基板１０１の主表面にＮｄ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-d（０≦ｄ≦０．３）からなる高温超伝導体薄膜１０２が膜厚５００ｎｍ程度に形成された状態とする。 （もっと読む）

化学的にドーピングされたホウ素のコーテイングはＣＶＤにより炭化ケイ素フアイバに施され、次いでコーテイングされたフアイバはマグネシウム蒸気に曝されて、ドーピングされたホウ素がドーピングされた２ホウ化マグネシウム（MgB2)に変換され、結果として 超伝導性になる。 （もっと読む）